集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了屬于微波損傷效應(yīng)模擬分析儀范疇的一種集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀，其特征在于，電磁特性掃描板位于長(zhǎng)方體外殼頂部，頻譜分析儀顯示屏、液晶顯示屏、開/關(guān)鍵、掃描啟動(dòng)/暫停鍵以及分析啟動(dòng)/暫停鍵位于長(zhǎng)方體外殼正面，電源插頭位于長(zhǎng)方體外殼背面。本實(shí)用新型的有益效果是解決了以往高功率微波損傷效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)測(cè)試和模擬仿真過(guò)程各自獨(dú)立，獲得損傷效應(yīng)結(jié)果周期長(zhǎng)，步驟繁瑣的問(wèn)題，將集成電路高功率微波損傷效應(yīng)實(shí)驗(yàn)過(guò)程與模擬分析過(guò)程結(jié)合，直接利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬分析，簡(jiǎn)化了分析流程，能快速獲得損傷效應(yīng)結(jié)果。
【專利說(shuō)明】集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種模擬分析儀，特別是一種應(yīng)用于集成電路的高功率微波損傷效應(yīng)分析的模擬分析儀。
【背景技術(shù)】
[0002]目前國(guó)內(nèi)外集成電路高功率微波損傷效應(yīng)研究已通過(guò)實(shí)驗(yàn)統(tǒng)計(jì)方法，結(jié)合數(shù)據(jù)擬合，獲得很多一般性結(jié)論。但這種方法的缺點(diǎn)就是實(shí)驗(yàn)測(cè)試過(guò)程復(fù)雜；然后再利用實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理，并獲得集成電路高功率微波損傷效應(yīng)分析結(jié)果的整個(gè)流程耗時(shí)長(zhǎng)。目前市場(chǎng)急需一種能夠簡(jiǎn)化實(shí)驗(yàn)測(cè)試過(guò)程，并且將實(shí)驗(yàn)測(cè)試過(guò)程和數(shù)據(jù)分析過(guò)程結(jié)合在一起的模擬分析儀器，能夠快速對(duì)集成電路的高功率微波損傷效應(yīng)進(jìn)行模擬分析。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析的不足之處，將實(shí)驗(yàn)測(cè)試過(guò)程與數(shù)據(jù)分析過(guò)程相結(jié)合，實(shí)驗(yàn)測(cè)試結(jié)果作為數(shù)據(jù)分析過(guò)程的輸入，提供一種能夠便捷、快速獲得高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析結(jié)果的模擬分析儀。其特征在于，電磁特性掃描板位于長(zhǎng)方體外殼頂部，頻譜分析儀顯示屏、液晶顯示屏、開/關(guān)鍵、掃描啟動(dòng)/暫停鍵以及分析啟動(dòng)/暫停鍵位于長(zhǎng)方體外殼正面，電源插頭位于長(zhǎng)方體外殼背面。
[0004]所述長(zhǎng)方體外殼內(nèi)部，微控制器分別連接電源模塊、掃描控制模塊、分析控制模塊、液晶顯示控制模塊、掃描板控制模塊和頻譜分析儀控制模塊。
[0005]所述電磁特性掃描板和頻譜分析儀分別由掃描板控制模塊和頻譜分析儀控制模塊進(jìn)行控制，用于測(cè)試集成電路的電磁干擾頻率/、峰值電壓uM、脈沖寬度t、脈沖重復(fù)頻率/pps和集成電路的工作電壓U0O其中電磁特性掃描板可以采用EMSCAN電磁測(cè)試掃描板，頻譜分析儀可采用R&S公司的FSL系列頻譜分析儀。
[0006]所述液晶顯示屏用于顯示模擬分析結(jié)果，由液晶顯示控制模塊控制，并與微控制器相連接。
[0007]所述開/關(guān)鍵用于控制模擬分析儀的開啟和關(guān)閉，由電源模塊控制，并與電源插頭、微控制器相連接。
[0008]所述掃描啟動(dòng)/暫停鍵用于控制電磁特性掃描板的啟動(dòng)和暫停，由掃描控制模塊進(jìn)行控制，并與微控制器相連接。
[0009]所述分析啟動(dòng)/暫停鍵用于控制頻譜分析儀的啟動(dòng)和暫停，由頻譜分析儀控制模塊進(jìn)行控制，并與微控制器相連接。
[0010]本實(shí)用新型的有益效果是解決了以往高功率微波損傷效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)測(cè)試和模擬仿真過(guò)程各自獨(dú)立，獲得損傷效應(yīng)結(jié)果周期長(zhǎng)，步驟繁瑣的問(wèn)題，將集成電路高功率微波損傷效應(yīng)實(shí)驗(yàn)過(guò)程與模擬分析過(guò)程結(jié)合，直接利用測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行模擬分析，簡(jiǎn)化了分析流程，能快速獲得損傷效應(yīng)結(jié)果?！緦＠綀D】

【附圖說(shuō)明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的外觀示意圖；
[0012]圖2為本實(shí)用新型的內(nèi)部連線示意圖。
[0013]圖中:
[0014]1-電磁特性掃描板，2-頻譜分析儀顯示屏，3-開/關(guān)鍵，4-掃描啟動(dòng)/暫停鍵，5-分析啟動(dòng)/暫停鍵，6-液晶顯示屏，7-電源插頭，8-長(zhǎng)方體外殼。
【具體實(shí)施方式】
[0015]本實(shí)用新型提供了一種集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀，下面結(jié)合圖1、圖2和具體實(shí)施案例予以說(shuō)明。
[0016]圖1、圖2給出了集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀的外觀示意圖以及內(nèi)部連線示意圖。在圖1中，電磁特性掃描板(I)位于長(zhǎng)方體外殼頂部，頻譜分析儀顯示屏
(2)、液晶顯示屏(6)、開/關(guān)鍵(3)、掃描啟動(dòng)/暫停鍵(4)以及分析啟動(dòng)/暫停鍵(5)位于長(zhǎng)方體外殼正面，電源插頭(7)位于長(zhǎng)方體外殼背面。在圖2中，電源模塊為微控制器供電，微控制器分別連接掃描控制模塊、分析控制模塊、液晶顯示控制模塊、掃描板控制模塊和頻譜分析儀控制模塊。
[0017]結(jié)合圖1和圖2，集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀在使用時(shí)，首先將電源插頭(7)接通220v電源，按下開/關(guān)鍵(3)啟動(dòng)模擬分析儀，將待分析的正常工作的集成電路放置在電磁特性掃描板(I)上，按下掃描啟動(dòng)/暫停鍵(4)，開始對(duì)集成電路的電磁特性進(jìn)行掃描，與此同時(shí)，頻譜分析儀開始工作，掃描結(jié)果顯示在頻譜分析儀顯示屏(2)上，再次按下掃描啟動(dòng)/暫停鍵(4)，停止掃描。按下分析啟動(dòng)/暫停鍵(5)，微控制器提取電磁干擾參數(shù)一電磁干擾頻率/、峰值電壓UM、脈沖寬度t、脈沖重復(fù)頻率/PPS和集成電路的工作電壓Utl，并進(jìn)行集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析，最終分析結(jié)果顯示在液晶顯示屏(6)上。按下開/關(guān)鍵(3)，模擬分析儀停止工作。
【權(quán)利要求】
1.集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀，其特征在于，電磁特性掃描板位于長(zhǎng)方體外殼頂部，頻譜分析儀顯示屏、液晶顯示屏、開/關(guān)鍵、掃描啟動(dòng)/暫停鍵以及分析啟動(dòng)/暫停鍵位于長(zhǎng)方體外殼正面，電源插頭位于長(zhǎng)方體外殼背面；所述長(zhǎng)方體外殼內(nèi)部，微控制器分別連接電源模塊、掃描控制模塊、分析控制模塊、液晶顯示控制模塊、掃描板控制模塊和頻譜分析儀控制模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路高功率微波損傷效應(yīng)模擬分析儀，其特征在于，所述電磁特性掃描板和頻譜分析儀分別由掃描板控制模塊和頻譜分析儀控制模塊進(jìn)行控制，用于測(cè)試集成電路的電磁干擾頻率、峰值電壓、脈沖寬度、脈沖重復(fù)頻率和集成電路的工作電壓。
【文檔編號(hào)】G01R31/28GK203455448SQ201320402440
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月8日
【發(fā)明者】高雪蓮, 馮楠, 崔振南, 趙磊, 張曉宇 申請(qǐng)人:華北電力大學(xué)