專(zhuān)利名稱(chēng)：通道式綜合安檢門(mén)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是對(duì)通道式安檢系統(tǒng)的改進(jìn)。
技術(shù)背景通道式綜合安檢門(mén)的主要功能是精確地檢測(cè)隱藏的違禁金屬物 體(例如非法攜帶的槍械和或管制刀具)。近年來(lái)，通道式金屬檢測(cè) 門(mén)已廣泛使用于機(jī)場(chǎng)、學(xué)校、法院、體育館、火車(chē)站、客運(yùn)站等公共 場(chǎng)所，在安全檢查過(guò)程中，通道式金屬檢測(cè)門(mén)已經(jīng)成為必需使用的設(shè) 備。目前的設(shè)備利用金屬對(duì)于高頻電磁波的反射信號(hào)明顯加強(qiáng)的原理 進(jìn)行的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。通道式金屬檢測(cè)門(mén)結(jié)構(gòu)中采用了設(shè)置在門(mén)框式的支 架上的高頻信號(hào)的發(fā)生器和采集電路，在門(mén)框之間的通道中形成檢測(cè) 區(qū)域。對(duì)所所通過(guò)的人進(jìn)行全方位的探測(cè)，將所采集的信號(hào)進(jìn)行處理 時(shí)，對(duì)于掃描到的金屬目標(biāo)則會(huì)顯示出明顯的特異性變化。電路結(jié)構(gòu) 中的比較判定電路能對(duì)采集到的信號(hào)進(jìn)行對(duì)比分析，并對(duì)出現(xiàn)特異性 時(shí)會(huì)對(duì)報(bào)警執(zhí)行電路發(fā)出指令，向案檢人員發(fā)出聲、光提示。現(xiàn)有技 術(shù)中的電路通常采用模擬電路構(gòu)成，電路龐大功耗較高。對(duì)于檢測(cè)違 禁金屬物體的效果，現(xiàn)有的通道式檢測(cè)系統(tǒng)的運(yùn)作至少有三個(gè)缺陷-第一，現(xiàn)有系統(tǒng)的電磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)不能夠區(qū)分細(xì)小的非鐵磁性金屬物質(zhì)，以致一些主體用非鐵磁性金屬材料做成的爆炸物或更隱秘的武器則不易被發(fā)現(xiàn)；第二，以前的金屬檢測(cè)器抗干擾能力很差，易受環(huán)境的 干擾，兩臺(tái)或多臺(tái)設(shè)備之間相互干擾，使得設(shè)備無(wú)法正常工作。第三 現(xiàn)有的金屬探測(cè)器采用模擬電路和部分?jǐn)?shù)字電路，使得電路結(jié)構(gòu)龐 大，因而可靠性較差。而且，近年來(lái)也有犯罪分子把放射性物品和生 化武器帶到公眾場(chǎng)合，放射性對(duì)人體的傷害是很?chē)?yán)重的，因此對(duì)放射 性物品的檢測(cè)實(shí)為必須。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是對(duì)現(xiàn)有的通道式綜合安檢門(mén)的結(jié)構(gòu)改進(jìn)，以 克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提高安檢門(mén)的分析水平和危禁物品檢出率。本實(shí)用新型為了實(shí)現(xiàn)對(duì)放射性物品的探測(cè)功能，釆用了用于放射 性探測(cè)組件。為了進(jìn)一步提高對(duì)金屬的分辨能力，采用變頻掃描技術(shù) 如果在不同的頻率條件下測(cè)量阻抗，會(huì)得到不同的阻抗值。通過(guò)測(cè)量 多個(gè)頻率下的阻抗，才能獲取有價(jià)值的元件數(shù)據(jù)。這就是阻抗頻譜法 (IS)的基礎(chǔ)。在這里把接收線(xiàn)圈和一個(gè)電容并聯(lián)作為測(cè)試模型，電感 器具有的阻抗為j"L,電容器具有的阻抗為1/j"C，其中j是虛數(shù) 單位，co是信號(hào)的角頻率。采用復(fù)數(shù)運(yùn)算將這些阻抗分量組合起來(lái)。 阻抗的虛數(shù)部分稱(chēng)為電抗，總表達(dá)式為Z:R+jX，其中X為電抗，Z表 示阻抗。當(dāng)信號(hào)的頻率上升時(shí)，容抗Xc降低，而感抗XL升高，從而 引起總阻抗的變化，阻抗與掃描頻率呈函數(shù)關(guān)系是本發(fā)明的改進(jìn)設(shè)計(jì) 的一個(gè)重要依據(jù)。如果所檢測(cè)的目標(biāo)是線(xiàn)性的，測(cè)得的時(shí)域電壓和電流的各自傅里 葉變換的比值就等于其阻抗，并且它可以表示成一個(gè)復(fù)數(shù)F[E(t)]-=Z(jw)F[I(t)〗其中E^系統(tǒng)電壓，1=系統(tǒng)電流，t二時(shí)域參數(shù)，F(xiàn)—専立葉變換。 將復(fù)數(shù)形式轉(zhuǎn)換成極坐標(biāo)形式便可得到在特定頻率下響應(yīng)信號(hào)的幅度和相位與激勵(lì)信號(hào)的關(guān)系 幅度=7 R2+X2相位二arctan (X/R)其中R和X分別表示復(fù)數(shù)的實(shí)部和虛部。上面計(jì)算得到的幅度表 示該元件在特定頻率條件下的復(fù)數(shù)阻抗。在規(guī)定變化范圍內(nèi)的掃描頻 率下，可以計(jì)算出每個(gè)頻率點(diǎn)對(duì)應(yīng)的復(fù)數(shù)阻抗值。在探測(cè)金屬物品時(shí)周?chē)h(huán)境的變化引起上述特性的任何變化，都 會(huì)造成阻抗的改變。通過(guò)測(cè)量這種阻抗隨頻率變化的特性，將會(huì)得到 一系列新的阻抗特性。將阻抗的測(cè)量值和預(yù)測(cè)標(biāo)準(zhǔn)值比較很容易得出 探測(cè)結(jié)論。應(yīng)用這一方法可以精確的測(cè)量出細(xì)小的金屬物體，并能根 據(jù)幅度和相位的數(shù)據(jù)變化幅度、規(guī)律來(lái)判斷出金屬的種類(lèi)，從而解決 了區(qū)分細(xì)小的非鐵磁性金屬物質(zhì)的問(wèn)題。采用DSP處理技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)以上的處理效果，同時(shí)也解決了抗電磁干擾的問(wèn)題。采用AD5933高 度集成的數(shù)字處理芯片可以完成以上的技術(shù)處理。提高本綜合安檢門(mén) 的分析和辨別能力。改進(jìn)后的綜合安檢門(mén)結(jié)構(gòu)中包括中央處理器，由中央處理器控制 下的報(bào)警裝置、上位機(jī)通訊電路、參數(shù)調(diào)整鍵盤(pán)、液晶監(jiān)視屏及其驅(qū) 動(dòng)電路、遙控指令接收電路、以及高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及 其配套驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路組成的金屬探測(cè)電路。關(guān)鍵在于高頻 電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路是結(jié)構(gòu)相同、左、右對(duì) 稱(chēng)、垂直設(shè)置在通道兩側(cè)所形成的兩部分金屬探測(cè)裝置，兩部分金屬 探測(cè)裝置分別配套獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)，所探測(cè)到的信號(hào)經(jīng)處理后 直接送入中央處理器進(jìn)行分析處理，兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)下設(shè) 所管理的兩個(gè)放射性探測(cè)組件，亦分別設(shè)置在通道兩側(cè)，單片機(jī)管理 系統(tǒng)與中央處理器直接建立數(shù)據(jù)交換協(xié)議，并借助串行接口傳送請(qǐng)求 或接受中央處理器的管理。本實(shí)用新型的積極效果是通過(guò)綜合安檢門(mén)設(shè)置了通道左右分布 的TR和TL發(fā)射線(xiàn)圈之間的互耦作用，產(chǎn)生了均勻的變頻掃描磁場(chǎng)。 接收線(xiàn)圈分為通道兩側(cè)鏡像對(duì)稱(chēng)的線(xiàn)圈平均分布在通道的垂直平面 上。在空間上分為細(xì)化區(qū)位。這樣的多區(qū)位更能檢測(cè)到細(xì)小的金屬物 品。本實(shí)用新型還在于放射性物品的探測(cè)，具體采用帶補(bǔ)償?shù)拿桌找?蓋革計(jì)數(shù)器組件，用于探測(cè)放射性的物品。從而克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺 陷，取得了顯著的技術(shù)進(jìn)步。


附圖1是本實(shí)用新型通道式綜合安檢門(mén)的結(jié)構(gòu)框圖。附圖2金屬探測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)框圖。 附圖3是線(xiàn)圈組的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖中，l中央處理器，2報(bào)警裝置，3上位機(jī)通訊電路，4參數(shù) 調(diào)整鍵盤(pán)，5液晶監(jiān)視屏及其驅(qū)動(dòng)電路，6遙控接收電路，7金屬探 測(cè)電路，7R、 7L金屬探測(cè)裝置，兩部分金屬探測(cè)裝置，8、 9單片機(jī) 管理系統(tǒng)，10、 ll傳感器和處理電路，12報(bào)警指示裝置，13光電信 號(hào)接收電路，14光電信號(hào)發(fā)射電路，15報(bào)警指示裝置，71變頻式高 頻信號(hào)發(fā)生器電路，72驅(qū)動(dòng)電路，73發(fā)射和接收線(xiàn)圈組，74多路切 換開(kāi)關(guān)，75采集信號(hào)放大電路，76校準(zhǔn)電路，77數(shù)字化處理電路， TTL左發(fā)射線(xiàn)圈，TTR右發(fā)射線(xiàn)圈，D調(diào)整環(huán)路。
具體實(shí)施方式
一種通道式綜合安檢門(mén)，安檢門(mén)結(jié)構(gòu)中包括中央處理器l，由中 央處理器1控制下的報(bào)警裝置2、上位機(jī)通訊電路3、參數(shù)調(diào)整鍵盤(pán) 4、液晶監(jiān)視屏及其驅(qū)動(dòng)電路5、遙控接收電路6、以及高頻電磁場(chǎng)的 發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路組成的金屬探 測(cè)電路7，高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路7是結(jié) 構(gòu)相同、左、右對(duì)稱(chēng)、垂直設(shè)置在通道兩側(cè)形成兩部分金屬探測(cè)裝置 7R、 7L，兩部分金屬探測(cè)裝置7R、 7L分別配套設(shè)置獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9，兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)8和9下設(shè)所管理的兩個(gè) 放射性探測(cè)組件IO、 ll亦分別設(shè)置在通道兩側(cè)，單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9經(jīng)串行接口與中央處理器1連接。結(jié)合附圖可以清楚的看到本實(shí)用新型所改進(jìn)后的通道式綜合安 檢門(mén)的結(jié)構(gòu)中包括中央處理器1，由中央處理器1控制下的報(bào)警裝置 2、上位機(jī)通訊電路3、參數(shù)調(diào)整用的鍵盤(pán)4、液晶監(jiān)視屏及其驅(qū)動(dòng)電 路5、遙控指令接收電路6、以及高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及 其配套驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路組成的金屬探測(cè)電路7。關(guān)鍵其的改 進(jìn)在于高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路7是結(jié)構(gòu) 相同、左、右對(duì)稱(chēng)、垂直設(shè)置在通道兩側(cè)形成兩部分金屬探測(cè)裝置 7R、 7L，兩部分金屬探測(cè)裝置7R、 7L分別配套單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9， 所探測(cè)到的信號(hào)經(jīng)處理后直接送入中央處理器1進(jìn)行分析處理，兩個(gè) 獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9下設(shè)所管理的兩個(gè)放射性探測(cè)組{牛10、 ll亦分別設(shè)置在通道兩側(cè)，單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9與中央處理器1直 接建立數(shù)據(jù)交換協(xié)議，并借助串行接口傳送請(qǐng)求或接受中央處理器1 的管理。結(jié)構(gòu)相同的兩部分金屬探測(cè)裝置7R、 7L均是由變頻式高頻信號(hào) 發(fā)生器電路71、驅(qū)動(dòng)電路72，發(fā)射和接收線(xiàn)圈組73，多路切換開(kāi)關(guān) 74，采集信號(hào)放大電路75，校準(zhǔn)電路76，數(shù)字化處理電路77所組成， 變頻式高頻信號(hào)發(fā)生器電路71的高頻信號(hào)輸出端經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路72,多 路切換開(kāi)關(guān)74與發(fā)射和接收線(xiàn)圈組73的發(fā)射線(xiàn)圈組連接，發(fā)射和接收線(xiàn)圈組73的接收線(xiàn)圈組經(jīng)多路切換開(kāi)關(guān)74，采集信號(hào)放大電路75 放大、校準(zhǔn)電路76，數(shù)字化處理電路77與中央處理器1連接，多路 切換開(kāi)關(guān)74的觸發(fā)端接在所配套單片機(jī)的輸出端口上。對(duì)于以上的系統(tǒng)進(jìn)一步的改進(jìn)，體現(xiàn)對(duì)于結(jié)構(gòu)相同的兩部分金屬 探測(cè)裝置7R、 7L均是由變頻式高頻信號(hào)發(fā)生器電路71、驅(qū)動(dòng)電路72， 發(fā)射和接收線(xiàn)圈組73，多路切換開(kāi)關(guān)74,采集信號(hào)放大電路75，校 準(zhǔn)電路76，數(shù)字化處理電路77所組成，由變頻式高頻信號(hào)發(fā)生器電 路71所產(chǎn)生的高頻信號(hào)經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路72調(diào)整后送至發(fā)射線(xiàn)圈組發(fā)射， 由接收線(xiàn)圈采集到的信號(hào)經(jīng)多路切換開(kāi)關(guān)74到采集信號(hào)放大電路75 放大、校準(zhǔn)電路76限幅，再經(jīng)過(guò)數(shù)字化處理電路77轉(zhuǎn)化為數(shù)字信號(hào) 送至中央處理器1進(jìn)行分析，多路切換開(kāi)關(guān)74的觸發(fā)端接在配套單 片機(jī)的輸出端口上。以上所述的采集信號(hào)的數(shù)字化處理電路77結(jié)構(gòu)中包括ADC模/ 數(shù)轉(zhuǎn)換模塊和DSP數(shù)字信號(hào)處理模塊，以上模塊將檢測(cè)到的信號(hào)轉(zhuǎn)化 為隨掃描頻率變化的線(xiàn)圈阻抗數(shù)字信號(hào)，并將其與理想值相比較的結(jié) 果傳送至中央處理器l。以上所述的高頻信號(hào)信號(hào)發(fā)生電路71是通過(guò)直接數(shù)字合成芯片 產(chǎn)生按設(shè)定的起始頻率和步進(jìn)頻率掃描的正旋波，其掃頻變化范圍為 IOOKHZ，經(jīng)過(guò)驅(qū)動(dòng)電路72直接驅(qū)動(dòng)發(fā)射線(xiàn)圈發(fā)射，從而在通道空間 建立一個(gè)頻率有規(guī)則變化的交變的掃描電磁場(chǎng)。為了進(jìn)一步的提高對(duì)于細(xì)小金屬物品的分辨能力，以上所述發(fā)射與接收的線(xiàn)圈組73中的發(fā)射線(xiàn)圈在其中點(diǎn)處分為左發(fā)射線(xiàn)圈TTL和 右發(fā)射線(xiàn)圈TTR，分別由所配套的驅(qū)動(dòng)電路72同步驅(qū)動(dòng)，接收線(xiàn)圈 分為兩組接收線(xiàn)圈(THR、 THL)，對(duì)稱(chēng)、平均分布在安檢通道框架的 垂直平面上，在通道的空間上形成16個(gè)區(qū)域檢測(cè)。以上所述接收線(xiàn)圈組(THR、 THL)結(jié)構(gòu)中還包括與每個(gè)接收線(xiàn)圈 同軸共面排列的調(diào)整環(huán)路D。為了實(shí)現(xiàn)安檢門(mén)與指揮中心或主控制室的聯(lián)系，本綜合安檢門(mén)中 設(shè)置中央處理器1管理下的傳遞主控室指令的無(wú)線(xiàn)調(diào)節(jié)指令的遙控 接收電路(模塊)6及遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)傳送的485通訊電路(模塊)3。本綜合安檢門(mén)中兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9下對(duì)應(yīng)設(shè)置有 用以處理統(tǒng)計(jì)人數(shù)和探測(cè)通行速度的光電信號(hào)開(kāi)關(guān)接收電路13，和 光電信號(hào)開(kāi)關(guān)發(fā)射電路14。本綜合安檢門(mén)中兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)8、 9下對(duì)稱(chēng)設(shè)置有 用于檢測(cè)放射性物品的傳感器和處理電路10、 11，傳感器和處理電 路采集到的信號(hào)經(jīng)配套處理電路轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)后送入對(duì)應(yīng)的單片 機(jī)處理。本綜合安檢門(mén)中檢測(cè)放射性物品的傳感器采用米勒一蓋革計(jì)數(shù)器。該通道式綜合安檢門(mén)還包括位于通道兩測(cè)的多區(qū)位報(bào)警指示裝置(12， 15)，該報(bào)警指示裝置分布于通道的兩側(cè)，這一報(bào)警燈和每 一區(qū)位相對(duì)應(yīng)。用于指示攜帶金屬物品的位置。本系統(tǒng)同時(shí)還設(shè)置語(yǔ) 音類(lèi)的報(bào)警裝置2，由語(yǔ)音發(fā)生芯片構(gòu)成阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)，由受控的驅(qū) 動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)語(yǔ)音報(bào)警。通道式綜合安檢門(mén)包括中央處理器l，是由ATM64單片機(jī)構(gòu)成。 這里的變頻式高頻信號(hào)發(fā)生器和處理器采用的是AD5933。 AD5933就 是一種典型的集成電路芯片，它提供可編程頻率掃描發(fā)生器和集成的 ADC，該ADC可以與激勵(lì)頻率一起工作來(lái)獲取響應(yīng)信號(hào)。并集成了激 勵(lì)電路和響應(yīng)處理電路。采用DDS產(chǎn)生預(yù)先確定的掃頻，最高頻率可 達(dá)100kHz。然后通過(guò)片內(nèi)的ADC對(duì)其響應(yīng)波形進(jìn)行數(shù)字化，并進(jìn)行 離散傅氏變換(DFT)，將每個(gè)掃頻點(diǎn)的實(shí)部和虛部值對(duì)應(yīng)接口輸出給 中央處理器1。使用這些值就可以方便地計(jì)算出響應(yīng)信號(hào)的幅度和相 位信息。利用上述DDS產(chǎn)生預(yù)先確定的掃頻頻率，這一正旋波通過(guò)驅(qū) 動(dòng)電路驅(qū)動(dòng)發(fā)射線(xiàn)圈14，產(chǎn)生頻率規(guī)則變化的磁場(chǎng)。放射性探測(cè)組件10和放射性探測(cè)組件11分布于通道兩側(cè)，采用 帶補(bǔ)償?shù)拿桌找簧w革計(jì)數(shù)器。帶電粒子射入管內(nèi)氣體，在離子增殖過(guò) 程中，受激原子退激，發(fā)射紫外光子，這些光子射到陰極上產(chǎn)生光電 子，光電子向陽(yáng)極漂移，又引起離子增殖，于是在管中形成自激放電。 處理電路作計(jì)數(shù)處理。線(xiàn)圈組包括通道兩側(cè)鏡像對(duì)稱(chēng)的發(fā)射線(xiàn)圈TTL、 TTR和多個(gè)接收線(xiàn)圈THL、 THR。發(fā)射線(xiàn)圈TTL、與左邊的驅(qū)動(dòng)電路相連，發(fā)射線(xiàn)圈 TTR、與右邊驅(qū)動(dòng)電路相連，由驅(qū)動(dòng)電路同步激勵(lì)以生成一個(gè)交變的 磁場(chǎng)。由于發(fā)射線(xiàn)圈TTL、 TTR之間的互耦作用，生成了具有相當(dāng)均 勻磁場(chǎng)密度，磁場(chǎng)集中在通道內(nèi)。由于具有均勻的磁場(chǎng)，可以進(jìn)行精 確的金屬物體檢測(cè)，無(wú)論其在通道內(nèi)的相對(duì)位置。接收線(xiàn)圈THL、 THR 于通道對(duì)稱(chēng)分布，每側(cè)包括8組線(xiàn)圈，且各線(xiàn)圈均與信號(hào)放大電路 75相連。并且，在各接收線(xiàn)圈中還設(shè)置與線(xiàn)圈同軸排列的調(diào)整線(xiàn)圈D。 此外，在發(fā)射線(xiàn)圈TTL、 TTR和接收線(xiàn)圈THL、 T服的兩邊各加一層接 地的屏蔽層抑制主要的磁場(chǎng)干擾和無(wú)線(xiàn)電頻率干擾。通過(guò)協(xié)同擺放調(diào) 整環(huán)路D接收線(xiàn)圈T服，THL和發(fā)射線(xiàn)圈TTR， TTL，使接收線(xiàn)圈T服， THL的靈敏度得到了增強(qiáng)。通過(guò)調(diào)整，可以產(chǎn)生相當(dāng)均勻的磁場(chǎng)。當(dāng) 有人攜帶金屬違禁物通過(guò)通道時(shí)對(duì)應(yīng)的阻抗發(fā)生變化，對(duì)應(yīng)接收線(xiàn)圈 T服，THL感應(yīng)出微弱的阻抗變化。通過(guò)這樣的多分區(qū)結(jié)構(gòu)能區(qū)分單 個(gè)的大金屬物料和多個(gè)允許金屬物料的組合。1權(quán)利要求1、一種通道式綜合安檢門(mén)，安檢門(mén)結(jié)構(gòu)中包括中央處理器(1)，由中央處理器(1)控制下的報(bào)警裝置(2)、上位機(jī)通訊電路(3)、參數(shù)調(diào)整鍵盤(pán)(4)、液晶監(jiān)視屏及其驅(qū)動(dòng)電路(5)、遙控接收電路(6)、以及高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路和信號(hào)處理電路組成的金屬探測(cè)電路(7)，其特征在于高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路(7)是結(jié)構(gòu)相同、左、右對(duì)稱(chēng)、垂直設(shè)置在通道兩側(cè)形成兩部分金屬探測(cè)裝置(7R，7L)，兩部分金屬探測(cè)裝置(7R，7L)分別配套設(shè)置獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)(8，9)，兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)(8，9)下設(shè)所管理的兩個(gè)放射性探測(cè)組件(10，11)亦分別設(shè)置在通道兩側(cè)，單片機(jī)管理系統(tǒng)(8，9)經(jīng)串行接口與中央處理器(1)連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于:結(jié)構(gòu) 相同的兩部分金屬探測(cè)裝置(7R， 7L)均是由變頻式高頻信號(hào)發(fā)生器 電路(71)、驅(qū)動(dòng)電路(72),發(fā)射和接收線(xiàn)圈組(73),多路切換開(kāi) 關(guān)(74)，采集信號(hào)放大電路(75)，校準(zhǔn)電路(76)，數(shù)字化處理電 路(77)所組成，變頻式高頻信號(hào)發(fā)生器電路(71)的高頻信號(hào)輸出 端經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路(72)，多路切換開(kāi)關(guān)(74)與發(fā)射和接收線(xiàn)圈組(73) 的發(fā)射線(xiàn)圈組連接，發(fā)射和接收線(xiàn)圈組(73)的接收線(xiàn)圈組經(jīng)多路切 換開(kāi)關(guān)(74)，采集信號(hào)放大電路(75)放大、校準(zhǔn)電路(76)，數(shù)字化處理電路(77)與中央處理器(1)連接，多路切換開(kāi)關(guān)(74)的 觸發(fā)端接在所配套單片機(jī)的輸出端口上。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于:采集 信號(hào)的數(shù)字化處理電路(77)結(jié)構(gòu)中，包括有將檢測(cè)到的信號(hào)轉(zhuǎn)化為 隨頻率變化的線(xiàn)圈阻抗數(shù)字信號(hào)，并將其與理想值相比較的ADC模/ 數(shù)轉(zhuǎn)換模塊和DSP數(shù)字信號(hào)處理模塊。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于:所述 發(fā)射與接收的線(xiàn)圈組(73)中的發(fā)射線(xiàn)圈在其中點(diǎn)處分為左發(fā)射線(xiàn)圈(TTL))和右發(fā)射線(xiàn)圈(TTR)，分別與配套的驅(qū)動(dòng)電路(72)連接， 接收線(xiàn)圈分為兩組接收線(xiàn)圈(THR、 THL)，對(duì)稱(chēng)、平均分布在安檢通 道框架的垂直平面上，將通道的空間上分成16個(gè)檢測(cè)區(qū)域。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于所 述接收線(xiàn)圈組(T服、THL)結(jié)構(gòu)中還包括與每個(gè)接收線(xiàn)圈同軸共面排 列的調(diào)整環(huán)路(D)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于:綜合 安檢門(mén)中設(shè)置中央處理器(1)管理下的傳遞主控室指令的無(wú)線(xiàn)調(diào)節(jié) 指令的遙控接收電路(6)及遠(yuǎn)程數(shù)據(jù)傳送的485通訊電路(3)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于:綜合 安檢門(mén)中兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)(8， 9)下對(duì)應(yīng)設(shè)置有用以處理 統(tǒng)計(jì)人數(shù)和探測(cè)通行速度的光電信號(hào)接收電路(13)和光電信號(hào)發(fā)射電路(14)。
8、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于:綜合 安檢門(mén)中兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)(8， 9)下對(duì)稱(chēng)設(shè)置有用于檢測(cè) 放射性物品的傳感器和處理電路(10， 11)。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的通道式綜合安檢門(mén)，其特征在于綜 合安檢門(mén)中檢測(cè)放射性物品的傳感器(10， 11)采用米勒-蓋革計(jì)數(shù)器o
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型是對(duì)通道式綜合安檢門(mén)結(jié)構(gòu)的改進(jìn)。改進(jìn)后的安檢門(mén)結(jié)構(gòu)中包括中央處理器，由中央處理器控制下的報(bào)警裝置、上位機(jī)通訊電路、參數(shù)調(diào)整鍵盤(pán)、液晶監(jiān)視屏及其驅(qū)動(dòng)電路、遙控接收電路、以及高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路。關(guān)鍵的改進(jìn)在于高頻電磁場(chǎng)的發(fā)射和接受線(xiàn)圈組及其配套驅(qū)動(dòng)電路是結(jié)構(gòu)相同、左、右對(duì)稱(chēng)、垂直設(shè)置在通道兩側(cè)形成兩部分金屬探測(cè)裝置，兩部分金屬探測(cè)裝置分別配套獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)，所探測(cè)到的信號(hào)經(jīng)處理后直接送入中央處理器進(jìn)行分析處理，兩個(gè)獨(dú)立的單片機(jī)管理系統(tǒng)下設(shè)所管理的兩個(gè)放射性探測(cè)組件亦分別設(shè)置在通道兩側(cè)，單片機(jī)管理系統(tǒng)與中央處理器直接建立數(shù)據(jù)交換協(xié)議，并借助串行接口傳送請(qǐng)求或接受中央處理器的管理。
文檔編號(hào)G01V3/11GK201110898SQ200720172509
公開(kāi)日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2007年10月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月15日
發(fā)明者凱 許 申請(qǐng)人:深圳市賽時(shí)特科技有限公司