專(zhuān)利名稱(chēng)：粒子輻射治療設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明描述粒子輻射治療設(shè)備，該粒子輻射治療設(shè)備包括磁體，
由此在粒子輻射治療期間允許磁共振成像(MRI)。
背景技術(shù)：
用質(zhì)子和碳離子射束進(jìn)行輻射治療已表明是有效的。
另外它已表 明與常規(guī)的伽馬輻射治療相比對(duì)組織造成更小的損傷。
然而，用于確定待給予的劑量的大小和位置的輻射計(jì)劃基于MRI 成像或CT成像，該MRI成像或CT成像可能在進(jìn)行治療之前的相當(dāng)長(zhǎng) 的時(shí)段進(jìn)行。在介入期間，待輻射的組織的位置可能已移動(dòng)或改變形 狀。這可能導(dǎo)致對(duì)健康組織的輻射和/或遺漏患病組織，這可能導(dǎo)致疏 忽(remiss ion )。
在離子射束治療中，通常用在橫向平面ZX中沿橫向方向IIO提供 的射束對(duì)患者進(jìn)行照射，如圖6中示意性所示。
理想的是在進(jìn)行MRI成像的同時(shí)將帶電粒子射束施加于患者，因
為預(yù)定目標(biāo)的位置和形狀于是可以在其當(dāng)前位置中是精確已知的。
大多數(shù)當(dāng)前的MRI掃描儀不適合于此，因?yàn)樯涫鴮⒈坏蜏睾銣仄?阻礙。另外，即使在例如那些使用C形或H形磁體的掃描儀的"開(kāi)放 式"掃描儀中，掃描儀的磁場(chǎng)也將垂直于帶電粒子射束的橫向方向 110。這將使射束偏離預(yù)定方向。
圖7A和7B示出現(xiàn)有技術(shù)MRI設(shè)備的兩個(gè)例子，其中根據(jù)磁通量 線示出磁場(chǎng)B。圖7A顯示在常規(guī)的螺線管磁體布置中經(jīng)歷MRI成像的 患者。如所示的那樣，如果有可能在MRI成像期間沿橫向方向110將 帶電粒子射束施加于患者，則該射束將垂直于MRI設(shè)備所產(chǎn)生的磁場(chǎng) B，因此磁場(chǎng)B將使該射束偏離其預(yù)定目標(biāo)。在這樣的常規(guī)的螺線管磁 體布置中，由于圍繞患者的感興趣區(qū)域的螺線管的存在而不可能接近 患者。圖7B顯示在常規(guī)的開(kāi)放式C形磁體布置中經(jīng)歷MRI成像的患 者。在這樣的磁體布置中更易接近患者。然而，如所示的那樣，如果 有可能在MRI成像期間沿橫向方向110將帶電粒子射束施加于患者，
則該射束將垂直于MRI設(shè)備所產(chǎn)生的磁場(chǎng)B，因此磁場(chǎng)B將使該射束偏 離其預(yù)定目標(biāo)。
W0 02/065149描述了生成橫向主磁場(chǎng)的MRI系統(tǒng)的線團(tuán)布置。該 文獻(xiàn)中所述的線圈布置產(chǎn)生相對(duì)大的結(jié)構(gòu)。所述布置中的一些難以制 造。本發(fā)明的某些實(shí)施例提供生成橫向主磁場(chǎng)的MRI系統(tǒng)的替代布置， 這些MRI系統(tǒng)是更小的總結(jié)構(gòu)并且使用制造更簡(jiǎn)單的線圈布置。
US 2004/0199068描述了一種系統(tǒng)，其中MRI成像被用于跟蹤患 者的目標(biāo)體積的位置，并且控制對(duì)治療體積的粒子射束供應(yīng)，使得只 有當(dāng)治療體積與患者的目標(biāo)體積一致時(shí)才激活粒子射束。
US 6， 198， 957描述了一種組合式MRI成j象和粒子射束治療裝置。 當(dāng)施加粒子射束治療時(shí)MRI系統(tǒng)的磁場(chǎng)被關(guān)閉。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)提供一種MRI系統(tǒng)來(lái)允許在粒子輻射治療的同 時(shí)進(jìn)行MRI成像，所述MRI系統(tǒng)以沿著平行于施加帶電粒子射束的預(yù) 定方向的橫向方向110的磁場(chǎng)工作，從而使磁場(chǎng)與帶電粒子射束的干 擾最小化，同時(shí)允許接近患者。
本發(fā)明還提供用于操作這樣的設(shè)備以在MRI成像的同時(shí)執(zhí)行粒子 輻射治療的方法。
本發(fā)明因此提供如所附的權(quán)利要求中所述的裝置和方法。


為了更好地理解本發(fā)明并且表明本發(fā)明可以如何^1實(shí)現(xiàn)，現(xiàn)在將 僅僅通過(guò)例子參考如附圖頁(yè)中所示的附圖來(lái)描述根據(jù)本發(fā)明的特定實(shí)
施例、方法和過(guò)程，其中
圖1顯示本發(fā)明的總示意圖，示出具有用于粒子輻射治療的通路
的磁場(chǎng)生成設(shè)備；
圖2A和2B示出圓柱形線團(tuán)架上的磁線圈的典型布置；
圖3示出圓柱形線圏架上的磁線團(tuán)的另一典型布置；
圖4顯示圓柱形線圏架的有效表面的一個(gè)八分區(qū)上表面徑向磁化
強(qiáng)度的最佳計(jì)算布局；
圖5顯示從圖4的表面徑向磁化強(qiáng)度的最佳計(jì)算布局導(dǎo)出的、圓柱形線圏架的有效表面的四個(gè)八分區(qū)上電流分布的最佳計(jì)算布局；
圖6顯示將粒子射束施加于患者以執(zhí)行粒子輻射治療的預(yù)定方 向；以及
圖7A和7B顯示所示的常規(guī)MRI磁體所生成的磁場(chǎng)和施加粒子射 束以執(zhí)行粒子輻射治療的預(yù)定方向。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供新穎的磁場(chǎng)線圈布置的施加以提供改進(jìn)的粒子輻射治 療設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明，帶電粒子射束源被布置用于沿預(yù)定方向?qū)щ?粒子射束引導(dǎo)到施加區(qū)域。此外，磁場(chǎng)生成裝置被提供用于在施加帶 電粒子射束的同時(shí)在施加區(qū)域中生成磁場(chǎng)，其中磁場(chǎng)生成裝置被布置 用于提供至帶電粒子射束的施加區(qū)域的通路并且在帶電粒子射束的施 加區(qū)域中提供均勻磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)基本上沿預(yù)定方向定向。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在圖1中示意性地顯示了用于在MRI系 統(tǒng)中生成主磁場(chǎng)的場(chǎng)磁體。所述磁體包括圓柱形線圏架2,在該圓柱形 線圏架中制造了至少一個(gè)開(kāi)口 3。線圏架2典型地可以具有1. 0m的內(nèi) 徑。圖中所示的開(kāi)口 3是矩形的，但是相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解其 它形狀也可以是適合的。指示了軸框架XYZ。 X軸與圓柱形線圈架2的 軸重合。在操作中，患者IO如所示的那樣平行于X軸平躺。
場(chǎng)磁體自身包括作為線圈分布在圓柱形線圈架2上的多個(gè)導(dǎo)體(在 圖1中未顯示)。在某些實(shí)施例中，已發(fā)現(xiàn)優(yōu)選的是將導(dǎo)體中的電流 布置成它關(guān)于XY平面反射對(duì)稱(chēng)地分布。電流分布也優(yōu)選地關(guān)于ZX平 面反對(duì)稱(chēng)。合成磁場(chǎng)沿橫向方向110定向。在所示布置中，該橫向方向平^f亍于Z軸。
將復(fù)雜導(dǎo)體形狀纏繞到圓柱形線圏架上的技術(shù)已被研發(fā)用于制造 圓形高能加速器、例如偶極子、四極子、和六極子的磁體，并且制造 高場(chǎng)強(qiáng)電磁體的領(lǐng)域中的那些技術(shù)人員將熟悉纏繞這樣的導(dǎo)體形狀的 方法。
為了獲得強(qiáng)度和均勻性足夠的沿方向110的橫向主磁場(chǎng)以進(jìn)行 MRI成像，必須謹(jǐn)慎地計(jì)劃圓柱形線圏架2上的線圏的尺寸和布局。
圖2A顯示一個(gè)所建議的線圏布局。為了簡(jiǎn)化這樣的線圈布局的設(shè) 計(jì)和實(shí)現(xiàn)，利用對(duì)稱(chēng)最大化，使得導(dǎo)體圖案關(guān)于XY、 YZ和ZX平面具
有反射對(duì)稱(chēng)。這又允許僅僅在一個(gè)八分區(qū)20中計(jì)劃線圏布局。圓柱形 線圏架2的表面的八分區(qū)20被定義為當(dāng)圓柱形線圏架2的表面被XY、 YZ和ZX平面橫切時(shí)從所述表面切割的部分之一，其中每個(gè)平面穿過(guò)圓 柱形線圈架的中心18。線圈布局是針對(duì)一個(gè)這樣的八分區(qū)20設(shè)計(jì)的， 并且以適當(dāng)?shù)膶?duì)稱(chēng)被復(fù)制到圓柱形線圏架2的表面的剩余部分上。線 圈布局優(yōu)選地在XY、 YZ和ZX平面中具有對(duì)稱(chēng)性，使得所得到的電流 路徑可以關(guān)于XY平面對(duì)稱(chēng)，并且關(guān)于ZX平面反對(duì)稱(chēng)。合適的電流方 向的例子在圖2B中示出。如圖2A中所示，當(dāng)然，不允許導(dǎo)體位于線 圏架的被指定成為開(kāi)口 3的那部分中。可以提供諸如21的線圏，這些 線圏完全被包含在一個(gè)八分區(qū)內(nèi)。這樣的線圏將被放置在線圏架的表 面上的八個(gè)位置中?？梢蕴峁┲T如22的線圏，這些線圏關(guān)于ZX平面 對(duì)稱(chēng)地延伸到兩個(gè)八分區(qū)中。這樣的線圏將被放置在線圏架的表面上 的四個(gè)位置中。
圖3顯示線圏的另一可能布局。如圖3中所示，可以提供諸如23 的線圏，這些線圏關(guān)于YZ平面對(duì)稱(chēng)地延伸到兩個(gè)八分區(qū)中。這樣的線 圈也將被放置在線圏架的表面上的四個(gè)位置中。可以提供諸如24的線 圏，這些線圏關(guān)于YZ和ZX平面對(duì)稱(chēng)地延伸到四個(gè)八分區(qū)中。這樣的 線圏將被放置在線圏架的表面上的兩個(gè)位置中?？梢蕴峁┲T如25的重 疊線圈，其中每個(gè)線圏單獨(dú)地非對(duì)稱(chēng)地布置，但是線圏25被布置成對(duì) 稱(chēng)的重疊對(duì)。線圏不需要都具有相同的圓柱半徑，使得線圈的多層可 以彼此疊放以在完整的布置中提供所需的磁場(chǎng)強(qiáng)度和均勻性水平。
用于計(jì)劃圓柱形線圈架2上的導(dǎo)體布局的一種可能方法將參考圖 4來(lái)進(jìn)行描述。如上所述，為了簡(jiǎn)化該過(guò)程，假設(shè)八面對(duì)稱(chēng)，使得導(dǎo)體 圖案將在XY、 YZ和ZX平面中具有對(duì)稱(chēng)性。然后，通過(guò)計(jì)劃圓柱形線 圏架20的表面的一個(gè)八分區(qū)20上的導(dǎo)體布局，可以應(yīng)用適當(dāng)?shù)膶?duì)稱(chēng) 性以導(dǎo)出圓柱形線圏架的整個(gè)表面上的導(dǎo)體布局。相應(yīng)地，僅需考慮 成像體積球體的一個(gè)八分區(qū)以計(jì)算整個(gè)成像體積上的場(chǎng)強(qiáng)和均勻性。
典型地，如在本例子中那樣，假設(shè)成像體積是以圓柱形線圈架的 中心18為中心的球體。在本例子中，假設(shè)成像體積是半徑為250mm的 球體。計(jì)劃導(dǎo)體布局的一種方法包括計(jì)算圓柱形線圏架的徑向表面磁 化強(qiáng)度分布，其中以Z軸為中心的一對(duì)開(kāi)口 3被切除。徑向表面磁化 強(qiáng)度分布必須使成像體積中的磁場(chǎng)滿(mǎn)足所需的質(zhì)量水平。例如，圓柱
形線圏架的表面上的徑向表面磁化強(qiáng)度可以使成像體積球體的表面上
的磁場(chǎng)強(qiáng)度的RMS變化小于在成像體積球體的中心的5ppm的磁場(chǎng)強(qiáng) 度。
可以借助于數(shù)字優(yōu)化器來(lái)得到圓柱形線圏架2的有效表面上的徑 向磁化強(qiáng)度分布。線圏架的一個(gè)八分區(qū)20上的徑向磁化強(qiáng)度分布的例 子在圖4中被顯示，該例子實(shí)現(xiàn)上述成像體積的所需的均勻性水平。 區(qū)域41具有沿第一徑向方向的高幅值的磁化強(qiáng)度，而區(qū)域42具有沿 相反的第二徑向方向的高幅值的磁化強(qiáng)度。
一旦計(jì)算出圓柱形線圏架的有效表面上的所需的徑向表面磁化強(qiáng) 度分布，如圖4中所示，則必須導(dǎo)出導(dǎo)體布局圖案，以指示導(dǎo)體應(yīng)當(dāng) 被放置在哪里以便產(chǎn)生所計(jì)算出的徑向表面磁化強(qiáng)度分布或可接受地 接近于所計(jì)算出的徑向表面磁化強(qiáng)度分布的分布。這通過(guò)首先計(jì)算電 流分布來(lái)進(jìn)行，該電流分布在被施加于圓柱形線圏架的有效表面時(shí)將 產(chǎn)生所需的徑向表面磁化強(qiáng)度分布。
該電流分布可以通過(guò)在所計(jì)算出的表面磁化強(qiáng)度分布中找到恒定 磁化強(qiáng)度的閉合等值線的位置來(lái)計(jì)算。在圖5中針對(duì)圓柱形線圏架的 正Z的一半顯示了對(duì)應(yīng)于圖4的例子的解決方案，包括四個(gè)適當(dāng)?shù)貙?duì) 稱(chēng)布置的四個(gè)相同的八分區(qū)20，所述八分區(qū)關(guān)于YZ和ZX平面反射對(duì) 稱(chēng)。圖5的圖的頂邊51對(duì)應(yīng)于圖2中所示的磁體的頂部(+Y)。圖5 的圖的底邊52對(duì)應(yīng)于圖2中所示的磁體的底部(-Y)。左和右側(cè)53、 54對(duì)應(yīng)于圓柱形線團(tuán)架的末端。
盡管從圖5本身并不清楚，諸如以55所示的每條線在一個(gè)邊緣具 有高的正磁場(chǎng)強(qiáng)度等值線，而在另一個(gè)邊緣具有高的負(fù)磁場(chǎng)強(qiáng)度等值 線，線的寬度遵循這兩個(gè)水平之間的過(guò)渡。所需的磁場(chǎng)強(qiáng)度的這種圖 案可以由流過(guò)沿著線55布置的一個(gè)導(dǎo)體或多個(gè)導(dǎo)體的電流提供。多個(gè) 電流導(dǎo)體路徑然后可以被選擇以緊密地復(fù)制圖5中所示的預(yù)期磁力 線。被選擇的線圏必須考慮產(chǎn)生預(yù)期均勻橫向場(chǎng)所需的對(duì)稱(chēng)規(guī)則。這 些規(guī)則是導(dǎo)體路徑必須具有關(guān)于XY、 YZ和ZX平面的反射對(duì)稱(chēng)性，并 且電流路徑應(yīng)當(dāng)具有關(guān)于XY平面的反射對(duì)稱(chēng)性，但是應(yīng)當(dāng)關(guān)于ZX平 面反對(duì)稱(chēng)。
從如圖4中所示的徑向磁化強(qiáng)度等值線導(dǎo)出的圖5中所示的圖案 可以證明在實(shí)踐中難以實(shí)現(xiàn)。工程判斷水平必須被運(yùn)用以便識(shí)別 一 組 導(dǎo)體繞組，該組導(dǎo)體繞組可以在實(shí)踐中被實(shí)現(xiàn)并且將在成像體積中在 磁場(chǎng)強(qiáng)度和均勻性方面提供可接受的主磁場(chǎng)質(zhì)量。
本發(fā)明提供粒子輻射治療設(shè)備，該粒子輻射治療設(shè)備被布置用于 將帶電粒子射束沿預(yù)定方向施加于施加區(qū)域，進(jìn)一步包括被布置用于 沿預(yù)定方向在施加區(qū)域中生成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)生成裝置。優(yōu)選地，磁場(chǎng)生 成裝置包括上述線圏布置之一。
磁場(chǎng)生成裝置優(yōu)選地適合用于磁共振成像系統(tǒng)中，使得可以在施
粒子輻射治療設(shè)備優(yōu)選地也包括低溫恒溫器單元和梯度磁體組 件，其中所述磁場(chǎng)生成裝置位于低溫恒溫器中以提供能夠?qū)崿F(xiàn)線圏的 超導(dǎo)性的工作溫度，并且其中梯度磁體組件可操作用于提供橫越預(yù)定
平面的磁場(chǎng)以允i午磁共振成4象。
本發(fā)明也提供一種用于在對(duì)患者執(zhí)行磁共振成像的同時(shí)對(duì)患者執(zhí) 行粒子輻射治療的方法。沿預(yù)定方向?qū)щ娏Ｗ由涫┘佑谑┘訁^(qū) 域。在帶電粒子射束的施加區(qū)域中生成均勻磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)基本上沿 預(yù)定方向定向。
磁場(chǎng)生成裝置可以包括一組線圏，每個(gè)線圏包括導(dǎo)電材料的繞 組；其中線圈關(guān)于中平面(XZ)和反射平面(XY)對(duì)稱(chēng)布置，反射平 面垂直于中平面，使得線圏具有相對(duì)于垂直于中平面和反射平面的另 一平面(YZ)的對(duì)稱(chēng)平面，并且其中繞組被配置成在操作中電流關(guān)于 反射平面對(duì)稱(chēng)并且關(guān)于中平面反對(duì)稱(chēng)，從而在該組磁線圏的中心產(chǎn)生 合成場(chǎng)，該合成場(chǎng)垂直于反射平面(XY)，并且基本上沿預(yù)定方向定 向。
優(yōu)選地，均勻磁場(chǎng)由布置在圓柱形線圏架上的磁線圈生成，其中 預(yù)定方向垂直于圓柱形線圏架的軸。線圏不應(yīng)當(dāng)存在于圓柱形線圏架 的表面的通路區(qū)域中，所述通路區(qū)域以預(yù)定方向與圓柱形線圍架的表 面的交叉點(diǎn)為中心。線圏可以被布置在線圏架的內(nèi)或外表面上，或者 可以?xún)羝で度朐诰€圏架內(nèi)。
本發(fā)明的裝置可以被布置成線圏架2和帶電粒子源可以圍繞軸X 旋轉(zhuǎn)，使得粒子射束、磁場(chǎng)和預(yù)定方向110都能接近施加區(qū)域，并且 因此在使用中從多個(gè)方向接近患者。這在將粒子輻射治療施加于沿一 個(gè)方向比沿另一個(gè)方向更容易接近的某個(gè)區(qū)域時(shí)可能是有用的。
所述方法可以進(jìn)一步包括將磁線圏冷卻到能夠?qū)崿F(xiàn)超導(dǎo)性的溫度。
電流可以被施加于磁線圏，使得電流方向關(guān)于反射平面(XY)對(duì) 稱(chēng)并且關(guān)于中平面(ZX)反對(duì)稱(chēng)。
盡管僅僅通過(guò)例子參考有限數(shù)量的特定實(shí)施例描述了本發(fā)明，但
的多種修改和變二。； ， "
本文中對(duì)粒子輻射治療或粒子射束治療和類(lèi)似術(shù)語(yǔ)的引用尤其包 括離子射束治療和相關(guān)概念。
上述實(shí)施例使用圓柱形線圏架、也就是具有均勻的圓形橫截面的 線圏架。然而，本發(fā)明可以被應(yīng)用于被布置在不是圓柱形的線圈架表 面上的線圏線圏架是管狀的，但是可以不具有均勻的橫截面，并且 其橫截面可以不是圓形的。這樣的線圈架和線圏的設(shè)計(jì)和制造在使用 當(dāng)前可用的設(shè)計(jì)工具的本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.粒子輻射治療設(shè)備，被布置用于將帶電粒子射束沿預(yù)訂方向(Z)施加于施加區(qū)域，該粒子輻射治療設(shè)備包括被布置用于沿預(yù)定方向引導(dǎo)帶電粒子射束的帶電粒子射束源，進(jìn)一步包括用于在施加帶電粒子射束的同時(shí)在包括施加區(qū)域的成像體積中生成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)生成裝置，其中所述磁場(chǎng)生成裝置包括線圈，所述線圈被布置用于提供至帶電粒子射束的施加區(qū)域的通路并且在帶電粒子射束的施加區(qū)域中提供均勻磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)基本上沿預(yù)定方向定向，其中所述線圈是非平面的，所述線圈被布置在管狀線圈架上，并且所述預(yù)定方向垂直于管狀線圈架的軸(X)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的粒子輻射治療設(shè)備，其中所述線圈關(guān)于 中平面(XZ)和反射平面(XY)對(duì)稱(chēng)布置，反射平面垂直于中平面， 中平面和反射平面都沿線圏架的軸的方向(X)延伸，使得所述線圏具 有相對(duì)于垂直于線圈架的軸以及中平面和反射平面的另一平面(YZ) 的對(duì)稱(chēng)平面，并且其中所述線圈被配置成在操作中電流關(guān)于反射平面(XY)對(duì)稱(chēng)并且關(guān)于中平面(XZ)和另一平面(YZ)反對(duì)稱(chēng)，從而在 施加區(qū)域中產(chǎn)生合成場(chǎng)，該合成場(chǎng)垂直于反射平面(XY)，并且基本 上沿預(yù)定方向(Z)定向。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的粒子輻射治療設(shè)備，其中沒(méi)有線團(tuán) 存在于管狀線圏架的通路區(qū)域中，所述通路區(qū)域以所述預(yù)定方向(Z) 與管狀線圈架的交叉點(diǎn)為中心。
4. 根據(jù)任一前迷權(quán)利要求所述的粒子輻射治療設(shè)備，其中所述磁 場(chǎng)生成裝置適合用于磁共振成像系統(tǒng)中。
5. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的粒子輻射治療設(shè)備，被布置成線 圏架和帶電粒子射束源能夠圍繞線團(tuán)架的軸X旋轉(zhuǎn)，使得帶電粒子射 束、磁場(chǎng)和預(yù)定方向都能從多個(gè)方向接近施加區(qū)域。
6. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的粒子輻射治療設(shè)備，進(jìn)一步包括 低溫恒溫器單元和梯度磁體組件，其中所述磁場(chǎng)生成裝置位于低溫恒 溫器中以提供能夠?qū)崿F(xiàn)線圏的超導(dǎo)性的工作溫度，并且其中所述梯度 磁體組件可操作用于提供橫越預(yù)定平面的磁場(chǎng)以允許磁共振成像。
7. —種用于執(zhí)行磁共振成像的方法，包括將帶電粒子射束沿預(yù)定 方向(Z)施加于施加區(qū)域的步驟，并且進(jìn)一步包括在包括帶電粒子射束的施加區(qū)域的成像體積中施加均勻磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)基本上沿預(yù)定方 向定向，其中所述均勻磁場(chǎng)由布置在管狀線圈架上的非平面線圏生成，并且其中所述預(yù)定方向(z)垂直于管狀線圏架的軸(X)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中磁線圏關(guān)于中平面(XZ)和 反射平面(XY)對(duì)稱(chēng)布置，反射平面垂直于中平面，中平面和反射平 面都沿線圏架的軸的方向(X)延伸，使得所述線圏具有相對(duì)于垂直于 線團(tuán)架的軸以及中平面和反射平面的另一平面(YZ)的對(duì)稱(chēng)平面，并 且其中繞組被配置成在操作中電流關(guān)于反射平面(XY)對(duì)稱(chēng)并且關(guān)于 中平面(ZX)和另一平面(YZ)反對(duì)稱(chēng)，從而在施加區(qū)域中產(chǎn)生合成 場(chǎng)，該合成場(chǎng)垂直于反射平面(XY)，并且基本上沿預(yù)定方向(Z)定 向。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，進(jìn)一步包括以下步驟將磁 線圏冷卻到能夠?qū)崿F(xiàn)線圏的超導(dǎo)性的溫度，并且使電流在線圏中流 動(dòng)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項(xiàng)所述的方法，其中沒(méi)有線圏存在 于管狀線圏架的表面的通路區(qū)域中，所述通路區(qū)域以所述預(yù)定方向(Z)與管狀線圈架的交叉點(diǎn)為中心。
11. 根據(jù)任一前述權(quán)利要求所述的設(shè)備或方法，被布置用于執(zhí)行 離子射束治療。
全文摘要
被布置用于將帶電粒子射束沿預(yù)定方向施加于施加區(qū)域的粒子輻射治療設(shè)備包括被布置用于沿預(yù)定方向引導(dǎo)帶電粒子射束的帶電粒子射束源，進(jìn)一步包括用于在施加帶電粒子射束的同時(shí)在包括施加區(qū)域的成像體積中生成磁場(chǎng)的磁場(chǎng)生成裝置，其中磁場(chǎng)生成裝置被布置用于提供至帶電粒子射束的施加區(qū)域的通路并且在帶電粒子射束的施加區(qū)域中提供均勻磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)基本上沿預(yù)定方向定向。
文檔編號(hào)G01R33/381GK101203269SQ200680022443
公開(kāi)日2008年6月18日 申請(qǐng)日期2006年6月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月22日
發(fā)明者M·J·M·克勒伊普 申請(qǐng)人:西門(mén)子磁體技術(shù)有限公司