專利名稱：絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域中的半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極型晶體管 開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的IGBT功率器件主要由金屬底層、N+襯底、硅N-外延層、P-區(qū)、P+ 區(qū)、N+區(qū)、熱氧化Si02柵氧層、多晶硅柵層、Si(U定積層、磷硅玻璃PSG淀積 層和金屬表層組成。由金屬表層充任源極、金屬底層充任漏極、多晶硅柵層充 任柵極、磷硅玻璃PSG層和LPCVD Si02層組合充任源柵隔離層，源區(qū)由位于深 層的P-區(qū)、位于中間的P+區(qū)和位于P+區(qū)外圍的環(huán)形N+區(qū)構(gòu)成。其制造工藝流 程如下
1、 在由N+襯底層(IGBT功率器件中為P+襯底層)和N-外延層構(gòu)成的基材 上以熱氧化的方式先生成一層?xùn)叛鯇?，并以LPCVD淀積的方法生長(zhǎng)一層多晶硅 柵層；
2、 以光刻、干法刻蝕方法除去覆蓋在預(yù)定源區(qū)區(qū)域范圍上的Si02柵氧層和 多晶硅柵層，并向由此呈下凹狀、暴露的N-層上注入硼后作退火、推結(jié)處理， 形成源區(qū)中涉及范圍較深的P-區(qū)；.
3、 在所述的P-區(qū)上光刻預(yù)定設(shè)置為N+區(qū)的環(huán)形區(qū)域范圍，并注入磷后作 退火、推結(jié)處理，形成源區(qū)的環(huán)形N+區(qū)；
4、 光刻位于所述的環(huán)形N+區(qū)中間的其余預(yù)定的P+區(qū)區(qū)域范圍，并注入硼 后作退火、推結(jié)處理，形成位于中間的P+區(qū)……
由于NPT IGBT特別的薄晶片工藝要求和低溫限制，因此在制造過程中形成
高效和良好的P+型集電區(qū)至關(guān)重要。這種方法制造功率器件的流程中，釆用了多次光刻、腐蝕和去除性處理，工序繁瑣，產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定，工作可靠性較差， 經(jīng)濟(jì)性和實(shí)用性方面均欠理想。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于避免上述不足而提供的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參 數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的
一種絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，包括方波信號(hào)發(fā)生器、 驅(qū)動(dòng)電路、高壓電源、專用絕緣柵雙極型晶體管插座、負(fù)載接入端、示波器， 其特征是測(cè)試系統(tǒng)由方波信號(hào)發(fā)生器、方波信號(hào)發(fā)生器控制的驅(qū)動(dòng)電路、與驅(qū) 動(dòng)電路連接的專用絕緣柵雙極型晶體管插座、與插座相連接的負(fù)載接入端、'與 負(fù)載相連的高壓電源、與插座相連的示波器構(gòu)成。
.當(dāng)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生方波信號(hào)時(shí)，絕緣柵雙極型晶體管受驅(qū)動(dòng)電路控制，此 時(shí)可以通過示波器讀出上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、開通延遲時(shí)間td(on)、關(guān)斷 延遲時(shí)間td(off)。
所述的方波信號(hào)發(fā)生器輸出信號(hào)頻率、占空比可以調(diào)節(jié)，輸出高電平為 +15V、低電平為-5V。
所述的驅(qū)動(dòng)電路是推挽式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路。
所述的絕緣柵雙極型晶體管插座是可以方便多種封裝形式的絕緣柵雙極型
晶體管插拔的插座。
所述的高壓電源是電壓可調(diào)節(jié)的高壓電源。 所述的示波器為IO畫HZ以上的雙通道可存儲(chǔ)數(shù)字示波器。
通過方便的搡作，可以在示波器直接讀出上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、開通延遲
時(shí)間td(on)、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖
詳細(xì)敘述本發(fā)明的實(shí)施例。
一種絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，包括方波信號(hào)發(fā)生器、 驅(qū)動(dòng)電路、高壓電源、專用絕緣柵雙極型晶體管插座、負(fù)載接入端、示波器， 其特征是測(cè)試系統(tǒng)由方波信號(hào)發(fā)生器、方波信號(hào)發(fā)生器控制的驅(qū)動(dòng)電路、與驅(qū) 動(dòng)電路連接的專用絕緣柵雙極型晶體管插座、與插座相連接的負(fù)載接入端、與 負(fù)載相連的高壓電源、與插座相連的示波器構(gòu)成。當(dāng)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生方波信號(hào) 時(shí)，絕緣柵雙極型晶體管受驅(qū)動(dòng)電路控制，此時(shí)可以通過示波器讀出上升時(shí)間
tr、下降時(shí)間tf、開通延遲時(shí)間td(on)、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)。所述的方波 信號(hào)發(fā)生器輸出信號(hào)頻率、占空比可以調(diào)節(jié)，輸出高電平為+15V、低電平為-5V。 所述的驅(qū)動(dòng)電路是推挽式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路。所述的絕緣柵雙極型晶體管插座 是可以方便多種封裝形式的絕緣柵雙極型晶體管插拔的插座。所述的高壓電源 是電壓可調(diào)節(jié)的高壓電源。所述的示波器為100MHZ以上的雙通道可存儲(chǔ)數(shù)字示 波器。通過方便的操作，可以在示波器直接讀出上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、開 通延遲時(shí)間td(on)、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)。
權(quán)利要求
1、一種絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，包括方波信號(hào)發(fā)生器、驅(qū)動(dòng)電路、高壓電源、專用絕緣柵雙極型晶體管插座、負(fù)載接入端、示波器，其特征是測(cè)試系統(tǒng)由方波信號(hào)發(fā)生器、方波信號(hào)發(fā)生器控制的驅(qū)動(dòng)電路、與驅(qū)動(dòng)電路連接的專用絕緣柵雙極型晶體管插座、與插座相連接的負(fù)載接入端、與負(fù)載相連的高壓電源、與插座相連的示波器構(gòu)成。當(dāng)信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生方波信號(hào)時(shí)，絕緣柵雙極型晶體管受驅(qū)動(dòng)電路控制，此時(shí)可以通過示波器讀出上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、開通延遲時(shí)間td(on)、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)。
2、 根l&權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，其特征是所述的方波信號(hào)發(fā)生器輸出信號(hào)頻率、占空比可以調(diào)節(jié)，輸出高電平為+15V、低電平為-5V。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，其特征是所述 的驅(qū)動(dòng)電路是推挽式IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，其特征是所述 的絕緣柵雙極型晶體管插座是可以方便多種封裝形式的絕緣柵雙極型晶體管插拔的插座。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，其特征是所述 的高壓電源是電壓可調(diào)節(jié)的高壓電源。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，其特征是所述 的示波器為100MHz以上的雙通道可存儲(chǔ)數(shù)字示波器。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，其特征是通過方便的操作，可以在示波器直接讀出上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、開通延遲時(shí)間td(on)、關(guān)斷延遲時(shí)間td(。fl)。
全文摘要
本發(fā)明一種絕緣柵雙極型晶體管開關(guān)時(shí)間參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，包括方波信號(hào)發(fā)生器、驅(qū)動(dòng)電路、高壓電源、專用絕緣柵雙極型晶體管插座、負(fù)載接入端、示波器，其特征是測(cè)試系統(tǒng)由方波信號(hào)發(fā)生器、方波信號(hào)發(fā)生器控制的驅(qū)動(dòng)電路、與驅(qū)動(dòng)電路連接的專用絕緣柵雙極型晶體管插座、與插座相連接的負(fù)載接入端、與負(fù)載相連的高壓電源、與插座相連的示波器構(gòu)成；使用的設(shè)備簡(jiǎn)單、制造方便，有利于降低生產(chǎn)成本，提高量產(chǎn)能力。
文檔編號(hào)G01R31/26GK101339224SQ20081013829
公開日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2008年7月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月15日
發(fā)明者乾 肖, 閆文玉 申請(qǐng)人:科達(dá)半導(dǎo)體有限公司