專利名稱：利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法
CN 102540241 A
權(quán)利要求
1.一種利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法，該方法包括(1)將多個(gè)表面涂硼的半導(dǎo)體探測(cè)器設(shè)置于電路板上，組成一維陣列，再將此一維陣列置于金屬管中，構(gòu)成半導(dǎo)體陣列管；(2)將三根半導(dǎo)體陣列管按兩兩垂直的方式插入慢化體中；(3)根據(jù)粒子的輸運(yùn)理論得到中子入射前的能量；將各個(gè)探測(cè)器獲得的中子入射前的能量合并得到中子的能譜；(4)將每個(gè)半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)量的計(jì)數(shù)經(jīng)轉(zhuǎn)化后得到中子注量；將中子注量值乘以相應(yīng)能量的注量劑量轉(zhuǎn)換系數(shù)，得到需要的中子輻射場(chǎng)劑量當(dāng)量。
2.如權(quán)利要求1所述的利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法，其特征在于步驟 (3)中，通過(guò)如下公式計(jì)算中子入射前的能量
3.如權(quán)利要求1或2所述的利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法，其特征在于 步驟中，半導(dǎo)體探測(cè)器的計(jì)數(shù)和中子注量的關(guān)系如下
4.如權(quán)利要求1所述的利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法，其特征在于步驟(1)中所述的金屬管為不銹鋼管或銅管或鋼管。
5.如權(quán)利要求1所述的利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法，其特征在于步驟(2)中所述的慢化體為聚乙烯慢化體。
6.如權(quán)利要求5所述的利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法，其特征在于所述的聚乙烯慢化體為球形或圓柱形。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種中子劑量當(dāng)量的測(cè)量方法，具體涉及一種利用半導(dǎo)體陣列測(cè)量中子劑量當(dāng)量的方法。該方法將三根半導(dǎo)體陣列管按三維坐標(biāo)軸的方式插入聚乙烯慢化體中，所有半導(dǎo)體探測(cè)器的計(jì)數(shù)之和就是入射中子的注量；由于每個(gè)半導(dǎo)體探測(cè)器的慢化距離都不相同，因此可以反推得到入射中子的能譜；結(jié)合注量和能譜，經(jīng)計(jì)算就可得到中子的劑量當(dāng)量。本發(fā)明測(cè)量結(jié)果的不確定度遠(yuǎn)小于巡測(cè)型儀表；同時(shí)，由于采用三根半導(dǎo)體陣列管的結(jié)構(gòu)，所以又保留了巡測(cè)型儀表重量輕、體積小的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)G01T3/08GK102540241SQ201010609100
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月17日
發(fā)明者劉倍, 劉建忠, 劉惠英, 周彥坤, 姚小麗, 徐園, 楊亞鵬, 王勇, 王曉東, 陳法國(guó), 靳根 申請(qǐng)人:中國(guó)輻射防護(hù)研究院