專利名稱：物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種對物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)進(jìn)行測定的裝置。
背景技術(shù)：
物質(zhì)的表面電位、表面電荷總量、表面電荷密度、表面電場強(qiáng)度和比表面 積等表面性質(zhì)不僅在膠體與界面科學(xué)、材料科學(xué)、生命科學(xué)、土壤科學(xué)、生態(tài) 與環(huán)境科學(xué)等領(lǐng)域的科學(xué)研究中有廣泛應(yīng)用，而且在造紙、水泥、陶瓷、化學(xué) 機(jī)械研磨、煤漿、涂料、化妝品、食品工業(yè)、混合分散體系等化學(xué)工程領(lǐng)域也 有著廣泛的應(yīng)用，因此，對上述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)的測定顯得尤為重要。
現(xiàn)有技術(shù)中，對于物質(zhì)表面電荷總量的測定，普遍采用指示離子吸附法和
電位滴定法，而采用離子吸附法，必須首先獲知在IT或OH-的吸附總量中，有 多少是參與靜電吸附的，但由于H+和OH-還參與化學(xué)鍵的吸附，無法預(yù)知參與 靜電吸附的吸附量，因此該方法不能測定一個(gè)含有可變電荷的體系在任意pH 值、任意電解質(zhì)濃度和任意溫度下的表面電荷總量;電位滴定法不僅不適合于含 有永久電荷體系的電荷總量的測定，而且即使是可變電荷體系，其可靠性也一 直是個(gè)疑問，因此目前還沒有適用于不同條件和不同體系中物質(zhì)表面電荷總量 的通用測定方法，更沒有對此進(jìn)行測定的任何分析儀器。
現(xiàn)有技術(shù)中對電荷密度進(jìn)行測定的方法之一是基于如下公式
0 s
式中，w是表面電荷密度，z;是表面電荷總量，s是比表面積。
由于該方法中需要表面電荷總量這一參數(shù)，所以表面電荷總量測定中的問 題在表面電荷密度測定中一定存在。不僅如此，基于上式的表面電荷密度測定中，我們還需要一個(gè)比表面積的測定數(shù)據(jù)。然而，不同的比表面積測定方法， 其測定結(jié)果存在很大的差異。所以， 一個(gè)依賴于比表面積這一參數(shù)的表面電荷 密度測定方法，其結(jié)果的可靠性難以把握。
現(xiàn)有技術(shù)中表面電荷密度測定的方法之二是，在得到物質(zhì)的表面電位值后，
利用Gouy-Chapman的相關(guān)公式可間接地獲得表面電荷密度值。但因目前還沒 有一個(gè)廣泛適用的表面電位的準(zhǔn)確測定方法。所以，目前表面電荷密度測定的 這一方法的應(yīng)用仍然存在困難。
因此現(xiàn)有技術(shù)中沒有對表面電荷密度進(jìn)行測定的任何分析儀器。
現(xiàn)有技術(shù)中電場強(qiáng)度基于下式進(jìn)行測定
五0 =——
式中五。是表面電場強(qiáng)度，s是介質(zhì)介電常數(shù)，水的e-8.9xlO"GC々Jdm。由 于對表面電荷密度的依賴，表面電場強(qiáng)度測定中存在與表面電荷密度測定相同 的問題?，F(xiàn)有技術(shù)中也沒有測定表面電場強(qiáng)度的任何分析儀器。
現(xiàn)有技術(shù)中，對于物質(zhì)比表面積的測定，已有多種測定方法，如通常采用 的惰性氣體吸附法、離子負(fù)吸附法、乙二醇乙醚吸附法或甘油吸附法等等。但 同一種物質(zhì)采用這些不同的測定方法，其結(jié)果往往相差十分懸殊。但依據(jù)惰性 氣體吸附法已經(jīng)開發(fā)出了比表面積測定儀，但該儀器不適合用于膨脹性物質(zhì)的 比表面積、測t。
本申請中的物質(zhì)表面電位定義為雙電層中擴(kuò)散層起始面或OHP (外 Helmholtz面)上的電位。現(xiàn)有技術(shù)中的物質(zhì)表面電位的測定方法，包括電荷密 度法、負(fù)吸附法、正吸附法、二級(jí)共振發(fā)生法、pH指示分子法、熒光發(fā)生法、 原子力顯微法和Zeta電位法等。所有這些方法都有自己的局限性。電荷密度法、 負(fù)吸附方法、正吸附法和二級(jí)共振發(fā)生法都只適合于中性條件下、單一電解質(zhì) 體系的恒電荷樣品的表面電位值測定。pH指示分子法、熒光測定法和原子力顯 微法將對物質(zhì)表面本身的狀態(tài)產(chǎn)生破壞，所以其測定結(jié)果的可靠性往往難以把 握。除Zeta電位法外，人們還沒有利用其他方法開發(fā)出表面電位測定儀。雖然Zeta電位儀已經(jīng)廣泛使用，但Zeta電位法測定的并不是表面電位，它是電泳過 程中剪切面(或滑動(dòng)面)上的電位，而剪切面通常遠(yuǎn)離這里所定義的表面。Zeta 電位可以在不同的pH、電解質(zhì)和溫度條件下進(jìn)行測定，所以，正因?yàn)槟壳皼]有 在各種條件下廣泛適用的、準(zhǔn)確的表面電位測定方法，目前人們只能把Zeta電 位作為表面電位的代用品。但近年來的大量研究已經(jīng)表明，用Zeta電位法測定 表面電位，通常只具有定性的意義。除此之外，Zeta電位法對測定對象的條件 要求非?？量?，即它要求膠體懸液的顆粒密度不能太高，而顆粒的粒徑也不能 太大。即使是美國Colloidal Dynamics公司新推出的Zetaprobe型Zeta電位儀的 最高顆粒密度也僅僅為60% (體積密度)。所以根本無法實(shí)現(xiàn)密度更高的體系， 或固體顆粒物質(zhì)的"原態(tài)"測定。
綜上所述，目前對于物質(zhì)表面電荷總量、比表面積和物質(zhì)表面電位的測定， 沒有可靠、廣泛適用的方法，而分別依賴于物質(zhì)表面電荷總量、比表面積測定 結(jié)果的物質(zhì)表面電場強(qiáng)度、表面電荷密度的測定也因此具有同樣的缺陷?，F(xiàn)有 技術(shù)中更沒有能對上述5個(gè)參數(shù)進(jìn)行聯(lián)合測定的裝置。

實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此，為了解決上述問題，本實(shí)用新型提供一種物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù) 檢測裝置，能對特定電解質(zhì)體系內(nèi)的待測物進(jìn)行物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測。
本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù);險(xiǎn)測裝置，所述物質(zhì) 表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置包括離子檢測電極、溫度傳感器和信號(hào)處理電路，所述 離子檢測電極、溫度傳感器與信號(hào)處理電路電連接；所述離子檢測電極包括氫 離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極和一價(jià)金屬陽離子檢測電極，所述信 號(hào)處理電路包括處理器和3個(gè)毫伏計(jì)，所述3個(gè)毫伏計(jì)的輸入端分別與氬離子 檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極或一價(jià)金屬陽離子檢測電極的輸出端電連 接，所述3個(gè)毫伏計(jì)的輸出端與處理器電連接。
進(jìn)一步，所述二價(jià)金屬陽離子檢測電極為鈣離子檢測電極或鎂離子檢測電
6極，所述一價(jià)金屬陽離子檢測電極為鈉離子檢測電極或鉀離子檢測電極；
進(jìn)一步，所述離子檢測電極為一體設(shè)置的鈣離子檢測電極、鉀離子檢測電
才及和氫離子斥企測電才及；
進(jìn)一步，所述信號(hào)處理電路還包括pH運(yùn)算器、鈉離子活度運(yùn)算器和鈣離 子活度運(yùn)算器，所述pH運(yùn)算器連接于與氫離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理 器之間，所述鉀離子活度運(yùn)算器連接于與鉀離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理 器之間，所述鈣離子活度運(yùn)算器連接于與鈣離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理 器之間；
進(jìn)一步，所述信號(hào)處理電路還包括信號(hào)預(yù)處理電路，所述信號(hào)預(yù)處理電路 包括放大器、濾波器和/或A/D轉(zhuǎn)換器；
進(jìn)一步，所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括顯示裝置，所述顯示裝置 與信號(hào)處理電路通過I/O接口連接；
進(jìn)一步，所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括輸入裝置，所述輸入裝置 與信號(hào)處理電路通過I/O接口連接；
進(jìn)一步，所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括樣品容納裝置，所述樣品 容納裝置上設(shè)置有進(jìn)液管和出液管，樣品容納裝置內(nèi)還設(shè)置有攪拌裝置；離子 檢測電極和溫度傳感器設(shè)置于所述樣品容納裝置內(nèi)。
本實(shí)用新型的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，通過離子檢測電極和毫伏計(jì)測 定電解質(zhì)體系內(nèi)氫離子和指示電解質(zhì)離子相應(yīng)的電位值，處理器對電位值進(jìn)行 處理后獲得各指示電解質(zhì)離子平衡濃度，處理器獲取電解質(zhì)體系溫度，結(jié)合各 指示電解質(zhì)離子平衡濃度運(yùn)算獲得物質(zhì)表面電位，并可在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步獲得 物質(zhì)表面電荷總量、表面電荷密度、表面電場強(qiáng)度和比表面積；本實(shí)用新型結(jié) 構(gòu)簡單，克服了現(xiàn)有技術(shù)中不能準(zhǔn)確測定物質(zhì)表面電位、電荷總量、表面電荷 密度、表面電場強(qiáng)度和比表面積的缺陷；在進(jìn)一步技術(shù)方案中，選擇鈣離子檢 測電極、鉀離子檢測電極和氮離子檢測電極作為離子檢測電極，即該方案能對 以鈣離子和鉀離子作為指示電解質(zhì)的特定電解質(zhì)體系內(nèi)的待測物表面性質(zhì)進(jìn)行測定，采用鈣離子和鉀離子作為指示電解質(zhì)具有最佳的檢測效果。
本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)，和特征在某種程度上將在隨后的說明書中 進(jìn)行闡述，并且在某種程度上，基于對下文的考察研究對本領(lǐng)域技術(shù)人員而言 將是顯而易見的，或者可以從本實(shí)用新型的實(shí)踐中得到教導(dǎo)。本實(shí)用新型的目 標(biāo)和其他優(yōu)點(diǎn)可以通過下面的說明書，權(quán)利要求書，以及附圖中所特別指出的 結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。


為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)描述
圖1示出了物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2示出了樣品容納裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下將參照附圖，對本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。
參見圖1，本實(shí)施例的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置包括離子檢測電極11、 溫度傳感器12和信號(hào)處理電路，所述離子檢測電極ll、溫度傳感器12與信號(hào) 處理電路電連接；所述離子檢測電極ll包括氫離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子 檢測電極和一價(jià)金屬陽離子檢測電極，上述檢測電極是由相應(yīng)離子選擇電極和 的參比電極組成，根據(jù)檢測所采用的指示電解質(zhì)不同，所述二價(jià)金屬陽離子檢 測電極可選用鉤離子檢測電極或鎂離子檢測電極，所述一價(jià)金屬陽離子檢測電 極可選用鈉離子檢測電極或鉀離子檢測電極，最佳的，采用鈣離子和鉀離子作 為指示電解質(zhì)，相應(yīng)的，離子檢測電極11采用一體設(shè)置的鈣離子檢測電極、鉀 離子檢測電極和氬離子檢測電極。
所述信號(hào)處理電路包括信號(hào)預(yù)處理電路、處理器22和3個(gè)毫伏計(jì)23,所 述3個(gè)毫伏計(jì)23分別接收氫離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極或一價(jià)金
8屬陽離子檢測電極的輸出信號(hào)，處理后輸出到處理器22;所述處理器22可選 用可編程的單片機(jī)或DSP等現(xiàn)有的處理裝置，用于對接收的信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算、處 理，以采用鈣離子和鉀離子作為指示電解質(zhì)為例，在處理器22中編程實(shí)現(xiàn)鈣離 子、鉀離子及氫離子濃度的計(jì)算，并結(jié)合溫度，對物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)進(jìn)行運(yùn)算； 所述信號(hào)預(yù)處理電路可根據(jù)需要，設(shè)置放大器、濾波器和/或A/D轉(zhuǎn)換器，對檢 測器件測得的電信號(hào)進(jìn)行^t大、濾波和/或信號(hào)轉(zhuǎn)換。
為減低處理器22編程復(fù)雜度，提高處理效率，還可在信號(hào)處理電路中使用 現(xiàn)有的pH運(yùn)算器24、鉀離子活度運(yùn)算器25和鈣離子活度運(yùn)算器26,所述pH 運(yùn)算器24連接于與氫離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理器22之間，所述鉀離 子活度運(yùn)算器25連接于與鉀離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理器22之間，所 述鈣離子活度運(yùn)算器26連接于與鈣離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理器22之 間；這樣，處理器22可編程實(shí)現(xiàn)如下運(yùn)算
處理器接收pH運(yùn)算器23、鉀離子活度運(yùn)算器25和鈣離子活度運(yùn)算器26 獲得的Na+、 Ca"和lT的活度值aw ^和flc。，將它們作為相應(yīng)離子濃度的初 始值，通過以下步驟進(jìn)行迭代運(yùn)算，得到K+、 Ca"和HT的活度系數(shù)和濃度，迭 代到第/=壯1次，當(dāng)(U0/A+i0.001時(shí)，終止迭代運(yùn)算
a)將^、 ^和化作為初始值，通過以下式運(yùn)算，得到體系的離子強(qiáng)度
式中/,.是第/次迭代時(shí)的離子強(qiáng)度，單位mo1/1， c,是第/次迭代時(shí)的H" 濃度，C是第/次迭代時(shí)的K+濃度，c尸。是第/次迭代時(shí)的C,濃度；
b)根據(jù)離子強(qiáng)度，通過下式計(jì)算得到Na+、 CaS+和tT的活度系數(shù)
<formula>formula see original document page 9</formula>式中》"、y,和y,c"分別是第/次迭代時(shí)tf、 K+和Cah的活度系數(shù)，r是溫 度，單位K;
c)根據(jù)步驟b)所得活度系數(shù)，通過下式計(jì)算得到K+、 Ca"和IT的平衡 濃度值
<formula>formula see original document page 10</formula>式中，c,、 c/和c尸"分別是第/次迭代時(shí)tT、 K+和Ca"的平衡離子濃
度；
將上述最后一次迭代運(yùn)算的結(jié)果所得的Na+和Ca"的平衡離子濃度及溫度 傳感器獲得的溫度代入下式進(jìn)行運(yùn)算，獲得物質(zhì)表面電位p。
<formula>formula see original document page 10</formula>式中，p。是物質(zhì)表面電位，i 是氣體常數(shù)，T是溫度，F(xiàn)是Faraday常數(shù)， c/是開始加入KC1時(shí)體系的K+的濃度，cC是開始加入CaCl2時(shí)體系的Ca2+
的濃度，《是K+的平衡濃度值，《。是Ca"的平衡濃度值，&是含"1^+€32+" 的體系中與K+水化半徑有關(guān)的K+的相對有效電荷系數(shù)；"0 是含"&++0&2+"的體 系中與Ca"水化半徑有關(guān)的Ca"的相對有效電荷系數(shù)，利用迭代運(yùn)算中離子強(qiáng) 度的最后值/,由下式計(jì)算有效電荷系數(shù)<formula>formula see original document page 10</formula>
根據(jù)所得表面電位值，通過下式計(jì)算物質(zhì)的比表面積<formula>formula see original document page 10</formula>
式中，F(xiàn)是水的總體積，單位1; S是比表面積，單位dm2/g; ;c是Debye-Htickel參數(shù)，單位dm-1，并由下式計(jì)算
<formula>formula see original document page 11</formula>
式中，e是介質(zhì)介電常數(shù)，水的e=8.9xlO-1QC2/Jdm; 根據(jù)所得表面電位值，通過下式計(jì)算物質(zhì)的表面電荷密度
<formula>formula see original document page 11</formula>
式中(To是表面電荷密度，其符號(hào)與表面電位的符號(hào)相同，單位C/dm2。 根據(jù)所得表面電荷密度，通過下式計(jì)算物質(zhì)的表面電場強(qiáng)度
<formula>formula see original document page 11</formula>
式中五o是物質(zhì)表面電場強(qiáng)度，單位V/dm 根據(jù)5)所得表面電荷密度和比表面積，通過下式計(jì)算表面電荷總量
rc = s x cr。
式中7;是物質(zhì)的表面電荷總量，單位c/g。
還設(shè)置有顯示裝置31和輸入裝置32，顯示裝置31和輸入裝置32分別通 過i/0接口與處理器22連接，輸入裝置32可以是鍵盤、按鈕、旋鈕等，用于 輸入數(shù)據(jù)和進(jìn)行控制操作，顯示裝置31用于顯示檢測結(jié)果。
參見圖2，所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括樣品容納裝置4，所述樣 品容納裝置4上設(shè)置有進(jìn)液管41和出液管42,進(jìn)液管41和出液管42與恒流 泵連接，樣品容納裝置4內(nèi)還設(shè)置有攪拌裝置43;離子檢測電極ll和溫度傳 感器12設(shè)置于所述樣品容納裝置4內(nèi)。
采用本實(shí)施例對待測物表面性質(zhì)參數(shù)進(jìn)行;險(xiǎn)測的方法如下
1)對待測物表面進(jìn)行飽和處理，具體包括如下步驟
11 )取3-5g待測樣品裝入樣品容納裝置，用0.1mol/l的HC1溶液150-250ml,
以lml/min的流速勻速流過待測物，使待測物表面電荷全^皮tf和CT所飽和；亦可采用HN03等其他酸溶液對待測樣品進(jìn)行飽和處理；
12) 用150-250ml水以lml/min的流速勻速流過待測物，洗去多余的W和
cr;
13) 用恒流泵抽去待測物中的間隙水，直至無水流出為止。
2)向樣品池中加入已知濃度的NaCl、 HC1 (或NaOH)和CaCV混合溶液 50ml,充分?jǐn)嚢韬蠓胖?、平?4小時(shí)以上；其中NaCl和CaCl2作為指示電解 質(zhì)，HC1和NaOH用于調(diào)節(jié)pH值；上述各電解質(zhì)濃度可根據(jù)研究者的要求而 確定，但以平衡時(shí)體系離子強(qiáng)度控制在0.2mol/l以內(nèi)為宜。本步驟中亦可采用 其他指示電解質(zhì)，但指示電解質(zhì)至少為兩種，包括至少一種二價(jià)金屬陽離子和 一種一價(jià)金屬陽離子，所述指示電解質(zhì)的陰離子應(yīng)與步驟11 )中所述酸的陰離 子與相同，如步驟ll)中釆用HN03溶液對待測樣品表面進(jìn)行飽和處理，則本 步驟中可對應(yīng)地采用KN03和Ca(N03)2作為指示電解質(zhì)，采用HN03和KOH 用于調(diào)節(jié)pH值。
以下以使用HC1溶液對待測樣品表面進(jìn)行飽和處理， <吏用NaCl和CaCl2 作為指示電解質(zhì)為例對本方法進(jìn)行說明
3 )待步驟2 )所得混合物離子交換平衡后(即連續(xù)攪拌下平衡24小時(shí)以 上；在非攪拌條件下平衡時(shí)間要求至少72小時(shí)，并根據(jù)樣品類型，平衡時(shí)間還 會(huì)有差異，但所屬技術(shù)領(lǐng)域人員不難確定該時(shí)間)，即可采用本實(shí)施例的物質(zhì)表 面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置對所述混合物，即電解質(zhì)體系進(jìn)行檢測，獲得待測樣品的 物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)。
以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并不用于限制本實(shí)用新型，顯
用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用 新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng) 和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求1.物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征在于所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置包括離子檢測電極、溫度傳感器和信號(hào)處理電路，所述離子檢測電極、溫度傳感器與信號(hào)處理電路電連接；所述離子檢測電極包括氫離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極和一價(jià)金屬陽離子檢測電極，所述信號(hào)處理電路包括處理器和3個(gè)毫伏計(jì)，所述3個(gè)毫伏計(jì)的輸入端分別與氫離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極或一價(jià)金屬陽離子檢測電極的輸出端電連接，所述3個(gè)毫伏計(jì)的輸出端與處理器電連接。
2. 如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)^r測裝置，其特征在于所述二 價(jià)金屬陽離子檢測電極為鈣離子檢測電極或鎂離子檢測電極，所述一價(jià)金屬陽 離子檢測電極為鈉離子檢測電極或鉀離子檢測電極。
3. 如權(quán)利要求2所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征在于所述離 子檢測電極為一體設(shè)置的4丐離子檢測電極、鉀離子檢測電極和氫離子檢測電極。
4. 如權(quán)利要求3所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征在于所述信 號(hào)處理電路還包括pH運(yùn)算器、鐘離子活度運(yùn)算器和鈣離子活度運(yùn)算器，所述 pH運(yùn)算器連接于與氬離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理器之間，所述鉀離子活 度運(yùn)算器連接于與鉀離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理器之間，所述鈣離子活 度運(yùn)算器連接于與鉤離子檢測電極連接的毫伏計(jì)與處理器之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征在于所述信 號(hào)處理電路還包括信號(hào)預(yù)處理電路，所述信號(hào)預(yù)處理電路包括放大器、濾波器 和/或A/D轉(zhuǎn)換器。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征 在于所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括顯示裝置，所述顯示裝置與信號(hào) 處理電路通過I/O接口連接。
7. 如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征在于所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括輸入裝置，所述輸入裝置與信號(hào) 處理電路通過I/O接口連接。
8.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，其特征 在于所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置還包括樣品容納裝置，所述樣品容納裝 置上設(shè)置有進(jìn)液管和出液管，樣品容納裝置內(nèi)還設(shè)置有攪拌裝置；離子檢測電 極和溫度傳感器設(shè)置于所述樣品容納裝置內(nèi)。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置，能對特定電解質(zhì)體系內(nèi)的待測物進(jìn)行物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測；本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的，所述物質(zhì)表面性質(zhì)參數(shù)檢測裝置包括離子檢測電極、溫度傳感器和信號(hào)處理電路，所述離子檢測電極、溫度傳感器與信號(hào)處理電路電連接；所述離子檢測電極包括氫離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極和一價(jià)金屬陽離子檢測電極，所述信號(hào)處理電路包括處理器和3個(gè)毫伏計(jì)，所述3個(gè)毫伏計(jì)的輸入端分別與氫離子檢測電極、二價(jià)金屬陽離子檢測電極或一價(jià)金屬陽離子檢測電極的輸出端電連接，所述3個(gè)毫伏計(jì)的輸出端與處理器電連接。
文檔編號(hào)G01N27/60GK201344918SQ20092012608
公開日2009年11月11日 申請日期2009年1月12日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月12日
發(fā)明者捷 侯, 吳勞生, 朱華玲, 航 李 申請人:西南大學(xué)