一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，包括散熱底座、測試板和測試器件；所述測試板焊接在散熱底座上；所述測試板的輸入端和輸出端均采用焊接方式，并采用螺絲釘固定接地；所述測試板上焊接有無源元器件。本發(fā)明所達到的有益效果：散熱底座采用銅底座可以增強電特性和散熱特性。測試板和散熱底座采用焊接的方式連接，有利于C波段頻率下的接地性能。測試器件采用RF2417SPC-E封裝,該器件的封裝形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一種封裝形式，從而可以盡量的減小因為封裝不同而在匹配上帶來的誤差。整個裝置結構簡單，且盡量避免了一切外界因素的干擾，提高了檢測的準確度，且成本低，操作起來簡易。
【專利說明】—種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，屬于微波功率器件檢測【技術領域】。

【背景技術】
[0002]測試板是對C波段微波功率器件性能評價的一種測試手段。但是，在檢測過程中，如果測試板本身性能偏差，會造成對微波功率器件性能評估的偏差，這樣不僅無法體現(xiàn)出真實的微波功率器件性能，也很有可能使得本身很有發(fā)展前景的微波功率器件因為測試結果不良而被埋沒掉，極大地阻礙了這一領域的發(fā)展。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為解決現(xiàn)有技術的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種可以準確的驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置。
[0004]為了實現(xiàn)上述目標，本發(fā)明采用如下的技術方案:
一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，包括散熱底座、測試板和封裝器件；所述測試板焊接在散熱底座上；所述測試板的輸入端和輸出端均采用焊接方式，并采用螺絲釘固定接地；所述測試板上焊接有無源元器件；所述無源元器件包括輸入射頻接口、輸出射頻接口、耦合電容、電阻和濾波電容。
[0005]前述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述散熱底座采用銅底座。
[0006]前述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述封裝器件內(nèi)設置有50歐姆微帶線，其微帶線采用介電常數(shù)為9.9的氧化鋁陶瓷基板。
[0007]前述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述微帶線采用共晶的方式焊接在器件封裝上。
[0008]前述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述封裝器件采用RF2417SPC-E封裝。
[0009]本發(fā)明所達到的有益效果:散熱底座采用銅底座可以增強電特性和散熱特性。測試板和散熱底座采用焊接的方式連接，有利于C波段頻率下的接地性能。器件封裝采用RF2417SPC-E封裝，該器件的封裝形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一種封裝形式，從而可以盡量的減小因為封裝不同而在匹配上帶來的誤差。整個裝置結構簡單，且盡量避免了一切外界因素的干擾，提高了檢測試的準確度，且成本低，操作起來簡易。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本裝置的結構示意圖；
圖2是圖1的背面結構示意圖。
[0011]圖中附圖標記的含義:1-散熱底座，2-輸入端測試板，3-輸出端測試板，4-輸入端SMA接頭，5-輸出端SMA接頭，6、7_耦合電容，8、9_濾波電容，10-電阻，11-螺釘，12-測試器件，121-為50歐姆微帶線O

【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖對本發(fā)明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
[0013]本發(fā)明設計的驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，包括散熱底座、測試板和封裝器件。封裝器件內(nèi)設置有50歐姆微帶線，其微帶線采用介電常數(shù)為9.9的氧化鋁陶瓷基板。微帶線采用共晶的方式焊接在器件封裝上。
[0014]封裝器件采用RF2417SPC-E封裝，其封裝形式和C波段GaN微波功率器件采用了同一種封裝形式，從而可以盡量的減小因為封裝不同而在匹配上帶來的誤差，器件的外尺寸為 17.4mm*24mmο
[0015]散熱底座采用銅底座，采用銅的原因是銅的電特性和散熱特性比較好，減少因為底座散熱導電不良而導致的測試誤差。
[0016]測試板和散熱底座采用焊接的方式連接，有利于C波段頻率下的接地性能測試板焊接上無源元器件，包括輸入射頻接口、輸出射頻接口、耦合電容、電阻、濾波電容等。
[0017]在檢測本裝置在C波段時測試板的損耗來分析本裝置的性能，按如下步驟進行: (O使用矢量網(wǎng)絡分析儀測試該測試板裝置損耗為S2r ；
(2)已知內(nèi)帶50歐姆微帶線的測試器件的損耗為S21"；
(3)輸入輸出測試板的損耗為S21=S2r- S21〃。
[0018]輸入輸出測試板的損耗S21越小說明本裝置的性能越好。
[0019]整個裝置結構簡單，且盡量避免了一切外界因素的干擾，提高了檢測試的準確度，且成本低，操作起來簡易。
[0020]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本【技術領域】的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下，還可以做出若干改進和變形，這些改進和變形也應視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，包括散熱底座、測試板和封裝器件；所述測試板焊接在散熱底座上；所述測試板的輸入端和輸出端均采用焊接方式，并采用螺絲釘固定接地；所述測試板上焊接有無源元器件；所述無源元器件包括輸入射頻接口、輸出射頻接口、耦合電容、電阻和濾波電容。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述散熱底座采用銅底座。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述封裝器件內(nèi)設置有50歐姆微帶線，其微帶線采用介電常數(shù)為9.9的氧化鋁陶瓷基板。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述微帶線采用共晶的方式焊接在器件封裝上。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種驗證C波段GaN微波功率器件用測試板性能的裝置，其特征是，所述封裝器件采用RF2417SPC-E封裝。
【文檔編號】G01R31/00GK104375028SQ201410625958
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年11月7日 優(yōu)先權日:2014年11月7日
【發(fā)明者】沈美根, 陳強, 鄭立榮, 關曉龍, 閆峰, 李賀 申請人:江蘇博普電子科技有限責任公司