專利名稱：過(guò)電流偵測(cè)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)一種偵測(cè)裝置，特別是關(guān)于一種過(guò)電流偵測(cè)裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)積體電路技術(shù)盛行，所以互補(bǔ)式金氧半電晶體的應(yīng)用普遍使用在
各種電子元件上，比如一種音頻訊號(hào)的D類;^文大器，該;改大器為一種高效率 的方文大器，輸出只有兩種狀態(tài)(1或0)，常用來(lái)驅(qū)動(dòng)高負(fù)載的揚(yáng)聲器。由于 這種》文大器的功率轉(zhuǎn)換效能極高，因此近年來(lái)廣泛用于可攜式的電子產(chǎn)品上， 這樣一來(lái)，可利用放大器的省電性質(zhì)，使電子產(chǎn)品使用時(shí)間延長(zhǎng)，并減少大 電量電池的使用機(jī)會(huì)，讓電子產(chǎn)品在攜帶上更為便利。
如圖l現(xiàn)有技術(shù)， 一般D類放大器主要是利用一電流偵測(cè)器去偵測(cè)負(fù)載 上的電流，當(dāng)此電流值超過(guò)某一設(shè)定值，就會(huì)啟動(dòng)一保護(hù)電路。這樣的架構(gòu) 通常需要一個(gè)運(yùn)算放大器10與一個(gè)偵測(cè)電阻12，此運(yùn)算放大器10會(huì)將該偵 測(cè)電阻12的兩端電壓作為輸入，以輸出另一電壓訊號(hào)啟動(dòng)保護(hù)電^各，而且此 種類比式電路通常還會(huì)用到雙載子接面電晶體，效率較差。
因此，本發(fā)明針對(duì)上述的困擾，提出一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，不僅在數(shù)字 信號(hào)的提供下偵測(cè)變得較有效率，而且在電路愈做愈小的趨勢(shì)下，也不會(huì)出 現(xiàn)制作上的障礙。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是提供一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電路效率較差等 問(wèn)題。
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，其應(yīng)用數(shù)字電路的 特性和多位信號(hào)的輸入，來(lái)隨時(shí)有效并準(zhǔn)確地偵測(cè)負(fù)載上的過(guò)電流。
本發(fā)明的另一目的，在于提供一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，其可以跟互補(bǔ)式金
5氧半電晶體整合在一起，符合現(xiàn)今電路省電且愈做愈小的趨勢(shì)。
為達(dá)上述目的本發(fā)明提供一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，包含一第一反閘與一第 二反閘，其輸入端分別接收一第一數(shù)字信號(hào)與一第二數(shù)字信號(hào)，并將該第一 數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)反向，而該第一反閘與一第二反閘的輸出端分別連 接一互補(bǔ)式金氧半電晶體，用來(lái)接收反向后的第一數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)， 以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。另外互補(bǔ)式金氧半電晶體與反閘單元的輸出端都連接到一比較 電路，該比較電路通過(guò)二端分別接收反向后的第一數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào) 并偵測(cè)負(fù)載上的電流，再來(lái)將該負(fù)載上的偵測(cè)結(jié)果分別與二端的第 一數(shù)字信 號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)比較之后，以選擇性輸出 一第 一 電信號(hào)與 一第二電信號(hào)， 最后利用連接該比較電路的第 一邏輯閘與第二邏輯閘，使其在分別接收第一 電信號(hào)與第二電信號(hào)并與數(shù)字信號(hào)作用之后，輸出第一訊號(hào)與第二訊號(hào)給一
保護(hù)電路。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，具有在數(shù)字信號(hào)的 提供下偵測(cè)過(guò)電流較為準(zhǔn)確，更有效率，電路愈做愈小的優(yōu)點(diǎn)。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)過(guò)電流偵測(cè)裝置電路示意圖2是本發(fā)明的裝置電路示意圖3a是本發(fā)明的部分裝置電路示意圖3b是本發(fā)明部分節(jié)點(diǎn)的訊號(hào)波形示意圖4a是本發(fā)明另一部分裝置電路示意圖4b是本發(fā)明另一部分節(jié)點(diǎn)的訊號(hào)波形示意圖。
主要元件符號(hào)說(shuō)明如下
10運(yùn)算放大器12偵測(cè)電阻
14第一反閘16第二反閘
18P型金氧半場(chǎng)效電晶體20N型金氧半場(chǎng)效電晶體
22負(fù)載24P型金氧半場(chǎng)效電晶體
26第一電阻28第二電阻30第三電阻32 第四電阻
34 N型金氧半場(chǎng)效電晶體36第一比較器
38第二比較器40 反或閘
42 及閘44負(fù)載
46 負(fù)載50 互補(bǔ)式金氧半場(chǎng)效電晶體
52 比4交電路522第一比較電路
524第二比較電路54 第一邏輯閘
56 第二邏輯閘28多工器
具體實(shí)施例方式
圖2為本發(fā)明的裝置電路示意圖，本發(fā)明的裝置電路包含第一反閘14與 第二反閘16，并分別在其輸入端接收一第一數(shù)字信號(hào)與一第二數(shù)字信號(hào)，并 將兩者反向，其中該第一數(shù)字信號(hào)與該第二數(shù)字信號(hào)可為同一數(shù)字信號(hào)或不 同數(shù)字信號(hào)。
第一反閘14與第二反閘16的輸出端連接一互補(bǔ)式金氧半電晶體50,用 來(lái)接收反向后的第一數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載22,此互補(bǔ)式金 氧半電晶體50包含一 P型金氧半場(chǎng)效電晶體18與一 N型金氧半場(chǎng)效電晶體 20。該互補(bǔ)式金氧半電晶體50與第一反閘14與第二反閘16的輸出端分別連 接到一比較電路52，而該比較電路52通過(guò)二端分別接收反向后的第一數(shù)字信 號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)并偵測(cè)負(fù)載22上的電流，再來(lái)將負(fù)載22上的偵測(cè)結(jié)果分 別與二端的第 一數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)比較之后，以選擇性輸出 一第 一 電 信號(hào)與一第二電信號(hào)；此比較電路52包含了第一比較電路522與第二比較電 路524,分別產(chǎn)生第一電信號(hào)與第二電信號(hào)，而第一比較電路522包含了一P 型金氧半場(chǎng)效電晶體24、第一電阻26、第二電阻28與第一比較器36,第二 比較電路524包含了一N型金氧半場(chǎng)效電晶體34、第三電阻30、第四電阻 32與第二比較器38。另外有一第一邏輯閘54,在其輸入端連接比較電路52， 且接收第一數(shù)字信號(hào)以及第一電信號(hào)，以在其輸出端輸出第一訊號(hào)，還有一 第二邏輯閘56,在其輸入端連接比較電路52，且接收該第二數(shù)字信號(hào)以及該
7第二電信號(hào)，以在其輸出端輸出第二訊號(hào)。此第一邏輯閘54可為反或閘(NOR Gate) 40,而第二邏輯閘56可為及閘(AND Gate) 42。其中第一比較器36 的負(fù)輸入端連接至第二比較器38的正輸入端，P型金氧半場(chǎng)效電晶體18的汲 極連接至N型金氧半場(chǎng)效電晶體20的汲極，而負(fù)載22的同一端分別連接至 P型金氧半場(chǎng)效電晶體18的汲極與N型金氧半場(chǎng)效電晶體20的汲極的連接 處和第一比較器36的負(fù)輸入端與第二比較器38的正輸入端的連接處，另一 端則連接至一參考電壓VREF。
再來(lái)說(shuō)明細(xì)節(jié)上的電路，P型金氧半場(chǎng)效電晶體18的源極接至一直流電 壓VDD,而閘極連4妻至第一反閘14的輸出端，該P(yáng)型金氧半場(chǎng)效電晶體18 的閘極又連接到另一 P型金氧半場(chǎng)效電晶體24的閘極，此P型金氧半場(chǎng)效電 晶體24的源極接至直流電壓VDD,汲極連接至第一電阻26的一端，而第一 電阻26的另一端則通過(guò)第二電阻28連到P型金氧半場(chǎng)效電晶體18的汲極。 第一比較器36的正、負(fù)輸入二端分別跨接在第二電阻28的兩端，其中正輸 入端連接在第一電阻26與第二電阻28之間，而該第一比4交器36的輸出端連 接至一反或閘(NOR Gate) 40的輸入端，該反或閘(NOR Gate) 40的輸入 端也同時(shí)接收第一數(shù)字信號(hào)，最后在其輸出端輸出第一訊號(hào)。N型金氧半場(chǎng) 效電晶體20的源極接地，而閘極連接至第二反閘16的輸出端，此第二反閘 16的輸入端是用來(lái)接收一第二數(shù)字信號(hào)；該N型金氧半場(chǎng)效電晶體20的閘 極又連接到另一 N型金氧半場(chǎng)效電晶體34的閘極，此N型金氧半場(chǎng)效電晶 體34的源極接地，汲極連接至第四電阻32的一端，而第四電阻32的另一端 則通過(guò)第三電阻30連到N型金氧半場(chǎng)效電晶體20的汲極。 一第二比較器38 的正、負(fù)輸入二端分別^爭(zhēng)接在第三電阻30的兩端，其中負(fù)輸入端連接在第三 電阻30與第四電阻32之間，而該第二比較器38的輸出端連接至一及閘(AND Gate ) 42的輸入端，該及閘(AND Gate) 42的輸入端也同時(shí)接收第二數(shù)字信 號(hào)，最后在其輸出端輸出第二訊號(hào)。
如果P型金氧半場(chǎng)效電晶體18是導(dǎo)通的，且當(dāng)負(fù)載22短路到地或負(fù)載 22過(guò)小，以致產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)，則偵測(cè)過(guò)電流的動(dòng)作就會(huì)由上半部分的電路去 偵測(cè)；若N型金氧半場(chǎng)效電晶體20是導(dǎo)通的，且當(dāng)負(fù)載22短路到直流電壓VDD或負(fù)載22過(guò)小，以致產(chǎn)生過(guò)電流時(shí)，則偵測(cè)過(guò)電流的動(dòng)作就會(huì)由下半 部分的電路去偵測(cè)，因?yàn)閿?shù)字信號(hào)只能讓其中一個(gè)導(dǎo)通，所以很適合整合在 使用互補(bǔ)式金氧半電晶體的電路上。
上半部分的電i 各的詳細(xì)作動(dòng)可以獨(dú)立說(shuō)明，請(qǐng)同時(shí)參閱圖3a與圖3b,其 中負(fù)載46的一端只連接到P型金氧半場(chǎng)效電晶體18的汲極，而另一端連接 至地；圖3b顯示出V,p、 V2p、 V12p、 V叩以及V。啤的訊號(hào)波形圖，請(qǐng)看時(shí)間 點(diǎn)t;之前的波形，當(dāng)v^是一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)時(shí)，V2p為一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊 號(hào)，而此時(shí)P型金氧半場(chǎng)效電晶體18與P型金氧半場(chǎng)效電晶體24皆未導(dǎo)通， 所以V^是為一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，且此時(shí)第一比較器36的輸入端并沒有跨 電壓存在，也就是沒有超過(guò)第一比較器36的臨界電壓，因此V。p也是一高準(zhǔn) 位的數(shù)字訊號(hào)，最后因?yàn)榉椿蜷l(NORGate) 40的輸入端是由V。p跟V^所輸
入，所以v。啤輸出一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)。請(qǐng)繼續(xù)參閱時(shí)間點(diǎn)1;與丁2之間的波
形，當(dāng)V,p為一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，V2p就為一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，但是因?yàn)?第一反閘14本身在訊號(hào)輸出上有些延遲,所以在初期波形有緩慢下降的趨勢(shì)， 在此時(shí)P型金氧半場(chǎng)效電晶體14與P型金氧半場(chǎng)效電晶體24皆導(dǎo)通，所以 V^的電壓往上升，升至一高準(zhǔn)位就保持平行，而且此時(shí)第一比較器36的輸 入端的跨電壓沒有超過(guò)該第一比較器36所設(shè)定的臨界電壓，因此V。p也是一 高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，同時(shí)因應(yīng)V。p與V^的訊號(hào)輸入，V。^提供了一低準(zhǔn)位的 數(shù)字訊號(hào)。但是當(dāng)負(fù)載46上的電流過(guò)大時(shí)，V^的電壓就會(huì)下降，如短虛線 所示，而此時(shí)第一比較器36的輸入端的跨電壓超過(guò)該第一比較器36所設(shè)定 的臨界電壓，因此V。p變?yōu)橐坏蜏?zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，然而比較器本身對(duì)訊號(hào)也有 延遲的特性存在，所以會(huì)隔一段時(shí)間才降至低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，如短虛線所
示，而因應(yīng)v。p與v^的訊號(hào)輸入，v。utp提供了一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)。請(qǐng)繼續(xù)
參閱時(shí)間點(diǎn)丁2之后的波形，當(dāng)^p降至一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，而V2p也逐漸升 至一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，V^也慢慢恢復(fù)一低位準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)，而V。p因?yàn)楸?較器對(duì)訊號(hào)特性延遲的關(guān)系，所以會(huì)過(guò)一段時(shí)間才升至高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)， 而因應(yīng)V。p與V,p的訊號(hào)輸入，V。啤提供了一正脈沖訊號(hào)。而此正脈沖訊號(hào)可 以傳送給一保護(hù)電路，使其保護(hù)整個(gè)電路不致燒毀。其中若要設(shè)定過(guò)電流的極限值，使負(fù)載上的電流超過(guò)此極限值就必須輸出正脈沖訊號(hào)，則可以由第
一電阻26與第二電阻28的阻值大小去設(shè)定，若第二電阻28較第一電阻26 大，則第二電阻28的跨壓就比較容易超過(guò)第一比較器36的臨界電壓，而使 反或閘(NOR Gate) 40輸出正脈沖訊號(hào)。
下半部分的電路的詳細(xì)作動(dòng)也可以獨(dú)立說(shuō)明，請(qǐng)同時(shí)參閱圖4a與圖4b， 其中負(fù)載44的一端只連接到N型金氧半場(chǎng)效電晶體20的汲極，而另一端連 接至直流電壓VDD;圖4b顯示出V^、 V2n、 V12n、 l以及V(自的訊號(hào)波形
圖，請(qǐng)看時(shí)間點(diǎn)i;之前的波形，當(dāng)Vm是一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)時(shí)，v^為一低
準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，而此時(shí)N型金氧半場(chǎng)效電晶體20與N型金氧半場(chǎng)效電晶 體34皆未導(dǎo)通，所以V^是為一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，且此時(shí)第二比較器38 的輸入端并沒有跨電壓存在，也就是沒超過(guò)第二比較器38的臨界電壓，因此 V。n也是一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，最后因?yàn)榧伴l(AND Gate )42的輸入端是由V。n
跟Vm所輸入，所以v。加輸出一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)。請(qǐng)繼續(xù)參閱時(shí)間點(diǎn)1;與丁2
之間的波形，當(dāng)Vin為一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，V^就為一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)， 但是因?yàn)榈诙撮l16本身在訊號(hào)輸出上有些延遲，所以在初期波形有緩慢上 升的趨勢(shì)，在此時(shí)N型金氧半場(chǎng)效電晶體20與N型金氧半場(chǎng)效電晶體34皆 導(dǎo)通，所以V^的電壓往下降，降至一低準(zhǔn)位就保持平行，而且此時(shí)第二比 較器38的輸入端的跨電壓沒有超過(guò)該第二比較器38所設(shè)定的臨界電壓，因 此V。n也是一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，同時(shí)因應(yīng)V。n與Vm的訊號(hào)輸入，V?？峁?了一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)。但是當(dāng)負(fù)載44上的電流過(guò)大時(shí)，V^的電壓就會(huì)升 高，如短虛線所示，而此時(shí)第二比較器38的輸入端的跨電壓超過(guò)該第二比較 器38所設(shè)定的臨界電壓，因此V。n變?yōu)橐桓邷?zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，其中第二比較 器38與第一比較器36有一差異處，也就是當(dāng)?shù)诙容^器38的輸入端跨電壓 大于其臨界電壓時(shí)，會(huì)輸出一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，而當(dāng)?shù)谝槐容^器36的輸入 端跨電壓大于其臨界電壓時(shí)，會(huì)輸出一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)；然而比較器本身 對(duì)訊號(hào)也有延遲的特性存在，所以會(huì)隔一段時(shí)間才升至高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)， 如短虛線所示，而因應(yīng)V。n與V^的訊號(hào)輸入，V。自提供了一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊
號(hào)。請(qǐng)繼續(xù)參閱時(shí)間點(diǎn)丁2之后的波形，當(dāng)V,n升至一高準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，而V^
10也逐漸降至一低準(zhǔn)位的數(shù)字訊號(hào)，v^也慢慢恢復(fù)一高位準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)，而
v。n因?yàn)楸容^器對(duì)訊號(hào)特性延遲的關(guān)系，所以會(huì)過(guò)一段時(shí)間才降至低準(zhǔn)位的數(shù) 字訊號(hào)，而因應(yīng)V。n與Vm的訊號(hào)輸入，V。她提供了一正脈沖訊號(hào)。而此正脈 沖訊號(hào)可以傳送給一保護(hù)電路，使其保護(hù)整個(gè)電路不致燒毀。其中若要設(shè)定 過(guò)電流的極限值，使負(fù)載上的電流超過(guò)此極限值就必須輸出正脈沖訊號(hào)，則 可以由第三電阻30與第四電阻32的阻值大小去設(shè)定，若第三電阻30較第四 電阻32大，則第三電阻30的跨壓就比較容易超過(guò)第二比較器38的臨界電壓， 而使及閘(AND Gate) 42輸出正脈沖訊號(hào)。
綜上所述，本發(fā)明應(yīng)用數(shù)字電路的特性和數(shù)字信號(hào)的輸入，來(lái)隨時(shí)有效 并準(zhǔn)確地偵測(cè)負(fù)載上的過(guò)電流，而且可以跟互補(bǔ)式金氧半電晶體整合在一起， 符合現(xiàn)今電路省電且愈做愈小的趨勢(shì)。
以上公開的僅為本發(fā)明的幾個(gè)具體實(shí)施例，但是，本發(fā)明并非局限于此， 任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員能思的的變化都應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍。
ii
權(quán)利要求
1、一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，連接一負(fù)載，該過(guò)電流偵測(cè)裝置包含一第一反閘，其輸入端接收一第一數(shù)字信號(hào)，并將該第一數(shù)字信號(hào)反向；一第二反閘，其輸入端接收一第二數(shù)字信號(hào)，并將該第二數(shù)字信號(hào)反向；一互補(bǔ)式金氧半電晶體，其由兩端分別連接該第一反閘與該第二反閘的輸出端，用來(lái)接收反向后的該第一數(shù)字信號(hào)與該第二數(shù)字信號(hào)，以驅(qū)動(dòng)該負(fù)載；一比較電路，其連接該互補(bǔ)式金氧半電晶體與該反閘單元的輸出端，該比較電路通過(guò)二端分別接收反向后的該第一數(shù)字信號(hào)與該第二數(shù)字信號(hào)并偵測(cè)該負(fù)載上的電流，再來(lái)將該負(fù)載上的偵測(cè)結(jié)果分別與二端的該第一數(shù)字信號(hào)與該第二數(shù)字信號(hào)比較之后，以選擇性輸出一第一電信號(hào)與一第二電信號(hào)；一第一邏輯閘，其在其輸入端連接該比較電路，且接收該第一數(shù)字信號(hào)以及該第一電信號(hào)，以在其輸出端輸出第一訊號(hào)；以及一第二邏輯閘，其在其輸入端連接該比較電路，且接收該第二數(shù)字信號(hào)以及該第二電信號(hào)，以在其輸出端輸出第二訊號(hào)。
2、 如權(quán)利要求1所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該互補(bǔ)式金氧半電 晶體包含一P型金氧半場(chǎng)效電晶體，其將其閘極連接該第一反閘的輸出端，而其 源極連4妻一直流電壓；以及一N型金氧半場(chǎng)效電晶體，其將其閘極連接該第二反閘的輸出端，其源 極連接一參考電壓，而其汲極分別連接至該P(yáng)型金氧半場(chǎng)效電晶體的汲極與 該負(fù)載。
3、 如權(quán)利要求1所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該比較電路包含 一第一比較電路以及一第二比較電路，分別產(chǎn)生該第一電信號(hào)與該第二電信 號(hào)，而該第一數(shù)字信號(hào)與該第二數(shù)字信號(hào)可為同一數(shù)字信號(hào)或不同數(shù)字信號(hào)。
4、 如權(quán)利要求3所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該第一比較電路還 包含一 P型金氧半場(chǎng)效電晶體，其將其閘極連接至該第一反閘的輸出端，而其源極連接一直流電壓；一第一電阻，其一端連接該P(yáng)型金氧半場(chǎng)效電晶體的汲極； 一第二電阻，其一端連接該第一電阻的另一端，而另一端分別連接至該該第二比較電路與該負(fù)栽；以及一第一比專交器，其正輸入端與負(fù)輸入端跨4妄在該第二電阻的二端，而該正輸入端連接在該第一電阻與第二電阻之間，并用來(lái)輸出該第一電信號(hào)，其中該第二電阻的跨電壓比該第一電阻的跨電壓更接近該第一比較器的臨界電壓。
5、 如權(quán)利要求3所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該第二比較電路更 包含一第三電阻，其一端分別連接至該第一比較電路與該負(fù)載； 一第四電阻，其一端連接該第三電阻的另一端；一N型金氧半場(chǎng)效電晶體，其將其閘極連接至該第二反閘的輸出端，其 源極連接一參考電壓，而其汲極連接該第四電阻的另一端； 以及一第二比^^器，其正輸入端與負(fù)輸入端s爭(zhēng)接在該第三電阻的二端，而該 第二比較器的負(fù)輸入端連接在該第三電阻與第四電阻之間，并用來(lái)輸出該第 二電信號(hào)，其中該第三電阻的跨電壓比該第四電阻的跨電壓更接近該第二比 較器的臨界電壓。
6、 如權(quán)利要求5所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，當(dāng)該第二數(shù)字信號(hào) 為低位準(zhǔn)，又該負(fù)載上的電流過(guò)大時(shí)，該第二電信號(hào)為一高位準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)， 而當(dāng)該第二數(shù)字信號(hào)由低位準(zhǔn)升至高位準(zhǔn)時(shí)，該第二訊號(hào)為一正脈沖訊號(hào)。
7、 如權(quán)利要求4所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，當(dāng)該第一數(shù)字信號(hào) 為高位準(zhǔn)，又該負(fù)載上的電流過(guò)大時(shí)，該第一電信號(hào)為一低位準(zhǔn)的數(shù)字信號(hào)， 而當(dāng)該第一數(shù)字信號(hào)由高位準(zhǔn)降至低位準(zhǔn)時(shí)，該第一訊號(hào)為一正脈沖訊號(hào)。
8、 如權(quán)利要求1所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該第一訊號(hào)與該第 二訊號(hào)各可為一正脈沖訊號(hào)或一低位準(zhǔn)的數(shù)字訊號(hào)。
9、 如權(quán)利要求1所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該第一邏輯閘為一反或閘，而該第二還輯閘為 一及閘。
10、如權(quán)利要求1所述過(guò)電流偵測(cè)裝置，其特征在于，該負(fù)載的同一端 分別連接至該互補(bǔ)式金氧半電晶體與該比較電路，其另一端連接一參考電壓。
全文摘要
本發(fā)明揭露一種過(guò)電流偵測(cè)裝置，提供一第一反閘與第二反閘，將第一數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)反向，之后用一互補(bǔ)式金氧半電晶體接收此反向后的信號(hào)，并驅(qū)動(dòng)一負(fù)載，而當(dāng)該負(fù)載的電流過(guò)大時(shí)，就有一比較電路可以偵測(cè)負(fù)載上的過(guò)電流，并同時(shí)與反向后的第一數(shù)字信號(hào)與第二數(shù)字信號(hào)比較，之后就輸出一第一電信號(hào)與一第二電信號(hào)，分別給一第一邏輯閘與第二邏輯閘，邏輯閘所輸出的訊號(hào)則會(huì)供給一保護(hù)電路，讓此保護(hù)電路控制負(fù)載上的電流，使整個(gè)電路不至于燒毀、故障。本發(fā)明不但偵測(cè)過(guò)電流較為準(zhǔn)確、有效率，又可以跟互補(bǔ)式金氧半電晶體整合在一起，符合電路省電且愈做愈小的時(shí)代趨勢(shì)。
文檔編號(hào)G01R19/165GK101470141SQ200710302299
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2007年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月28日
發(fā)明者戴枝德 申請(qǐng)人:震一科技股份有限公司