專利名稱：具有導(dǎo)電性的光學(xué)界面的輻射檢測器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本披露是針對輻射檢測器裝置，具體是用于工業(yè)應(yīng)用的閃爍裝置。
背景技術(shù)：
輻射檢測器裝置被用于各種工業(yè)應(yīng)用中。例如，閃爍檢測器被用于石油和天然 氣工業(yè)的測井。典型地，閃爍檢測器具有閃爍體晶體，這些閃爍體晶體由對檢測Y射線 有效的一種活化了的碘化鈉或其他材料制成?？傮w上，這些閃爍體晶體是被封閉在殼體 或套管中的，這些殼體或套管包括允許輻射誘導(dǎo)的閃爍光從該晶體包裝件中穿過的一個(gè) 窗口。光穿過一個(gè)光敏裝置如一個(gè)光電倍增管，并且該光電倍增管將從該晶體發(fā)射的光 子轉(zhuǎn)換為電脈沖。這些電脈沖被所連接的電子裝置整形并且將其數(shù)字化，并且可以作為 傳輸至分析設(shè)備上的計(jì)數(shù)進(jìn)行記錄。閃爍檢測器對于測井是有用的，因?yàn)檩椛?如、射線和中子)的測量允許用戶 分析圍繞一個(gè)鉆孔的巖層。閃爍檢測器可以用在鉆探裝置本身中，從而引起了隨鉆探的 測量(MWD)(或隨鉆探測井)的通常做法。盡管如此，MWD應(yīng)用經(jīng)常發(fā)生在以大量 的熱、振動、以及沖擊為特征的惡劣環(huán)境中。振動和沖擊可以引起閃爍體晶體、殼體材 料、窗口、該閃爍裝置的其他多個(gè)元件、或它們的任一組合失效或者其他方式的故障。因此，工業(yè)界繼續(xù)需要對閃爍裝置，具體地是耐用的、強(qiáng)固化的閃爍裝置的改 進(jìn)，這些閃爍裝置可以經(jīng)受工業(yè)應(yīng)用的嚴(yán)酷環(huán)境。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)具體實(shí)施方案中，披露了一種輻射檢測器裝置并且它包括具有一個(gè)閃爍 體晶體的一個(gè)閃爍裝置。該輻射檢測器裝置還包括一個(gè)光傳感器。此外，該輻射檢測 器裝置包括在該閃爍裝置與該光傳感器之間連接的一個(gè)光學(xué)界面。該光學(xué)界面是導(dǎo)電性 的。在另一個(gè)實(shí)施方案中，披露了一種輻射檢測器裝置并且它包括一個(gè)閃爍裝置， 該閃爍裝置包括一個(gè)閃爍體晶體以及至少一個(gè)穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，該穩(wěn)定機(jī)構(gòu)被適配為將小于約 lOOpsi的一個(gè)總的穩(wěn)定化的壓力施加在該閃爍體晶體上。該輻射檢測器裝置還包括一個(gè) 光傳感器。此外，該輻射檢測器裝置包括在該閃爍裝置與該光傳感器之間連接的一個(gè)光 學(xué)界面。該輻射檢測器裝置還包括一個(gè)光子計(jì)數(shù)器裝置，該光子計(jì)數(shù)器裝置被適配為基 于從該光傳感器接收的電脈沖對由該閃爍體晶體發(fā)射的光子進(jìn)行計(jì)數(shù)，其中這些電脈沖 由該光傳感器基于在該光傳感器處接收的來自該閃爍裝置的光子而輸出。當(dāng)從約50Hz至 約1450Hz的振動頻率施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的每秒鐘計(jì)數(shù) 是平均小于或等于一個(gè)平均背景值的116%。在一個(gè)另外的實(shí)施方案中，披露了將一個(gè)導(dǎo)電性的涂層施加在硅橡膠上的一種 方法。該方法包括用一種導(dǎo)電性的聚合物至少部分地涂覆一個(gè)拋光的基底的一個(gè)表面。 該方法還包括將硅橡膠和固化劑的一種未固化的混合物施加在該至少部分涂覆的表面。此外，該方法包括固化該硅橡膠。該方法還包括將該固化的硅橡膠從該基底上分離開， 其中該導(dǎo)電性的聚合物是沉積在該分離的、固化的硅橡膠的一個(gè)表面上的。在一個(gè)另外的實(shí)施方案中，披露了包括固化的硅橡膠的一種物品并且它具有多 個(gè)表面。一種導(dǎo)電性的聚合物材料至少部分地涂覆該多個(gè)表面中的至少一個(gè)，并且該物 品特征在于小于1015ohm-cm的表面電阻率。在另一個(gè)實(shí)施方案中，披露了適配為用在一個(gè)輻射檢測器裝置中的一個(gè)光學(xué)界 面并且它包括多個(gè)表面。將一個(gè)導(dǎo)電性的涂層沉積在該多個(gè)表面中的至少一個(gè)上。該光 學(xué)界面特征在于小于1015ohm_cm的表面電阻率。


通過參見附圖可以更好地理解本披露，并且使其許多特征和優(yōu)點(diǎn)對于本領(lǐng)域技 術(shù)人員變得清楚。圖1是一個(gè)輻射檢測器裝置的一個(gè)具體的實(shí)施方案的圖；圖2A-2C是多個(gè)輻射檢測器裝置的多個(gè)方面的不同實(shí)施方案的圖；圖3是一個(gè)輻射檢測器裝置的一個(gè)第二具體的實(shí)施方案的圖；圖4A-4D是一個(gè)輻射檢測器裝置的一個(gè)第三具體的實(shí)施方案的圖；圖5是一個(gè)流程圖，它展示了將一個(gè)導(dǎo)電性的涂層施加在硅橡膠上的一種方法 的一個(gè)具體實(shí)施方案；圖6是展示了隨振動增加由一個(gè)輻射檢測器裝置所記錄的計(jì)數(shù)數(shù)目的曲線圖； 并且圖7是展示了隨振動增加由一個(gè)輻射檢測器裝置所記錄的計(jì)數(shù)數(shù)目的第二曲線 圖。在不同的圖中使用相同的參考符號表示相似的或相同的事項(xiàng)。
具體實(shí)施例方式本披露的眾多革新的傳授內(nèi)容將具體參照多個(gè)示例性實(shí)施方案進(jìn)行說明。然 而，應(yīng)該理解的是這類的實(shí)施方案在此僅提供了這些革新的傳授內(nèi)容的許多有利的使用 的少數(shù)幾個(gè)實(shí)例?？傮w上，在本披露中做的陳述不對任何這些不同的權(quán)利要求的物品、 系統(tǒng)或方法進(jìn)行必要地限制。此外，某些陳述可能適用于某些本發(fā)明的特征但不適用于 其他的特征。圖1示出了輻射檢測器裝置100的一個(gè)具體的實(shí)施方案。該輻射檢測器裝置100 包括一個(gè)光傳感器101、一個(gè)光學(xué)界面103、以及一個(gè)閃爍裝置105。盡管光傳感器101、 光學(xué)界面103、以及閃爍裝置105彼此分開地示出，但是應(yīng)理解的是光傳感器101和閃爍 裝置105適配為將其各自連接至光學(xué)界面103上，其中該光學(xué)界面103被布置在光傳感器 101與閃爍裝置105之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，閃爍裝置105和光傳感器101可以使用偏 置構(gòu)件117連接至光學(xué)界面103上，該偏置構(gòu)件提供了有助于吸收對檢測器100的沖擊的 彈性。這些偏置構(gòu)件117可以與其他已知的連接方法結(jié)合使用，如使用光學(xué)凝膠或粘合 劑。在一個(gè)實(shí)施方案中，光傳感器101包括一個(gè)能夠進(jìn)行光譜檢測和分辨的裝置。例如，光傳感器101可以包括一個(gè)常規(guī)的光電倍增管(PMT)或一個(gè)混合的光傳感器。光 傳感器101被適配為通過一個(gè)輸入窗口 116接收由閃爍裝置105、其他的多個(gè)源、或它 們的一個(gè)組合發(fā)射的光子，并且光傳感器101被適配為基于它接收的光子的數(shù)目產(chǎn)生電 脈沖。這些電脈沖可以被所連接的電子裝置130整形并且將其數(shù)字化以提供在光傳感器 101處接收的光子的計(jì)數(shù)。電子裝置130可以包括一個(gè)或多個(gè)電子裝置，如一個(gè)放大器、 一個(gè)前置放大器、一個(gè)鑒別器、一個(gè)模數(shù)信號轉(zhuǎn)換器、一個(gè)光子計(jì)數(shù)器、另一個(gè)電子裝 置、或它們的任一組合。光傳感器101可以被收容在由一種材料制成的一個(gè)管或一個(gè)外 殼之內(nèi)，該外殼由能夠保護(hù)光傳感器101、電子裝置130、或它們的一個(gè)組合，如一種金 屬、金屬合金、其他材料、或它們的任一組合所制成。閃爍裝置105包括一個(gè)閃爍體晶體107。該閃爍體晶體107基本上是被一個(gè)反射 體109包圍的。在一個(gè)實(shí)施方案中，反射體109可以包括適合于反射由閃爍體晶體107 發(fā)射的光的聚四氟乙烯(PTFE)、另一種材料、或它們的一個(gè)組合。在一個(gè)說明性實(shí)施方 案中，反射體109可以是基本上被減震構(gòu)件111包圍的。閃爍體晶體107、反射體109、 以及減震構(gòu)件111可以被收容在一個(gè)殼體113之內(nèi)。閃爍裝置105包括至少一個(gè)穩(wěn)定化的機(jī)構(gòu)，該穩(wěn)定化的機(jī)構(gòu)被適配為減少在閃 爍體晶體107與該輻射檢測器裝置100的其他的多個(gè)元件(如光學(xué)界面103、殼體113、 減震器111、反射體109、或它們的任一組合)之間的相對運(yùn)動。該一個(gè)或多個(gè)穩(wěn)定化的 機(jī)構(gòu)可以包括一個(gè)彈簧119、其他的一個(gè)或多個(gè)穩(wěn)定機(jī)構(gòu)、或它們的一個(gè)組合。該一個(gè) 或多個(gè)穩(wěn)定化的機(jī)構(gòu)可以被適配為將多個(gè)橫向力、多個(gè)水平力、或它們的一個(gè)組合施加 在閃爍體晶體107上以穩(wěn)定其相對于輻射檢測器裝置100的一個(gè)或多個(gè)其他元件的位置。 優(yōu)選地，施加在的閃爍體晶體107上的總壓是小于約lOOpsi，如從約20psi至約60psi的一 個(gè)壓力。如展示的，光學(xué)界面103適配為將其連接在光傳感器101與閃爍裝置105之間。 光學(xué)界面103還被適配為協(xié)助在光傳感器101與閃爍裝置105之間的光學(xué)連接。光學(xué)界 面103可以包括一種聚合物，如一種硅橡膠，該聚合物是被極化的以調(diào)準(zhǔn)閃爍體晶體107 和輸入窗口 116的反射指數(shù)。在其他的多個(gè)實(shí)施方案中，光學(xué)界面103可以包括多種凝 膠或多種膠體，它們包括聚合物類以及多種附加的元素。當(dāng)在光學(xué)界面103中包含硅橡膠時(shí)，該硅橡膠典型地包括長交聯(lián)的分子，這些 分子可以是極化的以將閃爍體晶體107與輸入窗口 116光學(xué)地連接。例如，光學(xué)界面116 可以包括聚合的硅橡膠，該聚合的硅橡膠根據(jù)ASTM測試方法E595在真空焙烘下具有小 于或等于1.0%的質(zhì)量損失。更優(yōu)選地，光學(xué)界面116可以包括聚合的硅橡膠，該聚合的 硅橡膠根據(jù)ASTM測試方法E595在真空焙烘下具有小于或等于0.5%的質(zhì)量損失。表征 該硅橡膠的分子特征和對極化的敏感性還可以使該硅橡膠傾向于靜電積聚，該靜電積聚 由光學(xué)界面103和閃爍裝置105、光傳感器101、或它們的一個(gè)組合的相對運(yùn)動產(chǎn)生。光學(xué)界面103被適配為通過導(dǎo)電性減少靜電放電。例如，光學(xué)界面103可以特 征在于小于約1015ohm_cm的表面電阻率，如小于或等于約109ohm_cm或小于或等于約 103ohm-cm。光學(xué)界面103包括一種聚合物以及一種導(dǎo)體。該導(dǎo)體可以是一個(gè)導(dǎo)電性的 涂層，一個(gè)導(dǎo)電性的連接的特征、或它們的一個(gè)組合。在一個(gè)實(shí)施方案中，該光學(xué)界面 包括至少部分涂覆有一個(gè)導(dǎo)電性的涂層的硅橡膠，該涂層是透明的或半透明的。圖3中展示了至少部分涂覆有一個(gè)導(dǎo)電性的涂層的光學(xué)界面的一個(gè)實(shí)例。該導(dǎo)電性的涂層可以 包括一種聚合物。例如，該導(dǎo)電性的涂層可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)。 該導(dǎo)電性的涂層可以被施加在如參照附圖5描述的硅橡膠上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，一個(gè)導(dǎo)電性的連接的特征可以包括一種導(dǎo)體，該導(dǎo)體包 括一種金屬材料，如一種接線物品，該導(dǎo)體接觸或與光學(xué)界面103整合在一起。例如， 一種接線網(wǎng)可以接觸或與光學(xué)界面103整合在一起。圖4B-4D中展示了結(jié)合了一個(gè)接線 網(wǎng)的光學(xué)界面的一個(gè)實(shí)例性實(shí)施方案。在一個(gè)實(shí)施方案中，該光學(xué)界面的一個(gè)表面至少 部分地接觸閃爍裝置105。例如，光學(xué)界面103可以包括硅橡膠，該硅橡膠延伸通過該接 線網(wǎng)中的縫隙以接觸閃爍體晶體107或該閃爍裝置105的一個(gè)輸出窗口，該輸出窗口被布 置在閃爍體晶體107與光學(xué)界面103之間。在一個(gè)實(shí)施方案中，該接線網(wǎng)可以接觸閃爍 體晶體107，并且彈簧119的力可以促使閃爍體晶體107以將該接線網(wǎng)推進(jìn)光學(xué)界面103 中的一個(gè)足夠的距離以在閃爍體晶體107與光學(xué)界面103之間產(chǎn)生一個(gè)光學(xué)連接。在其他的多個(gè)實(shí)施方案中，光學(xué)界面103可以是由導(dǎo)電性的材料形成的，如特 征為表面電阻率為小于約1015ohm-cm的一種導(dǎo)電性有機(jī)硅材料，或特征為表面電阻率為 小于約1015ohm-cm的導(dǎo)電性環(huán)氧樹脂材料。在一個(gè)實(shí)施方案中，光學(xué)界面103被適配為將其保持在接地電位。例如，光學(xué) 界面103可以被連接至殼體113上或是至殼體113的一條通路上。在另一個(gè)實(shí)施方案中， 光學(xué)界面103可以是未接地的，這樣導(dǎo)體通過降低電荷密度減少或防止了靜電放電。圖2A-2C示出了一個(gè)輻射檢測器裝置的多個(gè)方面的不同的實(shí)施方案。圖2A示 出了通過一個(gè)光學(xué)界面203被界面連接至一個(gè)光傳感器201上的一個(gè)閃爍裝置205。在一 個(gè)實(shí)例中，一個(gè)閃爍體晶體可以被界面連接至光傳感器201的一個(gè)輸入窗口上。在另一 個(gè)實(shí)例中，閃爍裝置205的一個(gè)輸出窗口可以被界面連接至光傳感器201的一個(gè)輸入窗口 上。閃爍裝置205和光學(xué)界面203由于振動或沖擊可以分離短的時(shí)間段，從而引起了一 個(gè)臨時(shí)縫隙220。如在圖2B中示出的，光傳感器201和光學(xué)界面203由于這種振動或沖 擊可以被暫時(shí)分離，從而引起了另一個(gè)縫隙222。如在圖2C中示出的，光學(xué)界面203與閃爍裝置205之間(或在光學(xué)界面203與 一個(gè)光傳感器之間)的相對運(yùn)動可以使一種材料從另一種材料中移開電荷。產(chǎn)生的電荷 223和224的這些區(qū)域產(chǎn)生了一個(gè)電位。如果相對運(yùn)動繼續(xù)，則該電位可以變得足夠大以 產(chǎn)生一種靜電放電。該靜電放電可以產(chǎn)生由一個(gè)光傳感器(如在圖1中所示的光傳感器 101)檢測到的光225，如可見光或紫外光。此外，紫外光可以刺激在該閃爍體中的不希 望的閃爍光的產(chǎn)生。光225的檢測導(dǎo)致了多個(gè)假的光子計(jì)數(shù)，這些假的光子計(jì)數(shù)難以從 由閃爍裝置205響應(yīng)于、射線或其他輻射而產(chǎn)生的閃爍光中辨別。圖3是一個(gè)輻射檢測器裝置300的一個(gè)第二具體的實(shí)施方案的圖。該輻射檢測 器裝置300包括一個(gè)光傳感器301、一個(gè)光學(xué)界面303、以及一個(gè)閃爍體裝置305。光學(xué) 界面303被適配為將其連接在光傳感器301與閃爍裝置305之間。此外，光學(xué)界面303 是導(dǎo)電性的。例如，光學(xué)界面303可以特征在于小于約1015ohm-cm的表面電阻率，如小 于或等于約109ohm-cm或小于或等于約103ohm-cm。在圖3展示的實(shí)施方案中，光學(xué)界 面303包括一個(gè)透明的或半透明的基底315，如硅橡膠，將它適配為極化的以將(例如) 閃爍裝置305的一個(gè)閃爍體晶體與光傳感器301的一個(gè)輸入窗口光學(xué)連接。此外，光學(xué)界面303包括一個(gè)導(dǎo)電性的涂層316，該涂層至少部分地涂覆了基底315的一個(gè)或多個(gè)表 面。導(dǎo)電性的涂層316是透明的或半透明的并且可以或可以不保持在接地電位。在一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電性的涂層316包括一種有機(jī)材料，如聚合物。例如， 該導(dǎo)電性的涂層316可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)。在一個(gè)實(shí)施方案中， 導(dǎo)電性的涂層316可以特征在于在基底315的各個(gè)表面上從約0.5 y m至約4 y m的平均 厚度。在另一個(gè)實(shí)施方案中，導(dǎo)電性的涂層316可以特征在于在該基底的各個(gè)表面上基 底的厚度的從約0.03%至約0.25%的平均厚度。圖4A-4D是一個(gè)輻射檢測器裝置400的一個(gè)第三具體的實(shí)施方案的圖。參見圖 4A，輻射檢測器裝置400包括一個(gè)光傳感器401、一個(gè)光學(xué)界面403、以及一個(gè)閃爍體裝 置405。光學(xué)界面403被適配為將其連接在光傳感器401與閃爍裝置405之間。此外， 該光學(xué)界面403是導(dǎo)電性的。例如，光學(xué)界面303可以特征在于小于約1015ohm-cm的表 面電阻率，如小于或等于約109ohm_cm或小于或等于約103ohm_cm。在圖4A-4D中展示 的這些實(shí)施方案中，光學(xué)界面403包括一種透明的或半透明的材料415，該材料被適配為 將光傳感器401與閃爍體裝置405進(jìn)行光學(xué)連接。此外，光學(xué)界面403包括一種金屬材 料418，該材料可以或可以不適配為將其保持在接地電勢。例如，光學(xué)界面403可以包括一種接線物品，如在圖4B中示出的接線網(wǎng)。在一 個(gè)實(shí)施方案中，透明的或半透明的材料415的一個(gè)表面至少部分地接觸閃爍裝置405，并 且該接線網(wǎng)不接觸閃爍裝置405。例如，如在圖4C-4D中示出的，透明的或半透明的材 料415可以包括硅橡膠，該硅橡膠延伸穿過該接線網(wǎng)中的縫隙以接觸閃爍裝置405。優(yōu) 選地，該接線網(wǎng)是足夠細(xì)的以允許光穿過光學(xué)界面403。例如，該接線網(wǎng)可以特征在于 10iim-50iim的平均金屬絲直徑，如20 y m_30 y m。此外，在接線網(wǎng)中的每個(gè)縫隙可以 特征在于從約250 iim至約750 iim的平均尺寸，如從約450 y m至約550 y m。在一個(gè) 具體實(shí)施方案中，該接線網(wǎng)可以特征在于約25 ym的平均金屬絲直徑，并且在該接線網(wǎng) 中的每個(gè)縫隙可以特征在于約480 u m的平均尺寸。圖5是一個(gè)流程圖，它展示了將一個(gè)導(dǎo)電性涂層施加在硅橡膠上的一種方法的 一個(gè)具體實(shí)施方案。該方法可以用于將一個(gè)導(dǎo)電性的涂層(如一個(gè)透明的或半透明的 導(dǎo)電性的聚合物)施加在用在以下項(xiàng)中的硅橡膠上輻射檢測裝置、有機(jī)發(fā)光二極管 (LED)、有機(jī)視覺顯示器、有機(jī)光電子裝置(例如，一個(gè)或多個(gè)太陽電池或一個(gè)或多個(gè)波 克爾斯盒)、其他有機(jī)裝置、其他無機(jī)裝置，或它們的任一組合。盡管該方法是參照至少 部分涂覆有聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)的硅橡膠的一個(gè)表面進(jìn)行描述的，但是其 他的導(dǎo)電性的聚合物也是可以使用的。在方框500處，將一個(gè)PEDOT的涂層施加在一個(gè)透明的拋光的基底的表面。例 如，該基底表面可以被拋光至平均均方根粗糙度為小于約Zymrms。在另一個(gè)實(shí)例中， 該基底表面可以被拋光至平均均方根粗糙度為小于約500nm。優(yōu)選地，該基底包括玻 璃，盡管其他的基底可以被使用，如包括一種塑料材料并且是對光學(xué)拋光易感的基底。該P(yáng)EDOT可以通過噴涂、旋壓、擦刷、浸漬、印刷、軋制、另一種方法，或它 們的任一組合施加在該基底的表面上。在一個(gè)實(shí)施方案中，將該涂層以涂覆硅橡膠的一 個(gè)表面所希望的一個(gè)平均厚度施加在該基底的表面上。在另一個(gè)實(shí)施方案中，將該涂層 以大于所希望的涂覆該硅橡膠的一個(gè)表面是一個(gè)平均厚度施加在該基底的表面上。在一個(gè)另外的實(shí)施方案中，將該導(dǎo)電性的聚合物以一種圖案施加在該基底上，如一個(gè)或多個(gè) 點(diǎn)，一條或多條線，或它們的一個(gè)組合。例如，可以將該聚合物通過一個(gè)圖案的掩膜噴 涂在該基底上。移向方框502，將該基底加熱以去除與PEDOT相關(guān)聯(lián)的載體溶劑。該溶劑可以 是一種無機(jī)溶劑，如水；一種有機(jī)溶劑，如異丙醇、聚乙烯醇，另一種有機(jī)溶劑、或它 們的任一組合；或有機(jī)以及無機(jī)的溶劑的一個(gè)組合。向方框504行進(jìn)，制備未固化的硅 橡膠和固化劑(例如，一種硬化劑或交聯(lián)劑)的一種混合物。在其他的多個(gè)實(shí)施方案中， 可以制備使用濕度來固化的一種RTV(室溫硬化)硅橡膠。繼續(xù)到方框506，將該硅橡膠混合物在該硅橡膠被固化之前施加在該基底的涂覆 的表面上。在一個(gè)實(shí)施方案中，適配為不粘附到該未固化的或固化的硅橡膠上的一個(gè)塑 料環(huán)或其他的物品可以用來將該混合物在該基底上保持在原位。前進(jìn)至方框508，當(dāng)硅橡膠在基底上時(shí)將其固化。在方框510處，將固化的硅橡 膠進(jìn)行冷卻并且從基底上分離開。該固化的硅橡膠包括該P(yáng)EDOT的一個(gè)層并且可以包括 初始施加到該基底上的PEDOT的全部或一個(gè)部分。在某些實(shí)施方案中，可以將該P(yáng)EDOT 的層拋光并且使其平滑至一個(gè)水平的表面。在某些實(shí)施方案中，可以將PEDOT涂層施加在多個(gè)基底的多個(gè)表面上，并且可 以將該未固化的硅橡膠混合物布置在這些涂覆的基底之間，這樣使得該固化的硅橡膠的 多個(gè)表面在從這些基底上分離開之后包括PEDOT。實(shí)例在一個(gè)實(shí)例中，將0.15mL的Baytron F CPP 105DM涂抹在拋光的玻璃毛坯的
一個(gè)表面上，同時(shí)在一個(gè)lazy suzanne轉(zhuǎn)盤上紡織。一經(jīng)干燥，就將該涂覆的玻璃毛坯在 一個(gè)烘箱中在約80°C下加熱約30分鐘。然后將該基底從該烘箱中取出并且冷卻。將一 個(gè)透明的硅橡膠(Wacker Elastosil (D RT601)與固化劑以10 1的比例相混合。將該混 合物真空抽至50mTOrr的一個(gè)壓力并且在那個(gè)壓力下保持20分鐘以去除吸收的氣體。將 該混合物施加在該玻璃毛坯的涂覆的表面上至1.5_的一個(gè)厚度并且將其使用一個(gè)塑料 環(huán)保持在原位。將該硅橡膠通過在約60°C下烘焙約150分鐘來固化。然后冷卻該固化的 硅橡膠，并且將該光學(xué)界面從該玻璃毛坯中剝離。Baytron FPVA涂層剝?nèi)チ嗽摬Ａ?坯并且被粘附至該固化的硅橡膠的一個(gè)表面上。圖6-7示出了輻射檢測器裝置的振動測試的結(jié)果。使用一個(gè)閃爍檢測器進(jìn)行測 試，該閃爍檢測器具有直徑為約4.5cm并且長度為約10cm的一個(gè)圓柱形的Nal(Tl)晶 體。該晶體用一個(gè)PTFE反射體包裹并且將其插入一個(gè)帶肋的硅橡膠套管中。這個(gè)晶體 /PTFE/套管組件被插入一個(gè)鉻鎳鐵合金外殼中，該外殼具有的內(nèi)徑為約4.9cm并且外徑 為約5cm。用一個(gè)0.2cm厚的透明的硅橡膠墊使該晶體濕潤(wetted)到具有約0.3cm厚 度的一個(gè)玻璃窗口上。使用2個(gè)同心彈簧使該晶體保持抵靠在硅橡膠上。此單元被抽至 50mTorr的壓力，并且然后用1個(gè)大氣壓的氬氣進(jìn)行填充。一個(gè)不銹鋼端蓋在該氬氣氣氛 下被焊接上以使得該檢測器密封。然后將該檢測器經(jīng)受一個(gè)振動測試以檢測由在該硅橡膠墊與該晶體之間、或在 該硅橡膠墊與該窗口之間的靜電放電造成的假的計(jì)數(shù)。將該檢測器固定在一個(gè)振動臺 (Ling Dynamic Systems, model V810-240，由一個(gè) LDS Dactron Control 控制)上。將一個(gè)光電倍增管(在1200V下的HamamatsuR1288-32)光學(xué)地連接至該檢測器的玻璃窗口 上。來自該光電倍增管的信號通過一個(gè)前置放大器(Canberra model 2005)運(yùn)行并且然后 到達(dá)一個(gè)多通道的分析器(Aptec modelS5008)上，該分析器用于計(jì)算來自該閃爍體的大 于由20keV的、射線產(chǎn)生的光的等效的任何光脈沖。該振動臺被程序設(shè)計(jì)為在6.47Hz/ s的速率下，其中峰值加速度為約30g(905ft/s2)下產(chǎn)生振動頻率約50至約1000Hz —個(gè)掃 描。該測試的結(jié)果在圖6中示出。隨后，將該端蓋切掉，并且將該硅橡膠墊用一個(gè)導(dǎo)電的光學(xué)界面(包括具有一 個(gè)PEDOT涂層的硅橡膠)代替。將該端蓋焊接回在其上，并且除了將該振動臺進(jìn)行程序 設(shè)計(jì)以產(chǎn)生振動頻率從約50Hz至約1450Hz的一個(gè)掃描之外，用如上述的基本上相同的 這些參數(shù)進(jìn)行一個(gè)新的振動測試。結(jié)果在圖7中示出。圖6是一條曲線圖，展示了由與一個(gè)輻射檢測器裝置(包括在latm下的氬氣) 中的光傳感器連通的一個(gè)光子計(jì)數(shù)器隨振動增加記錄的光子計(jì)數(shù)。該曲線圖示出了與施 加在該輻射檢測器裝置上的振動頻率相關(guān)的記錄的光子每秒鐘計(jì)數(shù)。該曲線圖示出了隨 著振動頻率的增加，特別是隨著振動超過約720Hz，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的所有的每秒 鐘計(jì)數(shù)是大于該平均背景的。因此，隨著振動頻率超過約720Hz，可歸因于該振動的多 個(gè)假的計(jì)數(shù)導(dǎo)致了在計(jì)數(shù)測量中的更大的不準(zhǔn)確度。值得注意地，當(dāng)該振動頻率是在該 輻射檢測器裝置的共振頻率一定范圍內(nèi)時(shí)(例如950Hz至1000Hz)，每秒鐘計(jì)數(shù)經(jīng)受來自 總體平均每秒鐘計(jì)數(shù)和該平均背景兩者的它們的最大的偏差。如示出的，在約1000Hz下 的平均每秒鐘計(jì)數(shù)是大于該平均背景的200%。圖7是一個(gè)第二曲線圖，展示了一個(gè)輻射檢測器裝置(包括涂覆有PEDOT的一 個(gè)硅橡膠光學(xué)界面)中由一個(gè)光子計(jì)數(shù)器隨振動增加所記錄的光子計(jì)數(shù)。該曲線圖示出 了一個(gè)平均背景為56.7cps以及在振動下的平均為55.7cps。該曲線圖證明了當(dāng)從50Hz至 1,450Hz的振動頻率施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，該平均每秒鐘計(jì)數(shù)是小于該平均背景 的約116.0%。例如，在圖7中示出的曲線圖展示了當(dāng)該輻射檢測器裝置包括涂覆PEDOT 的光學(xué)界面時(shí)，該平均每秒鐘計(jì)數(shù)不因?yàn)檎駝訌?0Hz至1450Hz而增加。此外，平均振 動誘導(dǎo)的每秒鐘計(jì)數(shù)是在該平均背景的約2.0%之內(nèi)。此外，在振動頻率大于約780Hz下的每秒鐘計(jì)數(shù)不會依然高于該平均背景或從 50Hz至1450Hz的平均每秒鐘計(jì)數(shù)。相反地，該光子計(jì)數(shù)器記錄了至少一個(gè)小于該平均 背景值約116.0%的每秒鐘計(jì)數(shù)。此外，當(dāng)振動頻率是在該輻射檢測器裝置的共振頻率 (如從900Hz至1000Hz)的一定的范圍之內(nèi)時(shí)，該每秒鐘計(jì)數(shù)不會經(jīng)受到在圖6中示出的 偏差。如示出的，在約1000Hz處的每秒鐘計(jì)數(shù)是小于該平均背景的200%并且小于總體 平均每秒鐘計(jì)數(shù)的150%。事實(shí)上，當(dāng)施加在該輻射檢測器上的振動頻率是在900Hz與 1000Hz之間時(shí)，在圖7中示出的曲線圖證明了每秒鐘計(jì)數(shù)是在該平均背景和該總體平均 每秒鐘計(jì)數(shù)的20%之內(nèi)。此外，當(dāng)從約50Hz至約1450Hz的振動頻率施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，由 該光子計(jì)數(shù)器記錄的一個(gè)每秒鐘峰計(jì)數(shù)值是小于該平均背景值的200%。如示出的，每秒 鐘計(jì)數(shù)值的峰是小于該平均背景值的150%。事實(shí)上，每秒鐘計(jì)數(shù)值的峰是小于該平均背 景值的125%。在閃爍裝置領(lǐng)域中的現(xiàn)有技術(shù)認(rèn)識到由于在閃爍體晶體與一個(gè)閃爍裝置的其他的多個(gè)元件之間的相對運(yùn)動，可以產(chǎn)生靜電放電。靜電放電的多種常規(guī)解決方案包括通 過將更大的壓縮應(yīng)力放置在該晶體、這些其他元件、或它們的一個(gè)組合上試圖使該閃爍 體晶體相對于該閃爍裝置的其他的多個(gè)元件更好地穩(wěn)定。其他的多種途徑通過將硅潤滑 脂或硅油放置在該閃爍體裝置的多個(gè)元件之間試圖防止靜電放電。使用導(dǎo)電性光學(xué)界面防止或減少靜電放電具有允許更小的力施加給彈簧或其他 的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)(它們將該閃爍體晶體保持在原位)的附加的益處，如由于振動和沖擊在該閃 爍晶體與該閃爍裝置的其他多個(gè)元件之間的相對運(yùn)動不需要完全防止。例如，小于約100 磅每平方英寸(psi)的一個(gè)壓力，如從約20psi至約60psi的一個(gè)壓力可以施加在該閃爍體 晶體上以將它基本上保持在原位；然而，通過試圖使該晶體固定可以要求大于150psi的 一個(gè)壓力，如200psi的一個(gè)壓力以減少靜電放電。將更小的力施加在該閃爍體晶體上可 以減少閃爍體晶體變形和破壞，允許使用更大的閃爍體晶體，使得組裝該閃爍裝置更加 容易，并且產(chǎn)生了其他的多個(gè)優(yōu)點(diǎn)。此外，彈簧或其他的穩(wěn)定機(jī)構(gòu)可以隨著G載荷增加 而失效。例如，一旦G-載荷超過30G(如在40G至50G的范圍內(nèi))彈簧可能開始失效。 此外，導(dǎo)電性的光學(xué)界面不會出現(xiàn)在使用硅油或潤滑脂(特別是在高溫下)所看到的漏 泄、限制(containment)、鼓泡或降解的問題。在此的說明這些實(shí)施方案的這些圖旨在提供對這些不同的實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)的一 個(gè)總體上的理解。這些圖示并非旨在作為在此描述的所有的元件和結(jié)構(gòu)的特征或方法的 一個(gè)完全的說明。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員許多的其他實(shí)施方案在閱讀該披露時(shí)應(yīng)該 是清楚的?？梢允褂闷渌亩鄠€(gè)實(shí)施方案并且從該披露中產(chǎn)生，這樣使得在不背離本披 露的范圍的情況下可以做出多個(gè)結(jié)構(gòu)的和邏輯的替換以及多種變化。此外，這些圖示僅 是代表性的并不是按比例繪制的。在這些圖示內(nèi)的某些比例可能是擴(kuò)大的，而其他的比 例可能是縮到最小的。因此，該披露內(nèi)容和這些附圖被認(rèn)為是說明性的而不是限制性 的。披露的摘要是遵循37C.F.R.§ 1.72(b)而提供的，并且按以下理解而提交，即它 將不被用于解釋或者限制權(quán)利要求的范圍或含義。另外，在以上附圖的詳細(xì)說明中，為 了使披露精簡而可能將不同的特征集合在一起或者在一個(gè)單獨(dú)的實(shí)施方案中描述。本披 露不得被解釋為反映了一種意圖，即提出權(quán)利要求的實(shí)施方案要求的特征多于在每一項(xiàng) 權(quán)利要求中清楚引述的特征。相反，如以下的權(quán)利要求反映出，發(fā)明主題可以是針對少 于任何披露的實(shí)施方案的全部特征。因此，以下的權(quán)利要求被結(jié)合在附圖的詳細(xì)說明之 中，而每一項(xiàng)權(quán)利要求自身獨(dú)立地限定了分別提出權(quán)利要求的主題。以上披露的主題應(yīng)被認(rèn)為是解說性的、而非限制性的，并且所附權(quán)利要求是旨 在覆蓋落在本披露的主題的真實(shí)精神和范圍內(nèi)的所有此類變體、改進(jìn)以及其他實(shí)施方 案。因此，在法律所允許的最大程度上，本披露的主題的范圍應(yīng)由對以下權(quán)利要求和它 們的等效物可容許的最寬解釋來確定，并且不應(yīng)受以上的詳細(xì)的說明的約束或限制。
權(quán)利要求
1.一種輻射檢測器裝置，包括一個(gè)閃爍裝置，該閃爍裝置包括一個(gè)閃爍體晶體；一個(gè)光傳感器；以及一個(gè)光學(xué)界面，該光學(xué)界面連接在該閃爍裝置與該光傳感器之間，其中該光學(xué)界面 是電導(dǎo)性的。
2.—種輻射檢測器裝置，包括一個(gè)閃爍裝置，該閃爍裝置包括一個(gè)閃爍體晶體以及至少一個(gè)穩(wěn)定機(jī)構(gòu)，其中該至 少一個(gè)穩(wěn)定機(jī)構(gòu)被適配為將小于約IOOpsi的一個(gè)總的穩(wěn)定化的壓力施加在該閃爍體晶體 上；一個(gè)光傳感器；以及一個(gè)光子計(jì)數(shù)器裝置，該光子計(jì)數(shù)器裝置被適配為基于從該光傳感器接收的電脈沖 對由該閃爍體晶體發(fā)射的光子進(jìn)行計(jì)數(shù)，這些電脈沖由該光傳感器基于在該光傳感器處 接收的來自該閃爍裝置的光子而輸出；其中，當(dāng)對于在小于或等于約30G的一個(gè)載荷下的輻射檢測器裝置施加從約50Hz至 約1450Hz的振動頻率時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的每秒鐘計(jì)數(shù)是平均小于或等于一個(gè)平均 背景值的116%。
3.如權(quán)利要求2所述的輻射檢測器裝置，進(jìn)一步包括一個(gè)光學(xué)界面，該光學(xué)界面被連 接在該閃爍裝置與該光傳感器之間。
4.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求3所述的輻射檢測器裝置，其中該光學(xué)界面特征在于小于 約IO15Ohm-Cm的表面電阻率。
5.如權(quán)利要求5所述的輻射檢測器裝置，其中，該光學(xué)界面特征在于小于或等于約 IO9Ohm-Cm的表面電阻率。
6.如權(quán)利要求5所述的輻射檢測器裝置，其中，該光學(xué)界面特征在于小于或等于約 IO3Ohm-Cm的表面電阻率。
7.如權(quán)利要求1、權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的輻射檢測器裝置，其中該光學(xué)界面是 電學(xué)接地的。
8.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求3所述的輻射檢測器裝置，其中該光學(xué)界面包括一種聚合 物以及一種導(dǎo)體。
9.如權(quán)利要求8所述的輻射檢測器裝置，其中，該導(dǎo)體包括一個(gè)導(dǎo)電性的涂層或一個(gè) 導(dǎo)電性的連接的特征中的至少一個(gè)。
10.如權(quán)利要求9所述的輻射檢測器裝置，其中，該光學(xué)界面包括一個(gè)透明的或半透 明的基底并且其中該基底的至少一個(gè)表面是至少部分地涂覆有該導(dǎo)電性的涂層的，該導(dǎo) 電性的涂層特征在于小于約IO15Ohm-Cm的表面電阻率。
11.如權(quán)利要求10所述的輻射檢測器裝置，其中，該導(dǎo)電性的涂層包括一種聚合物。
12.如權(quán)利要求11所述的輻射檢測器裝置，其中，該導(dǎo)電性的涂層包括聚(3，4-乙 烯二氧噻吩)。
13.如權(quán)利要求10所述的輻射檢測器裝置，其中，在該基底的各個(gè)表面上的導(dǎo)電性的 涂層特征在于從約0.5 μ m至約4 μ m的平均厚度。
14.如權(quán)利要求10所述的輻射檢測器裝置，其中，在該基底的各個(gè)表面上的導(dǎo)電性的涂層特征在于該基底的厚度的從約0.03%至約0.25%的平均厚度。
15.如權(quán)利要求9所述的輻射檢測器裝置，其中，該導(dǎo)電性的連接的特征包括一種金 屬材料。
16.如權(quán)利要求15所述的輻射檢測器裝置，其中，該金屬材料包括與該光學(xué)界面整合 的一種接線物品。
17.如權(quán)利要求16所述的輻射檢測器裝置，其中該接線物品包括一種接線網(wǎng)。
18.如權(quán)利要求17所述的輻射檢測器裝置，其中該光學(xué)界面的一個(gè)表面至少部分地接 觸該閃爍裝置。
19.如權(quán)利要求17所述的輻射檢測器裝置，其中該接線網(wǎng)特征在于從約10μ m至約 50 μ m的平均絲直徑。
20.如權(quán)利要求17所述的輻射檢測器裝置，其中，該接線網(wǎng)包括多個(gè)縫隙并且其中每 個(gè)縫隙特征在于從約250 μ m至約750 μ m的平均尺寸。
21.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求3所述的輻射檢測器裝置，其中，該光學(xué)界面包括一種 導(dǎo)電性的有機(jī)硅材料，該材料特征在于小于IO15Ohm-Cm的表面電阻率。
22.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求3所述的輻射檢測器裝置，其中，該光學(xué)界面包括一種 導(dǎo)電性的環(huán)氧樹脂材料，該材料特征在于小于約IO15Ohm-Cm的表面電阻率。
23.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求3所述的輻射檢測器裝置，其中該光學(xué)界面被適配為 減少從該光學(xué)界面相對于該輻射檢測器裝置的至少一個(gè)其他的元件的運(yùn)動產(chǎn)生的靜電放 H1^ ο
24.如權(quán)利要求23所述的輻射檢測器裝置，其中該輻射檢測器裝置的至少一個(gè)其他的 元件包括該光傳感器的一個(gè)外殼、該光傳感器的一個(gè)輸入窗口、該閃爍裝置、該閃爍裝 置的一個(gè)外殼、該閃爍裝置的一個(gè)輸出窗口、或它們的任一組合。
25.如權(quán)利要求2所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)從約50Hz至約1450Hz的振動頻率 施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的一個(gè)每秒鐘峰計(jì)數(shù)值是小于該平 均背景值的200%。
26.如權(quán)利要求25所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)從約50Hz至約1450Hz的振動頻 率施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的一個(gè)每秒鐘峰計(jì)數(shù)值是小于該 平均背景值的150%。
27.如權(quán)利要求26所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)從約50Hz至約1450Hz的振動頻 率施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的一個(gè)每秒鐘峰計(jì)數(shù)值是小于該 平均背景值的125%。
28.如權(quán)利要求2所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)大于780Hz的振動頻率施加在該輻 射檢測器裝置上時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的每秒鐘計(jì)數(shù)包括至少一個(gè)小于或等于該平均 背景值的約116.0%的每秒鐘計(jì)數(shù)值。
29.如權(quán)利要求2所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)施加在該輻射檢測器裝置上的振動 頻率是在該輻射檢測器裝置的共振頻率范圍之內(nèi)時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的每秒鐘峰計(jì) 數(shù)值是小于或等于該平均背景值的200%。
30.如權(quán)利要求29所述的輻射檢測器裝置，其中該范圍是100Hz。
31.如權(quán)利要求29所述的輻射檢測器裝置，其中該共振頻率是約975Hz。
32.如權(quán)利要求31所述的輻射檢測器裝置，其中該范圍是從900Hz至1000Hz。
33.如權(quán)利要求2所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)從約50Hz至約1450Hz的振動頻率 施加在該輻射檢測器裝置上時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的每秒鐘計(jì)數(shù)當(dāng)施加在該輻射檢測 器裝置上的振動頻率是在該輻射檢測器裝置的共振頻率范圍之內(nèi)時(shí)是小于由該光子計(jì)數(shù) 器記錄的每秒鐘計(jì)數(shù)的一個(gè)平均值的150%。
34.如權(quán)利要求2所述的輻射檢測器裝置，其中當(dāng)施加在該輻射檢測器裝置上的振動 頻率是在該輻射檢測器裝置的共振頻率的范圍之內(nèi)時(shí)，由該光子計(jì)數(shù)器記錄的每秒鐘計(jì) 數(shù)不會從該平均背景值上變化超過約20.0%。
35.將一個(gè)導(dǎo)電性的涂層施加在硅橡膠上的一種方法，該方法包括用一種導(dǎo)電性的聚合物至少部分地涂覆拋光的基底的一個(gè)表面；將硅橡膠和固化劑的一種未固化的混合物施加在該至少部分涂覆的表面上；固化該硅橡膠；并且將該固化的硅橡膠從該基底上分離開，其中該導(dǎo)電性的聚合物是沉積在該分離的、 固化的硅橡膠的一個(gè)表面上的。
36.—種物品，包括固化的硅橡膠并且具有多個(gè)表面，其中一個(gè)導(dǎo)電性的聚合物至少 部分地涂覆該多個(gè)表面中的至少一個(gè)并且其中該物品特征在于小于IO15Ohm-Cm的表面電 阻率。
37.如權(quán)利要求35所述的方法或如權(quán)利要求36所述的物品，其中該導(dǎo)電性的聚合物 是透明的或半透明的。
38.如權(quán)利要求35所述的方法或如權(quán)利要求36所述的物品，其中該導(dǎo)電性的聚合物 包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)。
39.如權(quán)利要求35-38中的任一項(xiàng)所述的方法或物品，其中該固化的硅橡膠被適配為 將其用作一個(gè)輻射檢測器裝置中的一個(gè)光學(xué)界面。
40.如權(quán)利要求39所述的方法或物品，其中，該光學(xué)界面特征在于小于或等于 IO9Ohm-Cm的表面電阻率。
41.如權(quán)利要求40所述的方法或物品，其中，該光學(xué)界面特征在于小于或等于 IO3Ohm-Cm的表面電阻率。
42.如權(quán)利要求35所述的方法或如權(quán)利要求36所述的物品，其中該固化的硅橡膠被 適配為用在至少一個(gè)有機(jī)電子裝置中。
43.如權(quán)利要求42所述的方法或物品，其中該至少一個(gè)有機(jī)電子裝置包括一種有機(jī)發(fā) 光二極管、一種有機(jī)視覺顯示器或一種有機(jī)光電子裝置。
44.如權(quán)利要求43所述的方法或物品，其中該有機(jī)光電子裝置包括一種太陽能電池或 一種波克爾斯盒。
45.如權(quán)利要求35所述的方法，其中該基底包括玻璃。
46.如權(quán)利要求35所述的方法，其中該基底包括一種塑料材料。
47.如權(quán)利要求35所述的方法，其中將該表面通過以下方式用導(dǎo)電性的聚合物至少部 分地涂覆，這些方式包括噴涂、旋壓、擦刷、浸漬、印刷、軋制、或它們的任一組合。
48.如權(quán)利要求35所述的方法，進(jìn)一步包括通過一種物品將該未固化的混合物固定在 該表面上，該物品被適配為不粘附到該未固化的硅橡膠或該固化的硅橡膠上。
49.如權(quán)利要求35所述的方法，其中該基底表面特征在于小于約2μ m的平均均方根粗糙度。
50.如權(quán)利要求49所述的方法，其中該基底表面特征在于小于約500nm的平均均方 根粗糙度。
51.如權(quán)利要求35所述的方法，其中，將該導(dǎo)電性的聚合物以一種圖案施加在該基底上。
52.如權(quán)利要求51所述的方法，其中，該圖案包括一個(gè)或多個(gè)點(diǎn)、一條或多條線、或 它們的一個(gè)組合。
53.如權(quán)利要求51所述的方法，其中，將該導(dǎo)電性的聚合物通過包括該圖案的一個(gè)掩 膜施加在該基底上。
54.如權(quán)利要求35所述的方法，其中將該導(dǎo)電性的聚合物以從約0.5μ m至約4 μ m的 厚度施加在該基底上。
55.如權(quán)利要求35所述的方法，進(jìn)一步包括，在用該導(dǎo)電性的聚合物至少部分地涂覆 該基底的表面之后，將該導(dǎo)電性的聚合物和該基底加熱以去除一種溶劑。
56.如權(quán)利要求55所述的方法，其中該溶劑包括一種有機(jī)溶劑、一種無機(jī)溶劑、或它 們的一個(gè)組合。
57.如權(quán)利要求56所述的方法，其中，該溶劑包括水、至少一種醇、或它們的一個(gè)組合。
58.如權(quán)利要求57所述的方法，其中，該溶劑包括異丙醇、聚乙烯醇、或它們的一個(gè)組合。
59.如權(quán)利要求35所述的方法，進(jìn)一步包括在將該固化的硅橡膠從該基底上分離開之 前，冷卻該固化的硅橡膠。
全文摘要
在此披露了一種輻射檢測器裝置并且它包括具有一個(gè)閃爍體晶體的一個(gè)閃爍裝置。該輻射檢測器裝置還包括一個(gè)光傳感器。此外，該輻射檢測器裝置包括在該閃爍裝置與該光傳感器之間連接的一個(gè)光學(xué)界面。這個(gè)光學(xué)界面是導(dǎo)電性的。
文檔編號G01T1/20GK102016638SQ200980114824
公開日2011年4月13日 申請日期2009年5月6日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月6日
發(fā)明者J·M·弗蘭克, P·R·蒙格, R·加斯帕 申請人:圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司