一種次聲波感應裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種次聲波感應裝置，包括金屬外殼，所述金屬外殼頂端內(nèi)側(cè)設置有金屬絲網(wǎng)罩，所述金屬絲網(wǎng)罩下方設置有錐形共振盤，所述錐形共振盤下方設置有壓電晶片，所述壓電晶片設置在晶片安裝結(jié)構(gòu)之上，所述晶片安裝結(jié)構(gòu)設置在托架之上，所述托架設置在金屬外殼底端，所述金屬外殼底端設置有陽極引線端子、陰極引線端子，所述陽極引線端子、陰極引線端子分別設置有陽極引線、陰極引線，所述陽極引線、陰極引線分別與壓電晶片連接。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單、體積小，靈敏度高，對低頻率次聲波響應好。
【專利說明】一種次聲波感應裝置

【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種聲波監(jiān)測設備，尤其涉及一種次聲波感應裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]國內(nèi)多數(shù)次聲觀測站采用電容式次聲傳感器?，F(xiàn)在這種電容式次聲波傳感器已在冰雹預報、地震次聲預報及地球物理等研究領域中多有使用。其他類型的傳感器普遍存在的問題是，靈敏度低，頻率響應不容易平直以及裝置笨重等。例如，電動型的次聲波傳感器是質(zhì)量控制，其頻率下限由質(zhì)量決定，為得到足夠低的下限頻率，就要求振動系統(tǒng)有足夠大的質(zhì)量和順性，這樣系統(tǒng)必然就很笨重。
[0003]目前，次聲波監(jiān)測裝置受限于材料本身的限制，主要表現(xiàn)為對低頻率、波長長的次聲波無法響應、對液體、固體物質(zhì)的穿透能力差。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、體積小，靈敏度高，對低頻率次聲波響應好的次聲波感應裝置。
[0005]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種次聲波感應裝置，包括金屬外殼，所述金屬外殼頂端內(nèi)側(cè)設置有金屬絲網(wǎng)罩，所述金屬絲網(wǎng)罩下方設置有錐形共振盤，所述錐形共振盤下方設置有壓電晶片，所述壓電晶片設置在晶片安裝結(jié)構(gòu)之上，所述晶片安裝結(jié)構(gòu)設置在托架之上，所述托架設置在金屬外殼底端，所述金屬外殼底端設置有陽極引線端子、陰極引線端子，所述陽極引線端子、陰極引線端子分別設置有陽極引線、陰極引線，所述陽極引線、陰極引線分別與壓電晶片連接。
[0006]當次聲波穿過次聲波感應裝置，進入感應裝置與錐形共振盤發(fā)生共振，共振錐形共振盤將振動能量傳遞給壓電晶片，所述壓電晶片發(fā)生形變，導致壓電晶片電阻率發(fā)生變化，實現(xiàn)聲波與電信號的轉(zhuǎn)換，所述電信號通過引線、引線端子輸出到外電路，由于錐形共振盤為長波長材質(zhì),共振頻率低,有利于對次聲波的感應。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎上，本發(fā)明還可以做如下改進。
[0008]進一步，所述陽極引線、陰極引線為銅金屬線，所述銅金屬線電阻小、導電性好、內(nèi)耗低，有利于降低對監(jiān)測信號的干擾。
[0009]進一步，所述金屬外殼上端設置有窗口，所述窗口用于次聲波的傳遞與收集。
[0010]進一步，所述托架為陶瓷絕緣材料，所述陶瓷絕緣材料硬度強，有利于增強次聲波感應裝置的過載性；所述陶瓷絕緣材料絕緣性好，用于陽極引線端子與陰極引線端子的絕緣。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:結(jié)構(gòu)簡單、體積小，靈敏度高，對低頻率次聲波響應好。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明一種次聲波感應裝置結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:1、金屬外殼，2、陽極引線，3、晶片安裝結(jié)構(gòu)，4、金屬絲網(wǎng)罩，5、窗口，6、錐形共振盤，7、壓電晶片，8、陰極引線，9、托架，10、陰極引線端子，11、陽極引線端子。

【具體實施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0015]如圖1所不,一種次聲波感應裝置,包括金屬外殼I,所述金屬外殼I頂端內(nèi)側(cè)設置有金屬絲網(wǎng)罩4，所述金屬絲網(wǎng)罩4下方設置有錐形共振盤6，所述錐形共振盤6下方設置有壓電晶片7，所述壓電晶片7設置在晶片安裝結(jié)構(gòu)3之上，所述晶片安裝結(jié)構(gòu)3設置在托架9之上，所述托架9設置在金屬外殼I底端，所述金屬外殼I底端設置有陽極引線端子
11、陰極引線端子10，所述陽極引線端子11、陰極引線端子10分別設置有陽極引線2、陰極引線8，所述陽極引線2、陰極引線8分別與壓電晶片7連接。
[0016]當次聲波穿過次聲波感應裝置，進入感應裝置與錐形共振盤6發(fā)生共振，共振錐形共振盤6將振動能量傳遞給壓電晶片7，所述壓電晶片7發(fā)生形變，導致壓電晶片7電阻率發(fā)生變化，實現(xiàn)聲波與電信號的轉(zhuǎn)換，所述電信號通過引線、引線端子輸出到外電路，由于錐形共振盤6為長波長材質(zhì)，共振頻率低，有利于對次聲波的感應。
[0017]所述陽極引線2、陰極引線8為銅金屬線，所述銅金屬線電阻小、導電性好、內(nèi)耗低，有利于降低對監(jiān)測信號的干擾；所述金屬外殼I上端設置有窗口 5,所述窗口 5用于次聲波的傳遞與收集；所述托架9為陶瓷絕緣材料，所述陶瓷絕緣材料硬度強，有利于增強次聲波感應裝置的過載性；所述陶瓷絕緣材料絕緣性好，用于陽極引線端子11與陰極引線端子10的絕緣。
[0018]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.本發(fā)明涉及一種次聲波感應裝置，其特征在于，包括金屬外殼，所述金屬外殼頂端內(nèi)側(cè)設置有金屬絲網(wǎng)罩，所述金屬絲網(wǎng)罩下方設置有錐形共振盤，所述錐形共振盤下方設置有壓電晶片，所述壓電晶片設置在晶片安裝結(jié)構(gòu)之上，所述晶片安裝結(jié)構(gòu)設置在托架之上，所述托架設置在金屬外殼底端，所述金屬外殼底端設置有陽極引線端子、陰極引線端子，所述陽極引線端子、陰極引線端子分別設置有陽極引線、陰極引線，所述陽極引線、陰極引線分別與壓電晶片連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種次聲波感應裝置，其特征在于，所述陽極引線、陰極引線為銅金屬線。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種次聲波感應裝置，其特征在于，所述金屬外殼上端設置有窗Π。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種次聲波感應裝置，其特征在于，所述托架為陶瓷絕緣材料。
【文檔編號】G01H11/08GK104236700SQ201410532924
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月30日
【發(fā)明者】李 杰 申請人:重慶澤嘉機械有限公司