專利名稱：腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)及檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和顯示面板領(lǐng)域，特別是涉及一種腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)及檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
超薄、高對(duì)比度、快速響應(yīng)的大尺寸電視的需求，促使有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(AMOLED)背板技術(shù)的產(chǎn)生和發(fā)展。該背板技術(shù)要求作為開關(guān)管和驅(qū)動(dòng)管的薄膜晶體管具有5cm2/V. s以上的遷移率，而目前量產(chǎn)的大尺寸有源矩陣液晶顯示(AMLCD)產(chǎn)業(yè)使用的氫化非晶硅(a-Si:H)薄膜晶體管的遷移率低(低于lcm2/V. s)，不能滿足上述要求。近年來，氧化物薄膜晶體管的研發(fā)和制造引起業(yè)內(nèi)重視，各個(gè)研究機(jī)構(gòu)和各大公司相繼發(fā)表相關(guān)報(bào)導(dǎo)，然而，氧化物薄膜晶體管技術(shù)的大尺寸發(fā)展也面臨著穩(wěn)定性方面的問題，該問題制約著氧化物薄膜晶體管的產(chǎn)業(yè)化和實(shí)用化。其中包括溫度、偏壓應(yīng)力導(dǎo)致的閾值電壓漂移、光照導(dǎo)致的閾值電壓漂移、以及環(huán)境氣氛，如氧氣、水汽對(duì)器件性能的影響等，為解決該問題，就需要在氧化物薄膜晶體管的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、薄膜工藝研制開發(fā)和優(yōu)化、以及材料的表面界面處理等方面加以突破。具有腐蝕阻擋層結(jié)構(gòu)的氧化物薄膜晶體管的研制，能有效地提高氧化物薄膜晶體管的穩(wěn)定性，這就需要對(duì)腐蝕阻擋層的材料、制造工藝和阻擋特性進(jìn)行研發(fā)。腐蝕阻擋層對(duì)于氧化物薄膜晶體管穩(wěn)定性的提高作用在于其避免了源漏電極(如金屬M(fèi)o)圖形化時(shí)腐蝕工藝對(duì)下層的氧化物溝道區(qū)(如非結(jié)晶氧化物半導(dǎo)體IGZO :In-Ga-Zn-O)的影響，從而提高器件的穩(wěn)定性。為了有效地保護(hù)氧化物溝道區(qū)，通常使用SiOx來作為腐蝕阻擋層，這就要求制造致密、無針孔和缺陷的SiOx薄膜。因此，硅基底的熱生長(zhǎng)方法和玻璃基底的濺射方法曾被研發(fā)，然而，前者涉及高溫工藝，無法在玻璃基底上使用，后者需要增加靶材、并且需要換靶或增加濺射腔體，設(shè)備和材料投入較大，成本較高。另一種常用的方法是通過兼容的氫化非晶娃制造工藝，即通過PECVD (Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)制造SiOx薄膜材料,而該方法制造的SiOx薄膜較疏松多孔、臺(tái)階覆蓋差、且缺陷較多，如引腳孔和開裂等，這就需要對(duì)制作的腐蝕阻擋層質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量腐蝕阻擋層的制造和優(yōu)化。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何實(shí)現(xiàn)對(duì)腐蝕阻擋層阻擋特性的檢查，從而實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量腐蝕阻擋層的制造和優(yōu)化。( 二 )技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其包括基板、沉積在基板上的被保護(hù)層和沉積在被保護(hù)層上的腐蝕阻擋層。其中，所述被保護(hù)層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的厚度大于第二區(qū)域的厚度。其中，所述基板和被保護(hù)層之間還沉積有中間層，所述中間層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的厚度大于第二區(qū)域的厚度。
其中，所述第一區(qū)域與第二區(qū)域?yàn)橄嗤牟牧?。其中，所述第一區(qū)域包括第一層和覆蓋在第一層上的第二層，所述第二層的厚度和材料與所述第二區(qū)域的厚度和材料相同。其中，所述中間層的材料為Si0x、Si3N4、A10x、TiOx或HfO2中的一種或幾種。其中，所述第一層的材料為鑰、鈦金、鉬金、SiNx和金屬氧化物中的一種。其中,所述基板為玻璃基板或娃基板。其中，所述被保護(hù)層的材料為金屬或金屬氧化物半導(dǎo)體材料。其中，所述腐蝕阻擋層的材料為SiOx或SiNx。本發(fā)明還提供了一種基于上述檢測(cè)結(jié)構(gòu)的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)方法，其包括以下過程將檢測(cè)結(jié)構(gòu)放入被保護(hù)層腐蝕液進(jìn)行腐蝕；對(duì)腐蝕后的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形形貌分析。其中，將檢測(cè)結(jié)構(gòu)上的腐蝕阻擋層去除之前，或?qū)z測(cè)結(jié)構(gòu)上的腐蝕阻擋層去除之后，對(duì)腐蝕阻擋層進(jìn)行圖形形貌分析，根據(jù)被保護(hù)層的被腐蝕結(jié)果，得出腐蝕阻擋層的阻擋特性。其中，檢測(cè)結(jié)構(gòu)在被保護(hù)層腐蝕液中腐蝕的時(shí)間為20s_2min。其中，圖形形貌分析所采用的方法為圖形形貌檢查分析和掃描電子顯微鏡分析。(三)有益效果上述技術(shù)方案所提供的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)和檢測(cè)方法，利用被保護(hù)層腐蝕液穿過腐蝕阻擋層的缺陷以腐蝕被保護(hù)層，達(dá)到放大腐蝕阻擋層缺陷的目的，通過對(duì)腐蝕后的被保護(hù)層進(jìn)行圖形形貌分析，觀察記錄腐蝕阻擋層的缺陷，為實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量腐蝕阻擋層的制造和優(yōu)化提供依據(jù)；上述結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易制作，方法簡(jiǎn)便易行，適用于多種材料特性的檢測(cè)。


圖I是本發(fā)明實(shí)施例I的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例I的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例2的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例2的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例3的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例3的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例4的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖8是本發(fā)明實(shí)施例4的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖。其中，I :基板；2 :被保護(hù)層；3 :腐蝕阻擋層；4 :被腐蝕區(qū)域；5 :臺(tái)階層；6 :中間層。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
實(shí)施例I圖I示出了本實(shí)施例的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖，其包括基板I、沉積在基板I上的被保護(hù)層2和沉積在被保護(hù)層2上的腐蝕阻擋層3。本實(shí)施例中，基板I可以采用玻璃基板或硅基板。為了適用于氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)時(shí)氧化物溝道區(qū)腐蝕阻擋層的阻擋特性檢測(cè)，本實(shí)施例中被保護(hù)層2優(yōu)選采用金屬或金屬氧化物半導(dǎo)體材料，如IGZO、IZO、ATZO等。腐蝕阻擋層3選用SiOx或SiNx材料。本實(shí)施例的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造過程簡(jiǎn)單，首先清洗基板1，在基板I上濺射被保護(hù)層2，然后進(jìn)行光刻圖形化，并在被保護(hù)層2上通過PECVD生成腐蝕阻擋層3，即完成本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造。使用本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)過程為根據(jù)被保護(hù)層2所選用的材料，選擇相對(duì)應(yīng)的腐蝕液，將檢測(cè)結(jié)構(gòu)浸入腐蝕液進(jìn)行腐蝕，腐蝕時(shí)間在20s-2min之間,然后將檢測(cè)結(jié)構(gòu)取出，利用圖形形貌檢查(Pattern Inspect,PI)和掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope, SEM)分析,對(duì)被保護(hù)層2的腐蝕情況進(jìn)行檢查，得出腐蝕阻擋層3的阻擋特性。或者，將被保護(hù)層2上方的腐蝕阻擋層3去除，利用PI檢測(cè)和SEM分析，更直觀的得出腐蝕阻擋層3的阻擋特性。圖2示出了本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖，根據(jù)圖形形貌分析過程中所檢測(cè)到的被腐蝕區(qū)域4，可以相對(duì)應(yīng)地得出被腐蝕區(qū)域4上方的腐蝕阻擋層3存在缺陷，從而對(duì)腐蝕阻擋層3的制造和優(yōu)化提供參考依據(jù)。實(shí)施例2圖3示出了本實(shí)施例的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖，其與實(shí)施例I中的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的不同之處在于，本實(shí)施例中的被保護(hù)層2包括兩個(gè)區(qū)域，第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中第一區(qū)域的厚度大于第二區(qū)域的厚度，腐蝕阻擋層3被沉積在被保護(hù)層2的上方，相對(duì)應(yīng)的，第一區(qū)域上方的腐蝕阻擋層3高出第二區(qū)域上方的腐蝕阻擋層3 —定距離。為了直接模擬氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)時(shí)器件最易發(fā)生問題的結(jié)構(gòu)，被保護(hù)層2的第一區(qū)域和第二區(qū)域所形成的臺(tái)階以接近直角形臺(tái)階為佳。本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造方法與實(shí)施例I中檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造方法的區(qū)別之處為被保護(hù)層2在沉積到基板I上之后，需要對(duì)其進(jìn)行圖形化，即利用曝光機(jī)和掩模板對(duì)被保護(hù)層2進(jìn)行曝光，然后顯影、蝕刻，使被保護(hù)層2形成厚度不同的兩個(gè)區(qū)域。然后將腐蝕阻擋層3沉積在被保護(hù)層2上即可。本實(shí)施例中利用被保護(hù)層2直接形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，與氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)時(shí)源漏電極的臺(tái)階結(jié)構(gòu)相類似。被保護(hù)層2優(yōu)選采用金屬或金屬氧化物半導(dǎo)體材料，如IGZ0、IZ0、ATZO等。腐蝕阻擋層3選用SiOx或SiNx材料。本實(shí)施例中，各層結(jié)構(gòu)的生成方法可以根據(jù)所選用材料的不同，而選用濺射或PECVD0使用本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)過程與實(shí)施例I相同，圖4示出了本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖，根據(jù)圖形形貌分析過程中所檢測(cè)到的被腐蝕區(qū)域4，可以相對(duì)應(yīng)的得出被腐蝕區(qū)域4上方的腐蝕阻擋層3存在缺陷，從而對(duì)腐蝕阻擋層3的制造和優(yōu)化提供參考依據(jù)。因?yàn)楸緦?shí)施例中檢測(cè)結(jié)構(gòu)中的被保護(hù)層2具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所以腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)分析結(jié)果更適用于氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)中，在源漏電極進(jìn)行腐蝕工藝時(shí)，對(duì)溝道區(qū)金屬氧化物半導(dǎo)體材料的腐蝕阻擋層進(jìn)行優(yōu)化。實(shí)施例3圖5示出了本實(shí)施例的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖，其與實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)相類似，均為在基板I上生成臺(tái)階狀的被保護(hù)層2，然后在被保護(hù)層2上沉積腐蝕阻擋層3。但是，本實(shí)施例中的被保護(hù)層2的臺(tái)階結(jié)構(gòu)不是完全由被保護(hù)層2本身組成，其下方還設(shè)置了臺(tái)階層5，被保護(hù)層2沉積在臺(tái)階層5上，臺(tái)階層5將被保護(hù)層2分成了高度不同的兩個(gè)區(qū)域。本實(shí)施例中臺(tái)階層5的材料可以選用鑰、鈦金、鉬金、SiNj^P金屬氧化物中的一種或幾種，被保護(hù)層2優(yōu)選采用金屬或金屬氧化物半導(dǎo)體材料，如IGZO、IZO, ATZO等，腐蝕阻擋層3選用SiOx或SiNx材料。本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造方法與實(shí)施例I中檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造方法的區(qū)別之處 為首先從鑰、鈦金、鉬金、SiNj^P金屬氧化物中選擇一種或幾種材料，在清洗后的基板I上沉積，然后圖形化形成臺(tái)階層5，即利用曝光機(jī)和掩模板進(jìn)行曝光、顯影和蝕刻，將臺(tái)階層5周圍的沉積材料刻蝕掉；然后將被保護(hù)層2沉積在臺(tái)階層5上，再將腐蝕阻擋層3沉積在被保護(hù)層2上，被保護(hù)層2即形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，與氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)中的臺(tái)階結(jié)構(gòu)類似。本實(shí)施例中，各層結(jié)構(gòu)的生成方法可以根據(jù)所選用材料的不同，而選用濺射或PECVD0使用本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)過程與實(shí)施例I相同，圖6示出了本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖，根據(jù)圖形形貌分析過程中所檢測(cè)到的被腐蝕區(qū)域4，可以相對(duì)應(yīng)的得出被腐蝕區(qū)域4上方的腐蝕阻擋層3存在缺陷，從而對(duì)腐蝕阻擋層3的制造和優(yōu)化提供參考依據(jù)。因?yàn)楸緦?shí)施例中檢測(cè)結(jié)構(gòu)中的被保護(hù)層2具有臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所以腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)分析結(jié)果更適用于氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)中，在源漏電極進(jìn)行腐蝕工藝時(shí)，對(duì)溝道區(qū)金屬氧化物半導(dǎo)體材料的腐蝕阻擋層進(jìn)行優(yōu)化。實(shí)施例4圖7示出了本實(shí)施例的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的剖視圖，其與實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)相類似，均為在基板I上生成臺(tái)階狀的被保護(hù)層2，然后在被保護(hù)層2上沉積腐蝕阻擋層3。但是，本實(shí)施例中的被保護(hù)層2的臺(tái)階結(jié)構(gòu)不單單由臺(tái)階層5支撐形成，而是在臺(tái)階層5和被保護(hù)層2之間還沉積有中間層6，中間層6被臺(tái)階層5分成了高度不同的兩個(gè)區(qū)域，相對(duì)應(yīng)的，沉積在中間層6上的被保護(hù)層2也被分成了高度不同的兩個(gè)區(qū)域，中間層6的材料可以選用Si0x、Si3N4、A10x、Ti0x和HfO2中的一種。中間層6不僅為被保護(hù)層2提供了臺(tái)階結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)，還可以模擬氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)中，溝道區(qū)的具體結(jié)構(gòu)，使檢測(cè)結(jié)構(gòu)更真實(shí)。本實(shí)施例中臺(tái)階層5的材料可以選用鑰、鈦金、鉬金、SiNx或金屬氧化物中的一種或幾種，被保護(hù)層2優(yōu)選采用金屬或金屬氧化物半導(dǎo)體材料，如IGZO、IZO, ATZO等，腐蝕阻擋層3選用SiOx或SiNx材料。本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造方法與實(shí)施例3中檢測(cè)結(jié)構(gòu)的制造方法的區(qū)別之處為在形成臺(tái)階層5之后，在臺(tái)階層5上沉積中間層6，然后將被保護(hù)層2沉積在中間層6上，再將腐蝕阻擋層3沉積在 被保護(hù)層2上，被保護(hù)層2即形成臺(tái)階結(jié)構(gòu)，與氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)中的臺(tái)階結(jié)構(gòu)類似。本實(shí)施例中，各層結(jié)構(gòu)的生成方法可以根據(jù)所選用的材料的不同，而選用濺射或PECVD0使用本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)過程與實(shí)施例I相同，圖8示出了本實(shí)施例的檢測(cè)結(jié)構(gòu)被腐蝕后的剖視圖，根據(jù)圖形形貌分析過程中所檢測(cè)到的被腐蝕區(qū)域4，可以相對(duì)應(yīng)的得出被腐蝕區(qū)域4上方的腐蝕阻擋層3存在缺陷，從而對(duì)腐蝕阻擋層3的制造和優(yōu)化提供參考依據(jù)。因?yàn)楸緦?shí)施例中檢測(cè)結(jié)構(gòu)中的被保護(hù)層2具有多層臺(tái)階結(jié)構(gòu)，所以腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)分析結(jié)果更適用于氧化物薄膜晶體管生產(chǎn)中，在源漏電極進(jìn)行腐蝕工藝時(shí)，對(duì)溝道區(qū)金屬氧化物半導(dǎo)體材料的腐蝕阻擋層進(jìn)行優(yōu)化。由以上實(shí)施例可以看出，本發(fā)明實(shí)施例利用被保護(hù)層腐蝕液穿過腐蝕阻擋層的缺陷以腐蝕被保護(hù)層，達(dá)到放大腐蝕阻擋層缺陷的目的，通過對(duì)腐蝕后的被保護(hù)層進(jìn)行圖形形貌分析，觀察記錄腐蝕阻擋層的缺陷，為實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量腐蝕阻擋層的制造和優(yōu)化提供依據(jù)；上述結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易制作，方法簡(jiǎn)便易行，適用于多種材料特性的檢測(cè)。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板、沉積在基板上的被保護(hù)層和沉積在被保護(hù)層上的腐蝕阻擋層。
2.如權(quán)利要求I所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述被保護(hù)層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的厚度大于第二區(qū)域的厚度。
3.如權(quán)利要求I所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板和被保護(hù)層之間還沉積有中間層，所述中間層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的厚度大于第二區(qū)域的厚度。
4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一區(qū)域與第二區(qū)域?yàn)橄嗤牟牧稀?br> 5.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一區(qū)域包括第一層和覆蓋在第一層上的第二層，所述第二層的厚度和材料與所述第二區(qū)域的厚度和材料相同。
6.如權(quán)利要求4所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述中間層的材料為Si0x、Si3N4、A10x、TiOx或HfO2中的一種或幾種。
7.如權(quán)利要求5所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層的材料為鑰、鈦金、鉬金、SiNx和金屬氧化物中的一種。
8.如權(quán)利要求1-7中任一所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板為玻璃基板或硅基板。
9.如權(quán)利要求8所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述被保護(hù)層的材料為金屬或金屬氧化物半導(dǎo)體材料。
10.如權(quán)利要求9所述的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述腐蝕阻擋層的材料為SiOx或SiNx。
11.基于權(quán)利要求10中所述檢測(cè)結(jié)構(gòu)的腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)方法，其特征在于，包括以下過程 將檢測(cè)結(jié)構(gòu)放入被保護(hù)層腐蝕液進(jìn)行腐蝕； 對(duì)腐蝕后的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形形貌分析。
12.如權(quán)利要求11所述的檢測(cè)方法，其特征在于，將檢測(cè)結(jié)構(gòu)上的腐蝕阻擋層去除之前，或?qū)z測(cè)結(jié)構(gòu)上的腐蝕阻擋層去除之后，對(duì)腐蝕阻擋層進(jìn)行圖形形貌分析，根據(jù)被保護(hù)層的被腐蝕結(jié)果，得出腐蝕阻擋層的阻擋特性。
13.如權(quán)利要求11所述的檢測(cè)方法，其特征在于，檢測(cè)結(jié)構(gòu)在被保護(hù)層腐蝕液中腐蝕的時(shí)間為20s-2min。
14.如權(quán)利要求11所述的檢測(cè)方法，其特征在于，圖形形貌分析所采用的方法為圖形形貌檢查分析和掃描電子顯微鏡分析。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體和顯示面板領(lǐng)域，公開了一種腐蝕阻擋層阻擋特性的檢測(cè)結(jié)構(gòu)，包括基板、沉積在基板上的被保護(hù)層和沉積在被保護(hù)層上的腐蝕阻擋層；還公開了一種基于上述檢測(cè)結(jié)構(gòu)的檢測(cè)方法，包括以下過程將檢測(cè)結(jié)構(gòu)放入被保護(hù)層腐蝕液進(jìn)行腐蝕；對(duì)腐蝕后的檢測(cè)結(jié)構(gòu)進(jìn)行圖形形貌分析。本發(fā)明利用被保護(hù)層腐蝕液穿過腐蝕阻擋層的缺陷以腐蝕被保護(hù)層，達(dá)到放大腐蝕阻擋層缺陷的目的，通過對(duì)腐蝕后的被保護(hù)層進(jìn)行圖形形貌分析，觀察記錄腐蝕阻擋層的缺陷，為實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量腐蝕阻擋層的制造和優(yōu)化提供依據(jù)；上述結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易制作，方法簡(jiǎn)便易行，適用于多種材料特性的檢測(cè)。
文檔編號(hào)G01N17/00GK102628788SQ20111015350
公開日2012年8月8日 申請(qǐng)日期2011年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月9日
發(fā)明者劉曉娣, 孫力 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司