摻雜失效的分析方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種摻雜失效的分析方法，包括步驟：提供一良品硅片；對(duì)良品硅片和待測(cè)樣品硅片進(jìn)行處理直至露出襯底表面；將良品硅片和待測(cè)樣品硅片分別放置在一導(dǎo)電底座上并用錫焊固定；分別在良品硅片和待測(cè)樣品硅片上選定一測(cè)試圖形；進(jìn)行測(cè)試條件設(shè)置；采用單針分別對(duì)良品硅片和待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試；對(duì)良品硅片和待測(cè)樣品硅片的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較并判斷待測(cè)樣品硅片的摻雜是否失效。本發(fā)明能準(zhǔn)確快速驗(yàn)證摻雜相關(guān)的失效，能大大減少測(cè)試圖形尺寸、實(shí)現(xiàn)小尺寸圖形的摻雜失效分析，能大大節(jié)省芯片失效分析的時(shí)間和確保失效分析的準(zhǔn)確性，為明確工藝原因及提升相關(guān)產(chǎn)品的良率發(fā)揮重大作用。
【專利說明】摻雜失效的分析方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路制造工藝方法，特別是涉及一種摻雜失效的分析方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體集成電路制造中，摻雜是一種通用的工藝，當(dāng)摻雜失效時(shí)往往造成最后形成的芯片產(chǎn)品的失效，因此如何判斷摻雜是否失效，并根據(jù)判斷結(jié)果來確定芯片產(chǎn)品的失效是否是有摻雜失效引起的是芯片產(chǎn)品失效分析中的一種重要分析方法。現(xiàn)有摻雜失效的分析方法包括:
[0003]1、對(duì)器件的電學(xué)測(cè)試來佐證，該方法是通過對(duì)器件的各個(gè)端口或電極施加電應(yīng)力，從而監(jiān)控各電極的電壓電流等了解特性。該方法存在的問題是:
[0004]1.1、對(duì)器件的測(cè)試需要用到復(fù)雜的納米探針技術(shù)或者襯墊(pad)用微探針分析。
[0005]1.2、即使明確器件電學(xué)特性異常，仍無法確認(rèn)器件失效是否是由摻雜失效造成的，因?yàn)槠骷Э赡苁怯蓳诫s、刻蝕、對(duì)準(zhǔn)、異常冗余物等多個(gè)原因造成。
[0006]2、針對(duì)雜質(zhì)種類和濃度的染色處理。該方法存在的問題是:
[0007]2.1、染色與染色用藥液的配比、時(shí)間密切相關(guān)，需要反復(fù)試驗(yàn)，耗時(shí)耗力；
[0008]2.2、當(dāng)異常摻雜的劑量或濃度差異較小時(shí)，染色成功率大大降低。
[0009]3、二次離子質(zhì)譜分析(SMS)。該方法存在的問題是:分析復(fù)雜，成本昂貴，而且對(duì)樣品尺寸的限制大，體現(xiàn)在要求長寬都在100微米以上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種摻雜失效的分析方法，能準(zhǔn)確快速驗(yàn)證摻雜相關(guān)的失效，能大大減少測(cè)試圖形尺寸、實(shí)現(xiàn)小尺寸圖形的摻雜失效分析，能大大節(jié)省芯片失效分析的時(shí)間和確保失效分析的準(zhǔn)確性，為明確工藝原因及提升相關(guān)產(chǎn)品的良率發(fā)揮重大作用。
[0011]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的摻雜失效的分析方法包括如下步驟:
[0012]步驟一、提供一摻雜符合要求的良品硅片，該良品硅片用于對(duì)待測(cè)樣品硅片進(jìn)行比較分析。
[0013]步驟二、對(duì)所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片進(jìn)行處理，該處理將所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的襯底表面上的膜層結(jié)構(gòu)都去除，直至露出所述良品硅片和所述待測(cè)樣品娃片的襯底表面。
[0014]步驟三、將處理過的所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片分別放置在一導(dǎo)電底座上，且通過錫焊料分別將所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的底部和對(duì)應(yīng)底座緊密品質(zhì)粘
貼在一起。
[0015]步驟四、分別在所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上選定一測(cè)試圖形，所述良品硅片上的測(cè)試圖形和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的尺寸相同，且所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形區(qū)域處從硅片的表面到底部的摻雜類型相同。
[0016]步驟五、采用擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試條件設(shè)置，測(cè)試條件設(shè)置包括整修工具參數(shù)設(shè)置和認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置。
[0017]步驟六、根據(jù)所設(shè)定的測(cè)試條件，采用單針分別對(duì)所述良品硅片上的測(cè)試圖形和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試，測(cè)試后分別得到所述良品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)、以及所述待測(cè)樣品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)。
[0018]步驟七、對(duì)所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，當(dāng)所述待測(cè)樣品硅片的電阻值為所述良品硅片電阻值的95%?105%時(shí)，所述待測(cè)樣品硅片的摻雜有效；當(dāng)所述待測(cè)樣品硅片的電阻值為所述良品硅片電阻值的95%?105%的范圍之外時(shí)，所述待測(cè)樣品硅片的摻雜失效。
[0019]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟二中的處理工藝采用氫氟酸進(jìn)行腐蝕處理。
[0020]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟三中的所述底座為無傾角的平面底座。
[0021]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟四中所選定的所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形要求是:所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的區(qū)域都要平坦且雜質(zhì)分布均勻、且所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的摻雜類型和位于對(duì)應(yīng)測(cè)試圖形底部的摻雜區(qū)域或硅片襯底的摻雜類型都相同；所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的長度和寬度都分別大于所述擴(kuò)展電阻測(cè)試的針的直徑。
[0022]進(jìn)一步的改進(jìn)是，步驟五中所述整修工具參數(shù)設(shè)置包括:
[0023]將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為QTA組件或都設(shè)定為PEN組件。在所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片的測(cè)試圖形中設(shè)定測(cè)試的初始點(diǎn)。
[0024]步驟五中認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置包括:
[0025]根據(jù)所述初始點(diǎn)的設(shè)定設(shè)置極性；設(shè)置測(cè)試點(diǎn)數(shù)，測(cè)試點(diǎn)數(shù)大于等于I ;設(shè)置步徑，步徑大于針的直徑；設(shè)置認(rèn)證測(cè)試的組件，所述整修工具中將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為QTA組件時(shí)，所述認(rèn)證測(cè)試的組件設(shè)定為QTA ;所述整修工具中將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為PEN組件時(shí)，所述認(rèn)證測(cè)試的組件設(shè)定為PEN。
[0026]本發(fā)明通過對(duì)擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行整修工具參數(shù)設(shè)置和認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置，能夠?qū)Υ郎y(cè)試樣品進(jìn)行單針測(cè)試，相對(duì)于雙針測(cè)試，單針測(cè)試能夠大大減少所能測(cè)試的圖形尺寸，能實(shí)現(xiàn)小尺寸如小于10微米X 10微米的圖形的摻雜失效分析。本發(fā)明通過將待測(cè)試樣品的摻雜區(qū)域的該測(cè)試結(jié)果和一摻雜符合要求的良品硅片的摻雜區(qū)域的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行比較，根據(jù)比較結(jié)果能夠準(zhǔn)確快速驗(yàn)證摻雜是否失效，從而也能直接快速并準(zhǔn)確的判斷芯片失效是否由慘雜失效引起，故能大大節(jié)省芯片失效分析的時(shí)間和確保失效分析的準(zhǔn)確性，為明確工藝原因及提升相關(guān)產(chǎn)品的良率發(fā)揮重大作用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明:
[0028]圖1是SRP測(cè)試原理示意圖；
[0029]圖2是本發(fā)明實(shí)施例方法流程圖；[0030]圖3A-圖3G是本發(fā)明實(shí)施例方法各步驟中示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]本發(fā)明實(shí)施例中使用到SRP測(cè)試，在對(duì)本發(fā)明實(shí)施例做說明之前，先介紹一下SRP測(cè)試原理，如圖1所示，是SRP測(cè)試原理示意圖。現(xiàn)有SRP測(cè)試是對(duì)樣品的截面進(jìn)行雙探針測(cè)試，從而得出載流子濃度和電阻率的縱深分布，現(xiàn)有SRP測(cè)試的工作過程如下:
[0032]1、確定樣品102和底座101。其中樣品102的圖形長寬大小要在數(shù)百微米以上，以確保測(cè)試斜面103能覆蓋所需的深度。底座101為帶指定角度的模塊，如17’，34’，1° 9’，
9°坐
Δι OΔι 、j.ο
[0033]2、樣品102粘貼在底座101上進(jìn)行研磨，得到與底座相同傾斜角的斜面103。研磨后露出斜面邊緣104，以及PN結(jié)界面105.[0034]3、樣品102進(jìn)入SRP機(jī)臺(tái)進(jìn)行測(cè)試，其中SRP的兩探針106在斜面103上通過步進(jìn)式移動(dòng)和接觸，兩探針106間存在5mv電壓，通過電流測(cè)量換算等，得到兩探針106間的電阻值。
[0035]4、所測(cè)得的電阻值經(jīng)過校準(zhǔn)曲線轉(zhuǎn)換為電阻率和載流子濃度，而探針106每次接觸所處的位置，通過角度及距離換算，得到針對(duì)應(yīng)位置的深度值，以上數(shù)據(jù)綜合，就可得到樣品的電阻值的深度分布曲線。
[0036]SRP測(cè)試用的探針106是鋨鎢組分，通過針整修處理后，在表面形成大量的微毛刺，不但可以穿透表面自然氧化層，還可以與硅片表面形成非常緊密的接觸，從而保證穩(wěn)定可靠的測(cè)試結(jié)果。
[0037]SRP測(cè)試展開前，需要對(duì)針即探針106進(jìn)行整修處理(conditioning)以及認(rèn)證測(cè)試(qualifying)。認(rèn)證測(cè)試是用于確保針處于穩(wěn)定可靠的狀態(tài)，會(huì)用到一系列的組件；整修處理則用于設(shè)定認(rèn)證測(cè)試組件的條件。認(rèn)證測(cè)試組件中有兩個(gè)重要部分，一是QTA(qualification, testing, alignment的縮寫)樣品，用于判斷針尖毛刺的數(shù)量；二是PEN(Penetrating,穿透)樣品，用于判斷針尖毛刺的穿透深度是否合適。QTA樣品和PEN樣品測(cè)試都合格，方可認(rèn)定針認(rèn)證通過。對(duì)這兩個(gè)樣品測(cè)試時(shí)，可實(shí)現(xiàn)單根針的獨(dú)立測(cè)試。
[0038]利用型號(hào)為SSM NAN0SRP2000的SRP，本專利通過一定的樣品準(zhǔn)備后，用SRP平面且單針測(cè)試實(shí)現(xiàn)對(duì)小圖形摻雜情況的分析，實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品是否摻雜失效的判斷。
[0039]如圖2所示，是本發(fā)明實(shí)施例方法流程圖；如圖3A至圖3G所示，是本發(fā)明實(shí)施例方法各步驟中示意圖。本發(fā)明實(shí)施例摻雜失效的分析方法包括如下步驟:
[0040]步驟一、提供一摻雜符合要求的良品硅片，該良品硅片用于對(duì)待測(cè)樣品硅片進(jìn)行比較分析。所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片要具有相同的膜層結(jié)構(gòu)，且具有相同的摻雜結(jié)構(gòu)，但是所述良品硅片的摻雜區(qū)域的摻雜已經(jīng)確認(rèn)為符合要求。如圖3A所示，所述待測(cè)樣品硅片I上形成有多層薄膜組成的膜層結(jié)構(gòu)2以及多個(gè)摻雜區(qū)域3。
[0041]步驟二、對(duì)所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片進(jìn)行處理，該處理將所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I的襯底表面上的膜層結(jié)構(gòu)都去除，直至露出所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I的襯底表面。如圖3B所示，本發(fā)明實(shí)施例是采用氫氟酸進(jìn)行腐蝕處理來將膜層結(jié)構(gòu)去除，直至露出所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I的襯底表面。
[0042]步驟三、如圖3C所示，將處理過的所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I分別放置在一導(dǎo)電底座5上，且通過錫焊料6分別將所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I的底部和對(duì)應(yīng)底座5緊密品質(zhì)粘貼在一起，通過錫焊料6使所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片I的底部和所述底座5電連接。所述底座5為無傾角的平面底座。
[0043]步驟四、如圖3D所示，分別在所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I上選定一測(cè)試圖形，所述良品硅片上的測(cè)試圖形和所述待測(cè)樣品硅片I上的測(cè)試圖形的尺寸相同，且所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形區(qū)域處從硅片的表面到底部的摻雜類型相同。本發(fā)明實(shí)施例中所述待測(cè)樣品硅片I上的測(cè)試圖形為一個(gè)摻雜區(qū)域3。所選定的所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I上的測(cè)試圖形要求是:
[0044]所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I上的測(cè)試圖形的區(qū)域都要平坦且雜質(zhì)分布均勻、且所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的摻雜類型和位于對(duì)應(yīng)測(cè)試圖形底部的摻雜區(qū)域或硅片襯底的摻雜類型都相同。如圖3E所示，假定所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I的摻雜類型為N型，圖形3a和3c的摻雜類型為N型，圖形3b的摻雜類型為P型；則圖形3a和3c符合摻雜要求，而圖形3b不符合摻雜要求，故圖形3b不能選為測(cè)試圖形。
[0045]如圖3D所示，所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片I上的測(cè)試圖形的長度L和寬度W都分別大于所述擴(kuò)展電阻測(cè)試的針4的直徑d。如圖3E所示，圖形3a的寬度或長度小于針4的直徑d，故圖形3a不能選為測(cè)試圖形；圖形3c的寬度或長度都大于針4的直徑d，故圖形3c能選為測(cè)試圖形。
[0046]步驟五、采用擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試條件設(shè)置，測(cè)試條件設(shè)置包括整修工具參數(shù)設(shè)置和認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置。本發(fā)明實(shí)施例中能選用型號(hào)為SSM NAN0SRP2000的擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備。
[0047]所述整修工具參數(shù)設(shè)置包括:將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為QTA組件如在擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備中選用“l(fā)ocate the start position on theQTA sample”進(jìn)行設(shè)定，或?qū)⑺獪y(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為PEN組件如在擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備中選用“l(fā)ocate the start positionon the PEN sample”進(jìn)行設(shè)定；在所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片的測(cè)試圖形中設(shè)定測(cè)試的初始點(diǎn)，可以分別在擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備中選用“Identify the start position on the QTAposition，，或 “ Identify the start position on the PEN position，，進(jìn)行設(shè)定。
[0048]認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置包括:根據(jù)所述初始點(diǎn)的設(shè)定設(shè)置極性(polarity)，在擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備中極性設(shè)置包括兩個(gè)選項(xiàng):“North high, sample low”或“South high, samplelow”。如圖1中所示的SRP的兩探針106分別稱為南針和北針,本發(fā)明實(shí)施例中針4選用南針和北針中的一個(gè)，所述針4選用北針時(shí),極性設(shè)置為“North high, sample low” ；所述針4選用南針時(shí),極性設(shè)置為“South high, sample low”;極性設(shè)置后,測(cè)試時(shí)會(huì)在所述針4上加高電位，從所述底座5向所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片I的底部所加電壓為低電位。
[0049]設(shè)置測(cè)試點(diǎn)數(shù)(Number of Points),測(cè)試點(diǎn)數(shù)大于等于I,測(cè)試點(diǎn)數(shù)等于I時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)最小圖形的測(cè)試；設(shè)置步徑(X-step)，步徑大于針的直徑；設(shè)置認(rèn)證測(cè)試的組件，所述整修工具中將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為QTA組件時(shí)，所述認(rèn)證測(cè)試的組件設(shè)定為QTA ;所述整修工具中將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為PEN組件時(shí)，所述認(rèn)證測(cè)試的組件設(shè)定為PEN。
[0050]步驟六、如圖3F所示，根據(jù)所設(shè)定的測(cè)試條件，采用單針4分別對(duì)所述良品硅片上的測(cè)試圖形和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試，測(cè)試后分別得到所述良品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)、以及所述待測(cè)樣品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)。本發(fā)明采用單針即采用一個(gè)探針4就能實(shí)現(xiàn)測(cè)試，能夠大大減少測(cè)試面積，如圖3G所示，測(cè)試圖形的尺寸最低可以到和針4的直徑相同。
[0051]步驟七、對(duì)所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，當(dāng)所述待測(cè)樣品硅片的電阻值為所述良品硅片電阻值的95%?105%時(shí)，所述待測(cè)樣品硅片的摻雜有效；當(dāng)所述待測(cè)樣品硅片的電阻值為所述良品硅片電阻值的95%?105%的范圍之外時(shí)，所述待測(cè)樣品硅片的摻雜失效。失效品阻值偏大，表明摻雜濃度偏低或有異型摻雜物質(zhì)導(dǎo)入；阻值偏小，表明摻雜濃度過高。
[0052]以上通過具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可做出許多變形和改進(jìn)，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種摻雜失效的分析方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一、提供一摻雜符合要求的良品硅片，該良品硅片用于對(duì)待測(cè)樣品硅片進(jìn)行比較分析； 步驟二、對(duì)所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片進(jìn)行處理，該處理將所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的襯底表面上的膜層結(jié)構(gòu)都去除，直至露出所述良品硅片和所述待測(cè)樣品娃片的襯底表面； 步驟三、將處理過的所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片分別放置在一導(dǎo)電底座上，且通過錫焊料分別將所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的底部和對(duì)應(yīng)底座緊密品質(zhì)粘貼在一起; 步驟四、分別在所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上選定一測(cè)試圖形，所述良品硅片上的測(cè)試圖形和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的尺寸相同，且所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形區(qū)域處從硅片的表面到底部的摻雜類型相同； 步驟五、采用擴(kuò)展電阻測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試條件設(shè)置，測(cè)試條件設(shè)置包括整修工具參數(shù)設(shè)置和認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置； 步驟六、根據(jù)所設(shè)定的測(cè)試條件，采用單針分別對(duì)所述良品硅片上的測(cè)試圖形和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形進(jìn)行認(rèn)證測(cè)試，測(cè)試后分別得到所述良品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)、以及所述待測(cè)樣品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)； 步驟七、對(duì)所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片的電阻值的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，當(dāng)所述待測(cè)樣品硅片的電阻值為所 述良品硅片電阻值的95%~105%時(shí)，所述待測(cè)樣品硅片的摻雜有效；當(dāng)所述待測(cè)樣品硅片的電阻值為所述良品硅片電阻值的95%~105%的范圍之外時(shí)，所述待測(cè)樣品硅片的摻雜失效。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:步驟二中的處理工藝采用氫氟酸進(jìn)行腐蝕處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:步驟三中的所述底座為無傾角的平面底座。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:步驟四中所選定的所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形要求是:所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的區(qū)域都要平坦且雜質(zhì)分布均勻、且所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的摻雜類型和位于對(duì)應(yīng)測(cè)試圖形底部的摻雜區(qū)域或硅片襯底的摻雜類型都相同；所述良品硅片和所述待測(cè)樣品硅片上的測(cè)試圖形的長度和寬度都分別大于所述擴(kuò)展電阻測(cè)試的針的直徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于:步驟五中所述整修工具參數(shù)設(shè)置包括: 將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為QTA組件或都設(shè)定為PEN組件； 在所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片的測(cè)試圖形中設(shè)定測(cè)試的初始點(diǎn)； 步驟五中認(rèn)證測(cè)試參數(shù)設(shè)置包括: 根據(jù)所述初始點(diǎn)的設(shè)定設(shè)置極性； 設(shè)置測(cè)試點(diǎn)數(shù)，測(cè)試點(diǎn)數(shù)大于等于I ; 設(shè)置步徑，步徑大于針的直徑； 設(shè)置認(rèn)證測(cè)試的組件，所述整修工具中將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅.片都設(shè)定為QTA組件時(shí)，所述認(rèn)證測(cè)試的組件設(shè)定為QTA ;所述整修工具中將所要測(cè)試的所述良品硅片或所述待測(cè)樣品硅片都設(shè)定為PEN組件時(shí)，所述認(rèn)證測(cè)試的組件設(shè)定為PEN。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103837808SQ201210484281
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月23日
【發(fā)明者】賴華平, 徐云, 武佳 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司