一種s-腺苷甲硫氨酸分子印跡傳感器的制備方法及應(yīng)用的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，其特征是：首先將玻碳電極用納米金和碳納米管修飾，溶膠-凝膠印跡技術(shù)、層層自組裝法和電聚合法相結(jié)合，在納米金和碳納米管修飾玻碳電極表面成功地研制了一種具有特異選擇性的印跡電化學(xué)傳感器，本發(fā)明制備的SAM分子印跡傳感器的響應(yīng)大大提高。該印跡傳感器對(duì)SAM表現(xiàn)出較高的親和性和選擇性。該SAM分子印跡傳感器與電化學(xué)工作站連接構(gòu)成能夠?qū)Ｒ荒０宸肿幼R(shí)別傳感器。本發(fā)明制得的傳感器成本低、靈敏度高、特異性好、檢測(cè)快速，可反復(fù)使用。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種S-腺苷甲硫氨酸分子印跡傳感器的制備方法及應(yīng)用
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及的是一種分子印跡傳感器的制備方法及快速檢測(cè)應(yīng)用【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種S-腺苷甲硫氨酸分子印跡傳感器的制備方法，具體是基于分子印跡特異性識(shí)別作用，用于檢測(cè)藥品、生物樣品中的S-腺苷甲硫氨酸技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]細(xì)胞內(nèi)的甲基化反應(yīng)存在通用甲基供體一S-腺苷甲硫氨酸(S-Adenosylmethionine, AdoMet, SAM), SAM含有活性甲基,細(xì)胞內(nèi)幾乎所有用于甲基化修飾的甲基都來(lái)自SAM甲硫高能鍵。由于甲基化反應(yīng)的廣泛性，可以說(shuō)，SAM是細(xì)胞內(nèi)參加反應(yīng)的重要性僅次于ATP的一種輔酶，細(xì)胞內(nèi)SAM濃度的微小改變，便會(huì)對(duì)細(xì)胞的生長(zhǎng)、分化和功能產(chǎn)生重大影響。SAM在細(xì)菌體內(nèi)主要是由SAM合成酶(MetK)通過(guò)甲硫氨酸(Met)和ATP來(lái)合成。當(dāng)疋coli的SAM合成酶水平下降，造成細(xì)胞內(nèi)甲基供體SAM缺乏時(shí)，細(xì)胞就不會(huì)正常分裂。如果將來(lái)自T3噬菌體的AdoMet水解酶基因?qū)腭鈉oli菌體細(xì)胞，使胞內(nèi)SAM水平下降時(shí)，大腸埃希氏菌也形成了不分裂的長(zhǎng)絲狀菌體。進(jìn)一步研究表明，絲狀菌體中，引發(fā)疋細(xì)胞分裂的Z環(huán)復(fù)合體裝配可以正常起始，但不會(huì)完成，而當(dāng)亮氨酸調(diào)節(jié)的SAM合成酶水平恢復(fù)正常，細(xì)胞內(nèi)甲基供體SAM不再缺乏時(shí)，細(xì)胞分裂也隨即恢復(fù)正常。很明顯，細(xì)菌細(xì)胞的生長(zhǎng)分裂與胞內(nèi)SAM濃度是密切相關(guān)的。
[0003]通用甲基供體SAM受甲基轉(zhuǎn)移酶催化去甲基后，生成的通用產(chǎn)物是S-腺苷高半胱氨酸(S-adenosylhomocystein, SAH), SAH被發(fā)現(xiàn)對(duì)胞內(nèi)蛋白質(zhì)和核酸的甲基化過(guò)程具有普遍的反饋抑制作用，是轉(zhuǎn)甲基化反應(yīng)的有效競(jìng)爭(zhēng)性抑制劑。在哺乳動(dòng)物細(xì)胞內(nèi)，SAH通過(guò)SAH水解酶(SAH hydrolase, SAHH)催化水解生成腺苷酸和高半胱氨酸(Parveen，N.;Cornell, K.A..MethyIthioadenosine/S-adenosylhomocysteine nucleosidase, acritical enzyme for bacterial metabolism.Mol Microbiol, 20117,9(I):7-20,),而在大多數(shù)病原微生物的細(xì)胞內(nèi)，SAH的代謝則采用完全不同的方式——通過(guò)S-腺苷高半胱氨酸核苷酶(S-adenosylhomocystein nucleosidase, SAHN)催化裂解生成腺嘌呤和S-核糖基高半胱氨酸，SRH進(jìn)一步在S-核糖基高半胱氨酸酶(SRHH)的作用下生成高半胱氨酸和 4，5 二輕-2, 3-乙?；?4，5-dihydroxy-2, 3-pentanedione, DPD),高半胱氨酸最后通過(guò)幾種甲硫氨酸合成酶(MetH、MetE)重新生成SAM的前體——甲硫氨酸，或者經(jīng)過(guò)多步酶催化生成半胱氨酸。
[0004]目前，已報(bào)道的測(cè)定SAM的方法有HPLC、分光光度法。都依賴甲基轉(zhuǎn)移酶、S-腺苷高半胱氨酸核苷酶和S-核糖基高半胱氨酸酶的催化作用將SAM分解為高半胱氨酸，再對(duì)高半胱氨酸顯色反應(yīng)，操作比較繁瑣，準(zhǔn)確度也不理想。由于樣品的基質(zhì)比較復(fù)雜，給檢測(cè)帶來(lái)了困難，因此，找到一種選擇性好、靈敏度高、操作簡(jiǎn)便、快速的檢測(cè)SAM的方法十分重要的意義。
[0005]分子印跡技術(shù)是當(dāng)前開(kāi)發(fā)具有分子識(shí)別功能的高選擇性材料的主要方法之一，它是通過(guò)在模板分子周?chē)纬梢粋€(gè)高度交聯(lián)的剛性高分子，除去模板分子后在分子印跡聚合物的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中留下具有結(jié)合能力的識(shí)別位點(diǎn)，對(duì)模板分子表現(xiàn)出高選擇識(shí)別性能的一種技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)以其構(gòu)效預(yù)定性和特異識(shí)別性越來(lái)越受到人們的關(guān)注，已經(jīng)成功用于固相萃取或微固相萃取，親和色譜或毛細(xì)管電泳及傳感器等領(lǐng)域。
[0006]依據(jù)此技術(shù)制備的分子印跡傳感器，應(yīng)用于藥物分析、環(huán)境保護(hù)及生命科學(xué)研究中起著十分重要的作用。將功能分子以適當(dāng)方式修飾到電極上，制備選擇性好、靈敏度高、有一定使用壽命可再生的電化學(xué)傳感器成為分析科學(xué)工作者努力探索的課題。但是傳統(tǒng)的印跡方法所制備的印跡膜厚度難以控制，高交聯(lián)度使得電子傳遞速度和響應(yīng)慢、檢測(cè)下限高而且再生和可逆性差，影響分子印跡技術(shù)在電化學(xué)傳感器中的應(yīng)用。因此，建立一種靈敏、快速、簡(jiǎn)便、特異性高、重復(fù)性好經(jīng)濟(jì)使用的檢測(cè)方法，對(duì)研究人員、生產(chǎn)企業(yè)、質(zhì)控人員、進(jìn)出口商檢、政府管理部門(mén)等的迫切需要的，對(duì)食品、藥品、環(huán)境安全中的SAM含量準(zhǔn)確定量測(cè)定十分必要，對(duì)于SAM生產(chǎn)和藥理研究也具有重要的意義。
[0007]

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是將分子印跡與電化學(xué)傳感器相結(jié)合，提供了一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，主要是以SAM為模板，在玻碳電極表面通過(guò)Y -巰丙基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、碳納米管及金納米粒子之間的電化學(xué)作用而制備的分子印跡傳感 器。
[0009]儀器與試劑
CHI660B電化學(xué)工作站(上海辰華儀器公司)，實(shí)驗(yàn)采用三電極體系:鉬絲電極為輔助電極，Ag/AgCl為參比電極(SCE )，玻碳電極(GCE )為工作電極；KQ_250E型超聲波清洗器(坤峰超聲儀器有限公司)。
[0010]碳納米管(孔徑2~50nm); Y-巰丙基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷；2_乙氧基乙醚，N, N- 二甲基甲酰胺(DMF);氯金酸；SAM ;高錳酸鉀、硫酸、硝酸鈉、磷酸緩沖溶液，所用試劑均為分析純。
[0011]本發(fā)明的目的通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)。
[0012]一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，特征在于該方法具有以下工藝步驟:
(1)納米金和碳納米管修飾玻碳電極制備:將玻碳電極依次用0.3 μ m、0.05 μ mAl203粉末進(jìn)行表面拋光，然后用高純水超聲清洗，用氬氣吹干，在玻碳電極表面滴加5~10 μ L碳納米管的N，N-二甲基甲酰胺分散液(0.5g/L)，置于紅外燈下，揮發(fā)干溶劑后，放入0.lmol/L氯金酸溶液浸泡2(T30h，取出后用去離子水洗滌，自然干燥，即得納米金和碳納米管修飾玻碳電極；
(2)氧化碳納米管的制備:在反應(yīng)器中，按如下組成質(zhì)量百分濃度加入39飛2%濃硫酸，
0.5~3.0%碳納米管，1.0-8.0%高錳酸鉀，超聲分散6(T90min，緩慢加入30~55%去離子水，各組分含量之和為百分之百，然后在8(T90°C攪拌反應(yīng)6~8 h，冷卻至室溫，過(guò)濾，用I mol/LHCl洗滌，再用去離子水反復(fù)洗滌至濾液為中性，干燥，得到氧化碳納米管；
(3)印跡溶膠的制備:在反應(yīng)器中，按如下組成質(zhì)量百分濃度加入，Y-巰丙基三乙氧基硅烷:7~18%，甲基三甲氧基硅烷:1.0~4.0%，2_乙氧基乙醚:55~78%，0.1 mol/LHCl:8~18%，去離子水:1.0-8.0%，攪拌廣2 h，再加入SAM:0.05^1.0%，各組分含量之和為百分之百，繼續(xù)攪拌2(T30min，即得印跡溶膠；
(4)SAM分子印跡傳感器的制備方法:取步驟(3)的印跡溶膠于小燒杯中，將步驟(1)制備的碳納米管修飾玻碳電極放入其中，在-0.2(T0.4V電位范圍內(nèi)，掃描速率為50mV/s，采用循環(huán)伏安法掃描20-30圈至掃描曲線穩(wěn)定，再將該電極用去離子水反復(fù)浸泡，洗脫模板分子，即得檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器。
[0013]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)及效果是:
本發(fā)明將溶膠-凝膠印跡技術(shù)、納米金粒子、層層自組裝法和電聚合法相結(jié)合，在碳納米管修飾玻碳電極表面成功地研制了一種具有特異選擇性的印跡電化學(xué)傳感器。通過(guò)與無(wú)碳納米管修飾的分子印跡電極那個(gè)的響應(yīng)進(jìn)行比較，本發(fā)明制備的SAM分子印跡傳感器的響應(yīng)大大提高。該印跡傳感器對(duì)SAM表現(xiàn)出較高的親和性和選擇性，響應(yīng)電流與SAM的濃度在3.0X 10_7~2.0X 10_4mol/L范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，檢測(cè)限為3.69 X10^8moI/L將本發(fā)明制備的SAM分子印跡傳感器成功用于藥品、食品中SAM的檢測(cè)中，回收率在96.12~104.8%之間，因此本發(fā)明制備的分子印跡傳感器可廣泛應(yīng)用于化工、生物醫(yī)藥、食品、環(huán)保檢測(cè)等相關(guān)領(lǐng)域。
【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1
(1)納米金和碳納米管修飾玻碳電極制備:將玻碳電極依次用0.3 μ m、0.05 μ mAl203粉末進(jìn)行表面拋光，然后用高純水超聲清洗，用氬氣吹干，在玻碳電極表面滴加7 μ L碳納米管的N，N- 二甲基甲酰胺分散液(0.5g/L)，置于紅外燈下，揮發(fā)干溶劑后，放入0.lmol/L氯金酸溶液浸泡24h，取出后用去離子水洗滌，自然干燥，即得納米金和碳納米管修飾玻碳電極；
(2)氧化碳納米管的制備:在反應(yīng)器中，分別加入IOmL濃硫酸，0.5g碳納米管，2.0g高錳酸鉀，超聲分散80min，緩慢加入19mL去離子水，然后在85°C攪拌反應(yīng)7 h，冷卻至室溫，過(guò)濾，用I mol/LHCl洗滌，再用去離子水反復(fù)洗滌至濾液為中性，干燥，得到氧化碳納米管；
(3)印跡溶膠的制備:在反應(yīng)器中，分別加入，12mLy-巰丙基三乙氧基硅烷，1.2mL甲基三甲氧基硅烷，70mL2_乙氧基乙醚，IOmL0.1 mol/LHCl, 6.5mL去離子水,攪拌1.5 h,再加入0.3g SAM,繼續(xù)攪拌25min，即得印跡溶膠；
(4)SAM分子印跡傳感器的制備方法:取步驟(3)的印跡溶膠于小燒杯中，將步驟(1)制備的碳納米管修飾玻碳電極放入其中，在-0.2(T0.4V電位范圍內(nèi)，掃描速率為50mV/s，采用循環(huán)伏安法掃描25圈至掃描曲線穩(wěn)定，再將該電極用去離子水反復(fù)浸泡，洗脫模板分子，即得檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器。
[0015]實(shí)施例2
(I)納米金和碳納米管修飾玻碳電極制備:將玻碳電極依次用0.3 μ m、0.05 μ mAl203粉末進(jìn)行表面拋光，然后用高純水超聲清洗，用氬氣吹干，在玻碳電極表面滴加5 μ L碳納米管的N，N- 二甲基甲酰胺分散液(0.5g/L)，置于紅外燈下，揮發(fā)干溶劑后，放入0.lmol/L氯金酸溶液浸泡30h，取出后用去離子水洗滌，自然干燥，即得納米金和碳納米管修飾玻碳電極； (2)氧化碳納米管的制備:在反應(yīng)器中，分別加入20mL濃硫酸，1.5g碳納米管，2.0g高錳酸鉀，超聲分散60min，緩慢加入20mL去離子水，然后在80°C攪拌反應(yīng)8h，冷卻至室溫，過(guò)濾，用I mol/LHCl洗滌，再用去離子水反復(fù)洗滌至濾液為中性，干燥，得到氧化碳納米管；
(3)印跡溶膠的制備:在反應(yīng)器中，分別加入，5mL Y-巰丙基三乙氧基硅烷，0.5mL甲基三甲氧基娃燒，50mL2_乙氧基乙醚,5.0mL0.1 mol/LHCl, 2.0mL去離子水,攪拌I h,再加入0.1g SAM,繼續(xù)攪拌30min，即得印跡溶膠；
(4)SAM分子印跡傳感器的制備方法:取步驟(3)的印跡溶膠于小燒杯中，將步驟(I)制備的碳納米管修飾玻碳電極放入其中，在-0.2(T0.4V電位范圍內(nèi)，掃描速率為50mV/s，采用循環(huán)伏安法掃描20圈至掃描曲線穩(wěn)定，再將該電極用去離子水反復(fù)浸泡，洗脫模板分子，即得檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器。
[0016]實(shí)施例3
(1)納米金和碳納米管修飾玻碳電極制備:將玻碳電極依次用0.3 μ m、0.05 μ mAl203粉末進(jìn)行表面拋光，然后用高純水超聲清洗，用氬氣吹干，在玻碳電極表面滴加10 μ L碳納米管的N，N- 二甲基甲酰胺分散液(0.5g/L)，置于紅外燈下，揮發(fā)干溶劑后，放入0.lmol/L氯金酸溶液浸泡20h，取出后用去離子水洗滌，自然干燥，即得納米金和碳納米管修飾玻碳電極；
(2)氧化碳納米管的制備:在反應(yīng)器中，分別加入15mL濃硫酸，0.5g碳納米管，3.0g高錳酸鉀，超聲分散90min，緩慢加入22mL去離子水，然后在90°C攪拌反應(yīng)6h，冷卻至室溫，過(guò)濾，用I mol/LHCl洗滌，再用去離子水反復(fù)洗滌至濾液為中性，干燥，得到氧化碳納米管；
(3)印跡溶膠的制備:在反應(yīng)器中，分別加入，10mL Y-巰丙基三乙氧基硅烷，1.0mL甲基三甲氧基娃燒，35mL2-乙氧基乙醚,7.0mL0.1 mol/LHCl, 2.0mL去離子水，攪拌2h,再加入0.2g SAM,繼續(xù)攪拌20min，即得印跡溶膠；
(4)SAM分子印跡傳感器的制備方法:取步驟(3)的印跡溶膠于小燒杯中，將步驟(I)制備的碳納米管修飾玻碳電極放入其中，在-0.2(T0.4V電位范圍內(nèi)，掃描速率為50mV/s，采用循環(huán)伏安法掃描30圈至掃描曲線穩(wěn)定，再將該電極用去離子水反復(fù)浸泡，洗脫模板分子，即得檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器。
[0017]實(shí)施例4
(1)納米金和碳納米管修飾玻碳電極制備:將玻碳電極依次用0.3 μ m、0.05 μ mAl203粉末進(jìn)行表面拋光，然后用高純水超聲清洗，用氬氣吹干，在玻碳電極表面滴加8 μ L碳納米管的N，N- 二甲基甲酰胺分散液(0.5g/L)，置于紅外燈下，揮發(fā)干溶劑后，放入0.lmol/L氯金酸溶液浸泡28h，取出后用去離子水洗滌，自然干燥，即得納米金和碳納米管修飾玻碳電極；
(2)氧化碳納米管的制備:在反應(yīng)器中，分別加入IOmL濃硫酸，1.0g碳納米管，4.0g高錳酸鉀，超聲分散70min，緩慢加入24mL去離子水，然后在85°C攪拌反應(yīng)7h，冷卻至室溫，過(guò)濾，用I mol/LHCl洗滌，再用去離子水反復(fù)洗滌至濾液為中性，干燥，得到氧化碳納米管；
(3)印跡溶膠的制備:在反應(yīng)器中，分別加入，10mLy-巰丙基三乙氧基硅烷，1.2mL甲基三甲氧基娃燒，35mL2_乙氧基乙醚,8.0mL0.1 mol/LHCl, 2.0mL去離子水，攪拌2h,再加入0.1g SAM，繼續(xù)攪拌20min，即得印跡溶膠；
(4)SAM分子印跡傳感器的制備方法:取步驟(3)的印跡溶膠于小燒杯中，將步驟(I)制備的碳納米管修飾玻碳電極放入其中，在-0.2(T0.4V電位范圍內(nèi)，掃描速率為50mV/s，采用循環(huán)伏安法掃描25圈至掃描曲線穩(wěn)定，再將該電極用去離子水反復(fù)浸泡，洗脫模板分子，即得檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器。
[0018]實(shí)施例5
將上述實(shí)施例1~4所制備的SAM分子印跡傳感器，用于SAM的檢測(cè)，步驟如下:
(1)標(biāo)準(zhǔn)溶液配制:配制一組包括空白標(biāo)樣在內(nèi)的不同濃度的SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液，底液為pH
6.5的磷酸鹽緩沖溶液；
(2)工作曲線繪制:將Ag/AgCl為參比電極，鉬絲電極為輔助電極，本發(fā)明制備的電極為工作電極組成三電極系統(tǒng)，連接CHI660B電化學(xué)工作站，在KJFe(CN)6]溶液中，采用循環(huán)伏安法在-0.2(T0.4V電位范圍內(nèi)進(jìn)行檢測(cè)，空白標(biāo)樣的響應(yīng)電流記為10，含有不同濃度的SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液的響應(yīng)電流即為Ji，響應(yīng)電流降低的差值為Zl I=10-1i,^ I與SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液的質(zhì)量濃度c之間呈線性關(guān)系，繪制Zl I~c工作曲線；
(3)SAM的檢測(cè):用待測(cè)樣品代替步驟(1)中的SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液，按照步驟(2)的方法進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)響應(yīng)電流降低的差值Zl J和工作曲線，得到待測(cè)樣品中SAM的含量；
所述K3[Fe (CN)6]溶液的濃度為5mmol/L ； 所述pH7.0的磷酸鹽緩沖溶液的濃度在70mmol/L。
[0019]響應(yīng)電流與SAM的濃度在3.0Χ10-~2.0Xl(T4mol/L范圍內(nèi)呈良好的線性關(guān)系，檢測(cè)限為3.69X 10_8mol/L將本發(fā)明制備的SAM分子印跡傳感器成功用于藥品、食品中SAM的檢測(cè)中，回收率在96.12^104.8%之間，因此本發(fā)明制備的分子印跡傳感器可廣泛應(yīng)用于化工、生物醫(yī)藥、食品、環(huán)保檢測(cè)等相關(guān)領(lǐng)域。
【權(quán)利要求】
1.一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，其特征是:在于該方法具有以下工藝步驟: (1)納米金和碳納米管修飾玻碳電極制備:將玻碳電極依次用0.3 μ m、0.05 μ mAl203粉末進(jìn)行表面拋光，然后用高純水超聲清洗，用氬氣吹干，在玻碳電極表面滴加5~10 μ L碳納米管的N，N- 二甲基甲酰胺分散液，置于紅外燈下，揮發(fā)干溶劑后，放入0.lmol/L氯金酸溶液浸泡20-30h，取出后用去離子水洗滌，自然干燥，即得納米金和碳納米管修飾玻碳電極； (2)氧化碳納米管的制備:在反應(yīng)器中，按如下組成質(zhì)量百分濃度加入39-62%濃硫酸，0.5~3.0%碳納米管，1.0-8.0%高錳酸鉀，超聲分散60-90min，緩慢加入30~55%去離子水，各組分含量之和為百分之百，然后在80-90°C攪拌反應(yīng)6~8 h，冷卻至室溫，過(guò)濾，用1 mol/LHCl洗滌，再用去離子水反復(fù)洗滌至濾液為中性，干燥，得到氧化碳納米管； (3)印跡溶膠的制備:在反應(yīng)器中，按如下組成質(zhì)量百分濃度加入，Y-巰丙基三乙氧基硅烷:7~18%，甲基三甲氧基硅烷:1.0~4.0%，2_乙氧基乙醚:55~78%，0.1 mol/LHCl:8~18%，去離子水:1.0-8.0%，攪拌1-2 h，再加入SAM:0.05^1.0%，各組分含量之和為百分之百，繼續(xù)攪拌20-30min，即得印跡溶膠； (4)SAM分子印跡傳感器的制備方法:取步驟(3)的印跡溶膠于小燒杯中，將步驟(1)制備的碳納米管修飾玻碳電極放入其中，在-0.20-0.4V電位范圍內(nèi)，掃描速率為50mV/s，采用循環(huán)伏安法掃描20-30圈至掃描曲線穩(wěn)定，再將該電極用去離子水反復(fù)浸泡，洗脫模板分子，即得檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，其特征是:步驟(1)中所述的碳納米管的N，N- 二甲基甲酰胺分散液的質(zhì)量體積濃度為0.5g/L。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，其特征是:步驟(3)中所述的Y-巰丙基三乙氧基硅烷與甲基三甲氧基硅烷體積比為10:1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的一種SAM分子印跡傳感器的制備方法，其特征是:所制備的檢測(cè)SAM的分子印跡傳感器應(yīng)用于SAM的檢測(cè)，其檢測(cè)步驟如下: (1)標(biāo)準(zhǔn)溶液配制:配制一組包括空白標(biāo)樣在內(nèi)的不同濃度的SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液，底液為pH6.5的磷酸鹽緩沖溶液； (2)工作曲線繪制:將Ag/AgCl為參比電極，鉬絲電極為輔助電極，本發(fā)明制備的電極為工作電極組成三電極系統(tǒng)，連接CHI660B電化學(xué)工作站，在KJFe(CN)6]溶液中，采用循環(huán)伏安法在-0.20-0.4V電位范圍內(nèi)進(jìn)行檢測(cè)，空白標(biāo)樣的響應(yīng)電流記為10，含有不同濃度的SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液的響應(yīng)電流即為Ji，響應(yīng)電流降低的差值為Zl I=10-1i,^ I與SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液的質(zhì)量濃度c之間呈線性關(guān)系，繪制Zl I~c工作曲線； (3)SAM的檢測(cè):用待測(cè)樣品代替步驟(1)中的SAM標(biāo)準(zhǔn)溶液，按照步驟(2)的方法進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)響應(yīng)電流降低的差值Zl J和工作曲線，得到待測(cè)樣品中SAM的含量； 所述K3[Fe (CN)6]溶液的濃度為5mmol/L ； 所述pH 7.0的磷酸鹽緩沖溶液的濃度在70mmol/L。
【文檔編號(hào)】G01N27/48GK103954675SQ201410186337
【公開(kāi)日】2014年7月30日 申請(qǐng)日期:2014年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月6日
【發(fā)明者】李慧芝, 許崇娟, 宋桂蘭 申請(qǐng)人:濟(jì)南大學(xué)