高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法。該方法包括：獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢；對(duì)待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密測試；對(duì)待測試自然污穢進(jìn)行下述至少一種測試：污穢成分測試、污穢粒度測試、污穢形貌測試、污穢熱重測試和污穢紅外光譜測試。本方案通過對(duì)自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密測試，能夠確定污穢度■’通過進(jìn)行污穢成分測試、污穢粒度測試、污穢形貌測試、污穢熱重測試和污穢紅外光譜測試中至少一種測試，能夠得到自然污穢所包含的離子和濃度、所包含顆粒的粒度、自然污穢的形貌特征、熱穩(wěn)定性、以及化學(xué)鍵信息或官能團(tuán)信息中的至少一種，能夠全面測試所述設(shè)備表面的自然污穢特性。
【專利說明】高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明實(shí)施例涉及電力【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性 的測試方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 電力系統(tǒng)中，高壓外絕緣設(shè)備由于其分布廣泛，常面臨各種復(fù)雜的地理環(huán)境和氣 候環(huán)境的影響。如，在霧、露、毛毛雨、融冰、融雪等氣象條件的作用下，高壓外絕緣設(shè)備表面 上沉積污穢，降低了高壓外絕緣設(shè)備的電氣強(qiáng)度。隨著高壓外絕緣設(shè)備表面上污穢的沉積、 輸電電壓的提高、以及環(huán)境污染的加劇，導(dǎo)致高壓外絕緣設(shè)備在運(yùn)行電壓下發(fā)生污穢閃絡(luò) 事故即污閃問題，導(dǎo)致高壓外絕緣設(shè)備無法安全可靠的運(yùn)行，污閃問題引起了電力部門的 高度重視。
[0003] 通過對(duì)高壓外絕緣設(shè)備表面的污穢特性進(jìn)行分析，并在達(dá)到污閃前進(jìn)行報(bào)警，可 以達(dá)提前采取措施避免污閃問題產(chǎn)生的目的，因此對(duì)高壓外絕緣設(shè)備表面的污穢特性進(jìn)行 分析，對(duì)于電力系統(tǒng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行具有重要意義。
[0004] 其中，對(duì)高壓外絕緣設(shè)備表面的污穢特性的分析，主要是通過自然積污站來模擬 高壓外絕緣設(shè)備在實(shí)際運(yùn)行環(huán)境中的沉積的污穢的特性。
[0005] 現(xiàn)有的高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試技術(shù)，主要是測試自然污穢的等值 鹽密和灰密，以此來表征高壓外絕緣設(shè)備的污穢度。其中，高壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢 層主要包含可溶成分和不可溶成分，可溶成分的含量用等值鹽密表示，不可溶成分的含量 則用灰密表示。等值鹽密是等值附鹽密度的簡稱，是外絕緣設(shè)備的單位表面積上的等值鹽 量。灰密是非可溶沉積物密度的簡稱，是指附著在高壓外絕緣設(shè)備的單位表面積上的不能 溶解于水的物質(zhì)的含量。
[0006] 現(xiàn)有的高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢的等值鹽密的測試技術(shù)，一般是通過清洗高壓 外絕緣設(shè)備的自然污穢，通過污液測試等值鹽密。
[0007] 現(xiàn)有的高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢的灰密的測試技術(shù)，一般是通過對(duì)污液進(jìn)行過 濾和稱重，得到灰密。
[0008] 然而現(xiàn)有技術(shù)中并沒有提供對(duì)高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性進(jìn)行全面測試的 技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法，以全面測試 高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性。
[0010] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法，包括： [0011] 獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢；
[0012] 對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密測試；
[0013] 在獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢之后，還包括：
[0014] 對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行下述至少一種測試：污穢成分測試、污穢粒度測試、污 穢形貌測試、污穢熱重測試和污穢紅外光譜測試。
[0015] 本發(fā)明實(shí)施例提供的高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法，在獲取高壓外 絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢后，通過對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密 測試，能夠得到所述待測試自然污穢的等值鹽密和灰密，從而能夠確定高壓外絕緣設(shè)備表 面的污穢度；通過對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢成分測試、污穢粒度測試、污穢形貌測 試、污穢熱重測試和污穢紅外光譜測試中的至少一種測試，能夠得到所述待測試自然污穢 所包含的離子成分和濃度、待測試自然污穢中待測顆粒的粒度、待測試自然污穢的形貌特 征、熱穩(wěn)定性、以及化學(xué)鍵信息或官能團(tuán)信息中的至少一種，能夠全面測試高壓外絕緣設(shè)備 表面的自然污穢特性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 為了更清楚地說明本發(fā)明，下面將對(duì)本發(fā)明中所需要使用的附圖做一簡單地介 紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來 講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法的 流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例 中的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全 部的實(shí)施例。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的 限定，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得 的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖 中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。
[0019] 請(qǐng)參閱圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試 方法的流程圖。本發(fā)明實(shí)施例的方法適用于電力系統(tǒng)，能夠?qū)﹄娏ο到y(tǒng)中廣泛分布的高壓 外絕緣設(shè)備表面的自然污穢特性進(jìn)行全面測試，典型的高壓外絕緣設(shè)備包括針式絕緣子、 盤形懸式絕緣子、支柱絕緣子、套管和絕緣套。
[0020] 該方法包括：
[0021] 步驟110、獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢；
[0022] 本步驟可以有多種實(shí)施方式，例如包括下述實(shí)施方式中的至少一種：
[0023] 方式一、采用蒸餾水清洗高壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢，得到包含所述自然污 穢的待測試污液。
[0024] 具體地，可以首先確定高壓外絕緣設(shè)備的上表面和下表面各自的表面積；然后，根 據(jù)所述上表面的表面積和下表面的表面積，確定蒸餾水用量，例如，根據(jù)每平方厘米的表面 積用水0. 2ml，確定蒸餾水用量；然后再采用蒸餾水清洗高壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢。
[0025] 方式二、刮取高壓外絕緣設(shè)備表面的污穢粉末，作為待測試自然污穢。
[0026] 步驟120、對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密測試；
[0027] 在本步驟中，通過對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試，能夠確定所述待測 試自然污穢的等值鹽密，也即自然污穢中的可溶成分的含量；通過對(duì)所述待測試自然污穢 進(jìn)行灰密測試，能夠確定所述自然污穢的灰密，也即自然污穢中的不可溶成分的含量；通過 所述待測試自然污穢的等值鹽密和灰密，進(jìn)而確定高壓外絕緣設(shè)備表面的污穢度。
[0028] 步驟130、對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢成分測試；
[0029] 本步驟具體是測試所述待測試自然污穢所包含的離子和相應(yīng)的離子濃度。
[0030] 本步驟可以有多種實(shí)施方式，下面分別進(jìn)行說明。
[0031] 作為本步驟的一種優(yōu)選的實(shí)施方式，可以利用原子吸收分光光度法對(duì)待測試自然 污穢進(jìn)行污穢成分測試，具體可以包括：
[0032] 控制特征譜線發(fā)射源發(fā)射特征譜線；
[0033] 控制原子化器將待測試自然污穢原子化為原子蒸汽；
[0034] 參考芯片探測由所述特征譜線發(fā)射源發(fā)射的、不被所述原子蒸汽吸收，并經(jīng)過參 考濾光片透射后的譜線；
[0035] 探測芯片探測由所述特征譜線源發(fā)出的、經(jīng)所述原子蒸汽吸收，并經(jīng)過對(duì)應(yīng)的探 測濾光片透射后的譜線；
[0036] 數(shù)據(jù)處理模塊分別處理探測器芯片的輸出信號(hào)，以識(shí)別待測試自然污穢的離子成 分和判定待測試自然污穢所包含的離子成分的濃度。
[0037] 需要說明的是，探測濾光片的透射波長決定探測芯片所能測試的具體的離子成 分，所述探測濾光片和對(duì)應(yīng)的探測芯片的單元數(shù)量決定所能測試的待測試自然污穢所包含 離子的最多種類。
[0038] 當(dāng)探測濾光片的透射波長為Na+的吸收波長時(shí)，所述探測濾光片單元和探測芯片 配合數(shù)據(jù)處理模塊、所述參考濾光片和所述參考芯片，可以測試所述待測試自然污穢中是 否含有Na+以及對(duì)應(yīng)的濃度。
[0039] 類似地，所述探測濾光片的透射波長還可以為K+的吸收波長、NH4+的吸收波長、 Mg2+的吸收波長，以及Ca2+的吸收波長，所述探測濾光片單元和探測芯片配合數(shù)據(jù)處理模 塊、所述參考濾光片和所述參考芯片，可以測試所述待測試自然污穢中是否含有K+以及對(duì) 應(yīng)的濃度、是否含有NH 4+以及對(duì)應(yīng)的濃度、是否含有Mg2+以及對(duì)應(yīng)的濃度，以及是否含有 Ca2+以及對(duì)應(yīng)的濃度。
[0040] 類似地，所述探測濾光片的透射波長還可以為cr的吸收波長、NCV的吸收波長、 NO,的吸收波長、Γ的吸收波長，以及S0,的吸收波長，從而測試所述待測試自然污穢中是 否含有前述陰離子以及相應(yīng)的濃度。
[0041] 作為本步驟的另一種優(yōu)選的實(shí)施方式，可以利用電感耦合等離子體發(fā)射光譜法對(duì) 待測試自然污穢進(jìn)行污穢成分測試，具體可以包括：
[0042] 控制射頻發(fā)射器將高頻能量加載至感應(yīng)耦合線圈上，以使置于所述感應(yīng)耦合線圈 中心的等離子炬管中產(chǎn)生高頻電磁場；
[0043] 控制通入所述等離子炬管中的氬氣電離，以在高頻電磁場的作用下，形成與所述 感應(yīng)耦合線圈同心的渦流區(qū)，并形成等離子體；
[0044] 控制霧化系統(tǒng)將待測試自然污穢霧化；
[0045] 控制霧化后的待測試自然污穢進(jìn)入等離子體的軸向通道，以發(fā)射特征譜線；
[0046] 根據(jù)特征譜線以及特征譜線的強(qiáng)度，識(shí)別待測試自然污穢的離子成分和判定待測 試自然污穢所包含的離子成分的濃度。
[0047] 本實(shí)施方式可以根據(jù)特征譜線的存在與否，測試所述待測試自然污穢中是否含有 某種離子，根據(jù)特征譜線強(qiáng)度的衰減確定相應(yīng)離子的濃度。
[0048] 作為本步驟的再一種優(yōu)選的實(shí)施方式，可以利用離子交換色譜法對(duì)待測試自然污 穢進(jìn)行污穢成分測試，具體可以包括：
[0049] 利用離子交換層析技術(shù)將待測試自然污穢所包含的離子進(jìn)行分離；
[0050] 利用離子交換色譜法，識(shí)別待測試自然污穢的離子成分和判定待測試自然污穢所 包含的離子成分的濃度。
[0051] 需要說明的是，本實(shí)施方式要求待測試自然污穢呈液態(tài)，例如，采用步驟110中的 待測試污液。離子交換層析是以離子交換劑為固定相，以含有特定離子的溶液為流動(dòng)相，利 用離子交換劑上的可交換離子與所述待測試污液中離子發(fā)生交換，進(jìn)而利用離子交換色譜 法測試所述待測試自然污穢所包含的離子及相應(yīng)的濃度。
[0052] 需要說明的是，通過原子吸收分光光度法、電感耦合等離子體發(fā)射光譜法以及離 子交換色譜法，得到待測試自然污穢所包含的離子及相應(yīng)的濃度，能夠確定不同地區(qū)的高 壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢的成分，能夠確定交流高壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢的成 分，以及直流高壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢的成分，也即通過污穢成分測試，可以對(duì)不同 地區(qū)的自然污穢的成分進(jìn)行分析，還可以分析交流設(shè)備和直流設(shè)備積污特性的差異。
[0053] 較佳地，在識(shí)別待測試自然污穢的離子成分和判定待測試自然污穢所包含的離子 成分的濃度之后，還可以包括：
[0054] 對(duì)待測試自然污穢的離子成分進(jìn)行配對(duì)，以確定待測試自然污穢中的電解質(zhì)的種 類和濃度。
[0055] 換言之，在獲取到所述待測試自然污穢所包含的離子成分及相應(yīng)的濃度之后，可 以對(duì)離子進(jìn)行配對(duì)，從而確定所述待測試自然污穢中電解質(zhì)的種類和比例，進(jìn)而可以研究 所述電解質(zhì)對(duì)污閃電壓的影響，以達(dá)到防止污閃的目的。
[0056] 其中，所述電解質(zhì)可以包括一價(jià)堿金屬鹽和二價(jià)堿金屬鹽，具體可以分析所述待 測試自然污穢中的二價(jià)堿金屬鹽的比例對(duì)污閃電壓的影響。
[0057] 步驟140、對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢粒度測試；
[0058] 本步驟具體是確定待測試自然污穢中待測顆粒的粒度，也即待測顆粒的大小。
[0059] 本步驟可以有多種實(shí)施方式，下面分別進(jìn)行說明。
[0060] 在本步驟中，可以利用沉降法對(duì)待測試自然污穢進(jìn)行污穢粒度測試。
[0061] 在本步驟中，優(yōu)選利用激光粒度分析法對(duì)待測試自然污穢進(jìn)行污穢粒度測試，具 體可以包括：
[0062] 控制激光光源發(fā)射激光；
[0063] 探測由激光光源發(fā)出的、并經(jīng)過待測試自然污穢中的待測顆粒衍射和散射后的激 光；
[0064] 根據(jù)經(jīng)過待測試自然污穢中的待測顆粒衍射和散射后的激光的空間分布，確定待 測試自然污穢中待測顆粒的粒度。
[0065] 本實(shí)施方式，由于經(jīng)過待測試自然污穢中的待測顆粒衍射和散射后的激光的空間 分布只與待測顆粒的粒度有關(guān)，因此，基于經(jīng)過待測試自然污穢中的待測顆粒衍射和散射 后的激光的空間分布，能夠確定所述待測顆粒的粒度。
[0066] 需要說明的是，通過確定所述待測試自然污穢中待測顆粒的粒度，可以分析不同 的地理區(qū)域和不同電壓類型高壓外絕緣設(shè)備自然污穢的污穢粒度，污穢粒度的測試結(jié)果可 用于絕緣子積污特性的研究。
[0067] 步驟150、對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢形貌測試；
[0068] 本步驟中，可以利用掃描電子顯微鏡進(jìn)行掃描，然后分析所述待測試自然污穢的 形貌特征。具體可以包括：
[0069] 控制掃描電子顯微鏡掃描所述待測試自然污穢；
[0070] 根據(jù)掃描結(jié)果，得到所述待測試自然污穢的下述至少一項(xiàng)形貌特征：幾何形貌、粉 體的分散形態(tài)和粉體分布的規(guī)則度。
[0071] 需要說明的是，本步驟要求待測試自然污穢呈固態(tài)，例如，刮取高壓外絕緣設(shè)備表 面的污穢粉末，將污穢粉末烘干除去水分，作為待測試自然污穢。將導(dǎo)電膠或雙面膠紙粘結(jié) 在樣品座上，均勻地把污穢粉末撒在上面，用洗耳球吹去未粘住的粉末后，再鍍上一層導(dǎo)電 膜，即可放在掃描電鏡中觀察。掃描結(jié)果包含有待測試自然污穢的微觀形貌，因此通過掃描 結(jié)果可以得到所述待測試自然污穢的形貌特征。
[0072] 其中，通過粉體的分散形態(tài)可以確定待測試自然污穢的松散度或緊密度，還可以 確定待測試自然污穢內(nèi)部的空隙數(shù)量、孔隙大小和孔隙排布等。
[0073] 需要說明的是，污穢形貌關(guān)系到污穢的吸水性能，污穢吸水性能會(huì)影響絕緣子的 污閃電壓。不同形貌的污穢即使有相同的等值鹽密、灰密，其所表現(xiàn)出來的外絕緣狀態(tài)是完 全不一樣的，對(duì)于復(fù)合絕緣子這一點(diǎn)尤為突出。因此測試污穢形貌可以更為全面地分析高 壓設(shè)備外絕緣狀態(tài)，預(yù)防污閃事故的發(fā)生。
[0074] 步驟160、對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢熱重測試；
[0075] 本步驟具體是測試所述待測試自然污穢的熱穩(wěn)定性。具體地，可以按設(shè)定時(shí)間間 隔測量待測試自然污穢的質(zhì)量和對(duì)應(yīng)的溫度；
[0076] 根據(jù)所述待測試自然污穢的質(zhì)量和對(duì)應(yīng)的溫度，確定所述待測試自然污穢的熱穩(wěn) 定性。
[0077] 其中，可以通過熱天平得到待測試自然污穢的質(zhì)量和對(duì)應(yīng)的溫度。
[0078] 對(duì)于復(fù)合絕緣子，熱重分析可獲取硅橡膠小分子在污穢中的遷移量，可用于復(fù)合 絕緣子憎水遷移性研究。
[0079] 步驟170、對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢紅外光譜測試。
[0080] 本步驟具體是確定待測試自然污穢中的化學(xué)鍵信息或官能團(tuán)信息。
[0081] 作為本步驟的一種優(yōu)選的實(shí)施方式，可以包括：
[0082] 控制紅外光源發(fā)射紅外光；
[0083] 獲取紅外光通過所述待測試自然污穢，并與所述待測試自然污穢產(chǎn)生振動(dòng)吸收的 振動(dòng)吸收光譜；
[0084] 根據(jù)所述振動(dòng)吸收光譜中的振動(dòng)吸收位置，確定所述待測試自然污穢中的化學(xué)鍵 信息或官能團(tuán)信息。
[0085] 較佳地，在確定所述待測試自然污穢中的化學(xué)鍵信息或官能團(tuán)信息之后，還可以 包括：根據(jù)所述化學(xué)鍵信息或官能團(tuán)信息，確定所述待測試自然污穢中的聚合物種類，以確 定高壓外絕緣設(shè)備表面材料發(fā)生分子遷移或老化的情況。
[0086] 本實(shí)施例的技術(shù)方案，在獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢后，通過對(duì) 所述待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密測試，能夠得到所述待測試自然污穢的等值 鹽密和灰密，從而能夠確定高壓外絕緣設(shè)備表面的污穢度；通過對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn) 行污穢成分測試、污穢粒度測試、污穢形貌測試、污穢熱重測試和污穢紅外光譜測試中的至 少一種測試，能夠得到所述待測試自然污穢所包含的離子成分和濃度、待測試自然污穢中 待測顆粒的粒度、待測試自然污穢的形貌特征、熱穩(wěn)定性、以及化學(xué)鍵信息或官能團(tuán)信息中 的至少一種，能夠全面測試高壓外絕緣設(shè)備表面的自然污穢特性。
[0087] 需要說明的是，在本實(shí)施例中，步驟120-步驟170是相互獨(dú)立的，本實(shí)施例對(duì)步驟 120-步驟170的執(zhí)行順序不進(jìn)行限制。
[0088] 還需要說明的是，步驟130-步驟170可以單獨(dú)執(zhí)行，也可以組合采用。本實(shí)施例 對(duì)此不進(jìn)行限制。
[0089] 單獨(dú)執(zhí)行與組合采用的區(qū)別在于，單獨(dú)執(zhí)行只能得到待測試自然污穢某一方面的 特性，而組合采用可以得到豐富的特性信息。
[0090] 最后應(yīng)說明的是：以上各實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其進(jìn)行限 制；實(shí)施例中優(yōu)選的實(shí)施方式，并非對(duì)其進(jìn)行限制，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，本發(fā)明可以 有各種改動(dòng)和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均 應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種高壓外絕緣設(shè)備的自然污穢特性的測試方法，包括： 獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢； 對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行等值鹽密測試和灰密測試； 其特征在于，在獲取高壓外絕緣設(shè)備表面的待測試自然污穢之后，還包括： 對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行下述至少一種測試：污穢成分測試、污穢粒度測試、污穢形 貌測試、污穢熱重測試和污穢紅外光譜測試。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢成分測 試，包括： 控制特征譜線發(fā)射源發(fā)射特征譜線； 控制原子化器將待測試自然污穢原子化為原子蒸汽； 參考芯片探測由所述特征譜線發(fā)射源發(fā)射的、不被所述原子蒸汽吸收，并經(jīng)過參考濾 光片透射后的譜線； 探測芯片探測由所述特征譜線源發(fā)出的、經(jīng)所述原子蒸汽吸收，并經(jīng)過對(duì)應(yīng)的探測濾 光片透射后的譜線； 數(shù)據(jù)處理模塊分別處理探測器芯片的輸出信號(hào)，以識(shí)別待測試自然污穢的離子成分和 判定待測試自然污穢所包含的離子成分的濃度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢成分測 試，包括： 控制射頻發(fā)射器將高頻能量加載至感應(yīng)耦合線圈上，以使置于所述感應(yīng)耦合線圈中心 的等離子炬管中產(chǎn)生高頻電磁場； 控制通入所述等離子炬管中的氬氣電離，以在高頻電磁場的作用下，形成與所述感應(yīng) 耦合線圈同心的渦流區(qū)，并形成等離子體； 控制霧化系統(tǒng)將待測試自然污穢霧化； 控制霧化后的待測試自然污穢進(jìn)入等離子體的軸向通道，以發(fā)射特征譜線； 根據(jù)特征譜線以及特征譜線的強(qiáng)度，識(shí)別待測試自然污穢的離子成分和判定待測試自 然污穢所包含的離子成分的濃度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢成分測 試，包括： 利用離子交換層析技術(shù)將待測試自然污穢所包含的離子進(jìn)行分離； 利用離子交換色譜法，識(shí)別待測試自然污穢的離子成分和判定待測試自然污穢所包含 的離子成分的濃度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2-4任一所述的方法，其特征在于，在識(shí)別待測試自然污穢的離子成 分和判定待測試自然污穢所包含的離子成分的濃度之后，還包括： 對(duì)待測試自然污穢的離子成分進(jìn)行配對(duì)，以確定待測試自然污穢中的電解質(zhì)的種類和 濃度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢粒度測 試，包括： 控制激光光源發(fā)射激光； 探測由激光光源發(fā)出的、并經(jīng)過待測試自然污穢中的待測顆粒衍射和散射后的激光； 根據(jù)經(jīng)過待測試自然污穢中的待測顆粒衍射和散射后的激光的空間分布，確定待測試 自然污穢中待測顆粒的粒度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢形貌測 試，包括： 控制掃描電子顯微鏡掃描所述待測試自然污穢； 根據(jù)掃描結(jié)果，得到所述待測試自然污穢的下述至少一項(xiàng)形貌特征：幾何形貌、粉體的 分散形態(tài)和粉體分布的規(guī)則度。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢熱重測 試，包括： 按設(shè)定時(shí)間間隔測量待測試自然污穢的質(zhì)量和對(duì)應(yīng)的溫度； 根據(jù)所述待測試自然污穢的質(zhì)量和對(duì)應(yīng)的溫度，確定所述待測試自然污穢的熱穩(wěn)定 性。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)所述待測試自然污穢進(jìn)行污穢紅外光 譜測試，包括： 控制紅外光源發(fā)射紅外光； 獲取紅外光通過所述待測試自然污穢，并與所述待測試自然污穢產(chǎn)生振動(dòng)吸收的振動(dòng) 吸收光譜； 根據(jù)所述振動(dòng)吸收光譜中的振動(dòng)吸收位置，確定所述待測試自然污穢中的化學(xué)鍵信息 或官能團(tuán)信息。
【文檔編號(hào)】G01N9/00GK104215551SQ201410495422
【公開日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月24日
【發(fā)明者】孟曉波, 王黎明, 張貴峰, 王耿耿, 梅紅偉, 董弘川 申請(qǐng)人:南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司, 清華大學(xué)深圳研究生院