一種熒光納米標(biāo)尺部件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種熒光納米標(biāo)尺部件及其制作方法。所述熒光納米標(biāo)尺部件包括透明基底、在所述透明基底上形成的非透明導(dǎo)電層以及在所述非透明導(dǎo)電層上形成的抗刻蝕掩膜層，所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層的對(duì)應(yīng)位置上有一系列間隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度的溝槽，所述溝槽完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層，所述溝槽用于填充熒光染料。將熒光染料填充入所述溝槽得到熒光納米標(biāo)尺可用于熒光顯微鏡和超高分辨率熒光顯微鏡系統(tǒng)分辨率的標(biāo)定。
【專利說明】一種熒光納米標(biāo)尺部件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及超高分辨率熒光顯微成像【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種熒光納米標(biāo)尺部件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]熒光顯微成像已經(jīng)成為現(xiàn)代生命科學(xué)研究的重要成像手段，人們可以通過它定位細(xì)胞器并研究細(xì)胞的功能和相互作用過程動(dòng)態(tài)信息。但是，由于阿貝極限的限制，無法用熒光顯微鏡看到更細(xì)微的結(jié)構(gòu)。近年興起的超高分辨率熒光顯微鏡突破了這個(gè)限制，能夠得到20nm至IOOnm的分辨率。其中最重要的是基于受激躍遷激發(fā)耗盡STED (Stimulated Emission Depletion microscopy)、基于結(jié)構(gòu)光照明的顯微成像技術(shù)SIM (Structured Illumination Microscopy)和單分子定位顯微成像技術(shù) SMLM (SingleMolecule Localization Microscopy)。其中SMLM技術(shù)自2006年發(fā)展至今，已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)在寬場條件下快速對(duì)單個(gè)熒光分子定位的能力，其主要包括隨機(jī)光學(xué)重建顯微成像技術(shù) STORM (Stochastic Optical Reconstruction Microscopy)、光敏定位顯微成像技術(shù) PALM(Photo-Activated Localization Microscopy)和突光 PALM 顯微成像技術(shù)FPALM(Fluorescence Photo-activation Localization Microscopy)。
[0003]單分子定位顯微成像技術(shù)SMLM的基本原理是在單分子成像基礎(chǔ)上通過計(jì)算機(jī)高精度地定位擬合重構(gòu)得到超高分辨率圖像。超高分辨率熒光顯微鏡的一個(gè)主要應(yīng)用是細(xì)胞成像。胞內(nèi)結(jié)構(gòu)復(fù)雜，可以對(duì)其內(nèi)部多組分熒光標(biāo)記，研究其在細(xì)胞內(nèi)的相互關(guān)系和分布。這一技術(shù)中，圖像的分辨率除了取決于光學(xué)系統(tǒng)的精度與靈敏度，還在極大程度上取決于單分子事件的鑒別及擬合算法的選取。該技術(shù)的突破性在于基于遠(yuǎn)場光學(xué)能在幾十納米精度上測量熒光標(biāo)記目標(biāo)分子的空間分布與距離關(guān)系，而不同光學(xué)系統(tǒng)和算法可能會(huì)給出不同的結(jié)果，導(dǎo)致相異的結(jié)論。而細(xì)胞本身不能提供標(biāo)準(zhǔn)尺度，使得各個(gè)研究小組宣稱的分辨率沒有統(tǒng)一的標(biāo)定，難以直接對(duì)比。
[0004]由于超高分辨率熒光顯微鏡的成像已經(jīng)超越了阿貝極限，無法再用傳統(tǒng)顯微鏡計(jì)算分辨率的方法來標(biāo)定分辨率。從整個(gè)成像過程來看，圖像的分辨率除取決于光學(xué)系統(tǒng)的精度與靈敏度，還在極大程度上取決于單分子事件的鑒別及重建算法的選取。不同光學(xué)平臺(tái)設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)及算法可能帶來不同的分辨率和結(jié)果。如何標(biāo)定超高分辨率熒光顯微鏡所能達(dá)到的真實(shí)分辨率，是該研究領(lǐng)域中一個(gè)重要問題。尤其是基于單分子擬合定位的超高分辨率熒光顯微鏡，最終分辨率由計(jì)算機(jī)擬合結(jié)果獲得，容易產(chǎn)生高于系統(tǒng)能夠真實(shí)得到的“虛假”分辨率。不同光學(xué)系統(tǒng)和算法可能會(huì)給出不同的結(jié)果，導(dǎo)致相異的結(jié)論。因此本領(lǐng)域需要統(tǒng)一的標(biāo)尺來標(biāo)定超高分辨率熒光顯微鏡系統(tǒng)的分辨率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種熒光納米標(biāo)尺部件及其制作方法，本發(fā)明的熒光納米標(biāo)尺部件與熒光染料配合形成熒光納米標(biāo)尺，用于超高分辨率熒光顯微鏡系統(tǒng)分辨率的標(biāo)定，提供統(tǒng)一的標(biāo)尺；本發(fā)明的熒光納米標(biāo)尺使用方便，用戶操作簡單，可重復(fù)利用；本發(fā)明的制作方法采用成熟的微納米加工技術(shù)，制作工藝穩(wěn)定，可重復(fù)批量制作；且制得的熒光納米標(biāo)尺結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，具有很高的運(yùn)輸攜帶性。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]在第一方面，本發(fā)明提供一種熒光納米標(biāo)尺部件，包括透明基底、在所述透明基底上形成的非透明導(dǎo)電層以及在所述非透明導(dǎo)電層上形成的抗刻蝕掩膜層，所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層的對(duì)應(yīng)位置上有一系列間隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度的溝槽，所述溝槽完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層，所述溝槽用于填充熒光染料。
[0008]本發(fā)明中，所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽具有預(yù)設(shè)納米尺度，比如溝槽寬度20-1000nm、深度50_100nm等。所述溝槽完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層，以使光線能夠透過溝槽底部的透明基底。
[0009]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述透明基底的材料為玻璃或樹脂，優(yōu)選玻璃。
[0010]優(yōu)選地,所述透明基底為邊長18mm厚度為0.13mm的正方形蓋玻片，能夠順利安裝在電子束曝光的載物臺(tái)上。
[0011]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述非透明導(dǎo)電層為金屬層或鍍有金屬膜的非金屬層。其中，所述金屬層為鋁層、金層、銀層或銅層，優(yōu)選為鋁層。
[0012]優(yōu)選地，所述招層的厚度為IOOnm以上，例如105nm、llOnm、120nm、140nm、150nm、170nm、190nm、195nm、205nm、220nm，優(yōu)選為 100_200nm，進(jìn)一步優(yōu)選為 100_150nm。
[0013]優(yōu)選地，所述金層、銀層或銅層的厚度為90nm以上，例如95nm、lOOnm、108nm、120nm、130nm、150nm、165nm、178nm、190nm、200nm,優(yōu)選為 90_150nm,進(jìn)一步優(yōu)選為90_120nm。
[0014]優(yōu)選地，所述鍍有金屬膜的非金屬層的金屬膜為鋁膜、金膜、銀膜或銅膜。
[0015]優(yōu)選地，所述金屬膜的厚度為5_15nm,例如 5nm、6nm、7nm、9nm、10nm、llnm、12nm、13nm、14nm、14.5nm,優(yōu)選為 10nm。
[0016]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述抗刻蝕掩膜層為Si3N4或SiO2層。Si3N4和SiO2抗刻蝕能力強(qiáng)于一般的光刻膠，能夠取得比一般的光刻膠更優(yōu)異的掩膜效果。
[0017]作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述Si3N4或SiO2層的厚度為30-100nm，例如35nm、40nm、45nm、50nm、70nm、85nm、90nm、95nm、98nm、99nm,優(yōu)選為 40_70nm,更優(yōu)選為 60nm。如果 Si3N4或SiO2層的厚度低于30nm，掩膜效果不充分；如果Si3N4或SiO2層的厚度高于lOOnm，可能難以刻穿。
[0018]在第二方面，本發(fā)明提供一種熒光納米標(biāo)尺，包括第一方面所述的熒光納米標(biāo)尺部件，所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽內(nèi)填充有熒光染料。
[0019]其中，熒光染料可以是人工合成染料或熒光蛋白等。
[0020]在第三方面，本發(fā)明提供一種第一方面所述的熒光納米標(biāo)尺部件的制作方法，包括如下步驟:
[0021](I)在透明基底上通過磁控濺射或蒸鍍的方式形成一層非透明導(dǎo)電層；
[0022](2)在所述非透明導(dǎo)電層上鍍一層抗刻蝕掩膜層；
[0023](3)在所述抗刻蝕掩膜層上旋涂一層光刻膠；
[0024](4)通過電子束曝光，按預(yù)設(shè)的圖樣曝光并顯影，去除曝光區(qū)的光刻膠；[0025](5)通過等離子體刻蝕，刻蝕掉無光刻膠區(qū)域的抗刻蝕掩膜層；
[0026](6)通過等離子體刻蝕，刻蝕掉無抗刻蝕掩膜層區(qū)域的非透明導(dǎo)電層，形成一系列間隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度并完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層的溝槽，得到所述熒光納米標(biāo)尺部件。
[0027]上述制作方法中，所述透明基底的材料可以是玻璃或樹脂，優(yōu)選玻璃。優(yōu)選地，所述透明基底為邊長18mm厚度為0.13mm的正方形蓋玻片，能夠順利安裝在電子束曝光的載物臺(tái)上。
[0028]上述制作方法中，所述非透明導(dǎo)電層為金屬層或鍍有金屬膜的非金屬層。其中，所述金屬層為鋁層、金層、銀層或銅層，優(yōu)選為鋁層。優(yōu)選地，所述鋁層的厚度為IOOnm以上，例如 105nm、llOnm、120nm、140nm、150nm、170nm、190nm、195nm、205nm、220nm,優(yōu)選為100-200nm，進(jìn)一步優(yōu)選為100_150nm。優(yōu)選地，所述金層、銀層或銅層的厚度為90nm以上，例如 95nm、lOOnm、108nm、120nm、130nm、150nm、165nm、178nm、190nm、200nm,優(yōu)選為90-150nm，進(jìn)一步優(yōu)選為90_120nm。優(yōu)選地，所述鍍有金屬膜的非金屬層的金屬膜為鋁膜、金膜、銀膜或銅膜。優(yōu)選地，所述金屬膜的厚度為5-15nm,例如5nm、6nm、7nm、9nm、10nm、llnm、12nm、13nm、14nm、14.5nm,優(yōu)選為 IOnm0
[0029]上述制作方法中，所述抗刻蝕掩膜層為Si3N4或SiO2層。Si3N4和SiO2抗刻蝕能力強(qiáng)于一般的光刻膠，能夠取得比一般的光刻膠更優(yōu)異的掩膜效果。作為本發(fā)明的優(yōu)選方案，所述 Si3N4 或 SiO2 層的厚度為 30-100nm,例如 35nm、40nm、45nm、50nm、70nm、85nm、90nm、95nm、98nm、99nm,優(yōu)選為40_70nm,更優(yōu)選為60nm。如果Si3N4或SiO2層的厚度低于30nm,掩膜效果不充分；如果Si3N4或SiO2層的厚度高于lOOnm，可能難以刻穿。
[0030]上述制作方法中，所述光刻膠的厚度在90_110nm范圍較好，光刻膠可以選擇ZEP520光刻膠或其它類型的光刻膠如PMMA等。
[0031]上述制作方法中，預(yù)設(shè)的圖樣，即一系列間隔的、具有預(yù)設(shè)納米尺度的條紋，經(jīng)曝光、顯影和刻蝕后即形成溝槽結(jié)構(gòu)。所述溝槽具有預(yù)設(shè)納米尺度，比如溝槽寬度20-1000nm、深度50-100nm等。所述溝槽完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層，以使光線能夠透過溝槽底部的透明基底。
[0032]在第四方面，本發(fā)明提供一種第二方面所述的熒光納米標(biāo)尺的制作方法，包括將熒光染料直接涂抹或用化學(xué)方法連接的方式填入所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽內(nèi)，得到所述熒光納米標(biāo)尺。
[0033]本發(fā)明的熒光納米標(biāo)尺部件制作完成后，可以緊接著就將熒光染料直接涂抹或用化學(xué)方法連接的方式填入所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽內(nèi)，得到所述熒光納米標(biāo)尺；也可以將所述熒光納米標(biāo)尺部件作為獨(dú)立的產(chǎn)品送到用戶手中，用戶使用前將熒光染料直接涂抹或用化學(xué)方法連接的方式填入所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽內(nèi)，得到所述熒光納米標(biāo)尺。
[0034]其中，所述化學(xué)方法連接即芯片制作【技術(shù)領(lǐng)域】中將分子通過化學(xué)鍵固定到載體上的技術(shù)，為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知。
[0035]本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明的熒光納米標(biāo)尺部件與熒光染料配合形成熒光納米標(biāo)尺，用于超高分辨率熒光顯微鏡系統(tǒng)分辨率的標(biāo)定，提供統(tǒng)一的標(biāo)尺；本發(fā)明的熒光納米標(biāo)尺使用方便，用戶操作簡單，無需考慮染料的銜接等化學(xué)因素；可重復(fù)利用，使用一次后只需簡單地沖洗即可二次利用；本發(fā)明的制作方法采用成熟的微納米加工技術(shù)，制作工藝穩(wěn)定，可重復(fù)批量制作，且制得的熒光納米標(biāo)尺結(jié)構(gòu)穩(wěn)定；具有很高的運(yùn)輸攜帶性，制作出來的熒光納米標(biāo)尺部件可以不加熒光染料就提供給用戶，用戶在使用時(shí)加上熒光染料即可制得熒光納米標(biāo)尺直接使用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1為本發(fā)明實(shí)施例中熒光納米標(biāo)尺的立體分解結(jié)構(gòu)示意圖。
[0037]圖2為本發(fā)明實(shí)施例熒光納米標(biāo)尺制作成功后的電鏡成像圖。
[0038]圖3為本發(fā)明實(shí)施例熒光納米標(biāo)尺的寬場成像圖和超高分辨率熒光成像圖以及對(duì)應(yīng)的局部放大圖和一維投影分布圖。
[0039]附圖標(biāo)記說明:
[0040]1-透明基底
[0041]2-非透明導(dǎo)電層
[0042]3-抗刻蝕掩膜層
[0043]4-熒光染料
【具體實(shí)施方式】
[0044]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明了，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0045]如圖1所示，在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，提供一種熒光納米標(biāo)尺，包括透明基底
1、在所述透明基底I上形成的非透明導(dǎo)電層2以及在所述非透明導(dǎo)電層2上形成的抗刻蝕掩膜層3，所述非透明導(dǎo)電層2和抗刻蝕掩膜層3的對(duì)應(yīng)位置上有一系列間隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度的溝槽，所述溝槽完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層2和抗刻蝕掩膜層3，所述溝槽內(nèi)填充有熒光染料4。
[0046]在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，透明基底I選擇的蓋玻片，是由于超高分辨率熒光顯微鏡屬單分子成像，需要高數(shù)字孔徑的油鏡，因此最好選擇超薄的玻璃片；同時(shí)為了讓玻璃片能夠順利安裝在電子束曝光的載物臺(tái)上，選擇的蓋玻片是最合適的。
[0047]為了去除透明基底I (即玻璃片)表面污染物引起的自發(fā)熒光，同時(shí)為了增加非透明導(dǎo)電層2與玻璃片表面的親和力，需要用強(qiáng)氧化試劑(濃鉻酸洗液)和等離子體清洗機(jī)對(duì)玻璃片表面進(jìn)行清洗。
[0048]在清洗干凈的玻璃片表面用磁控濺射(Labl8，Kurt J.Lesker，PA，USA)的方式鍍一層IOOnm以上厚的金屬鋁膜，IOOnm厚的金屬鋁膜能夠滿足不透光的要求也能滿足導(dǎo)電的要求，而小于IOOnm的鋁膜具有高的透光性。如果使用其它金屬如金、銀、銅等，在90-120nm范圍內(nèi)的厚度，也能保證不透光，并且方便進(jìn)一步的刻蝕。
[0049]在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，要在玻璃片上保留例如30nm寬、IOOnm厚的壁(即非透明導(dǎo)電層2)，一般的光刻膠已經(jīng)無法達(dá)到這么高的寬高比，因此選擇在非透明導(dǎo)電層2上鍍一層60nm厚的抗刻蝕能力強(qiáng)的Si3N4作為抗刻蝕掩膜層3。
[0050]進(jìn)一步在Si3N4的表面用每分鐘4000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速旋涂一層90nm厚的ZEP520 (ΖΕΟΝ, Tokyo, JAPAN)光刻膠，把鍍膜并旋涂光刻膠的樣品安裝到電子束曝光平臺(tái)(Vistec EBPG5000+ES, Jena, Germany)上,按預(yù)設(shè)定的圖樣曝光并用乙酸正戍酯進(jìn)行顯影。旋涂的光刻膠ZEP520屬正膠，因此曝光區(qū)域的光刻膠經(jīng)顯影后被溶掉，未曝光區(qū)域的光刻膠將作為掩膜保留下來。
[0051]經(jīng)等離子體刻蝕機(jī)(ICP-RIE SI500, Sentech, Berlin Germany)兩次用不同的氣體刻蝕得到期望的結(jié)構(gòu)，其中第一次刻蝕采用SF6XHF3和O2的混合氣體把沒有光刻膠保護(hù)的Si3N4膜刻蝕掉；而第二次刻蝕則可采用Cl2、BCl3和N2的混合氣體把沒有Si3N4保護(hù)的鋁膜去掉。
[0052]經(jīng)過上述處理得到最終樣品(熒光納米標(biāo)尺部件)經(jīng)電子顯微鏡(NovaNanoSEM430, FEI, Oregon, USA)表征所形成的結(jié)構(gòu)如圖2所示?？梢娨幌盗虚g隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度并完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層的溝槽結(jié)構(gòu)。
[0053]做出這種具有圖2所示結(jié)構(gòu)的熒光納米標(biāo)尺部件后，可以攜帶運(yùn)輸?shù)绞澜绺鞯厝魏我粋€(gè)實(shí)驗(yàn)室作為對(duì)方突光顯微鏡系統(tǒng)分辨率的標(biāo)定。
[0054]實(shí)施例中采用熒光蛋白FP Dronpa (Ando, Habuchi, Flors)稀釋到PBS溶液中并與聚乙烯醇(PVA)混合，然后采用4000轉(zhuǎn)每分種的轉(zhuǎn)速旋涂到納米標(biāo)尺部件上。此方法可以4nm-10nm厚的一層突光染料層,可以有效避免疊加突光的干擾,方便成像。
[0055]實(shí)施例中所采用的超高分辨率熒光顯微鏡是自己搭建的通用PALM/ST0RM成像方案。其中顯微鏡是奧林巴斯的1X81 ;鏡頭是數(shù)值孔徑為1.45的油鏡，而放大倍數(shù)是150倍；激光器采用美國相干公司的cube型號(hào)的半導(dǎo)體激光器，其中波長為488nm功率為125mw。
[0056]進(jìn)一步把制作好的熒光納米標(biāo)尺安放在超高分辨率熒光顯微鏡上成像，得到一般的寬場成像圖，如圖3-1所示；并得到超高分辨率熒光成像圖如圖3-2所示。其中由圖3-3和3-4是局域放大的寬場成像圖和超高分辨率熒光成像圖，而3-5和3-6是相應(yīng)區(qū)域一位投影分布圖。從以上圖可以看出寬場成像無法分辨間隔為30nm的兩條熒光條帶，而超高分辨率熒光成像可以分辨出來(其中圖形中的標(biāo)度尺為I微米)。
[0057] 申請(qǐng)人:聲明，本發(fā)明通過上述實(shí)施例來說明本發(fā)明的詳細(xì)特征以及詳細(xì)方法，但本發(fā)明并不局限于上述詳細(xì)特征以及詳細(xì)方法，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細(xì)特征以及詳細(xì)方法才能實(shí)施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對(duì)本發(fā)明的任何改進(jìn)，對(duì)本發(fā)明選用組分的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍和公開范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種熒光納米標(biāo)尺部件，包括透明基底、在所述透明基底上形成的非透明導(dǎo)電層以及在所述非透明導(dǎo)電層上形成的抗刻蝕掩膜層，所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層的對(duì)應(yīng)位置上有一系列間隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度的溝槽，所述溝槽完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層，所述溝槽用于填充熒光染料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光納米標(biāo)尺部件，其特征在于，所述透明基底的材料為玻璃或樹脂； 優(yōu)選地，所述透明基底為邊長18mm的正方形厚度為0.13mm蓋玻片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的熒光納米標(biāo)尺部件，其特征在于，所述非透明導(dǎo)電層為金屬層或鍍有金屬膜的非金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熒光納米標(biāo)尺部件，其特征在于，所述金屬層為鋁層、金層、銀層或銅層，優(yōu)選為鋁層； 優(yōu)選地，所述鋁層的厚度為IOOnm以上，優(yōu)選為100-200nm，進(jìn)一步優(yōu)選為100_150nm ; 優(yōu)選地，所述金層、銀層或銅層的厚度為90nm以上，優(yōu)選為90-150nm，進(jìn)一步優(yōu)選為90_120nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的熒光納米標(biāo)尺部件，其特征在于，所述鍍有金屬膜的非金屬層的金屬膜為鋁膜、金膜、銀膜或銅膜； 優(yōu)選地，所述金屬膜的厚度為5-15nm,優(yōu)選為10nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的熒光納米標(biāo)尺部件，其特征在于，所述抗刻蝕掩膜層為Si3N4或SiO2層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的熒光納米標(biāo)尺部件，其特征在于，所述Si3N4或SiO2層的厚度為30-100nm，優(yōu)選為40_70nm，更優(yōu)選為60nm。
8.一種熒光納米標(biāo)尺，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的熒光納米標(biāo)尺部件，所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽內(nèi)填充有熒光染料。
9.一種權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的熒光納米標(biāo)尺部件的制作方法，包括如下步驟: (1)在透明基底上通過磁控濺射或蒸鍍的方式形成一層非透明導(dǎo)電層； (2)在所述非透明導(dǎo)電層上鍍一層抗刻蝕掩膜層； (3)在所述抗刻蝕掩膜層上旋涂一層光刻膠； (4)通過電子束曝光，按預(yù)設(shè)的圖樣曝光并顯影，去除曝光區(qū)的光刻膠； (5)通過等離子體刻蝕，刻蝕掉無光刻膠區(qū)域的抗刻蝕掩膜層； (6)通過等離子體刻蝕，刻蝕掉無抗刻蝕掩膜層區(qū)域的非透明導(dǎo)電層，形成一系列間隔設(shè)置的、具有預(yù)設(shè)納米尺度并完全貫穿所述非透明導(dǎo)電層和抗刻蝕掩膜層的溝槽，得到所述熒光納米標(biāo)尺部件。
10.一種權(quán)利要求8所述的熒光納米標(biāo)尺的制作方法，包括將熒光染料直接涂抹或用化學(xué)方法連接的方式填入所述熒光納米標(biāo)尺部件的溝槽內(nèi)，得到所述熒光納米標(biāo)尺。
【文檔編號(hào)】G01N21/64GK103954600SQ201410197201
【公開日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月12日
【發(fā)明者】汪先友, 唐云青, 戴陸如 申請(qǐng)人:國家納米科學(xué)中心