專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜型探針單元及其制造方法和使用其測(cè)試對(duì)象的方法
薄膜型探針單元及其制造方法和使用其測(cè)試對(duì)象的方法發(fā)明背景 發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般地涉及薄膜型探針單元及其制造方法和使用其測(cè)試測(cè)試對(duì)象的方法， 尤其涉及用于在驅(qū)動(dòng)IC的、以微小間距排列的、向其施加不同信號(hào)的導(dǎo)線之間形成裕量 (margin)以向測(cè)試對(duì)象施加精確信號(hào)的薄膜型探針單元及其制造方法和測(cè)試測(cè)試對(duì)象的 方法。
背景技術(shù)：
一般而言，在平板顯示設(shè)備或半導(dǎo)體(下文中稱(chēng)作“測(cè)試對(duì)象”)的制造過(guò)程中要 進(jìn)行若干次電測(cè)試。例如，液晶顯示面板通過(guò)在薄膜晶體管基板和彩色濾光器基板之間注入液晶的單 元工藝、向該單元附連具有驅(qū)動(dòng)IC的集成電路薄膜的模塊工藝、以及向該模塊安裝框架的 裝配工藝來(lái)制造。在模塊工藝之前要對(duì)單元進(jìn)行電測(cè)試。更具體地，以在驅(qū)動(dòng)IC附連到單元連接區(qū)之前，將單元連接區(qū)的電極電連接至驅(qū) 動(dòng)IC的狀態(tài)下，通過(guò)向電極施加信號(hào)來(lái)執(zhí)行電測(cè)試，并且將無(wú)異常的單元傳送至模塊工 藝。為了執(zhí)行電測(cè)試，使用探針單元。刀片式探針被廣泛使用?，F(xiàn)有刀片式探針單元 包括探針單元、印刷電路板(PCB)、柔性印刷電路(FPC)、連接至FPC的驅(qū)動(dòng)IC、將驅(qū)動(dòng)IC的 導(dǎo)線與單元(測(cè)試對(duì)象)電極電連接的刀片。S卩，刀片式探針單元是通過(guò)將刀片臨時(shí)插入到最終會(huì)互連的測(cè)試對(duì)象的電極和驅(qū) 動(dòng)IC之間、并通過(guò)向電極施加信號(hào)來(lái)測(cè)試測(cè)試對(duì)象的測(cè)試設(shè)備。這樣做有可能丟失信號(hào)， 艮口，所施加的信號(hào)可能沒(méi)有傳輸?shù)綔y(cè)試對(duì)象的電極。此外，刀片必須作為單獨(dú)的部分制造， 并且必須以微小間距排列。為了克服上述問(wèn)題，本申請(qǐng)人已開(kāi)發(fā)了薄膜型探針單元(韓國(guó)專(zhuān)利KR720378)。參 考

圖1，薄膜型探針單元1包括探針塊10、驅(qū)動(dòng)IC 20、以及FPC 40。按壓構(gòu)件30附連于驅(qū) 動(dòng)IC 20的一側(cè)。PCB (未示出)電連接至FPC 40的另一側(cè)。即，薄膜型探針單元1采用驅(qū) 動(dòng)IC 20與測(cè)試對(duì)象的連接區(qū)直接接觸，而非插入刀片。這樣做則可克服上述問(wèn)題。參考 圖4，驅(qū)動(dòng)IC 20配置成使芯片22安裝于絕緣基板21上，接觸測(cè)試對(duì)象的連接區(qū)130的電 極的導(dǎo)線23制做在芯片22的兩側(cè)，且在另一側(cè)制做導(dǎo)線24電連接至FPC。特別地，當(dāng)制造 驅(qū)動(dòng)IC時(shí)，所形成的驅(qū)動(dòng)IC的導(dǎo)線23的間距窄于測(cè)試對(duì)象電極的間距。因而要求加寬導(dǎo) 線23的間距使其等于電極的間距。 同時(shí)，將參考圖2描述一般的液晶顯示面板100。如圖所示，液晶顯示面板100通 過(guò)在TFT基板110和彩色濾光器基板120間注入液品來(lái)構(gòu)造，并且包括與探針單元接觸的 連接區(qū)130。將參考圖3詳細(xì)描述連接區(qū)130。連接區(qū)130包括彩色輸入單元(信道單元)132和形成在彩色輸入單元132的兩側(cè)的電源單元(Mont Blanc連接區(qū))134。彩色輸入單元 132包括多個(gè)R、G、B電極，而電源單元134包括經(jīng)其施加不同信號(hào)的多個(gè)電極a 1。 圖4是利用薄膜型探針單元測(cè)試液晶顯示面板的示意圖。如圖所示，驅(qū)動(dòng)IC 20 的導(dǎo)線23接觸電源單元134的第一至第十二電極a 1。在這種情況下，不同信號(hào)分別施 加于第一至第十二電極a 1，從而對(duì)液晶顯示面板進(jìn)行電測(cè)試。即，一個(gè)信號(hào)施加于一個(gè) 電極，而且在相鄰電極上施加不同于所施加的信號(hào)的信號(hào)。此外，如圖所示，多條導(dǎo)線可以接觸一個(gè)電極。例如，6條導(dǎo)線23a接觸第六電極 f。這種情況下，向接觸一個(gè)電極的導(dǎo)線施加相同信號(hào)。然而，因?yàn)殡姌Oa 1以及導(dǎo)線按微小間距形成，電極a 1的及導(dǎo)線間的裕量非 常窄。因此，導(dǎo)線必須僅接觸驅(qū)動(dòng)IC的相應(yīng)電極，但是可能接觸到在一組導(dǎo)線與另一組導(dǎo) 線之間的界面處是相鄰電極。例如，所有6條導(dǎo)線23a必須僅接觸第六電極f，但是導(dǎo)線23a中最左邊的導(dǎo)線 23a’可能接觸到置于第六電極f左側(cè)處的第五電極e。導(dǎo)線23a的最右邊的導(dǎo)線23a”可 能接觸到置于第六電極f右側(cè)處的第七電極g。在這種情況下，向第六電極f施加的信號(hào)也施加至第五電極e或者第七電極g。這 樣，當(dāng)施加信號(hào)有誤時(shí)，探針單元和/或液晶顯示面板可能?chē)?yán)重受損。此外，不同信號(hào)可能 相互重疊從而導(dǎo)致電短路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而做出的，且本發(fā)明提供一種通過(guò)在驅(qū)動(dòng)IC的、按微小間 距形成的、施加不同信號(hào)的導(dǎo)線之間形成足夠裕量來(lái)精確地向測(cè)試對(duì)象電極施加信號(hào)的薄 膜型探針單元及其制造方法和測(cè)試測(cè)試對(duì)象的方法。根據(jù)本發(fā)明的諸方面，提供一種通過(guò)接觸驅(qū)動(dòng)IC中形成的用于以測(cè)試對(duì)象電極 驅(qū)動(dòng)該測(cè)試對(duì)象的導(dǎo)線來(lái)測(cè)試測(cè)試對(duì)象的薄膜型探針單元，該薄膜型探針單元包括諸導(dǎo) 線中的任意一條做成與電極無(wú)電接觸的虛設(shè)導(dǎo)線。虛設(shè)導(dǎo)線包括施加相同信號(hào)的導(dǎo)線中的任意一條。當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括兩條導(dǎo)線時(shí)，兩條中的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo) 線。當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括三條或更多條導(dǎo)線時(shí)，該三條或更多條最外面的 任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)去除諸導(dǎo)線中的任意一條而形成。虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)在諸線中的任意一條上涂敷絕緣層形成。本發(fā)明還提供用于接觸驅(qū)動(dòng)IC的導(dǎo)線以利用測(cè)試對(duì)象的電極驅(qū)動(dòng)測(cè)試對(duì)象的薄 膜型探針單元的制造方法，該方法包括將諸導(dǎo)線中的任意一條做成與測(cè)試對(duì)象的電極無(wú) 電接觸的虛設(shè)導(dǎo)線。虛設(shè)導(dǎo)線包括施加相同信號(hào)的導(dǎo)線中的任意一條。當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括兩條導(dǎo)線時(shí)，兩條中的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo) 線。當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括三條或更多條導(dǎo)線時(shí)，該三條或更多條最外面的 任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)去除諸導(dǎo)線中的任意一條而形成。
虛設(shè)導(dǎo)線通 過(guò)刮擦并去除諸導(dǎo)線中的任意一條而形成。虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)應(yīng)用化學(xué)蝕刻或投射激光而去除諸導(dǎo)線中的任意一條。虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)在諸導(dǎo)線中的任意一條上涂敷絕緣層形成。本發(fā)明還提供一種通過(guò)接觸驅(qū)動(dòng)IC中形成的導(dǎo)線以驅(qū)動(dòng)測(cè)試對(duì)象來(lái)測(cè)試測(cè)試對(duì) 象的方法，包括以向其施加相同信號(hào)的導(dǎo)線中的任意一條不與測(cè)試對(duì)象電極電連接的狀 態(tài)施加一信號(hào)。當(dāng)施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括兩條導(dǎo)線時(shí)，兩條導(dǎo)線中的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo) 線，并且在虛設(shè)導(dǎo)線不與電極電接觸的狀態(tài)下施加該信號(hào)。當(dāng)施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包 括三或更多條導(dǎo)線時(shí)，三條或更多條導(dǎo)線中最外面的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線，并且在虛設(shè) 導(dǎo)線不與電極電接觸的狀態(tài)下施加該信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明，在驅(qū)動(dòng)IC的、按微小間距形成的、向其施加不同信號(hào)的導(dǎo)線之間形 成足夠裕量，從而可向測(cè)試對(duì)象的電極施加精確信號(hào)。這樣，可防止向測(cè)試對(duì)象的電極錯(cuò)誤地施加信號(hào)和因不同信號(hào)的疊加而引起的電 短路。附圖簡(jiǎn)述通過(guò)結(jié)合附圖與下面的具體描述，本發(fā)明的目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)更加明顯，其中圖1是現(xiàn)有探針單元的分解立體圖；圖2是液晶現(xiàn)實(shí)面板的示意圖；圖3是圖2中的現(xiàn)有液晶顯示面板的連接區(qū)的示意圖；圖4是圖1中的探針單元的使用示意圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探針單元的使用示意圖。
具體實(shí)施例方式下文中，參考附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜型探針單元包括探針塊和FPC。由于探針塊和FPC與 圖1中所示的相同，省略其描述。接觸測(cè)試對(duì)象的電極的一組導(dǎo)線中的任意一條是不與電極電接觸的虛設(shè)導(dǎo)線。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的探針單元的驅(qū)動(dòng)IC 200的使用。如圖所示，在本 實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)IC 200包括安裝于絕緣基板210上的芯片220、形成于芯片220兩側(cè)且接觸 測(cè)試對(duì)象的連接區(qū)130的電極的導(dǎo)線230、形成于芯片220的另一側(cè)且電連接至FPC的導(dǎo) 線240。接觸測(cè)試對(duì)象的電極的導(dǎo)線230包括多條虛設(shè)導(dǎo)線234a 234k。如圖5的放大 圖所示，除虛設(shè)導(dǎo)線以外的導(dǎo)線230接觸測(cè)試對(duì)象的電極并且向其施加信號(hào)。S卩，位于組導(dǎo) 線與另一組導(dǎo)線之間的界面處的導(dǎo)線做成虛設(shè)導(dǎo)線。例如，圖5示出置于導(dǎo)線234”最左側(cè)處的虛設(shè)導(dǎo)線234e接觸連接區(qū)130的電源 單元中所形成的第六電極，虛設(shè)導(dǎo)線234f置于其最右側(cè)處。這樣，防止了必須接觸第六電極f的導(dǎo)線234”接觸到第五電極e或者第七電極g。 從而防止了施加于第六電極f的信號(hào)施加到第五電極e或者第七電極g。以同樣地方式，接觸第七電極g的導(dǎo)線234'，，的最左邊的線234g和最右邊的線 234h作成虛設(shè)導(dǎo)線。這樣，防止了必須接觸第七電極g的那組導(dǎo)線234’，，接觸第六電極f或者第八電極h而向其施加錯(cuò)誤信號(hào)。此外，置于第一至第十二的電極a 1之間的界面處的導(dǎo)線做成虛設(shè)導(dǎo)線234a 234k。由于這種配置，相應(yīng)的各組導(dǎo)線分別接觸相對(duì)應(yīng)的電極并且被防止接觸相鄰電極。這 樣，為了防止施加錯(cuò)的信號(hào)，向虛設(shè)導(dǎo)線施加一信號(hào)，從而可以更精確、更安全地執(zhí)行測(cè)試 對(duì)象的電測(cè)試。

為此，當(dāng)相同的信號(hào)施加于像第一電極a的情況樣的兩條導(dǎo)線時(shí)，將兩條導(dǎo)線中 的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。或者，當(dāng)相同的信號(hào)施加于像第六電極f的情況一樣的三條或更多導(dǎo)線時(shí)，最外 面的導(dǎo)線做成虛設(shè)導(dǎo)線或者最外面的導(dǎo)線中的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。當(dāng)相同的信號(hào)施加 于多于三條的導(dǎo)線時(shí)，位于導(dǎo)線的最外面的兩條或多條導(dǎo)線可做成虛設(shè)導(dǎo)線。同時(shí)，可能有若干種方法將一些導(dǎo)線做成虛設(shè)導(dǎo)線。例如，利用蝕刻劑的化學(xué)蝕刻 可形成虛設(shè)導(dǎo)線。可通過(guò)利用堅(jiān)硬構(gòu)件刮擦導(dǎo)線的一部分以去除導(dǎo)線、通過(guò)應(yīng)用化學(xué)蝕刻、或者通 過(guò)投射激光形成虛設(shè)導(dǎo)線。在要做成虛設(shè)導(dǎo)線的導(dǎo)線的上側(cè)涂敷絕緣層，從而避免與電極進(jìn)行電接觸。虛設(shè) 導(dǎo)線根據(jù)其他眾所周知的方式或方法來(lái)制造。將描述利用根據(jù)本發(fā)明的薄膜型探針單元測(cè)試測(cè)試對(duì)象的方法。當(dāng)多條導(dǎo)線接觸 測(cè)試對(duì)象的電極從而多條導(dǎo)線接觸單個(gè)電極時(shí)，將其中一些導(dǎo)線做成虛設(shè)導(dǎo)線以防止一些 導(dǎo)線發(fā)生電接觸；導(dǎo)線之間形成足夠裕量；以及向?qū)Ь€施加信號(hào)用以測(cè)試。提供本發(fā)明的示例性實(shí)施例是為了根據(jù)特定示例便于描述和理解本發(fā)明，而非限 制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員會(huì)理解，可實(shí)踐多種變化和修改而不背離本發(fā)明的 精神。
權(quán)利要求
1.一種用于通過(guò)接觸驅(qū)動(dòng)IC中形成的導(dǎo)線以利用所述測(cè)試對(duì)象的電極驅(qū)動(dòng)所述測(cè)試 對(duì)象來(lái)測(cè)試測(cè)試對(duì)象的薄膜型探針單元，所述薄膜型探針單元包括所述導(dǎo)線中任意一條 做成與電極無(wú)電接觸的虛設(shè)導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜型探針單元，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線包括向其施加相 同信號(hào)的導(dǎo)線中的任意一條。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜型探針單元，其特征在于，當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo) 線包括兩條導(dǎo)線時(shí)，所述兩條導(dǎo)線中的任意條做成虛設(shè)導(dǎo)線。
4.如權(quán)利要求2所述的薄膜型探針單元，其特征在于，當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo) 線包括三條或更多條導(dǎo)線時(shí)，所述三條或更多條導(dǎo)線中最外面的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜型探針單元，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)去除導(dǎo)線中 的任意一條形成。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜型探針單元，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)在所述導(dǎo)線 中的任意一條上涂敷絕緣層形成。
7.一種用于接觸驅(qū)動(dòng)IC的導(dǎo)線以利用所述測(cè)試對(duì)象的電極驅(qū)動(dòng)所述測(cè)試對(duì)象的薄膜 型探針單元的制造方法，所述方法包括將所述導(dǎo)線中的任意一條做成與測(cè)試對(duì)象的電極 無(wú)電接觸的虛設(shè)導(dǎo)線。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線包括向其施加相同信號(hào)的導(dǎo) 線中的任意一條。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括兩條 導(dǎo)線時(shí)，所述兩條導(dǎo)線中的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括三條 或更多條導(dǎo)線時(shí)，所述三條或更多條導(dǎo)線中最外面的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線。
11.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)去除導(dǎo)線中的任意一條 形成。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)刮擦和去除所述導(dǎo)線 中的任意一條形成。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)應(yīng)用化學(xué)蝕刻或投射 激光以去除所述導(dǎo)線中的任意一條形成。
14.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述虛設(shè)導(dǎo)線通過(guò)在所述導(dǎo)線中的任意一 條上涂敷絕緣層形成。
15.一種通過(guò)接觸驅(qū)動(dòng)IC中形成的導(dǎo)線以驅(qū)動(dòng)所述測(cè)試對(duì)象來(lái)測(cè)試測(cè)試對(duì)象的方法， 包括以向其施加相同信號(hào)的導(dǎo)線中的任意條不與所述測(cè)試對(duì)象的電極電連接的狀態(tài)施加 一信號(hào)。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括兩 條導(dǎo)線時(shí)，所述兩條導(dǎo)線中的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線，所述信號(hào)在所述虛設(shè)導(dǎo)線不與所述 電極電接觸的狀態(tài)下施加。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，當(dāng)向其施加相同信號(hào)的一組導(dǎo)線包括三 條或更多條導(dǎo)線時(shí)，所述三條或更多條導(dǎo)線中最外面的任意一條做成虛設(shè)導(dǎo)線，所述信號(hào) 在所述虛設(shè)導(dǎo)線不與所述電極電接觸的狀態(tài)下施加。
全文摘要
本發(fā)明提供了通過(guò)在驅(qū)動(dòng)IC的、按微小間距形成的、向其施加不同信號(hào)的導(dǎo)線之間形成充足裕量來(lái)精確地向測(cè)試設(shè)備的電極施加信號(hào)的薄膜型探針單元及其制造方法和測(cè)試測(cè)試對(duì)象的方法。該薄膜型探針單元包括各導(dǎo)線中的任意一條做成與電極無(wú)電接觸的虛設(shè)線。
文檔編號(hào)G01R31/00GK102103151SQ201010511679
公開(kāi)日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月1日
發(fā)明者金憲敏 申請(qǐng)人:寇地斯股份有限公司