具有用于容納多個(gè)半導(dǎo)體封裝尺寸的凹口的梭板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種輸入/輸出穿梭板（230），其包括具有多個(gè)凹處（240）的金屬板（115）。多個(gè)凹處有底部（221）、側(cè)壁部分（237）和凹處深度。在第一凹處深度（d3）的第一安置面（238）是用于支撐在具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件，并且在第二凹處深度（d4）的至少一個(gè)第二安置面（239）的用于支撐具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件。第一凹處深度小于第二凹處深度（d3<d4），并且第一封裝尺寸大于第二封裝尺寸。穿梭板適于裝配在測(cè)試處理器上，例如通過穿梭板夾。
【專利說明】具有用于容納多個(gè)半導(dǎo)體封裝尺寸的凹口的梭板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于在測(cè)試地點(diǎn)通過自動(dòng)電子測(cè)試設(shè)備從輸入?yún)^(qū)域至電子測(cè)試的位置來輸送封裝的半導(dǎo)體器件的測(cè)試處理器，并且涉及測(cè)試后用于裝箱的輸出區(qū)域。
【背景技術(shù)】
[0002]拾取和放置(PnP)處理器廣泛用于在裝配和測(cè)試過程中移動(dòng)封裝的半導(dǎo)體器件的表面貼裝技術(shù)。重力處理器也會(huì)使用。
[0003]用于電子測(cè)試設(shè)備的處理器從通常有用于測(cè)試的操作者裝載單元的輸入?yún)^(qū)域至測(cè)試地點(diǎn)輸送器件，測(cè)試地點(diǎn)包括電氣測(cè)試發(fā)生在此的接觸器。在測(cè)試臺(tái)上的封裝的半導(dǎo)體器件的電子測(cè)試一般包括當(dāng)不同的封裝尺寸、引腳類型和封裝厚度呈現(xiàn)于測(cè)試時(shí)測(cè)試分配器(lot)之間的處理器轉(zhuǎn)換活動(dòng)。包括與一些參數(shù)改變一起的封裝具體硬件的轉(zhuǎn)換套件(或變換套件)與在電氣測(cè)試過程中接觸封裝的器件的接觸器一起用于這種轉(zhuǎn)換。
[0004]在轉(zhuǎn)換套件中用于PnP處理器的硬件包括左/右金屬穿梭板，其具有稱為凹處的凹口、裝配入凹處的輸入/輸出(IO)PnP吸盤以及測(cè)試地點(diǎn)(TS)的PnP槽(或夾盤槽)。左側(cè)TS PnP在測(cè)試前從左側(cè)穿梭板拾取封裝的器件，支持封裝的器件并確保測(cè)試過程中的適當(dāng)接觸和調(diào)整，并且測(cè)試后返回所測(cè)試的封裝的器件至左側(cè)穿梭板。在另一方面，右側(cè)TSPnP在測(cè)試前執(zhí)行從右側(cè)穿梭板拾取封裝的器件，支持封裝的器件并確保測(cè)試過程中的適當(dāng)接觸和調(diào)整，并且測(cè)試后返回所測(cè)試的封裝的器件至右側(cè)穿梭板的相同功能。IO PnP從左側(cè)和右側(cè)穿梭板拾取所有測(cè)試單元，并且然后將它們整理分類至輸出區(qū)域的裝箱托盤。
[0005]由于需要改變包括輸入/輸出(IO) PnP吸盤、左/右穿梭板和測(cè)試地點(diǎn)(TS)的PnP槽的轉(zhuǎn)換套件元件，并進(jìn)行重新調(diào)整，當(dāng)執(zhí)行特別地用于PnP處理器的傳統(tǒng)處理器凹處到凹處的轉(zhuǎn)換時(shí)，在測(cè)試設(shè)置之間經(jīng)歷長轉(zhuǎn)換停機(jī)時(shí)間。這種傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)換一般需要約3個(gè)小時(shí)來執(zhí)行。PnP轉(zhuǎn)換套件更換和硬件改變單獨(dú)占約2小時(shí)的轉(zhuǎn)換時(shí)間，包括約至少I小時(shí)的重新調(diào)整的時(shí)間，包括處理器的編碼器值的新的偏移的確定，對(duì)穿梭板的IO PnP中心調(diào)整，對(duì)IO PnP的穿梭板調(diào)整，對(duì)穿梭的TS PnP中心調(diào)整以及對(duì)通過穿梭板的更換成為必需的參考點(diǎn)的穿梭板硬停。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明公開的實(shí)施例認(rèn)識(shí)到對(duì)于傳統(tǒng)的測(cè)試處理器，每個(gè)不同尺寸的封裝的器件必須有其自身的穿梭板，以及測(cè)試地點(diǎn)和在特定的穿梭板上在凹處到凹處轉(zhuǎn)換過程中基于其調(diào)整的輸入/輸出(IO)轉(zhuǎn)移機(jī)制。因此，每當(dāng)在這種轉(zhuǎn)換過程中穿梭板被轉(zhuǎn)換，需要測(cè)試地點(diǎn)(TS)的重新調(diào)整和關(guān)于穿梭板的拾取和放置(PnP)以及IO PnP0公開的“多封裝”穿梭板通過配置為可安置多個(gè)不同的封裝尺寸節(jié)省轉(zhuǎn)換時(shí)間，以致穿梭板可通過封裝轉(zhuǎn)換保留，并且因此可避免由于轉(zhuǎn)換重新調(diào)整的需要。
[0007]公開了穿梭硬件的改變通過適合于裝配在測(cè)試處理器上的多封裝的IO穿梭板加速，其具有凹處，在不同的凹處深度各自具有多個(gè)安置面用于支撐多個(gè)不同封裝的半導(dǎo)體器件的尺寸。在一個(gè)實(shí)施例中，分別的安置面包括在凹處的側(cè)壁部分形成的不同的高度的凹口。
[0008]公開的凹處從而安置多種不同的封裝尺寸，所有都具有相同的中心位置。傾斜的側(cè)壁可以實(shí)現(xiàn)漏斗型(帶有向內(nèi)傾斜側(cè)的最寬的頂部)凹處設(shè)計(jì)，其允許封裝半導(dǎo)體器件安置在凹處內(nèi)并在凹處內(nèi)的插入物上自身調(diào)整。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是根據(jù)示例性實(shí)施例的公開的多封裝穿梭板的透視頂視圖，其包括2維(2-D)陣列凹處，各自包括在不同的凹處深度的多個(gè)安置面，用于安置具有不同的封裝尺寸的多個(gè)不同的封裝半導(dǎo)體器件。
[0010]圖2A-C是根據(jù)示例性實(shí)施例的穿梭板部分的橫截面的描繪，其包括具有多個(gè)安置面的示例凹處，用于安置具有不同的封裝尺寸的多個(gè)不同封裝的半導(dǎo)體器件。
[0011]圖3是根據(jù)示例性實(shí)施例的示例處理器的轉(zhuǎn)換套件硬件的描繪，其包括IO PnP吸盤、兩個(gè)都包括在其中的公開的穿梭板以及多片TSPnP槽。
[0012]圖4A-F根據(jù)示例性實(shí)施例在圖4A-C中在用于各自的封裝半導(dǎo)體器件的穿梭拾取和在圖4D-F中在用于各自的封裝半導(dǎo)體器件的測(cè)試后的穿梭下落中描繪了與TS PnP槽片交界的公開的多封裝穿梭板的公開凹處的操作，用于具有不同的封裝尺寸的三個(gè)不同封裝的半導(dǎo)體器件。
[0013]圖5是根據(jù)示例性實(shí)施例的示例電子檢測(cè)系統(tǒng)的簡化方框圖描繪，其包括具有第一和第二公開的多封裝穿梭板的PnP測(cè)試處理器。
【具體實(shí)施方式】
[0014]圖1根據(jù)示例性實(shí)施例示出了適于裝配在測(cè)試處理器上的包括金屬板115的多封裝穿梭板100，金屬板115包括2維(2-D)陣列的凹處105，其各自包括在不同凹處深度的多個(gè)安置面用于安置具有不同的封裝尺寸的多個(gè)不同的封裝的半導(dǎo)體器件。關(guān)于公開的凹處105的詳細(xì)信息可見圖2A-C，其示出凹處的示例橫截面描繪，在凹處的側(cè)壁中顯示示例安置面設(shè)計(jì)，其中在一個(gè)具體實(shí)施例中，用于穿梭板100的凹處105包括在圖2B示出的示例凹處240,如下所述具有凹口的安置面設(shè)計(jì)。
[0015]在比用于測(cè)試的封裝的器件的下落的凹處的凹處深度淺的未測(cè)試的封裝的器件的拾取過程中，具有帶凹處深度的凹處有助于允許吸盤足夠確保在封裝的器件的表面上能夠可靠地拾取封裝的器件。在用于未測(cè)試器件的穿梭下落的穿梭板上凹處的更深的凹處深度允許足夠的空隙來脫離吸盤支持的封裝的器件。
[0016]在一個(gè)實(shí)施例中，在穿梭板100上的所有的凹處一般設(shè)計(jì)相同，以致提供的多個(gè)凹處共享相同的凹處深度和凹處設(shè)計(jì)，為安置具有不同尺寸的分別的封裝的半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施例中有專用輸入穿梭板和專用輸出穿梭板，其中在用于未測(cè)試的封裝的器件拾取的輸入穿梭板上的凹處的凹處深度與在用于測(cè)試的封裝的器件的下落的輸出穿梭板上的凹處的凹處深度相比是減小的。
[0017]在另一個(gè)實(shí)施例中，在穿梭板上的一些凹處基本上在相同的穿梭板的其他凹處更深，以致給定的穿梭板可以起到用于未測(cè)試封裝的器件的輸入穿梭和測(cè)試封裝的器件的輸出穿梭的作用。在本實(shí)施例中，在穿梭板上的所述多個(gè)凹處的一部分提供第一凹處深度，用于支撐第一封裝的器件，以及第二凹處深度用于支撐第二封裝的器件，并且在相同的穿梭板上的所述多個(gè)凹處的另一部分是更深的凹處，其提供加深的第一凹處深度，相比于用于支撐第一封裝的器件的所述第一凹處深度基本上更深，提供加深的第二凹處深度，相比于用于支撐第二封裝的器件的所述第二凹處深度基本上更深。
[0018]如本文所用，“基本上更深”指的是對(duì)于分別的凹處深度的至少0.2mm的深度差。在這種布置中，穿梭板可以起到用于未測(cè)試封裝的器件的輸入穿梭和測(cè)試封裝的器件的輸出穿梭的作用。隨著左側(cè)TS PnP與左側(cè)穿梭一起工作而右TS PnP插入用于電氣測(cè)試的封裝的器件，這種布置的優(yōu)點(diǎn)是增加的吞吐量。
[0019]如下所述，所公開的凹處在凹處中的不同高度(垂直)安置分別的凹處尺寸。結(jié)果，分別的安置位置彼此同軸。
[0020]通過公開的多封裝穿梭板輸送的封裝的半導(dǎo)體器件包括傳統(tǒng)的含引線封裝、無引線封裝的器件以及薄硅芯片級(jí)封裝(WCSP)。一對(duì)(第一和第二)公開的多封裝穿梭板可用于電子檢測(cè)設(shè)備的測(cè)試處理器以電力測(cè)試封裝的半導(dǎo)體器件。
[0021]如本文中所使用的測(cè)試“處理器”包括物理地放置一個(gè)或多個(gè)封裝的電子器件在適當(dāng)位置用于通過測(cè)試處理器接口至此的電氣測(cè)試設(shè)備自動(dòng)測(cè)試的。電子測(cè)試設(shè)備和適當(dāng)位置的用于測(cè)試的任何封裝的電子器件之間的接口通過一個(gè)或多個(gè)接觸器。接觸器是具有在測(cè)試下在器件的引線上關(guān)閉和打開的電引線的器件。在引線關(guān)閉的過程中，電子測(cè)試設(shè)備通常執(zhí)行各種電氣測(cè)試。
[0022]穿梭板100包括用于調(diào)整其相對(duì)的TS PnP槽的中心調(diào)整工具孔109以及顯示允許穿梭板100安全連接到測(cè)試處理器的穿梭板夾112。穿梭板100 —般由金屬或金屬合金制成，如鋁合金ALU6061是一個(gè)實(shí)施例。
[0023]圖2A-C是根據(jù)示例性實(shí)施例的穿梭板部分的橫截面的描繪，其包括具有多個(gè)安置面的示例凹處，用于安置具有不同的封裝尺寸的多個(gè)不同封裝的半導(dǎo)體器件。在圖2A中所示的板部分210包括具有底部221的凹處220，以及示出為垂直側(cè)壁的側(cè)壁部分217。凹處220還包括在示出為Cl1的凹處深度的第一安置面218和在凹處深度d2提供第二安置面219的底部221，其中所述凹處深度是從金屬板115的頂面116向底部221測(cè)量。
[0024]第一安置面218用于安置具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件，并且第二座表面219是用于放置具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件。第一凹處深度dl小于第二凹處深度d2，以致第一封裝尺寸大于第二封裝尺寸。
[0025]圖2B和2C示出其中安置面包括在不同的凹處深度的凹處的側(cè)壁部分中的凹口(或肩部)的實(shí)施例。公開的凹口可用切削工具通過車間制造或以其他合適的方法形成。在圖2B中所示的板部分230包括凹處240，其包括在金屬板115的頂面116之間延伸至深度d5的傾斜側(cè)壁237。凹處240包括在第一凹處深度d3的第一凹口 238，用于支撐具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件，以及在第二凹處深度d4的第二凹口 239，用于支撐具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件。所述第一凹處深度d3小于所述第二凹處深度d4,以致第一封裝尺寸大于第二封裝尺寸。
[0026]在圖2C中所示的板部分250包括凹處260，其包括在金屬板115的頂面116之間延伸至深度d5的傾斜側(cè)壁257。凹處240包括在第一凹處深度d6的第一凹口 258，用于支撐具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件，以及在第二凹處深度d7的第二凹口 259，用于支撐具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件，以及在第三凹處深度d8的第二凹口 261，用于支撐具有第三封裝尺寸的第三封裝的半導(dǎo)體器件。所述第一凹處深度d6小于比第三凹處深度d8小的所述第二凹處深度d7，以致第一封裝尺寸大于比第三封裝尺寸大的第二封裝尺寸。在一個(gè)特定實(shí)施例中，第一封裝尺寸為X乘X _，第二封裝尺寸為χ-1乘x-lmm，并且第三封裝尺寸為x-2乘x-2_ (例如，12X 12mm、11 X Ilmm和IOX IOmm)。
[0027]圖3是處理器的轉(zhuǎn)換套件硬件300的描繪，其包括IO PnP吸盤310、兩個(gè)都包括在其中(只示出一個(gè))的公開的穿梭板100以及包括PnP測(cè)試片321的16片TS PnP槽320。如上所述，IO PnP吸盤310連接在IO PnP頂端上，其負(fù)責(zé)拾取測(cè)試或測(cè)試后分類的封裝的器件。由于公開的穿梭板如穿梭板100的多封裝尺寸的能力，在保留用于封裝到封裝的轉(zhuǎn)換的穿梭板100的同時(shí)，一些封裝到封裝的處理器轉(zhuǎn)換套件不包括改變穿梭板100，并且只改變IO PnP吸盤310和TS PnP槽320。
[0028]圖4A-F描繪示出為如上所述用于未測(cè)試器件的凹處260和用于測(cè)試封裝的器件的凹處260’的公開凹處的操作，其為充當(dāng)用于未測(cè)試封裝器件的輸入穿梭和用于測(cè)試器件的與用于具有三個(gè)不同封裝尺寸的三個(gè)不同的封裝器件的TS PnP槽片321接口的輸出穿梭的公開的多封裝穿梭板的凹處260的更深的變量。圖4A-C描繪在用于分別的封裝器件的穿梭拾取(測(cè)試前)的活動(dòng)，并且圖4D-F描繪在用于分別的封裝器件的穿梭下落(測(cè)試后)的活動(dòng)。如上所述，TS PnP槽單元如單元321與穿梭板的凹處一起夾在封裝的半導(dǎo)體器件中間。
[0029]圖4A描繪在適當(dāng)位置的TS槽單元在測(cè)試之前在公開的多封裝穿梭板的凹處260中拾取封裝的器件335。在一個(gè)特定的實(shí)施例中，在圖4A中所示的具有示例性尺寸
12.0mmX 12.0mm的封裝的器件335通過在第一凹處深度d6的第一凹口 258安置在具有示例性尺寸12.3mmX 12.3mm的座位區(qū)內(nèi)。圖4B描繪了在適當(dāng)位置的TS PnP槽單元324在測(cè)試之前拾取公開的多封裝穿梭板的凹處260中的封裝的器件345。具有示例性尺寸
11.0mmX 11.0mm的封裝的器件345通過在第一凹處深度(原文錯(cuò)誤，應(yīng)為第二凹處深度)d7的第二凹口 259安置在具有示例性尺寸11.3mmXll.3mm的座位區(qū)內(nèi)。圖4C描繪了在適當(dāng)位置的TS PnP槽單元327在測(cè)試之前拾取公開的多封裝穿梭板的凹處260上的封裝的器件355。具有示例性尺寸10.0mmX 10.0mm的封裝的器件355通過在第三凹處深度d8的第三凹口 261安置在具有示例性尺寸10.3mmX 10.3mm的座位區(qū)內(nèi)。在圖4A-C的描繪從而示出安置封裝的器件335、封裝的器件345和封裝的器件355的同樣的凹處260，其中每個(gè)都有不同的尺度/尺寸。
[0030]圖4D示出在封裝的器件335通過測(cè)試器測(cè)試后在圖4A中所示的在穿梭下落進(jìn)入凹處260’的封裝的器件335。如上所述用于測(cè)試封裝的器件的凹處260’相比用于未測(cè)試封裝的器件更深，以致在圖4A-C中的用于凹處260而示出的d6、d7、d8和d9在圖4D-4F中示出為 d6’、d/、d；和 d9’，其中 d6’ >d6, d/ >d7，d； >d8 并且 d9’ >d9。在圖 4A-C 中的凹口 258、259和261在圖4D-F中示出為凹口 258’、259’和261’。如圖4D所示，封裝的器件335安置在第一凹處深度d6’的第一凹口 258’上。圖4E示出在穿梭下落進(jìn)入凹處260’的封裝的器件345 (在圖4B中測(cè)試之前示出)，在封裝的器件345通過測(cè)試器測(cè)試之后，其安置在第二凹處深度d/的第二凹口 259’上。圖4F示出在穿梭下落進(jìn)入凹處260’的封裝的器件355 (在圖4C中測(cè)試之前示出)，在封裝的器件355通過測(cè)試器測(cè)試之后，其安置在第三凹處深度d8’的第三凹口 261’上。
[0031 ] 因此，在圖4A-F示出的實(shí)施例中，在用于如圖4A-C所示的未測(cè)試器件的穿梭拾取的穿梭板上的凹處的凹處深度相比如圖4D-F所示的測(cè)試器件的穿梭下落的穿梭板上的凹處的凹處深度減小。如上所述，在較淺的未測(cè)試封裝的器件的拾取過程中具有凹處深度有助于允許吸盤足夠確保在封裝的器件的表面能夠可靠地拾取封裝的器件。在用于測(cè)試封裝的器件的穿梭下落的穿梭板上的凹處的基本上更深的凹處深度允許足夠的間隙以脫離相對(duì)吸盤支持的封裝的器件。例如，在一個(gè)特定實(shí)施例中，在測(cè)試后用于放置測(cè)試封裝的器件的穿梭板上的凹處的凹處深度在一個(gè)特定的實(shí)施例中比用于放置未測(cè)試封裝的器件的穿梭板上的凹處的凹處深度深0.6至1.2mm。
[0032]圖5是包括公開的PnP處理器510示例電子檢測(cè)系統(tǒng)500的簡化方框圖描繪，PnP處理器510包括具有輸入和輸出多封裝穿梭板，其充當(dāng)分別示出為左側(cè)(或第一)多封裝穿梭板100 (a)和右側(cè)(或第二)多設(shè)多封裝穿梭板100 (b)的用于未測(cè)試器件的輸入穿梭和用于測(cè)試器件的輸出穿梭。系統(tǒng)510的測(cè)試部分515包括電子測(cè)試設(shè)備518和接觸器519,其作為電子檢測(cè)設(shè)備518和用于測(cè)試的在適當(dāng)位置的任何封裝的電子器件之間的接口。
[0033]在操作中，PnP處理器510從輸入?yún)^(qū)域521 (例如，其中有用于測(cè)試的操作員裝載單元)輸送封裝半導(dǎo)體器件至電氣測(cè)試發(fā)生的測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域。穿梭板100 (a)和100 (B)也可以作為熱浸板或冷浸板，以在移動(dòng)至測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域之前將封裝器件帶到所需的測(cè)試溫度。分類托盤區(qū)域522包括分類托盤，其中測(cè)試封裝的器件單元在測(cè)試后基于其裝箱放置。
[0034]現(xiàn)在描述基于也在圖5中描繪的示例性電子檢測(cè)系統(tǒng)500的示例性工序流程。在501中，IO PnP臂狀物從輸入?yún)^(qū)域521拾取封裝的器件，并將封裝的器件放置在左側(cè)多封裝穿梭板100 (a)或右側(cè)多封裝穿梭板100 (b)。當(dāng)在穿梭板上進(jìn)行高溫測(cè)試時(shí)這些封裝的器件可熱浸。在502的左側(cè)多封裝穿梭板100 (a)或右側(cè)多封裝穿梭板100 (b)移動(dòng)到所示的測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域。左側(cè)TS PnP槽320 (a)從左多封裝穿梭板100 (a)拾取封裝的器件，并且右側(cè)TS PnP槽320 (b)從右側(cè)多封裝穿梭板100 (b)拾取封裝的器件。
[0035]在503中左側(cè)TS PnP槽左側(cè)TS PnP槽320 Ca)/右側(cè)TS PnP槽320 (b)然后移動(dòng)到接觸器519以使這些封裝的器件通過電子測(cè)試設(shè)備518進(jìn)行電氣測(cè)試。TS PnP槽支持封裝的器件，并在測(cè)試過程中確保適當(dāng)?shù)慕佑|和調(diào)整。經(jīng)測(cè)試，在504中左側(cè)TS PnP槽320 Ca)/右側(cè)TS PnP槽320 (b)移動(dòng)測(cè)試封裝的器件遠(yuǎn)離接觸器519，并在505測(cè)試封裝的器件放置在左側(cè)多封裝穿梭板100 Ca)和/或右側(cè)多封裝梭板100 (b)(在測(cè)試凹處中放置)。在506中來自左側(cè)多封裝穿梭板100 (a)和/或右側(cè)多封裝穿梭板100 (b)的測(cè)試封裝的器件通過IO PnP527拾取，在測(cè)試中其基于裝箱測(cè)定將測(cè)試封裝的器件放置在分類托盤區(qū)域522。
[0036]用于測(cè)試半導(dǎo)體器件的一種示例性方法包括第一電氣測(cè)試具有第一尺寸的至少一個(gè)第一封裝的半導(dǎo)體器件，其包括使用包括固定在測(cè)試處理器上的輸入和輸出多封裝穿梭板的測(cè)試處理器從輸入?yún)^(qū)域(其中有用于測(cè)試的操作員裝載單元)使用輸入多封裝穿梭板輸送第一封裝的半導(dǎo)體器件至包括發(fā)生第一電氣測(cè)試的第一接觸器的測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域，并且使用輸入多封裝穿梭板從測(cè)試站點(diǎn)輸送至在輸出區(qū)域的分類托盤。
[0037]—旦包括具有不同尺寸的封裝的半導(dǎo)體器件的測(cè)試分配器呈現(xiàn)，測(cè)試處理器的硬件修改(并且一般輸入一些軟件參數(shù))用于測(cè)試具有第二封裝尺寸的至少一個(gè)第二封裝的半導(dǎo)體器件。修改包括用第二接觸器更換第一接觸器。TS PnP槽和IO PnP吸盤也將替換。修改不包括更換或橫向移動(dòng)輸入或輸出多封裝穿梭板(例如，移動(dòng)至重新定位，以利用不同尺寸的凹處)。一些軟件參數(shù)也可修改。
[0038]例如，設(shè)置的溫度設(shè)定值(例如，從25°C至130°C)、裝箱分配(例如，在測(cè)試后根據(jù)測(cè)試結(jié)果所述器件應(yīng)該分類至什么平臺(tái)或托盤應(yīng))、轉(zhuǎn)換套件參數(shù)(例如，正確的器件放置的托盤和穿梭矩陣，以致封裝的器件都集中在凹處中I)以及測(cè)試站點(diǎn)的接觸壓力。隨著處理器的修改，電氣測(cè)試在至少一個(gè)第二個(gè)封裝的半導(dǎo)體器件上執(zhí)行，其包括使用所述輸入多封裝穿梭板從輸入?yún)^(qū)域輸送所述第二封裝的半導(dǎo)體至其中所述第二電氣測(cè)試發(fā)生的測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域，并使用輸出多封裝穿梭板從測(cè)試站點(diǎn)輸送至在輸出區(qū)域的分類托盤。
[0039]在示例性凹處設(shè)計(jì)中，所選封裝尺寸認(rèn)為是標(biāo)準(zhǔn)的。在器件封裝尺寸的組合中，可以遵循的一般規(guī)則是在套件的器件封裝尺寸的組合中的最大的器件封裝尺寸將是標(biāo)準(zhǔn)的，參考點(diǎn)(或基線)。例如，對(duì)于結(jié)合12X 12mm、11 X Ilmm和10X IOmm封裝的器件的尺寸的多封裝凹處，12X 12mm認(rèn)為是標(biāo)準(zhǔn)的，因?yàn)?2X 12mm是在封裝組合中最大的封裝，以致與使得TS PnP槽與傳統(tǒng)的TS PnP槽一樣的傳統(tǒng)的穿梭板相比，最大封裝中的標(biāo)準(zhǔn)(對(duì)于這個(gè)示例是12X12mm)允許不改變凹處深度，并且由于典型的穿梭板的厚度限制穿梭板的凹處只能設(shè)計(jì)為變得更深，而不是變得更淺。
[0040]為修改以12X 12mm的基線開始的設(shè)置以允許IlX Ilmm或IOX 10mm，可包括使用所公開的包括凹處如凹處260的多封裝穿梭板，在用于12 X 12mm封裝的器件的凹處里的側(cè)壁中的凹處260包括頂部凹口(或肩部切削)、在用于11 X Ilmm的器件的側(cè)壁中的另一個(gè)凹口，以及接近用于IOX IOmm的封裝的底部的另一個(gè)凹口。此外，該接觸器固定板(控制TSPnP槽的X/Y軸移動(dòng)的接觸器的一部分)厚度可以修改以說明器件厚度的可能變化。
[0041]盡管上述示例一般是指包括安置12X 12mm (初級(jí)封裝的器件)、11 X Ilmm (次級(jí)封裝的器件)和IOXlOmm (三級(jí)封裝的器件)的凹處的多封裝穿梭板，公開的多封裝穿梭板可以設(shè)計(jì)為具有多個(gè)封裝尺寸的各種其他組合的封裝尺寸，如(例如:23 X 23mm、22 X 22mm、21 X 21mm或18 X 18mm、13 X 13mm、7 X 7mm等)，或三個(gè)以上的封裝尺寸，如四個(gè)或五個(gè)不同的封裝尺寸。
[0042]公開的實(shí)施例將有助于由于顯著減少的轉(zhuǎn)換停機(jī)時(shí)間的自動(dòng)測(cè)試設(shè)施以及由于較少的所需穿梭板硬件的較低的采購成本。公開實(shí)施例的公開的多封裝尺寸方面將減少購買不同套的硬件的成本以及在轉(zhuǎn)換過程中發(fā)生這種硬件改變的停機(jī)時(shí)間，如在轉(zhuǎn)換時(shí)間約I小時(shí)的減少，從而導(dǎo)致生廣力提聞。
[0043]公開的實(shí)施例可以結(jié)合到各種測(cè)試流程來測(cè)試各種不同的IC器件及相關(guān)產(chǎn)品。本公開涉及領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在所要求的本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以對(duì)所描述的實(shí)施例修改，并且很多其它實(shí)施例也是可以的。
【權(quán)利要求】
1.一種用于測(cè)試半導(dǎo)體器件的方法，其包括: 第一電氣測(cè)試有第一封裝尺寸的至少一個(gè)第一封裝的半導(dǎo)體器件，其包括使用包括每個(gè)包括裝配在測(cè)試處理器上的多個(gè)凹處的第一和第二多封裝穿梭板的測(cè)試處理器從輸入?yún)^(qū)域輸送所述第一封裝的半導(dǎo)體器件至所述第一電氣測(cè)試發(fā)生在此的包括第一接觸器的測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域，并且從所述測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域至在所述輸出區(qū)域中的所述分類托盤， 修改用于測(cè)試具有第二封裝尺寸的至少一個(gè)第二封裝的半導(dǎo)體器件的所述測(cè)試處理器，其包括將所述第一接觸器更換為第二接觸器，其中所述修改不包括更換或橫向地移動(dòng)所述第一或所述第二多封裝穿梭板，以及 第二電氣測(cè)試至少所述第二封裝的半導(dǎo)體器件，其包括使用所述第一和第二多封裝穿梭板從所述輸入?yún)^(qū)域輸送所述第二封裝的半導(dǎo)體至所述第二電氣測(cè)試發(fā)生在此的所述測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域，并從所述測(cè)試站點(diǎn)區(qū)域至在所述輸出區(qū)域中的所述分類托盤。
2.該方法根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述多個(gè)凹處包括第一安置面，其包括在所述第一凹處深度的所述側(cè)壁部分中的第一凹口，以及第二安置面，其包括在所述第二凹處深度的所述側(cè)壁部分中的第二凹口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述側(cè)壁部包括傾斜的側(cè)壁。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)凹處共享相同的凹處設(shè)計(jì)用于安置所述第一封裝的半導(dǎo)體器件和所述第二封裝的半導(dǎo)體器件。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一和第二多封裝穿梭板作為用于所述第一和第二封裝的半導(dǎo)體器件未測(cè)試的一個(gè)的輸入穿梭板以及用于所述第一和第二封裝的半導(dǎo)體器件測(cè)試的一個(gè)的 輸出穿梭板來利用。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一和第二多封裝穿梭板各自包括所述多個(gè)凹處的一部分，提供第一凹處深度用于支承所述第一封裝的半導(dǎo)體器件并且提供第二凹處深度用于支撐所述第二封裝的半導(dǎo)體器件，并且所述多個(gè)凹處的另一部分是更深的凹處，其提供加深的第一凹處深度，相比于用于支撐所述第一封裝的半導(dǎo)體器件的所述第一凹處深度基本上更深，以及加深的第二凹處深度，相比于用于支撐所述第二封裝的半導(dǎo)體器件的所述第二凹處深度基本上更深。
7.—種電子測(cè)試系統(tǒng),其包括: 拾取和放置(PnP)測(cè)試處理器，其包括第一和第二多封裝穿梭板和至少一個(gè)測(cè)試地點(diǎn)(TS)的PnP槽配置用于從輸入?yún)^(qū)域輸送封裝的半導(dǎo)體器件至測(cè)試地點(diǎn)區(qū)域進(jìn)行檢測(cè)，并在所述檢測(cè)后從所述測(cè)試地點(diǎn)區(qū)域至輸出區(qū)域，其中所述第一和所述第二多封裝穿梭板包括: 金屬板，其具有多個(gè)凹處，其中所述凹處具有底部、側(cè)壁部分和凹處深度，其中所述凹處深度是從所述板的所述頂面向所述底部測(cè)量； 第一安置面，其在第一凹處深度，用于支撐具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件；以及 第二安置面，其在第二凹處深度，用于支撐具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件; 其中所述第一凹處深度小于所述第二凹處深度； 其中所述第一封裝尺寸大于所述第二封裝尺寸，以及其中，所述穿梭板適于裝配在測(cè)試處理器上，以及 在所述測(cè)試地點(diǎn)區(qū)域的電子測(cè)試設(shè)備和至少一個(gè)接觸器，所述接觸器充當(dāng)所述電子測(cè)試設(shè)備和用于所述測(cè)試半導(dǎo)體器件的所述封裝半導(dǎo)體器件之間的接口，所述封裝的電子設(shè)備插入到所述接觸器。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測(cè)試系統(tǒng)，其中，所述第一安置面包括在所述第一凹處深度的所述側(cè)壁部分中的第一凹口，并且所述第二安置面包括在所述第二凹處深度的所述側(cè)壁部分中的第二凹口。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的測(cè)試系統(tǒng)，其中所述側(cè)壁部分包括傾斜的側(cè)壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測(cè)試系統(tǒng)，其中所述多個(gè)凹處進(jìn)一步包括在第三凹處深度的第三第二安置面，用于支撐具有第三封裝尺寸的第三封裝的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二封裝尺寸大于所述第三封裝尺寸。
11.一種輸入/輸出穿梭板，其包括: 金屬板，其具有多個(gè)凹處，其中所述凹處具有底部、側(cè)壁部分和凹處深度，其中所述凹處深度是從所述板的所述頂面向所述底部測(cè)量； 第一安置面，其在第一凹處深度，用于支撐具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件；以及 第二安置面，其在第二凹處深度，用于支撐具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件; 其中所述第一凹處深度小于所述第二凹處深度； 其中所述第一封裝尺寸大于所述第二封裝尺寸，以及 其中，所述穿梭板適于裝配在測(cè)試處理器上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的穿梭板，其中所述第一安置面包括在所述第一凹處深度的所述側(cè)壁部分中的第一凹口，并且所述第二安置面包括在所述第二凹處深度的所述側(cè)壁部分中的第二凹口。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的穿梭板，其中所述側(cè)壁部包括傾斜的側(cè)壁。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的穿梭板，其進(jìn)一步包括穿梭板夾，用于將所述穿梭板連接到所述測(cè)試處理器。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的穿梭板，其中所述多個(gè)凹處進(jìn)一步包括在第三凹處深度的第三第二安置面，用于支撐具有第三尺寸的第三封裝的半導(dǎo)體器件，其中所述第二封裝的尺寸大于所述第三封裝尺寸。
16.一種用于測(cè)試處理器的凹處到凹處的轉(zhuǎn)換的變換套件，其包括: 多個(gè)拾取和放置(PnP)吸盤； 至少一個(gè)輸入/輸出穿梭板，其包括: 金屬板，其具有多個(gè)凹處，其中所述凹處具有底部、側(cè)壁部分和凹處深度，其中所述凹處深度是從所述板的所述頂面向所述底部測(cè)量； 第一安置面，其在第一凹處深度，用于支撐具有第一封裝尺寸的第一封裝的半導(dǎo)體器件；以及 至少一個(gè)第二安置面，其在第二凹處深度，用于支撐具有第二封裝尺寸的第二封裝的半導(dǎo)體器件；其中所述第一凹處深度小于所述第二凹處深度； 其中所述第一封裝尺寸大于所述第二封裝尺寸，以及 其中，所述穿梭板適于裝配在測(cè)試處理器上，以及 多片測(cè)試地點(diǎn)(TS) PnP槽。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的套件，其中所述第一安置面包括在所述第一凹處深度的第一側(cè)壁部分中的第一凹口，并且所述第二安置面包括在所述第二凹處深度的第二側(cè)壁部分的第二凹口。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的套件，其中所述側(cè)壁部分包括傾斜的側(cè)壁。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的套件，其進(jìn)一步包括穿梭板夾，用于將所述穿梭板連接到所述測(cè)試處理器。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的套件，其中所述多個(gè)凹處進(jìn)一步包括在第三凹處深度的第三第二安置面，用于支撐具有第三封裝尺寸的第三封裝的半導(dǎo)體器件，其中所述第二封裝尺寸大于所述第 三封裝尺寸。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103718052SQ201280037954
【公開日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2012年6月4日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月3日
【發(fā)明者】M·L·L·彭洪, J·K·G·塔法拉, R·G·阿格里斯, A·G·F·克維多, C·M·奎達(dá)圖, A·H·S·巴塔-安 申請(qǐng)人:德克薩斯儀器股份有限公司