專利名稱：探針卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于半導體工藝中的測試裝置，涉及一種用于晶片電性測試的 探針卡。
背景技術(shù)：
在半導體工藝中，晶片經(jīng)過切割、刻蝕、離子注入以及退火等一系列工序 之后形成產(chǎn)品，產(chǎn)品在封裝之前，需要對產(chǎn)品的多項電性參數(shù)進行測試以判斷 產(chǎn)品是否合格，而只有測試合格的產(chǎn)品才會進行下一步驟的封裝，目前，用于
測試產(chǎn)品的電性參數(shù)的裝置是探針卡，現(xiàn)有技術(shù)中的揮:針卡包含5個探針，其 中一個探針放置于晶片的柵極區(qū)，其他的四個探針都放置于晶片的漏極區(qū)，漏 極區(qū)的四個探針彼此之間形成一個正方形，柵極區(qū)的探針和漏極區(qū)四個探針中 的一個探針形成一個回路，通上電流之后，連接測試設(shè)備便可以進行電性參數(shù) 的測試，而漏極區(qū)的其他三個探針則起到穩(wěn)定平衡的作用，避免探針卡在測試 過程中左搖右擺，影響測試的精度，漏極區(qū)的四個探針到底選擇哪一個探針作 為通電流測試的探針，工作人員可以通過測試設(shè)備進行操控。
現(xiàn)有技術(shù)中的探針卡的這種布局，有很大的局限性，那就是尺寸不一樣大 或者柵極位置不相同的晶片，往往需要專門設(shè)計一種匹配這樣布局的探針卡來
檢測，圖1至圖3都是現(xiàn)有技術(shù)中探針在探測的晶片上的位置示意圖，請先參 考圖1,圖1中A區(qū)為晶片的柵極區(qū)，B區(qū)為晶片的漏極區(qū)，探針ll位于柵極 區(qū)內(nèi)，而其余四個探針12位于漏極區(qū)內(nèi)，這種探針卡用于測量圖1中的晶片是 合適的，然而，若是將它用于圖2中的晶片，則不行了，同樣的擺放過去，探 針ll很有可能不再位于柵極區(qū)內(nèi)，而跑到漏極區(qū)來了，因此，對于圖2中的晶 片的電性測試，要重新設(shè)計例如圖2中的探針的布局才行，而對于圖3,圖3的 晶片的尺寸小于圖1,在圖1中適用的探針卡，用到圖3所示的晶片中來，可能 漏極區(qū)的四個探針12會超出晶片的范圍，這是肯定不能使用的，因此，針對圖3所示的晶片也要重新設(shè)計探針卡。
由此可見，根據(jù)晶片的不同尺寸以及柵極區(qū)在晶片上所處的不同位置，需 要分別設(shè)計與其相對應(yīng)的探針卡來進行測試，如果一種產(chǎn)品做完之后，不再生 產(chǎn)了，為該產(chǎn)品設(shè)計的探針卡也就報廢了，而新產(chǎn)品到來時又需要設(shè)計與該產(chǎn) 品匹配的探針卡，這樣就造成極大的浪費，而且生產(chǎn)部在測貨選卡時也容易造 成混亂和錯誤。

實用新型內(nèi)容
為了解決以上所提到的由于測試晶片的變化而要跟著變換測試用的探針卡 的問題，本實用新型提供一種能測試多種晶片的探針卡。
為了達到上述目的，本實用新型提出一種探針卡，用于對一具有柵極區(qū)和 漏極區(qū)的晶片進作電性測試，所述探針卡包括四個探針，所述四個探針的針尖 的連線成一平行四邊形。
可選的，四個探針包括第一探針、第二探針、第三探針和第四探針，其中， 所述第一探針和第四探針的針尖的連線為所述平行四邊形的較長的對角線。
可選的，所述探針卡與晶片的連接關(guān)系為第一探針連接至所述晶片的柵 極區(qū)，其他三個探針連"^至所述晶片的漏極區(qū)。
可選的，所述晶片的漏極區(qū)的三個探針中有一個探針通電流用于測試。
可選的，所述探針卡與晶片的連接關(guān)系為第四探針連接至所述晶片的柵 極區(qū)，其他三個探針連接至所述晶片的漏極區(qū)。
可選的，所述晶片的漏極區(qū)的三個探針中有一個探針通電流用于測試。
本實用新型探針卡的有益效果為通過四個探針成平行四邊形的設(shè)計，使 得探針卡可以適用多種類型的晶片測試的問題，避免了以往對于一種新產(chǎn)品就 要設(shè)計一種探針卡用來測試的麻煩，能有效的節(jié)約成本，更能方便工廠測試使 用。


圖1至圖3是現(xiàn)有技術(shù)在不同晶片上的測試示意圖； 圖4是本實用新型探針卡的示意圖；圖5至圖7是本實用新型在不同晶片上的測試示意圖。
具體實施方式

以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型探針卡作進一步的詳細說明。 首先，請參考圖4，圖4是本實用新型探針卡的示意圖，所述探針卡用于對 一具有柵極區(qū)和漏極區(qū)的晶片進行電性測試，從圖上可以看出，所述探針卡包 括四個探針，所述四個探針的針尖的連線成一平行四邊形。四個探針分別為第 一探針ll、第二探針12、第三探針13和第四探針14，其中，所述第一探針ll 和第四探針14的針尖的連線為所述平行四邊形的較長的對角線。其中第一探11 針或者第四探針14都可以選擇放置于晶片的柵極區(qū)A用于測試，剩下的三個探 針放置于晶片的漏極區(qū)B，三個探針其中的一個探針用于通電流測試，至于選擇 哪個探針用于通電流測試，則是取決于工作人員的實際操作情況，其他的兩個 探針起到穩(wěn)定整個探針卡的作用，避免探針卡左右晃動。
優(yōu)選的，第一探針11和第二探針12之間的距離為350um,第二探針12和 第三探針13之間的距離為300um，第三探針13和第四探針14之間的距離為 350um。
接著，請參考圖5至圖7,圖5至圖7是本實用新型在不同晶片上的測試示 意圖，其中，圖5中的晶片和背景技術(shù)中的圖1中晶片一樣，圖6中的晶片和 背景技術(shù)中的圖2中晶片一樣，圖7中的晶片和背景技術(shù)中的圖3中晶片一樣， 圖5至圖7中所用的都是本實用新型的探針卡，在圖5中，柵極區(qū)位于晶片的 右上角，第四:f^針14位于所述晶片的柵極區(qū)A,其他三個4冢針位于所述晶片的 漏極區(qū)B,測試時，第三探針13中通電流，和第四探針14一起，測試晶片上的 需要的電性參數(shù)，而第一探針11和第二探針12中則不通電流，僅僅用于穩(wěn)定 平衡的作用，或者測試時，第一探針ll中通電流，和第四探針14一起，測試 晶片上的需要的電性參數(shù)，而第二探針12和第三探針13中則不通電流，僅僅 用于穩(wěn)定平衡的作用。在圖6中，柵極區(qū)A位于晶片的右下角，本實用新型同 樣適用于這種晶片，測試時，第四探針14位于所述晶片的柵極區(qū)，其他三個探 針位于所述晶片的漏極區(qū)B。在圖7中，晶片尺寸變小，柵極區(qū)A位于晶片的左 上角，所述第一探針11位于所述晶片的柵極區(qū)A,其他三個探針位于所述晶片的漏極區(qū)B,測試時，第二4笨針12中通電流，和第一探針ll一起，測試晶片上 的需要的電性參數(shù)，而第三探針13和第四探針14則不通電流，^U義用于穩(wěn)定 平衡的作用。
雖然本實用新型已以4交佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型。 本實用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本實用新型的精神和范 圍內(nèi)，當可作各種的更動與潤飾。因此，本實用新型的保護范圍當視權(quán)利要求 書所界定者為準。
權(quán)利要求1.一種探針卡，用于對一具有柵極區(qū)和漏極區(qū)的晶片進行電性測試，其特征在于所述探針卡包括四個探針，所述四個探針的針尖的連線成一平行四邊形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述一種探針卡，其特征在于四個探針包括第一探針、 第二探針、第三探針和第四探針，其中，所述第一探針和第四探針的針尖的連 線為所述平行四邊形的較長的對角線。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述一種探針卡，其特征在于所述探針卡與晶片的連接 關(guān)系為第一探針連接至所述晶片的柵極區(qū)，其他三個探針連接至所述晶片的 漏極區(qū)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述一種探針卡，其特征在于所述晶片的漏極區(qū)的三個 探針中有一個探針通電流用于測試。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述一種探針卡，其特征在于所述第四探針位于所述晶 片的柵極區(qū)，其他三個探針位于所述晶片的漏極區(qū)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述一種探針卡，其特征在于所述探針卡與晶片的連接 關(guān)系為第四探針連接至所述晶片的柵極區(qū)，其他三個探針連接至所述晶片的 漏極區(qū)。
專利摘要本實用新型提供一種探針卡，用于對一具有柵極區(qū)和漏極區(qū)的晶片進行電性測試，所述探針卡包括四個探針，所述四個探針的針尖的連線成一平行四邊形，本實用新型可以在多種尺寸和類型的晶片上進行電性測試，避免了探針卡的重復設(shè)計，降低了工廠的測試成本。
文檔編號G01R1/073GK201364347SQ20082015835
公開日2009年12月16日 申請日期2008年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月30日
發(fā)明者楊林宏, 田學艷 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司