專利名稱：電路板板面的共面度的測量方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路板板面的共面度的測量方法，特別是涉及ー種電路板的板面與埋入于該電路板內(nèi)的內(nèi)置元件的表面的共面度的測量方法。
背景技術(shù)：
隨著科學技術(shù)的日新月異，電子元件更加趨向于超小型和超薄型的方向發(fā)展，印制電路板也更加趨向于高精密圖形和薄型多層化。由此，在電路板上布置安裝大量的電子元件越來越困難。現(xiàn)有的電路板上組裝的各種電子元件中無源器件占大多數(shù)，業(yè)界通常采用將大量的無源器件以埋入的方式組裝于電路板的內(nèi)部，可縮短元件相互之間的布線長度，改善電氣特性，提高有效的電路板封裝面積，減少電路板板面的焊接點等。因此，內(nèi)置器件是非常理想的一種安裝形式和技木。然而，內(nèi)置元件需要保證埋入于電路板內(nèi)的組裝件的表面與電路板的板面在同一平面上，以節(jié)約空間并防止該安裝件與設(shè)于電路板上的其他元件發(fā)生干渉?，F(xiàn)有的電路板與其埋入其內(nèi)的安裝件的共面度的測量方法，通常先將包含該無源器件的部分電路板板體從整個電路板中分離出來，然后測量該無源器件的表面相對電路板表面的高度差，從而獲得無源器件與電路板的共面度。因此，現(xiàn)有的電路板板面的共面度的測量方法需要破壞其樣品，且只能獲得邊緣的無源器件的表面與電路板板面的共面度的數(shù)值，無法全面、準確地反映組裝件與電路板的共面度，從而影響產(chǎn)品的質(zhì)量及使用。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，有必要提供一種在不破壞電路板樣品的前提下測量電路板的板面與埋入于該電路板內(nèi)的內(nèi)置元件的表面的共面度的方法。一種電路板板面的共面度的測量方法，該電路板包括一板體及埋設(shè)于板體的內(nèi)置元件，該內(nèi)置元件的頂面裸露于該板體的頂面，該測量方法的步驟包括 S1:提供一具有高度測量功能的三次元測量儀，該三次元測量儀包括一測量平臺；S2 :將該電路板放置于該三次元測量儀的測量平臺上，并使裸露所述內(nèi)置元件的頂面朝上；S3 :使用該三次元測量儀依次測量該內(nèi)置元件的表面任意點Al、A2、A3、......、An
距離所述測量平臺的高度H1、H2、H3、……、Ηη，η為該內(nèi)置元件上所取測量點的數(shù)量，η值大于等于3 ;S4 :在板體上選取分別距離所述內(nèi)置元件的點A1、A2、A3、......、Αη接近的點BI、
Β2、Β3、......、Bn ；S5 :使用該三次元測量儀依次測量該板體上點B1、B2、B3、......、Βη距離所述測量
平臺21的高度分別為hl、h2、h3、……、hn;S6 :計算該內(nèi)置元件的點A1、A2、A3、……、An與板體上對應(yīng)的點B1、B2、B3、……、Bn 的共面度 D1、D2、D3、......、Dn ;S7 :比較各共面度D1、D2、D3、……、Dn，選出最大值作為該內(nèi)置元件與該板體的共面度。進ー步地,所述步驟S3中，所述點A1、A2、A3、......、An為該內(nèi)置元件邊緣區(qū)域的
任意點。進ー步地,所述步驟S4中，首先測量出點Al距離該板體的內(nèi)邊緣最小的點Cl,以 Cl為圓心，在板體上取一半徑!·的區(qū)域，在該區(qū)域上任意選取一點作為板體上接近Al的點BI ;同理測量出A2、A3、……、An距離該內(nèi)置元件邊緣最小的點C2、C3、……、Cn，對應(yīng)選出該板體上B2、B3、......、Bn。進ー步地,所述步驟S4中，當A1、A2、A3、......、An分別距離該內(nèi)置元件邊緣最小
的點有兩個或以上，隨機選取ー個。進ー步地，所述步驟S4中，所述半徑r的值小于等于該內(nèi)置元件最大寬度的一半。進ー步地，所述步驟S4中，所述半徑r的值跟選取點的數(shù)量η成反比，η越大，r則越小。進ー步地，所述步驟S6中，共面度Dl為Hl與hi的差的絕對值、D2為H2與h2的差的絕對值、……、Dn為Hn與hn的差的絕對值。進ー步地，所述三次元測量儀使用的是非接觸式測量高度。進ー步地，所述三次元測量儀使用光學對焦測高方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，該測量方法可在不破壞電路板的前提下，可準確的測得內(nèi)置元件的與電路板的板面的共面度，且測量準確性高。


圖1為本發(fā)明電路板的一實施例的側(cè)面剖視圖。圖2為圖1所示的電路板的俯視圖。
具體實施例方式為了使本發(fā)明的技術(shù)方案能更清晰地表示出來，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進ー步說明。如圖1及圖2所示，本實施例的測量方法是對ー電路板10的板體11表面及內(nèi)置元件12表面的共面度的測量方法。該板體11為印刷電路板的板體，具有絕緣層、導電層等部分，是電子元器件的支撐體。該內(nèi)置元件12可為無源器件等電子元件。該內(nèi)置元件12通過者埋入等方式組裝于該板體11的內(nèi)部。該內(nèi)置元件12的底端及側(cè)壁收容于該板體11內(nèi)，該內(nèi)置元件12的頂面裸露于板體11的頂面上。該電路板10的內(nèi)置元件12的表面與板體11的表面的共面度的測量方法包括以下步驟，其中該內(nèi)置元件12為矩形設(shè)置S1:提供一具有高度測量功能的三次元測量儀20，本實施例中，該三次元測量儀20是使用的是非接觸式測量高度，如使用Z軸光學對焦測高等方式；S2 :將該電路板10放置于該三次元測量儀20的測量平臺21上，并使其裸露安裝有所述內(nèi)置元件12的表面朝上；S3 :使用該三次元測量儀20依次測量該內(nèi)置元件12的表面任意點Al、A2、A3、……、An距離所述測量平臺21的高度分別為H1、H2、H3、……、Hn ；n為該內(nèi)置元件12上所取測量點的數(shù)量，η值大于等于3 ；S4 :在板體11上選取距離所述點Α1、Α2、Α3、……、Αη接近的點Β1、Β2、Β3、……、Bn ;具體地,測量出點Al距離該板體11的內(nèi)邊緣最小的點Cl,以Cl為圓心,在板體11上取一半徑r的區(qū)域，在該區(qū)域上任意選取一點BI作為板體11上接近Al的點；同理測量出A2、A3、……、An距離該內(nèi)置元件12邊緣最小的點C2、C3、……、Cn，對應(yīng)選出該板體11上B2、B3、……、Bn ;其中，如果Al距離該內(nèi)置元件12邊緣最小的點有兩個或以上，則隨機選取一個；半徑r的值小于等于該內(nèi)置元件12最大寬度的一半；在本實施例中，該半徑!·的值跟選取點的數(shù)量η成反比，η越大，r則越小。S5 :使用該三次元測量儀20依次測量該板體11上點B1、B2、B3、……、Bn距離所述測量平臺21的高度分別為hl、h2、h3、……、hn ;具體測量時，調(diào)節(jié)該三次元測量儀20的X、Y軸可以移動到所需測量的位置，在通過Z軸光學測量可以測出所需點的高度；S6 :計算該內(nèi)置元件12的點Al、A2、A3、……、An與板體11上對應(yīng)的點BI、B2、
B3、......、Bn 的共面度 D1、D2、D3、......、Dn，其中 Dl= I Hl-hl I、D2= I H2_h2 I、D3= I
H3-h3 I、……、Dn= I Hn-hn I，即Dl為Hl與hi的差的絕對值、D2為H2與h2的差的絕對值、……、Dn為Hn與hn的差的絕對值；S7 :比較各共面度D1、D2、D3、……、Dn，選出最大值則為該內(nèi)置元件12與該板體11的共面度。在本實施例的S3步驟中，該任意點A1、A2、A3、……、An為該內(nèi)置元件12邊緣區(qū)域的任意點，這樣在S4中只需要測量點A1、A2、A3、……、An距離板體11上明顯靠近的兩
個邊緣的距離，從而找出A1、A2、A3、......、An距離該板體11內(nèi)邊緣最小的點C2、C3、......、
Cn0該測量方法可在不破壞電路板10的前提下，可準確的測得內(nèi)置元件12的表面任意一點與電路板10的板面的共面度，且測量速度快，計算方法簡便。進ー步地，由于S4中
采取了先找出點A1、A2、A3、……、An距離該板體11的內(nèi)邊緣最小的點C1、C2、C3、.......
Cn,使得內(nèi)置元件12的點Al、A2、A3、.......An與板體11上對應(yīng)的點BI、B2、B3、……、
Bn位于內(nèi)置元件12的同一側(cè)，減少了電路板10相對測量平臺21整體傾斜時造成的誤差。以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的一種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
權(quán)利要求
1.一種電路板板面的共面度的測量方法，該電路板包括一板體及埋設(shè)于板體的內(nèi)置元件，該內(nèi)置元件的頂面裸露于該板體的頂面，該測量方法的步驟包括 Si:提供一具有高度測量功能的三次元測量儀，該三次元測量儀包括一測量平臺； 52:將該電路板放置于該三次元測量儀的測量平臺上，并使裸露所述內(nèi)置元件的頂面朝上； 53:使用該三次元測量儀依次測量該內(nèi)置元件的表面任意點A1、A2、A3、......、An距離所述測量平臺的高度H1、H2、H3、……、Ηη，η為該內(nèi)置元件上所取測量點的數(shù)量，η值大于等于3 ； 54:在板體上選取分別距離所述內(nèi)置元件的點Al、Α2、A3、......、An接近的點BI、Β2、Β3、......、Bn ; 55:使用該三次元測量儀依次測量該板體上點Β1、Β2、Β3、……、Βη距離所述測量平臺的高度分別為hl、h2、h3、……、hn; 56:計算該內(nèi)置元件的點A1、A2、A3、……、An與板體上對應(yīng)的點B1、B2、B3、……、Bn的共面度 D1、D2、D3、......、Dn ； 57:比較各共面度Dl、D2、D3、……、Dn，選出最大值作為該內(nèi)置元件與該板體的共面度。
2.如權(quán)利要求I所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述步驟S3中，所述點Al、A2、A3、......、An為該內(nèi)置元件邊緣區(qū)域的任意點。
3.如權(quán)利要求I所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述步驟S4中，首先測量出點Al距離該板體的內(nèi)邊緣最小的點Cl，以Cl為圓心，在板體上取一半徑r的區(qū)域，在該區(qū)域上任意選取一點作為板體上接近Al的點BI ;同理測量出A2、A3、……、An距離該內(nèi)置元件邊緣最小的點C2、C3、……、&1，對應(yīng)選出該板體上82、83、……、Bn。
4.如權(quán)利要求3所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述步驟S4中，當Al、A2、A3、……、An分別距離該內(nèi)置元件邊緣最小的點有兩個或以上，隨機選取一個。
5.如權(quán)利要求3所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述步驟S4中，所述半徑r的值小于等于該內(nèi)置元件最大寬度的一半。
6.如權(quán)利要求3所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述步驟S4中，所述半徑r的值跟選取點的數(shù)量η成反比，η越大，r則越小。
7.如權(quán)利要求I所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述步驟S6中，共面度Dl為Hl與hi的差的絕對值、D2為H2與h2的差的絕對值、……、Dn為Hn與hn的差的絕對值。
8.如權(quán)利要求I所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述三次元測量儀使用的是非接觸式測量高度。
9.如權(quán)利要求I所述的電路板板面的共面度的測量方法，其特征在于所述三次元測量儀使用光學對焦測高方法。
全文摘要
一種電路板板面的共面度的測量方法，包括以下步驟提供一具有高度測量功能的三次元測量儀；將該電路板放置于該三次元測量儀的測量平臺上，并使裸露所述內(nèi)置元件的頂面朝上；使用該三次元測量儀依次測量該內(nèi)置元件的頂面任意點A1、……、An距離所述測量平臺的高度H1、……、Hn；在板體上選取分別距離所述內(nèi)置元件的點A1、……、An接近的點B1、……、Bn；使用該三次元測量儀依次測量該板體上點B1、……、Bn距離所述測量平臺的高度分別為h1、……、hn；計算該內(nèi)置元件的點A1、……、An與板體上對應(yīng)的點B 1、……、Bn的共面度D1、……、Dn；比較各共面度D1、……、Dn，選出最大值作為該內(nèi)置元件與該板體的共面度。
文檔編號G01B11/30GK102980552SQ20121052975
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月7日
發(fā)明者李民善, 紀成光, 杜紅兵, 呂紅剛, 任堯儒 申請人:東莞生益電子有限公司