一種磁傳感裝置的制備工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種磁傳感裝置的制備工藝，所述裝置包括第三方向磁傳感部件，第三方向磁傳感部件包括基底、導磁單元、感應單元；基底表面開有溝槽；導磁單元的主體部分設置于溝槽內(nèi)，用以收集第三方向的磁場信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量；感應單元設置于所述基底表面上，用以接收所述導磁單元輸出的第三方向的磁信號，并根據(jù)該磁信號測量出第三方向?qū)拇艌鰪姸燃按艌龇较颍桓袘獑卧ù判圆牧蠈蛹霸O置于磁性材料層上的金屬電極層；一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合。本發(fā)明通過一根磁導單元給兩對以上感應單元的梳齒狀電極提供磁信號，得到的器件具有更強的靈敏度。
【專利說明】 一種磁傳感裝置的制備工藝

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于半導體工藝【技術領域】，涉及一種傳感裝置，尤其涉及一種磁傳感裝置；同時，本發(fā)明還涉及一種磁傳感裝置的制備工藝。

【背景技術】
[0002]磁傳感器按照其原理，可以分為以下幾類:霍爾元件，磁敏二極管，各項異性磁阻元件(AMR)，隧道結磁阻(TMR)元件及巨磁阻(GMR)元件、感應線圈、超導量子干涉磁強計坐寸ο
[0003]電子羅盤是磁傳感器的重要應用領域之一，隨著近年來消費電子的迅猛發(fā)展，除了導航系統(tǒng)之外，還有越來越多的智能手機和平板電腦也開始標配電子羅盤，給用戶帶來很大的應用便利，近年來，磁傳感器的需求也開始從兩軸向三軸發(fā)展。兩軸的磁傳感器，即平面磁傳感器，可以用來測量平面上的磁場強度和方向，可以用X和Y軸兩個方向來表示。
[0004]以下介紹現(xiàn)有磁傳感器的工作原理。磁傳感器采用各向異性磁致電阻(Anisotropic Magneto-Resistance)材料來檢測空間中磁感應強度的大小。這種具有晶體結構的合金材料對外界的磁場很敏感，磁場的強弱變化會導致AMR自身電阻值發(fā)生變化。
[0005]在制造、應用過程中，將一個強磁場加在AMR單元上使其在某一方向上磁化，建立起一個主磁域，與主磁域垂直的軸被稱為該AMR的敏感軸，如圖1所示。為了使測量結果以線性的方式變化，AMR材料上的金屬導線呈45°角傾斜排列，電流從這些導線和AMR材料上流過，如圖2所示；由初始的強磁場在AMR材料上建立起來的主磁域和電流的方向有45°的夾角。
[0006]當存在外界磁場Ha時，AMR單元上主磁域方向就會發(fā)生變化而不再是初始的方向，那么磁場方向M和電流I的夾角Θ也會發(fā)生變化，如圖3所示。對于AMR材料來說，Θ角的變化會弓I起AMR自身阻值的變化，如圖4所示。
[0007]通過對AMR單元電阻變化的測量，可以得到外界磁場。在實際的應用中，為了提高器件的靈敏度等，磁傳感器可利用惠斯通電橋或半電橋檢測AMR阻值的變化，如圖5所示。R1/R2/R3/R4是初始狀態(tài)相同的AMR電阻，當檢測到外界磁場的時候，R1/R2阻值增加AR而R3/R4減少AR。這樣在沒有外界磁場的情況下，電橋的輸出為零；而在有外界磁場時，電橋的輸出為一個微小的電壓AV。
[0008]目前的三軸傳感器是將一個平面(X、Y兩軸)傳感部件與Z方向的磁傳感部件進行系統(tǒng)級封裝組合在一起，以實現(xiàn)三軸傳感的功能；也就是說需要將平面?zhèn)鞲胁考癦方向磁傳感部件分別設置于兩個圓晶或芯片上，最后通過封裝連接在一起。目前，在單圓晶/芯片上無法同時實現(xiàn)三軸傳感器的制造。
[0009]此外，通常的Z軸磁傳感器實現(xiàn)Z軸方向的自檢測具有較大難度，如何實現(xiàn)真正Z軸方向的磁信號輸出是一個難題。
[0010]有鑒于此，如今迫切需要設計一種新的磁傳感裝置的制備工藝，以克服現(xiàn)有工藝的上述缺陷。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明所要解決的技術問題是:提供一種磁傳感裝置，可提高感應的靈敏度。
[0012]此外，本發(fā)明還提供一種磁傳感裝置的制備工藝，制得的磁傳感裝置具有更強的靈敏度。
[0013]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案:
[0014]—種磁傳感裝置,所述裝置包括第三方向磁傳感部件，該第三方向磁傳感部件包括:
[0015]基底，其表面開有溝槽，溝槽的長度是寬度的五倍以上；
[0016]導磁單元，其主體部分設置于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面，用以感應第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量；
[0017]感應單元，設置于所述基底表面上，所述感應單元能直接測量第一方向或/和第二方向的磁場，結合導磁單兀輸出的磁信號，能測量被導磁單兀引導到第一方向或/和第二方向的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直；所述感應單兀包括磁性材料層及設置于磁性材料層上的金屬電極層；一個感應單兀包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合；在感應層上方形成的梳齒狀電極的間距小于一根導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號；感應單元與導磁單元之間有縫隙；
[0018]絕緣層單元，設置于在磁性材料層上的部分區(qū)域、導磁單元上及溝槽內(nèi)；
[0019]金屬層單元，設置于溝槽內(nèi)的絕緣層單元上，金屬層單元是由刻蝕感應單元的金屬電極時自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上，從而形成；金屬層單元用以實現(xiàn)自檢測作用，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測。在自檢測的過程中，在溝槽內(nèi)的金屬層單元兩端施加電流，即能在溝槽側(cè)壁上產(chǎn)生平行于溝槽側(cè)壁的磁場，金屬層單元兩端指分別設置于溝槽的兩個側(cè)壁；而這個磁場被導磁單元送入感應單元，進而在感應單元的輸出端口輸出磁場信號，通過比較該磁場信號與施加電流的關系，起到對Z軸磁傳感器評價、自檢測的效果。
[0020]一種磁傳感裝置，所述裝置包括第三方向磁傳感部件，該第三方向磁傳感部件包括:
[0021]基底，其表面開有溝槽；
[0022]導磁單元，其主體部分設置于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面，用以收集第三方向的磁場信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量；
[0023]感應單元，設置于所述基底表面上，所述感應單元能直接測量第一方向或/和第二方向的磁場，結合導磁單兀輸出的磁信號，能測量被導磁單兀引導到第一方向或/和第二方向的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直；所述感應單兀包括磁性材料層及設置于磁性材料層上的金屬電極層；一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合；感應單元與導磁單元之間有縫隙；
[0024]絕緣層單元,通過在導磁單元及溝槽上沉積絕緣材料實現(xiàn)。
[0025]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述感應單元與導磁單元之間的縫隙在O到I微米之間；優(yōu)選地，所述感應單元與導磁單元之間的縫隙在I納米到300納米之間。
[0026]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述裝置還包括金屬層單元，設置于溝槽內(nèi)的絕緣層單元上，用以實現(xiàn)自檢測作用，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測。
[0027]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，在自檢測的過程中，在溝槽內(nèi)的金屬層單元兩端施加電流，即能在溝槽側(cè)壁上產(chǎn)生平行于溝槽側(cè)壁的磁場，金屬層單元兩端指分別設置于溝槽的兩個側(cè)壁；而這個磁場被導磁單元收集、送入感應單元，進而在感應單元的輸出端口輸出磁場信號，通過比較該磁場信號與施加電流的關系，起到對Z軸磁傳感器評價、自檢測的效果。
[0028]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述溝槽的長度是寬度的五倍以上。
[0029]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，在感應層上方形成的梳齒狀電極的間距小于一根導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
[0030]一種上述磁傳感裝置的制備工藝，所述制備工藝包括如下步驟:
[0031]步驟S1、設置基底；
[0032]步驟S2、在基底的表面設置溝槽，溝槽的長度是寬度的五倍以上；
[0033]步驟S3、在基底表面沉積感應單元的磁性材料層，磁性材料層可包括保護層，制備導磁單元；導磁單元的主體部分沉積于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面；
[0034]步驟S4、沉積絕緣材料，得到絕緣層，并打開通孔；
[0035]步驟S5、設置電極層；
[0036]步驟S6、刻蝕，形成電極層；在溝槽內(nèi)，金屬電極刻蝕的時候自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上形成金屬層，即作為自檢測金屬層；在感應層上方形成的梳齒狀電極的距離小于導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
[0037]一種上述磁傳感裝置的制備工藝，所述制備工藝包括如下步驟:
[0038]步驟S1、設置基底；
[0039]步驟S2、在基底的表面設置溝槽；
[0040]步驟S3、在基底表面沉積感應單元的磁性材料層，磁性材料層可包括保護層，制備導磁單元；導磁單元的主體部分沉積于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面；
[0041]步驟S4、沉積絕緣材料，得到絕緣層，并打開通孔；
[0042]步驟S5、設置電極層；
[0043]步驟S6、刻蝕，形成電極層；一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合。
[0044]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，所述溝槽的長度是寬度的五倍以上。
[0045]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，在溝槽內(nèi)，金屬電極刻蝕的時候自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上形成金屬層，即作為自檢測金屬層；在感應層上方形成的梳齒狀電極的距離小于導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
[0046]作為本發(fā)明的一種優(yōu)選方案，步驟S6中，溝槽內(nèi)刻蝕時有光刻膠殘留、保護。
[0047]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明提出的磁傳感裝置及其制備工藝，通過一根磁導單元給兩對以上感應單元的梳齒狀電極提供電信號，得到的器件具有更強的靈敏度。此外，本發(fā)明在制造感應單元上方梳齒狀電極對的同時，保留了溝槽里的金屬層，此金屬層緊貼著溝槽，在溝槽方向施加電信號，即能夠在平行于溝槽側(cè)壁的方向得到磁信號(即Z軸方向信號)，如此實現(xiàn)Z軸的自檢測。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0048]圖1為現(xiàn)有磁傳感器的磁性材料的示意圖。
[0049]圖2為現(xiàn)有磁傳感器的磁性材料及導線的結構示意圖。
[0050]圖3為磁場方向和電流方向的夾角示意圖。
[0051]圖4為磁性材料的Θ -R特性曲線示意圖。
[0052]圖5為惠斯通電橋的連接圖。
[0053]圖6為磁傳感裝置的部分結構示意圖。
[0054]圖7為圖6的AA向剖視圖。
[0055]圖8為實施例二中磁傳感裝置的部分結構示意圖。
[0056]圖9為圖7的BB向剖視圖。
[0057]圖10為實施例三中磁傳感裝置一種實時方式的部分結構示意圖。
[0058]圖11為實施例三中磁傳感裝置另一種實時方式的部分結構示意圖。

【具體實施方式】
[0059]下面結合附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
[0060]實施例一
[0061]請參閱圖6，本發(fā)明揭示了一種磁傳感裝置，所述裝置包括第三方向(如Z軸)磁傳感部件，用以感應第三方向的磁場信號；該第三方向磁傳感部件包括基底1，基底的表面開有溝槽2，溝槽2的長度是寬度的五倍以上。
[0062]溝槽2內(nèi)設有導磁單元3，導磁單元的主體部分設置于溝槽2內(nèi)，并有部分露出溝槽2至基底I的表面，用以收集第三方向的磁場信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量。
[0063]感應單元(包括磁性材料層4、金屬電極層5)設置于所述基底I表面上，所述感應單兀能直接測量第一方向或/和第二方向的磁場，結合導磁單兀3輸出的磁信號,能測量被導磁單兀3引導到第一方向或/和第二方向的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直。所述感應單元包括磁性材料層4及設置于磁性材料層上的金屬電極層5 ;一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽2中的導磁單元3與多個感應單元相配合；在感應層上方形成的梳齒狀電極的間距小于一根導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
[0064]所述感應單元與導磁單元3之間有縫隙；感應單元與導磁單元3之間的縫隙在O到I微米之間；優(yōu)選地，所述感應單元與導磁單元之間的縫隙在I納米到300納米之間。感應單元的磁性材料層4也可以與導磁單元連在一起，在此不再贅述。
[0065]在磁性材料層4上的部分區(qū)域、導磁單元3上及溝槽2內(nèi)還設置絕緣層單元6 ;溝槽2內(nèi)的絕緣層單元6上設有金屬層單元7，金屬層單元是由刻蝕感應單元的金屬電極時自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上，從而形成。金屬層單元7用以實現(xiàn)自檢測作用，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測。
[0066]本實施例在制造金屬層的過程中，保留了溝槽內(nèi)的金屬層，如圖6和7所示，在溝槽內(nèi)的金屬層可以作為自檢測的部件。在自檢測的過程中，圖7中在溝槽內(nèi)的金屬左右端施加電流，即能夠在圖6所示的溝槽側(cè)壁上產(chǎn)生平行于側(cè)壁的磁場，而這個磁場被導磁單元送入感應單元，進而在感應單元的輸出端口輸出磁場信號，通過比較該磁場信號與施加電流的關系，起到對Z軸磁傳感器評價、自檢測的效果。
[0067]此外，磁傳感裝置還可以包括水平方向磁傳感部件，用以感應第一方向(如X軸)、第二方向(如Y軸)的磁場屬性。
[0068]以上介紹了本發(fā)明磁傳感裝置的結構，本發(fā)明在揭示磁傳感裝置結構的同時，還揭示一種上述磁傳感裝置的制備工藝，所述制備工藝包括如下步驟:
[0069]【步驟SI】設置基底；
[0070]【步驟S2】在基底的表面設置溝槽，溝槽的長度是寬度的五倍以上；
[0071]【步驟S3】在基底表面沉積感應單元的磁性材料層，磁性材料層可包括保護層，制備導磁單元；導磁單元的主體部分沉積于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面；
[0072]【步驟S4】沉積絕緣材料，得到絕緣層，并打開通孔；
[0073]【步驟S5】設置電極層；
[0074]【步驟S6】刻蝕，形成電極層；在溝槽內(nèi)，金屬電極刻蝕的時候自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上形成金屬層單元7，即作為自檢測金屬層；在感應層上方形成的梳齒狀電極的距離小于導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。其中，溝槽內(nèi)刻蝕時有光刻膠殘留、保護。
[0075]實施例二
[0076]請參閱圖8、圖9,本實施例中，在導磁單元和感應單元上方可以不設置絕緣材料層。
[0077]在感應單元的磁性材料上方布置有梳齒狀的電極陣列，現(xiàn)有的布置方式是:一對梳齒狀電極對應著一個導磁單兀(一個溝槽)；在不同于以往的結構，本發(fā)明中，一個導磁單元(溝槽)對應著兩對以上的梳齒狀電極，即一個導磁單元能夠為兩組以上的感應單元輸出磁信號，從而實現(xiàn)Z軸磁信號的檢測，相比傳統(tǒng)的結構，具有更好的靈敏度。感應單元與導磁單元之間的縫隙在10納米到I微米之間，例如100納米，200納米，300納米。
[0078]圖8所示為Z軸傳感器的俯視圖，溝槽是長條形，在溝槽中形成長條的導磁單元，對應著數(shù)對梳齒狀電極間的感應單元。剖面圖如圖9所示。
[0079]實施例三
[0080]本實施例與以上實施例的區(qū)別在于，本實施例中，Z軸傳感器也可以是如圖10和圖11所示的結構。
[0081]圖10中，一個長溝槽內(nèi)設有多個導磁單元，每個導磁單元對應多個感應單元。
[0082]圖11中，一個溝槽內(nèi)設有一個導磁單元，多個溝槽排成一條直線，每個導磁單元對應多個感應單元。
[0083]綜上所述，本發(fā)明提出的磁傳感裝置及其制備工藝，通過一根磁導單元給兩對以上感應單元的梳齒狀電極提供電信號，得到的器件具有更強的靈敏度。此外，本發(fā)明在制造感應單元上方梳齒狀電極對的同時，保留了溝槽里的金屬層，此金屬層緊貼著溝槽，在溝槽方向施加電信號，即能夠在平行于溝槽側(cè)壁的方向得到磁信號(即Z軸方向信號)，如此實現(xiàn)Z軸的自檢測。
[0084]這里本發(fā)明的描述和應用是說明性的，并非想將本發(fā)明的范圍限制在上述實施例中。這里所披露的實施例的變形和改變是可能的，對于那些本領域的普通技術人員來說實施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領域技術人員應該清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神或本質(zhì)特征的情況下，本發(fā)明可以以其它形式、結構、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來實現(xiàn)。在不脫離本發(fā)明范圍和精神的情況下，可以對這里所披露的實施例進行其它變形和改變。
【權利要求】
1.一種磁傳感裝置，其特征在于，所述裝置包括第三方向磁傳感部件，該第三方向磁傳感部件包括: 基底，其表面開有溝槽，溝槽的長度是寬度的五倍以上； 導磁單元，其主體部分設置于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面，用以感應第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量； 感應單元，設置于所述基底表面上，所述感應單元能直接測量第一方向或/和第二方向的磁場，結合導磁單兀輸出的磁信號，能測量被導磁單兀引導到第一方向或/和第二方向的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直；所述感應單兀包括磁性材料層及設置于磁性材料層上的金屬電極層；一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合；在感應層上方形成的梳齒狀電極的間距小于一根導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號；感應單元與導磁單元之間有縫隙； 絕緣層單元，設置于在磁性材料層上的部分區(qū)域、導磁單元上及溝槽內(nèi)； 金屬層單元，設置于溝槽內(nèi)的絕緣層單元上，金屬層單元是由刻蝕感應單元的金屬電極時自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上，從而形成；金屬層單元用以實現(xiàn)自檢測作用，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測；在自檢測的過程中，在溝槽內(nèi)的金屬層單元兩端施加電流，即能在溝槽側(cè)壁上產(chǎn)生平行于溝槽側(cè)壁的磁場，金屬層單元兩端指分別設置于溝槽的兩個側(cè)壁；而這個磁場被導磁單元送入感應單元，進而在感應單元的輸出端口輸出磁場信號，通過比較該磁場信號與施加電流的關系，起到對Z軸磁傳感器評價、自檢測的效果。
2.一種磁傳感裝置，其特征在于，所述裝置包括第三方向磁傳感部件，該第三方向磁傳感部件包括: 基底，其表面開有溝槽； 導磁單元，其主體部分設置于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面，用以收集第三方向的磁場信號，并將該磁信號輸出到感應單元進行測量； 感應單元，設置于所述基底表面上，所述感應單元能直接測量第一方向或/和第二方向的磁場，結合導磁單兀輸出的磁信號，能測量被導磁單兀引導到第一方向或/和第二方向的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直；所述感應單兀包括磁性材料層及設置于磁性材料層上的金屬電極層；一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合；感應單元與導磁單元之間有縫隙； 絕緣層單元，通過在導磁單元及溝槽上沉積絕緣材料實現(xiàn)。
3.根據(jù)權利要求2所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述感應單元與導磁單元之間的縫隙在O到I微米之間。
4.根據(jù)權利要求2所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述感應單元與導磁單元之間的縫隙在I納米到300納米之間。
5.根據(jù)權利要求2所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述裝置還包括金屬層單元，設置于溝槽內(nèi)的絕緣層單元上，用以實現(xiàn)自檢測作用，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測，即通過在自檢測的金屬上施加電流，產(chǎn)生垂直于基底平面的磁場，從而實現(xiàn)自檢測。
6.根據(jù)權利要求5所述的磁傳感裝置，其特征在于: 在自檢測的過程中，在溝槽內(nèi)的金屬層單元兩端施加電流，即能在溝槽側(cè)壁上產(chǎn)生平行于溝槽側(cè)壁的磁場，金屬層單元兩端指分別設置于溝槽的兩個側(cè)壁；而這個磁場被導磁單元收集、送入感應單元，進而在感應單元的輸出端口輸出磁場信號，通過比較該磁場信號與施加電流的關系，起到對Z軸磁傳感器評價、自檢測的效果。
7.根據(jù)權利要求2所述的磁傳感裝置，其特征在于: 所述溝槽的長度是寬度的五倍以上。
8.根據(jù)權利要求2所述的磁傳感裝置，其特征在于: 在感應層上方形成的梳齒狀電極的間距小于一根導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
9.一種權利要求1所述磁傳感裝置的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括如下步驟: 步驟S1、設置基底； 步驟S2、在基底的表面設置溝槽，溝槽的長度是寬度的五倍以上； 步驟S3、在基底表面沉積感應單元的磁性材料層，磁性材料層可包括保護層，制備導磁單元；導磁單元的主體部分沉積于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面； 步驟S4、沉積絕緣材料，得到絕緣層，并打開通孔； 步驟S5、設置電極層； 步驟S6、刻蝕，形成電極層；在溝槽內(nèi)，金屬電極刻蝕的時候自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上形成金屬層，即作為自檢測金屬層；在感應層上方形成的梳齒狀電極的距離小于導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
10.一種權利要求2所述磁傳感裝置的制備工藝，其特征在于，所述制備工藝包括如下步驟: 步驟S1、設置基底； 步驟S2、在基底的表面設置溝槽； 步驟S3、在基底表面沉積感應單元的磁性材料層，磁性材料層可包括保護層，制備導磁單元；導磁單元的主體部分沉積于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面； 步驟S4、沉積絕緣材料，得到絕緣層，并打開通孔； 步驟S5、設置電極層； 步驟S6、刻蝕，形成電極層；一個感應單元包括兩個相鄰的梳齒狀電極，位于一個溝槽中的導磁單元與多個感應單元相配合。
11.根據(jù)權利要求10所述的制備工藝，其特征在于: 所述溝槽的長度是寬度的五倍以上；步驟S6中，溝槽內(nèi)刻蝕時有光刻膠殘留、保護。
12.根據(jù)權利要求10所述的制備工藝，其特征在于: 在溝槽內(nèi)，金屬電極刻蝕的時候自然地在溝槽內(nèi)的絕緣層上形成金屬層，即作為自檢測金屬層；在感應層上方形成的梳齒狀電極的距離小于導磁單元的長度，即一根導磁單元至少為兩對梳齒狀電極提供感應的磁信號。
【文檔編號】G01R33/09GK104422908SQ201310403912
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月6日 優(yōu)先權日:2013年9月6日
【發(fā)明者】張挺, 萬虹, 王宇翔, 楊鶴俊, 邱鵬 申請人:上海矽?？萍加邢薰?br>