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SiC晶體生長爐測溫窗的制作方法

文檔序號(hào):6013150閱讀:416來源:國知局
專利名稱:SiC晶體生長爐測溫窗的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種SiC晶體生長爐的測溫窗,該裝置主要用于SiC晶生長設(shè)備中, 能夠有效提高SiC晶體生長設(shè)備的測溫精度,改善晶體材料質(zhì)量。
背景技術(shù)
目前,SiC晶體生長設(shè)備的使用溫度一般都在2200°C左右,在這么高的溫度下,一般的接觸式測溫部件都不能使用,只能依靠光學(xué)測溫。光學(xué)測溫是通過在設(shè)備上開設(shè)玻璃觀察窗,通過觀察窗透出的光線進(jìn)行測溫的。在現(xiàn)有的SiC晶體生長爐中,由于所用的保溫材料非常容易起塵,很容易將晶體生長爐的觀察窗遮蔽,影響到了測溫的準(zhǔn)確性,進(jìn)而影響到了 SiC晶體生長設(shè)備的正常使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種SiC晶體生長爐測溫窗解決了現(xiàn)有SiC晶體生長爐的觀察窗容易被遮蔽從而影響到了測溫的準(zhǔn)確性的問題。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是
一種SiC晶體生長爐測溫窗,包括爐體,與爐體的底座固定連接的法蘭,在法蘭的中央設(shè)置有與爐體的內(nèi)部連通的測溫窗孔,在所述的測溫窗孔上固定連接有夾層連接管,在夾層連接管的外層管壁上連有進(jìn)氣管,在夾層連接管的內(nèi)層管壁上沿內(nèi)層管壁間隔地并與水平面平行地設(shè)置有一圈小進(jìn)氣孔,夾層連接管的下端與觀察窗玻璃固定連接在一起,夾層連接管的內(nèi)層管壁與夾層連接管的外層管壁組成一封閉空間,在夾層連接管的下端的觀察窗玻璃的下方設(shè)置有紅外測溫頭。夾層連接管的下端與觀察窗上法蘭固定連接,在觀察窗上法蘭的下方設(shè)置有觀察窗下法蘭,在觀察窗上法蘭與觀察窗下法蘭之間固定設(shè)置該觀察窗玻璃。所述的紅外測溫頭是通過架體固定設(shè)置在爐體的底部連接法蘭的下底面上的。本發(fā)明的有益效果是,結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉,有效地解決了 SiC晶體生長爐測溫窗的遮蔽問題。


圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說明
一種SiC晶體生長爐測溫窗,包括爐體1,與爐體1的底座2固定連接的法蘭3,在法蘭3的中央設(shè)置有與爐體1的內(nèi)部連通的測溫窗孔,在所述的測溫窗孔上固定連接有夾層連接管4,在夾層連接管4的外層管壁上連有進(jìn)氣管5,在夾層連接管4的內(nèi)層管壁6上沿內(nèi)層管壁間隔地并與水平面平行地設(shè)置有一圈小進(jìn)氣孔12,夾層連接管4的下端與觀察窗玻璃8固定連接在一起,夾層連接管4的內(nèi)層管壁與夾層連接管4的外層管壁組成一封閉空間,在夾層連接管4的下端的觀察窗玻璃8的下方設(shè)置有紅外測溫頭10。夾層連接管4的下端與觀察窗上法蘭7固定連接,在觀察窗上法蘭7的下方設(shè)置有觀察窗下法蘭9,在觀察窗上法蘭7與觀察窗下法蘭9之間固定設(shè)置該觀察窗玻璃8。所述的紅外測溫頭10是通過架體11固定設(shè)置在爐體1的底部連接法蘭3的下底面上的。通過進(jìn)氣管5向SiC晶體生長爐內(nèi)充入工藝所需氣體,充入的氣體首先進(jìn)入夾層連接管4的內(nèi)層管壁與夾層連接管4的外層管壁組成的封閉空間內(nèi),再通過在夾層連接管 4的內(nèi)層管壁6上設(shè)置的一圈小進(jìn)氣孔12進(jìn)入到SiC晶體生長爐內(nèi),充入氣體通過夾層連接管4在觀察窗玻璃8的上方形成向上的氣流,這樣使SiC晶體生長爐內(nèi)所產(chǎn)生的粉塵就會(huì)隨著上升氣流帶到爐內(nèi)其它部位,從而使觀察窗玻璃8不被遮蔽。
權(quán)利要求
1.一種SiC晶體生長爐測溫窗,包括爐體(1),與爐體(1)的底座(2)固定連接的法蘭 (3),在法蘭(3)的中央設(shè)置有與爐體(1)的內(nèi)部連通的測溫窗孔,其特征在于,在所述的測溫窗孔上固定連接有夾層連接管(4),在夾層連接管(4)的外層管壁上連有進(jìn)氣管(5),在夾層連接管(4)的內(nèi)層管壁(6)上沿內(nèi)層管壁間隔地并與水平面平行地設(shè)置有一圈小進(jìn)氣孔(12),夾層連接管(4)的下端與觀察窗玻璃(8)固定連接在一起,夾層連接管(4)的內(nèi)層管壁與夾層連接管(4)的外層管壁組成一封閉空間,在夾層連接管(4)的下端的觀察窗玻璃(8)的下方設(shè)置有紅外測溫頭(10)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC晶體生長爐測溫窗,其特征在于,夾層連接管(4)的下端與觀察窗上法蘭(7)固定連接,在觀察窗上法蘭(7)的下方設(shè)置有觀察窗下法蘭(9), 在觀察窗上法蘭(7)與觀察窗下法蘭(9)之間固定設(shè)置該觀察窗玻璃(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種SiC晶體生長爐測溫窗,其特征在于,所述的紅外測溫頭 (10)是通過架體(11)固定設(shè)置在爐體(1)的底部連接法蘭(3)的下底面上的。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種SiC晶體生長爐測溫窗,解決了現(xiàn)有SiC晶體生長爐的觀察窗容易被遮蔽的問題。包括爐體(1),與爐體(1)的底座(2)固定連接的法蘭(3),在法蘭(3)的中央設(shè)置有與爐體(1)的內(nèi)部連通的測溫窗孔,在測溫窗孔上固定連接有夾層連接管(4),在夾層連接管(4)的外層管壁上連有進(jìn)氣管(5),在夾層連接管(4)的內(nèi)層管壁(6)上沿內(nèi)層管壁間隔地并與水平面平行地設(shè)置有一圈小進(jìn)氣孔(12),夾層連接管(4)的下端與觀察窗玻璃(8)固定連接在一起,在夾層連接管(4)的下端的觀察窗玻璃(8)的下方設(shè)置有紅外測溫頭(10)。本發(fā)明的有益效果是,結(jié)構(gòu)簡單,成本低廉。
文檔編號(hào)G01J5/00GK102337592SQ201110183818
公開日2012年2月1日 申請日期2011年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月1日
發(fā)明者喬卿, 周立平, 張蕾, 徐偉, 李斌, 毛開禮, 王花, 王英民, 田牧, 趙付超, 趙琳, 高德平 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所
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