專利名稱：測試高壓環(huán)境對標準單元庫影響的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于芯片設(shè)計領(lǐng)域，特別涉及利用高壓環(huán)境對SOI標準單元庫影響的測試方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的快速發(fā)展，傳統(tǒng)的硅工藝在器件理論、器件結(jié)構(gòu)以及制作工藝上出現(xiàn)了越來越多的問題集成度的提高導(dǎo)致了功耗的迅速增加，柵氧化層變薄導(dǎo)致介質(zhì)層容易被擊穿，這些問題都嚴重制約著集成電路的發(fā)展。而SOI作為一種全介質(zhì)隔離技術(shù)，有著傳統(tǒng)體硅不可比擬的優(yōu)點。由于它采用的是全介質(zhì)隔離結(jié)構(gòu)，SOI器件的抗輻射特性好， 徹底消除了體硅CMOS電路的閂鎖效應(yīng)，并且SOI工藝比傳統(tǒng)的體硅面積小。但是僅僅了解SOI器件如何進行設(shè)計、制造是不夠的。對一般IC設(shè)計者，因缺乏設(shè)計平臺與IP工具支持，讓IC設(shè)計者即使想采用此工藝也無所適從。在SOI技術(shù)形成產(chǎn)業(yè)化需要與自動化平臺相關(guān)的鏈接文件，而標準單元庫是連接集成電路設(shè)計與制造工藝之間的橋梁。所以建立一套準確的標準單元庫成為一項必要的工作。由于SOI工藝的特殊性，SOI的高壓器件可以與普通器件生產(chǎn)在同一款芯片上，我們需要考慮高壓環(huán)境對庫單元的影響，本專利提出一種測試電路，該電路表征了高壓環(huán)境下標準單元的工作情況。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出了一種高壓環(huán)境對標準單元庫影響的測試方法，考慮到SOI低壓與高壓器件共存的工作環(huán)境，該方法通過測量被測單元的延遲和信號的波動，實現(xiàn)對高壓環(huán)境下，測試單元工作情況的檢測。測試芯片中設(shè)置與低壓器件不同距離的高壓器件，通過控制不同距離高壓器件的開啟，來測量其對低壓測試單元的影響，最終的測試結(jié)果對設(shè)計者有著指導(dǎo)作用。考慮到高壓器件不同開啟時刻對測試單元的影響不同，如圖2高壓器件在開啟時刻1開啟會對測試單元的邏輯值有影響，高壓器件在開啟時刻2開啟影響測試單元信號的波動。設(shè)置BUF以及選擇器來控制高壓器件的開啟時刻，以達到測試的目的。為了減少測試芯片的面積，在測試芯片設(shè)置選擇器邏輯，通過選擇器來控制測試 單元的打開和關(guān)閉，以及高壓器件的開啟時刻。這種方法可以極大的減少輸入引腳個數(shù)，從而達到減少芯片面積的目的。


圖1是本發(fā)明實施例測試方法原理2高壓器件不同開啟時刻對于標準單元影響示意圖
具體實施方式
1如圖1，將不同的測試單元與輸入端口連接，通過選擇器控制信號controll選擇測試單元的輸出，將高壓模塊按照與測試單元的不同距離放置，通過選擇器C0ntr013控制不同距離高壓模塊的開啟。2如圖2，通過control信號控制不同BUF的開啟，控制高壓模塊的開啟時刻。3 Set,與input信號共同控制選擇器2來控制高壓模塊的開啟4使用control〗控制選擇器2，選擇0個BUF，使高壓器件與待測單元同時開啟， 即圖2所示的開啟時刻1。測量此時高壓信號的開啟對于測試單元邏輯值的影響。
5使用control〗控制選擇器3，選擇多個個BUF，使高壓器件在待測單元信號穩(wěn)定時刻開啟，即圖2所示的開啟時刻2。直接測量測試單元的輸出端查看信號的波動情況。
權(quán)利要求
1.一種測試高壓環(huán)境對標準單元影響的方法。測試不同距離高壓器件的開關(guān)對標準單元的影響，以及高壓器件開啟時刻對于測試單元的影響。
2.如權(quán)利要求1所述的測試高壓器件開啟時刻影響的測試電路，其特征在于通過邏輯電路的設(shè)置選擇不同級的緩沖器，從而控制高壓器件的開啟時刻。
3.如權(quán)利要求1所述的測試電路，其特征在于在測試芯片內(nèi)部設(shè)置選擇器邏輯，通過選擇器來控制測試單元的打開和關(guān)閉，以及高壓器件的開啟時刻，從而達到減少芯片面積的目的。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種高壓環(huán)境對標準單元庫影響的測試方法，考慮到SOI低壓與高壓器件共存的工作環(huán)境，該方法通過測量被測單元的延遲和信號的波動，實現(xiàn)對高壓環(huán)境下，單元工作情況的檢測。通過設(shè)置高壓器件與低壓器件的多種距離，以及通過緩沖器設(shè)置高壓器件的開啟時刻，測試高壓環(huán)境對測試單元的不同種類的影響。在測試芯片中添加選擇器來減少PAD的個數(shù)，達到了減少芯片面積的目的。
文檔編號G01R31/317GK102262213SQ20111010275
公開日2011年11月30日 申請日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月22日
發(fā)明者張翼, 程玉華, 陳曦 申請人:上海北京大學(xué)微電子研究院