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放射線檢測(cè)元件及其制造方法

文檔序號(hào):5837871閱讀:123來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:放射線檢測(cè)元件及其制造方法
放射線檢測(cè)元件及其制造方法
本申請(qǐng)是1998年2月12日遞交的發(fā)明名稱為"放射線檢測(cè)元件及 其制造方法"的申請(qǐng)98800427. 5的分案申請(qǐng)
本發(fā)明涉及放射線檢測(cè)元件,特別地涉及在醫(yī)療用X射線照相等中 使用的具有大面積受光單元的放射性檢測(cè)元件。
在醫(yī)療、工業(yè)用的X射線照相中,雖然以前使用X射線感光膠片, 但從方便和照相結(jié)果的保存的角度考慮,使用放射線檢測(cè)元件的放射線 成像系統(tǒng)正日益普及。在這種放射線成像系統(tǒng)中,使用具有多個(gè)象素的 放射性檢測(cè)元件,以電信號(hào)形式取得由放射線所產(chǎn)生的二維圖像數(shù)據(jù), 在利用處理裝置處理該信號(hào)后,在監(jiān)視器上進(jìn)行顯示。典型的放射線檢 測(cè)元件是在一維或二維排列的光檢測(cè)器上配置閃爍器,由閃爍器將入射 放射線轉(zhuǎn)換成光后進(jìn)行檢測(cè)。
典型的閃爍器材料Csl是吸水性材料,它可吸收空氣中的水蒸氣(濕 氣)并溶化。結(jié)果,就出現(xiàn)閃爍器的特性尤其是解像度劣化的問(wèn)題。
作為使閃爍器免受潮氣影響的放射線檢測(cè)元件的結(jié)構(gòu),已知有特開(kāi) 平5- 196742號(hào)公報(bào)公開(kāi)的技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)在閃爍器層的上部形成不 透水的防濕保護(hù)層使閃爍器免受潮氣的影響。
然而,在該技術(shù)中,將閃爍器層外周部分的防濕保護(hù)層密合在放射 線檢測(cè)元件的基板上很困難,特別是在胸部X射線照相等中使用的大面 積的放射線檢測(cè)元件中,外周部分很長(zhǎng),防濕保護(hù)層很容易脫落,閃爍 器層不能完全密封,水分會(huì)侵入閃爍器層,具有其特性容易劣化的缺點(diǎn)。
另外,在該技術(shù)中還公開(kāi)了防濕保護(hù)層的水密層的制造方法在液 態(tài)下將硅澆注材料等涂敷在閃爍器層或涂敷在設(shè)置在放射性檢測(cè)元件的 受光面?zhèn)鹊墓怅@材料的內(nèi)側(cè)之后,在水密層干燥前將該光闌材料設(shè)置在 閃爍器層上,由此來(lái)固定水密層。釆用該制造方法,難以在表面形狀不 規(guī)則的閃爍器層上均勻地形成水密層,存在著密合性下降的可能性。這 一點(diǎn)在大面積放射線檢測(cè)元件中更容易發(fā)生。
本發(fā)明正是鑒于上述問(wèn)題而提出的,其目的在于提供具有閃爍器防濕用的、均勻且容易制造的保護(hù)膜的放射線檢測(cè)元件及其制造方法。
為了解決該課題,本發(fā)明的放射線檢測(cè)元件的特征在于包括(1 ) 受光元件陣列,系將多個(gè)受光元件在基板上一維或二維排列形成受光單 元并將與該受光單元的各行或各列的受光元件電連接的多個(gè)焊盤(pán)配置在 受光單元的外部而形成;(2 )閃爍器層,它將集聚在受光元件上的放
射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光;(3 )放射線可通過(guò)的耐濕保護(hù)膜,它由至少包含
有機(jī)膜和在其上沉積的無(wú)機(jī)膜的兩層以上的多層膜組成,至少覆蓋住閃
爍器層,并使受光元件陣列的焊盤(pán)露出;(4 )覆蓋樹(shù)脂膜,沿受光元 件陣列露出部分的邊界即邊緣用該覆蓋樹(shù)脂涂敷耐濕保護(hù)膜,使該耐濕 保護(hù)膜的邊緣密合在受光元件陣列上。
由此,入射放射線由閃爍器層轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光。通過(guò)利用一維或二維 排列的受光元件檢測(cè)該可見(jiàn)光圖像,得到與入射放射線圖像對(duì)應(yīng)的電信 號(hào)。閃爍器層具有因吸濕而劣化的性質(zhì),然而根據(jù)本發(fā)明,用耐濕保護(hù) 膜覆蓋閃爍器層,用覆蓋樹(shù)脂涂覆耐濕保護(hù)膜的邊緣,使得閃爍器層被 完全密封,與外部空氣隔離,可免受空氣中的水蒸氣的影響。而且,與 外部電路連接用的焊盤(pán)部分被露出來(lái)。
另 一 方面,本發(fā)明的放射線檢測(cè)元件的制造方法特征在于包括 (1 ),在受光元件陣列的受光元件上積層形成把放射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光 的閃爍器層,其中,將多個(gè)受光元件在基板上一維或二維排列而形成其 受光單元,將與該受光單元的各行或各列受光元件電連接的多個(gè)焊盤(pán)配
置在受光單元的外部;(2 ),形成放射線可通過(guò)的第一有機(jī)膜,該有 機(jī)膜包覆全部的受光元件陣列;(3),形成放射線可通過(guò)的耐濕保護(hù) 膜,該耐濕保護(hù)膜是在第一有機(jī)膜上沉積包含無(wú)機(jī)膜的至少一層膜,是 由兩層以上的多層膜組成;(4 ),在閃爍器層的外側(cè)上將至少包覆焊 盤(pán)的那部分耐濕保護(hù)膜切開(kāi)除去,至少使受光元件陣列的包含焊盤(pán)的區(qū) 域露出來(lái);(5),沿受光元件陣列的露出部分的邊界(即邊緣)用樹(shù) 脂涂敷耐濕保護(hù)膜,使耐濕保護(hù)膜的邊緣密合在受光元件上。
通過(guò)把整個(gè)受光元件包覆的方式形成第一有機(jī)膜,提高了閃爍器層 和有機(jī)膜的密合程度,形成均勻的膜。由于形成了均勻的耐濕保護(hù)膜, 通過(guò)除去焊盤(pán)部分上的耐濕保護(hù)膜就可使焊盤(pán)確定地露出來(lái)。而且,由于沿露出部分的邊界(即邊緣)用樹(shù)脂涂覆耐濕保護(hù)膜,使耐濕保護(hù)膜 的邊緣密合在其下的受光元件陣列的表面上,從而密封了耐濕保護(hù)膜下 面的閃爍器層。
通過(guò)下面的詳細(xì)說(shuō)明和附圖可進(jìn)一步充分理解本發(fā)明,但這些只是 示例性的,不應(yīng)認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。
本發(fā)明的其它應(yīng)用范圍可從以下的詳細(xì)說(shuō)明中得到闡明。然而,雖 然詳細(xì)說(shuō)明及特定事例示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案,但在本發(fā)明的精 神和范圍中,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可從詳細(xì)說(shuō)明中引出各種變更和改進(jìn), 這是不言而喻的。
圖l是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的俯視圖。
圖2是圖1的A - A剖面圖。 圖3 - IO是圖l所示實(shí)施方案的制造工序圖。 圖11是本發(fā)明的另一實(shí)施方案的俯視圖。 圖12是圖11的B - B剖面圖。
下面,根據(jù)


本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案。另外,為了易于理解, 對(duì)各圖中的同一構(gòu)成要素盡可能標(biāo)注同一標(biāo)號(hào),并省略重復(fù)的說(shuō)明。而 且,各附圖中的大小和形狀不一定都和實(shí)際相同,為了易于理解對(duì)某些 部位進(jìn)行了夸張放大。
圖l是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案的俯視圖,圖2是其外周部分的A -A斷面的放大圖。
首先,參照?qǐng)Dl、圖2說(shuō)明本實(shí)施方案的結(jié)構(gòu)。進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的受 光元件2被二維排列在絕緣的,例如玻璃制作的,基板1上面形成受光 單元》該受光元件2由非晶態(tài)硅制成的發(fā)光二極管(PD )和薄膜晶體管 (TFT )構(gòu)成。各行或各列的受光元件2分別由讀出信號(hào)用的信號(hào)線3 電連接。用于將信號(hào)取出到外部電路(未圖示)的多個(gè)焊盤(pán)4沿基板1 的外周邊(例如相鄰的兩個(gè)邊)配置,并通過(guò)信號(hào)線3與對(duì)應(yīng)的多個(gè)受 光元件2電連接。在受光元件2和信號(hào)線3上形成絕緣的鈍化膜5 。該 鈍化膜5最好采用氮化硅或二氧化硅。另一方面,焊盤(pán)4為了便于和外 部電路連接而露出。下面,將該基板和基板上的電路部分稱作受光元件 陣列6 。在受光元件陣列6的受光單元上形成把入射放射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光的 柱狀結(jié)構(gòu)的閃爍器7。閃爍器7可采用各種材料,最好采用發(fā)光效率高 的摻雜TL (鉈)的CsI等。在閃爍器7上,形成由X射線可透過(guò)水蒸 氣不能透過(guò)的第一有機(jī)膜8、無(wú)機(jī)膜9、第二有機(jī)膜10依次沉積的保護(hù) 膜ll。
第一有機(jī)膜8和第二有機(jī)膜10采用聚對(duì)二甲笨樹(shù)脂(ThreeBond 公司生產(chǎn)、商品名Parylene (聚對(duì)亞笨基二甲基或稱聚對(duì)二甲笨基)) 最好采用聚對(duì)氯二甲笨基(同一公司制造,商品名Parylene C )。利用 Parylene制成的涂敷膜具有水蒸氣和氣體的透過(guò)率極低、防水性、耐腐 蝕性高、電絕緣性優(yōu)良.對(duì)放射線和可見(jiàn)光透明等與有機(jī)膜8、 10相稱 的優(yōu)良特征。有關(guān)利用Parylene制成的涂料的詳細(xì)情況,記載于 《ThreeBond技術(shù)新聞》(平成4年9月23日發(fā)行)中,在此描述其特 征。
Parylene能夠和金屬的真空蒸鍍相同地在真空中利用化學(xué)氣相沉積 法(CVD )在支持體上沉積以進(jìn)行涂敷。它由如下工序構(gòu)成將原料P -二甲苯熱分解,將生成物在甲苯、笨等有機(jī)溶劑中急冷,可得到稱作 二聚物的二對(duì)二甲苯;將二聚物熱分解,可生成穩(wěn)定的自由基對(duì)二甲苯 氣體;使產(chǎn)生的氣體吸附在坯料上,聚合形成聚合分子量為約50萬(wàn)的聚 對(duì)二甲苯膜。
Parylene蒸鍍時(shí)的壓力比金屬真空蒸鍍時(shí)的壓力0.001乇高,為 0.1 ~ 0.2乇。并且,在蒸鍍時(shí),單分子膜覆蓋住被覆蓋物的全部后,才 在其上進(jìn)一步蒸鍍Parylene 。因此,能夠生成沒(méi)有微孔的均勻厚度的厚 0.2pm以上的薄膜,在液態(tài)下不可能進(jìn)行的在尖角部分、邊緣部分以及 微米量級(jí)的狹窄縫隙處的涂敷都成為可能。而且由于涂敷時(shí)不需要熱處 理,可以在接近室溫的溫度下進(jìn)行涂敷,所以不產(chǎn)生伴隨硬化而發(fā)生的 機(jī)械應(yīng)力和熱變形,還具有優(yōu)良的涂覆穩(wěn)定性。而且,還可以對(duì)幾乎所 有的固體材料進(jìn)行涂敷。
另一方面,如果無(wú)機(jī)膜9可以透過(guò)X射線,則能夠使用對(duì)可見(jiàn)光透 明、不透明或反射等的各種材料,能夠使用Si、 Ti、 Cr的氧化膜和金、 銀、鋁等的金屬薄膜。尤其是若使用對(duì)可見(jiàn)光反射的膜,則由于具有防止閃爍器7發(fā)生的散光泄漏到外部而使靈敏度上升的效果,最理想。在 此,使用容易成形的Al為例進(jìn)行說(shuō)明。雖然Al本身在空氣中容易腐蝕, 但由于無(wú)機(jī)膜9被第一有機(jī)膜8和第二有機(jī)膜10夾著,所以可受到保護(hù) 而不受腐蝕。
該保護(hù)膜11的外周,在受光單元的外周和受光元件陣列6的外周之 間并延伸到焊盤(pán)4內(nèi)側(cè),焊盤(pán)4露出以用于與外部電路連接。這樣,該 保護(hù)膜ll雖然由上述Parylene涂敷形成,但由于是用CVD法形成,所 以形成為覆蓋了受光元件陣列6的整個(gè)表面。因而,為使焊盤(pán)4露出, 需要切開(kāi)比焊盤(pán)4更內(nèi)側(cè)的Parylene涂覆形成的保護(hù)膜ll ,除去外部的 保護(hù)膜ll。這時(shí),保護(hù)膜11很容易從切開(kāi)的外周部分剝離。因此,在 保護(hù)膜ll的外周部分和其外邊的受光元件陣列6上的鈍化膜5上涂敷覆 蓋樹(shù)脂12進(jìn)行覆蓋。
作為覆蓋樹(shù)脂12 ,優(yōu)選采用對(duì)保護(hù)膜11和鈍化膜5粘結(jié)性優(yōu)良的 樹(shù)脂,例如丙烯酸類粘合劑的協(xié)立化學(xué)工業(yè)抹式會(huì)社生產(chǎn)的WORLD ROCK No.801-SET2 ( 70,000 cP型)。該樹(shù)脂粘合劑用700mW/cm2 的紫外線照射大約20秒就硬化,硬化膜柔韌且具有足夠的強(qiáng)度,耐潮、 耐水、耐電解性能優(yōu)良,與各種材料特別是玻璃、塑料等的粘接性良好, 具有適于用作覆蓋樹(shù)脂12的優(yōu)良特性。
下面,參照?qǐng)D3 ~ IO說(shuō)明該實(shí)施例的制造工序。如圖4所示,利用 蒸鍍法在圖3所示的受光元件陣列6的受光面上生長(zhǎng)厚為600nm的鉈摻 雜的Csl柱狀結(jié)晶而形成閃爍器7層。
形成閃爍器7的Csl吸濕性強(qiáng),如果原樣露出,會(huì)吸收空氣中的水 蒸氣而溶解。因而,為防止這種情況,利用如圖5所示的CVD法在基板 的整個(gè)表面包覆10pm厚的由Parylene形成第一有機(jī)膜8 。雖然在Csl 的柱狀晶體中有間隙,但由于Paryieiie進(jìn)入狹小的間隙中,第一有機(jī)膜 8密合在閃爍器7的層上。而且,利用Parylene涂覆,在凹凸的閃爍器7 層的表面上得到厚度均勻的致密涂覆薄膜。如上所述,由于能夠在比金 屬蒸鍍時(shí)更低的真空度中和常溫下進(jìn)行Parylene的CVD形成,所以加 工容易。
另外,如圖6所示,通過(guò)蒸鍍法在入射面一側(cè)的第一有機(jī)膜8的表面上沉積一層0.15nm厚的Al膜,形成無(wú)機(jī)膜9。并且,再次利用CVD 法將Parylene以lO[im的厚度覆蓋在整個(gè)基板的表面上而形成第2有機(jī) 膜IO,如圖7所示。該第二有機(jī)膜10可防止由于無(wú)機(jī)膜9的腐蝕而造 成的劣化。
如圖8所示,在受光單元的外周和受光元件陣列6的外周部分之間 且在焊盤(pán)4的內(nèi)側(cè),用準(zhǔn)分子(excimer )激光等沿光受光單元的外周 切開(kāi)采用如上方式所形成的保護(hù)膜ll,就可如圖9所示,除去切開(kāi)部分 以外和入射面的內(nèi)側(cè)(或另一側(cè))的保護(hù)膜ll不要的部分,使用于與外 部電路連接的焊盤(pán)4露出。由于鈍化膜5和保護(hù)膜11的最下層的第一有 機(jī)膜7的密合性不好,如果在其上按原樣設(shè)置切斷的外周部,保護(hù)膜ll 就容易從外周部剝離。因此,如圖10所示,要在保護(hù)膜ll的外周部和 其周圍的鈍化膜5上涂敷覆蓋樹(shù)脂12進(jìn)行覆蓋,再用紫外線照射,使覆 蓋樹(shù)脂12硬化,使保護(hù)膜11密合在受光元件陣列6上 由此,把閃爍 器7密封,能夠防止因吸濕引起的解像度的劣化。
下面,參照?qǐng)D1和圖2說(shuō)明本實(shí)施方案的動(dòng)作。從入射面?zhèn)热肷涞?X射線(放射線)透過(guò)第一有機(jī)膜8、無(wú)機(jī)膜9和第二有機(jī)膜10組成的 保護(hù)膜11到達(dá)閃爍器7 。閃爍器7吸收該X射線并放出與X射線光量成 正比的可見(jiàn)光。在發(fā)出的可見(jiàn)光中,與X射線入射方向相同的可見(jiàn)光在 無(wú)機(jī)膜9處被反射,因此,閃爍器7發(fā)出的可見(jiàn)光,幾乎全部到達(dá)閃爍 器7之下的受光元件2。因此,可以進(jìn)行高效率的檢測(cè)。
在各受光元件2上,利用光電轉(zhuǎn)換生成與該可見(jiàn)光的光量相對(duì)應(yīng)的 電信號(hào)并累積一定時(shí)間。到達(dá)受光元件2的可見(jiàn)光的光量,由于與入射X 射線的光量對(duì)應(yīng),在各受光元件2上累積的電信號(hào)與入射X射線的光量 對(duì)應(yīng),就成為與X射線圖像對(duì)應(yīng)的圖像信號(hào)。受光元件2上累積的該圖 像信號(hào)通過(guò)信號(hào)線3從焊盤(pán)4上依次讀出,傳輸?shù)酵獠?,用預(yù)定的處理 電路處理后能夠顯示X射線圖像。
在上面的說(shuō)明中,作為保護(hù)膜ll說(shuō)明的是結(jié)構(gòu)為在Parylene制的 第一有機(jī)膜8、 10之間夾有無(wú)機(jī)膜9的保護(hù)膜,但也可以是第一有機(jī)膜 8和第二有機(jī)膜10材料不同的保護(hù)膜。還有,在無(wú)機(jī)膜9使用抗腐蝕性 的材料時(shí),也可以不設(shè)置第二有機(jī)膜IO。在此,是以覆蓋樹(shù)脂12形成在受光元件陣列6的受光元件2的外側(cè) 的鈍化膜上為例進(jìn)行說(shuō)明的,但在受光元件2與焊盤(pán)4鄰接的情況下, 在其邊界形成覆蓋樹(shù)脂幾乎是困難的。為使焊盤(pán)4可靠地露出且用覆蓋 樹(shù)脂12可靠地涂覆保護(hù)膜ll的周圍,最好使覆蓋樹(shù)脂12的位置位于受 光元件2的兩側(cè)。為此,閃爍器7不是在整個(gè)受光元件2上形成,而是 在除去焊盤(pán)4附近的象素的有效畫(huà)面區(qū)域的受光元件2上形成,然后形 成覆蓋整個(gè)閃爍器7層的保護(hù)膜11,在其上未形成閃爍器7的受光元件 2的象素上可以通過(guò)覆蓋樹(shù)脂12涂覆保護(hù)膜11 。這時(shí),由于焊盤(pán)4附近 的象素都被覆蓋樹(shù)脂12蓋住,在前面不存在閃爍器7,所以,對(duì)放射線 的靈敏度降低,結(jié)果,這些象素不能使用,受光元件2的有效象素?cái)?shù)及 有效畫(huà)面面積減小,但是在受光元件2為大畫(huà)面象素多時(shí),無(wú)效象素的 比例減少,因元件的結(jié)構(gòu)使得具有制作容易的優(yōu)點(diǎn)。
下面,參照?qǐng)Dll、圖12說(shuō)明本發(fā)明的另一實(shí)施方案。圖ll是該實(shí) 施例的放射線檢測(cè)元件的俯視圖,圖12是其B - B放大剖面圖。該元件 的基本結(jié)構(gòu)與圖1和圖2所示的實(shí)施方案的元件相同,下面僅說(shuō)明不同
在圖11、圖12所示的實(shí)施方案中,保護(hù)膜ll被形成在受光元件陣 列6的受光面?zhèn)群蛢?nèi)側(cè)(即受光面另一側(cè))的前面,焊盤(pán)4被露出。并 且,沿保護(hù)膜ll的邊界(邊緣)涂敷覆蓋樹(shù)脂12,包圍露出的焊盤(pán)4。 由于在本實(shí)施例中,焊盤(pán)4也可靠地露出,保護(hù)膜11被覆蓋樹(shù)脂12可 靠地密合在受光元件陣列6上,所以閃爍器7層被密封,能夠防止吸濕 造成的劣化。
這一點(diǎn)在焊盤(pán)4小的CCD及MOS型攝影元件的情況下,減少可能 引起保護(hù)膜剝落的邊界部分即邊緣部分的長(zhǎng)度時(shí)更為顯著。
另外,在上述說(shuō)明中,對(duì)從受光元件上的閃爍器側(cè)入射放射線的所 謂表面入射型的放射線檢測(cè)元件進(jìn)行了說(shuō)明,但本發(fā)明也可適用于從基 板側(cè)入射放射線的所謂內(nèi)側(cè)入射型的放射線檢測(cè)元件。這樣的內(nèi)側(cè)入射 型放射線檢測(cè)元件能夠用作高能放射線檢測(cè)元件。
如上述說(shuō)明的那樣,根據(jù)本發(fā)明,為保護(hù)吸濕性高的閃爍器,在閃 爍器上形成由Parylene等構(gòu)成的保護(hù)膜,該保護(hù)膜的邊緣利用樹(shù)脂層與受光元件陣列結(jié)合,因此,閃爍器層被密封。特別是,由于防止了從保 護(hù)膜的邊緣上剝落,提高了耐濕性能。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法,在形成保護(hù)膜后除去了不必要的部分,所 以,與只在必要部分形成保護(hù)膜的情況相比,容易形成均勻狀態(tài)的保護(hù) 膜,使焊盤(pán)可靠地露出。還有,由于保護(hù)膜可浸透到閃爍器晶體間隙中, 保護(hù)膜和閃爍層的密合性得到了提高。
當(dāng)然,可從上述本發(fā)明的說(shuō)明出發(fā)對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變形,不能認(rèn) 為這些變形脫離了本發(fā)明的思想和范圍,在下面的權(quán)利要求書(shū)中包括了 本領(lǐng)域技術(shù)人員易知的種種改進(jìn)。
本發(fā)明的放射性檢測(cè)元件可應(yīng)用于特別是醫(yī)療、工業(yè)用x射線照相 中使用的大面積放射線圖像系統(tǒng)。特別是在取代當(dāng)前廣泛使用的x射線
膠片的胸部X射線攝影等中使用。
權(quán)利要求
1.一種放射線檢測(cè)元件,包括受光元件陣列,其多個(gè)受光元件在基板上呈一維或二維排列形成其受光單元,并將與所述受光單元的各行或各列的所述受光元件電連接的多個(gè)焊盤(pán)配置在所述受光單元的外部;閃爍器層,該閃爍器層在所述受光元件上層積形成,把放射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光;放射線可通過(guò)的耐濕保護(hù)膜,它由至少包含有機(jī)膜和在其上沉積的無(wú)機(jī)膜的兩層以上的多層膜組成,在覆蓋了閃爍器層的同時(shí)使所述受光元件陣列的所述焊盤(pán)部分露出;以及覆蓋樹(shù)脂,沿所述耐濕保護(hù)膜和受光元件陣列露出部分的邊界(即邊緣)用所述覆蓋樹(shù)脂涂敷耐濕保護(hù)膜,使所述耐濕保護(hù)膜的邊緣密合在所述受光元件陣列上。
2. 如權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)元件,其特征在于 所述焊盤(pán)位于所述基板的外周邊處,所述耐濕保護(hù)膜在所述受光單元的外緣和所述受光元件陣列的外緣之間覆蓋形成,所述覆蓋樹(shù)脂涂敷 在所述耐濕保護(hù)膜的外周部分。
3. —種放射線檢測(cè)元件的制造方法,包括下列步驟 在受光元件陣列的受光元件上層積形成把放射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光的閃爍器層,其中,將多個(gè)所述受光元件在基板上呈一維或二維排列地形成 所述受光元件陣列的受光單元,并將與所述受光單元的各行或各列受光 元件電連接的多個(gè)焊盤(pán)配置在所述受光單元的外部;形成放射線可通過(guò)的第一有機(jī)膜,使其包覆整個(gè)所述受光元件陣列;在所述第一有機(jī)膜上沉積包含無(wú)機(jī)膜的一層以上的膜,形成由兩層 以上的多層膜組成的放射線可通過(guò)的耐濕保護(hù)膜;將所述閃爍器層的外側(cè)的,即至少將包覆所述焊盤(pán)的那部分耐濕保 護(hù)膜切開(kāi)除去,至少使所述受光元件陣列的包含上述焊盤(pán)的區(qū)域露出來(lái);沿所述耐濕保護(hù)膜與所述受光元件陣列的露出部分的邊界(即邊 緣)用樹(shù)脂涂敷所述耐濕保護(hù)膜,使所述耐濕保護(hù)膜的邊緣密合在所述 受光元件陣列上。
4.一種放射線檢測(cè)元件的制造方法,包括下列步驟 在受光元件陣列的所述受光元件上層積形成把放射線轉(zhuǎn)換成可見(jiàn)光 的閃爍器層,其中,將多個(gè)受光元件在基板上呈一維或二維排列形成其 受光單元,將與所述受光單元的各行或各列的所述受光元件電連接的多 個(gè)焊盤(pán)配置在所述基板的外周邊部;形成放射線可通過(guò)的第一有機(jī)膜,使其包覆所述受光元件陣列整體;在所述第一有機(jī)膜上淀積包含無(wú)機(jī)膜的一層以上的膜,形成由兩層 以上的多層膜組成的放射線可通過(guò)的耐濕保護(hù)膜;在所述閃爍器層的外周和所述焊盤(pán)部分之間的位置沿所述閃爍器層 外周把所述耐濕保護(hù)膜切開(kāi),將在該切開(kāi)面以外以及入射面內(nèi)側(cè)形成的 所述耐濕保護(hù)膜除去,使所述焊盤(pán)露出;用樹(shù)脂涂敷被切開(kāi)的所述耐濕保護(hù)膜的外周部分,使所述耐濕保護(hù) 膜的外周部分密合在所述受光元件陣列上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種放射線元件及其制備方法。本發(fā)明的放射線元件的制備方法中,將受光元件(2)二維排列在基板上,把用信號(hào)線(3)與各行或各列受光元件(2)電連接的焊盤(pán)(4)排列在基板(1)的外周邊上,在受光元件(2)和信號(hào)線(3)上設(shè)置保護(hù)用的鈍化膜(5),形成受光元件陣列(6)。將CsI柱狀晶體的閃爍器(7)沉積在該受光元件陣列(6)的受光面上,并在其上沉積Al無(wú)機(jī)膜(9)夾在Parylene制的有機(jī)膜(8)、(10)之間作為保護(hù)膜(11)。在使焊盤(pán)(4)露出的位置把保護(hù)膜(11)的外周切開(kāi),并用覆蓋樹(shù)脂(12)密合在鈍化膜(5)上。
文檔編號(hào)G01T1/20GK101285888SQ20081009236
公開(kāi)日2008年10月15日 申請(qǐng)日期1998年2月12日 優(yōu)先權(quán)日1997年2月14日
發(fā)明者佐藤宏人, 本目卓也, 高林敏雄 申請(qǐng)人:浜松光子學(xué)株式會(huì)社
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