專利名稱：液晶顯示裝置、缺陷像素檢查方法和檢查程序及存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置、用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法、缺陷像素檢查程序、以及存儲介質(zhì)，更為特別地本發(fā)明涉及像素缺陷的檢查。
背景技術(shù)：
相關(guān)專利申請的交叉引用本發(fā)明包含的主題涉及于2005年6月13日在日本專利局提交的日本專利申請JP 2005-172222，該專利申請在此被引用作為參考。
近年來，顯示裝置迅速變薄，例如液晶裝置(LCD)已經(jīng)變得非常流行。由于這種液晶顯示裝置具有低剖面、重量輕、和低功耗的特點，其在諸如特別是移動電話、個人數(shù)字助理(PDA)、筆記本個人計算機、以及便攜TV的所謂移動終端中的應(yīng)用已經(jīng)得到增加。此外，液晶顯示裝置已經(jīng)開始用于背投影儀、正投影儀等。
在這種液晶顯示裝置中，有源矩陣液晶顯示裝置已經(jīng)占主導。有源矩陣液晶顯示裝置按特定方式構(gòu)造，其中提供其上設(shè)置有透明像素電極和薄膜晶體管(TFT)的襯底以及具有形成于整個顯示部分上的一個透明電極的對置襯底，而且這些襯底置成相互對立并將液晶密封在其間。通過控制具有開關(guān)功能的TFT，對各個像素電極施加和像素分級相對應(yīng)的電壓(下文中稱之為“分級電壓”)，并在各個像素電極和對置襯底的電極之間產(chǎn)生電勢差，由此改變液晶的透射率并允許顯示圖像。
在其上排列了TFT的襯底上，排列了用于向各個像素電極施加分級電壓的多個數(shù)據(jù)信號線以及用于施加控制信號以開關(guān)TFT的多個柵信號線。通過數(shù)據(jù)信號線對各個像素電極施加分級電壓，并在圖像顯示的一個幀周期內(nèi)，對連接到該數(shù)據(jù)信號線的所有像素電極施加分級電壓，由此允許在液晶顯示部分上顯示圖像。由提供于各個TFT的輸出電極中的電容性元件(電容器)保持以這種方式施加于各個像素的分級電壓，直到施加下一個分級電壓為止。
這種液晶顯示裝置通常為透射類型，但諸如硅上液晶(LCOS)的反射類型液晶顯示裝置最近已經(jīng)開始被引入到市場中。對于這種LCOS，由于硅晶片可用作襯底，可以使用性能高于透射類型晶體管(其電路是由玻璃襯底上的多晶硅制成的)的晶體管。

發(fā)明內(nèi)容
這種液晶顯示裝置是由大量的像素部分形成的。為了檢查這些像素部分，采樣了這樣的方法實際上驅(qū)動液晶顯示面板，通過圖像處理裝置分析在該顯示面板上顯示的圖像以執(zhí)行缺陷像素檢查，或者通過視覺檢查來檢測缺陷像素。然而，在這種方法中，實際上驅(qū)動了液晶顯示裝置，并在顯示圖像之后進行檢查。因此，這種測量耗費時間，而且無法在注入液晶之前執(zhí)行這種檢查。
作為缺陷像素檢查方法，也已經(jīng)采用了使用LSI測試儀測量漏電流的方法。這種方法可測量到μA量級的漏電流。然而，在LCOS液晶顯示裝置中，上述電容性元件的電容為幾十fF(毫微微法拉)。例如，對于10V信號在50fF保持10ms的規(guī)格，需要測量小于或等于50pA的漏電流，因此無法通過這種方法進行檢查。
因此，在日本未審查專利申請公開號2004-226551中，已經(jīng)提出了能夠高精度地檢查其缺陷像素并縮短檢查時間的液晶顯示裝置，以及用于這種液晶顯示裝置的檢查方法。
在該液晶顯示裝置中，在對一對像素部分中的每一個施加不同電壓之后，對所有數(shù)據(jù)信號線施加相同電壓作為參考電壓，從而預充電該數(shù)據(jù)線，之后通過讀取存儲于一對像素部分中的電壓并比較它們，檢測缺陷像素。
在日本未審查專利申請公開號2004-226551中公開的液晶顯示裝置中，當參考電壓預充電數(shù)據(jù)信號線時，需要從輸入端子輸入?yún)⒖茧妷?。因此，需要在輸入端子產(chǎn)生和寫過程電壓相對應(yīng)的參考電壓。此外，需要用于產(chǎn)生參考電壓的電路和處理。
因此，需要提供能夠容易地預充電數(shù)據(jù)信號線而不產(chǎn)生用于預充電數(shù)據(jù)信號線的參考電壓(下文中還稱為“中間電壓”)的液晶顯示裝置，以及用于該液晶顯示裝置的檢查方法。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供了用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到像素晶體管輸出電極的電容性元件、以及基于保持于該電容性元件中的電壓而執(zhí)行灰度顯示(gradation display)的液晶部分；該缺陷像素檢查方法包含步驟對多個像素部分中第一像素部分的電容性元件以及第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓；導通設(shè)于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極與第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并將第一像素晶體管的輸入電極與第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；并基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測像素部分的缺陷。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于電容性元件內(nèi)所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶顯示部分，該缺陷像素檢查方法包含步驟導通連接到該多個像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一晶體管從而對該輸入電極施加第一電壓，并導通第一像素部分的像素晶體管從而對第一像素部分的電容性元件施加第一電壓；導通連接到該多個像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二晶體管從而對該輸入電極施加第二電壓，并導通第二像素部分的像素晶體管從而對第二像素部分的電容性元件施加第二電壓；截止第一晶體管和第二晶體管并截止第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管；導通設(shè)于第一像素部分的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分的像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)并保持預定時間段，由此使這些像素晶體管的輸入電極短路；經(jīng)過該預定時間段之后，導通第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管，并讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓；以及，比較第一像素部分的電容性元件的讀取電壓和第二像素部分的電容性元件的讀取電壓。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，可由讀出放大器執(zhí)行對第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的比較。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供了一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分；連接到該多個像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一數(shù)據(jù)信號線；連接到該多個像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二數(shù)據(jù)信號線；能夠向第一數(shù)據(jù)信號線提供第一測試信號的第一晶體管；能夠向第二數(shù)據(jù)信號線提供第二測試信號的第二晶體管；連接于第一像素部分的像素晶體管的控制電極與第二像素部分的像素晶體管的控制電極之間的柵信號線；設(shè)成連接于第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線之間的開關(guān)；以及用于比較第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓的比較電路，其中該開關(guān)使第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線電學短路，并可實現(xiàn)將第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓變?yōu)橹虚g電壓的控制。
根據(jù)本發(fā)明實施例，該比較電路可以是讀出放大器，該讀出放大器可將第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓比較，并可放大和輸出其差值。
該液晶顯示裝置可進一步包含用于在第一測試信號和第二測試信號之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。
根據(jù)本發(fā)明另一個實施例，提供了用于檢查液晶顯示裝置的像素部分缺陷的缺陷像素檢查程序，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分，該缺陷像素檢查程序允許計算機執(zhí)行對該多個像素部分中第一像素部分的電容性元件和第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓的功能；導通設(shè)于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并使第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極短路的功能；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的功能；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測像素部分的缺陷的功能。
根據(jù)本發(fā)明另一個實施例，提供了一種記錄介質(zhì)，其中該記錄介質(zhì)上以計算機可讀取的格式記錄了該缺陷像素檢查程序。
根據(jù)本發(fā)明實施例，通過導通提供于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的諸如晶體管的開關(guān)，第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極被短路。因此，使用該開關(guān)可以容易地將數(shù)據(jù)信號線預充電到中間電壓，而不產(chǎn)生作為用于預充電數(shù)據(jù)信號線的參考電壓的中間電壓。
根據(jù)本發(fā)明實施例，由讀出放大器執(zhí)行第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的比較。因此，可以精確地檢測泄漏量，并改善像素部分的缺陷的檢測精確度。
根據(jù)本發(fā)明實施例，在第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間提供諸如晶體管的開關(guān)，該第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線被電學短路，且可實現(xiàn)將第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓變?yōu)橹虚g電壓的控制。因此，使用該開關(guān)可以容易地將數(shù)據(jù)信號線預充電到中間電壓，而不產(chǎn)生作為用于預充電數(shù)據(jù)信號線的參考電壓的中間電壓。
根據(jù)本發(fā)明實施例，提供了用于在第一測試信號和第二測試信號之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。因此，可以容易地執(zhí)行這些信號的反轉(zhuǎn)。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的像素部分的構(gòu)造；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的構(gòu)造；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置與LSI測試器之間的連接；以及圖4為根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的檢查控制的時序圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將在下文中描述本發(fā)明的各個實施例。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的像素部分的構(gòu)造。圖2示出了本發(fā)明實施例的液晶顯示裝置的構(gòu)造。
首先，將參考圖1描述在液晶顯示裝置1中以矩陣形式提供的多個像素部分的構(gòu)造和工作。
如圖1所示，像素部分A配置成具有像素晶體管T1、電容性元件C1、和液晶部分2。像素晶體管T1的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號線，輸出電極連接到電容性元件C1的一端并連接到液晶部分2的像素電極。電容性元件C1的另一端接地。
像素晶體管T1的控制電極連接到柵信號線，基于該柵信號線的信號控制像素晶體管T1的導通/截止狀態(tài)。也就是說，當對該柵信號線施加高電壓時，像素晶體管T1導通，且數(shù)據(jù)信號線的電壓被施加到電容性元件C1和液晶部分2。
當電壓施加到液晶部分2時，基于所施加的電壓控制液晶的反射，使得可以實現(xiàn)灰度顯示控制。此外，由于提供了電容性元件C1，即使在像素晶體管T1截止之后，所施加的電壓仍保持在電容性元件C1中，使得連續(xù)地維持液晶的反射量。
如前所述，像素部分A配置成具有像素晶體管T1、連接到像素晶體管T1的電容性元件C1、以及基于電容性元件C1中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分2。
接著，將參考圖2描述液晶顯示裝置1的配置和工作，其中在該液晶顯示裝置中以二維矩陣的形式排列了多個這種像素部分。在本實施例中，為了便于理解，像素部分排列成4×3矩陣。
根據(jù)本實施例的液晶顯示裝置1包含多個像素部分2a至21、水平驅(qū)動器10、垂直驅(qū)動器20、用于檢查目的的邏輯電路30、解碼器40、以及讀出放大器50a和50b。
像素部分2a、2e和2i內(nèi)的像素晶體管T14a、T15a和T16a的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號線DA1。像素部分2b、2f和2j內(nèi)的像素晶體管T14b、T15b和T16b的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號線DA2。像素部分2c、2g和2k內(nèi)的像素晶體管T14c、T15c和T16c的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號線DB1。像素部分2d、2h和21內(nèi)的像素晶體管T14d、T15d和T16d的輸入電極連接到數(shù)據(jù)信號線DB2。
像素部分2a至2d內(nèi)的像素晶體管T14a至T14d的控制電極連接到柵信號線G1。像素部分2e至2h內(nèi)的像素晶體管T15a至T15d的控制電極連接到柵信號線G2。像素部分2i至21內(nèi)的像素晶體管T16a至T16d的控制電極連接到柵信號線G3。數(shù)據(jù)信號線DA1和DB1對應(yīng)于第一數(shù)據(jù)信號線，數(shù)據(jù)信號線DA2和DB2對應(yīng)于第二數(shù)據(jù)信號線。為各個水平線提供柵信號線。分別在像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、T16a至T16d的輸出電極中提供液晶部分11a至11d、12a至12d、和13a至13d。
水平驅(qū)動器10包含移位寄存器電路和測試邏輯電路，并根據(jù)來自TEST信號的輸入而執(zhí)行在移位寄存器電路和測試邏輯電路之間的切換。也就是說，當TEST信號處于低電壓時，移位寄存器工作，而當TEST信號處于高電壓時，測試邏輯電路工作。
垂直驅(qū)動器20為用于對柵信號線G1至G3中的每一個施加低電壓或高電壓柵信號的電路。當垂直驅(qū)動器20向柵信號線之一輸出高電壓柵信號時，垂直驅(qū)動器20向其它柵信號線輸出低電壓柵信號。
檢查邏輯電路30為在檢查像素部分2a至21的測試模式和由像素部分2a至21顯示圖像的正常工作模式之間切換的電路，該電路還用于在檢查像素部分2a至21的測試模式期間執(zhí)行各種切換操作。
檢查邏輯電路30包含晶體管T11a、T11b、T12a、T12b、T20、T21、T23至T28，以及用于切換待提供到數(shù)據(jù)信號線DA1、DA2、DB1和DB2的信號的反相電路26和27(下文中稱為“信號切換電路”)；具有分別在數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2之間及在數(shù)據(jù)信號線DB1和DB2進行電連接的切換功能的晶體管T13a和T13b(下文中稱為“均衡器部分”)；以及OR電路24、反相電路25、以及用于控制從垂直驅(qū)動器20到柵信號線G1至G3的輸出的AND電路21至23(下文中稱為“柵信號線控制部分”)。
信號切換電路是指這樣的電路選擇第一測試信號TSIG、第二測試信號XTSIG、或圖像顯示信號SIG中的哪一個將用于輸入到數(shù)據(jù)信號線DA1、DA2、DB1和DB2中的每一個的信號輸入。下面將描述該電路的配置。
第一測試信號TSIG被輸入到晶體管T21和T23的輸入電極，第二測試信號XTSIG被輸入到晶體管T20和T24的輸入電極。反轉(zhuǎn)信號TINV被輸入到晶體管T21和T24的控制電極，使得反轉(zhuǎn)信號TINV反轉(zhuǎn)的信號經(jīng)由反相電路26被輸入到晶體管T20和T23的控制電極。
晶體管T20和T21的輸出電極連接到晶體管T26的輸入電極，晶體管T23和T24的輸出電極連接到晶體管T28的輸入電極。晶體管T27的輸出電極以及晶體管T28的輸出電極連接到數(shù)據(jù)信號線D1，晶體管T25的輸出電極以及晶體管T26的輸出電極連接到數(shù)據(jù)信號線D2。晶體管T25和T27的輸入電極連接到圖像顯示信號SIG。測試信號TEST被輸入到晶體管T26和T28的控制電極，測試信號TEST的反轉(zhuǎn)信號經(jīng)由反相電路27被輸出到晶體管T25和T27的控制電極。
晶體管T11a、T12a、T11b和T12b的控制電極(柵極)分別連接到水平驅(qū)動器10的輸出A+、A-、B+和B-，其輸出電極(源極)分別連接到數(shù)據(jù)信號線DA1、DA2、DB1和DB2。晶體管T11a和T12a的輸入電極(漏極)分別連接到數(shù)據(jù)信號線D1和D2，并分別連接到晶體管T28和T26的輸出電極。晶體管T11b和T12b的輸入電極(漏極)也是這樣連接的。
由于按上述方式配置信號切換部分，例如，當?shù)谝粶y試信號TSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號線D1且第二測試信號XTSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號線D2時，反轉(zhuǎn)信號TINV變?yōu)榈碗妷弘娖剑瑴y試信號TEST變?yōu)楦唠妷弘娖?。相反，當?shù)诙y試信號XTSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號線D1且第一測試信號TSIG將被施加到數(shù)據(jù)信號線D2時，反轉(zhuǎn)信號TINV變?yōu)楦唠妷弘娖剑瑴y試信號TEST變?yōu)楦唠妷弘娖?。通過從水平驅(qū)動器10向晶體管T11a、T12a、T11b和T12b的每個控制電極輸入高電壓，數(shù)據(jù)信號線D1和D2的信號可分別提供到數(shù)據(jù)信號線DA1、DA2、DB1和DB2。
晶體管T20、T21、T23和T24以及反相電路26組成了用于在第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。
均衡器部分是由用作開關(guān)的晶體管T13a和T13b形成的。晶體管T13a連接到數(shù)據(jù)信號線DA1和數(shù)據(jù)信號線DA2之間。通過低阻抗將這些數(shù)據(jù)信號線之間短路，數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2的電壓變?yōu)榻橛诙搪非斑@些電壓之間的中間電壓。例如，在向數(shù)據(jù)信號線DA1施加4V并向數(shù)據(jù)信號線DA2施加5V時晶體管T13a導通預定時間段時，數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2的電壓變?yōu)?.5V，該電壓為介于這些電壓之間的中間電壓。類似地，晶體管T13b連接到數(shù)據(jù)信號線DB1和數(shù)據(jù)信號線DB2之間。通過低阻抗將這些數(shù)據(jù)信號線之間短路，數(shù)據(jù)信號線DB1和DB2的電壓變?yōu)榻橛诙搪非斑@些電壓之間的中間電壓。
當晶體管T11a和T12a截止(即，為高阻抗狀態(tài))且當像素晶體管T14a、T14b、T15a、T15b、T16a和T16b截止時，晶體管T13a導通。類似地，當晶體管T11b和T12b截止(即，為高阻抗狀態(tài))且當像素晶體管T14c、T14d、T15c、T15d、T16c和T16d截止時，晶體管T13b導通。
柵信號控制部分控制來自垂直驅(qū)動器20的信號在測試模式期間是否應(yīng)該被提供到柵信號線G1至G3。測試信號TEST經(jīng)由反相電路25輸入到OR電路24的輸入之一，垂直信號控制信號TVON輸入到OR電路24的另一輸入。OR電路24的輸出輸入到AND電路21至23每個的輸入之一，來自垂直驅(qū)動器20的柵信號輸入到AND電路21至23每個的另一個輸入。AND電路21至23的輸出分別連接到柵信號線G1、G2和G3。
由于按前述方式配置柵信號控制部分，當測試信號TEST為高且垂直信號控制信號TVON為低時，來自垂直驅(qū)動器20的信號不提供到柵信號線G1、G2和G3。只有當垂直信號控制信號TVON為高時，來自垂直驅(qū)動器20的信號才被提供到柵信號線G1、G2和G3。
解碼器40是用于從讀出放大器50a和50b輸出差分放大信號輸出作為TOUT信號的電路。按這個方式輸出的TOUT信號由LSI測試器70(將在下文中描述)讀取，并對像素部分2a至21執(zhí)行缺陷檢查。
數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2分別連接到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入和非反轉(zhuǎn)輸入。讀出放大器50a將這些數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2相互比較以檢測它們之間的電壓差，放大該電壓差，隨后將其輸出到解碼器40。類似地，讀出放大器50b的反轉(zhuǎn)輸入和非反轉(zhuǎn)輸入分別連接到數(shù)據(jù)信號線DB1和DB2。讀出放大器50b將這些數(shù)據(jù)信號線DB1和DB2相互比較以檢測它們之間的電壓差，放大該電壓差，隨后將其輸出到解碼器40。讀出放大器50a和50b對應(yīng)于比較電路。
使能信號SE輸入到讀出放大器50a和50b。當使能信號SE變?yōu)楦邥r，讀出放大器50a和50b工作，使得輸出信號被放大到最大幅度。
將特別描述檢測按照前述方式配置的液晶顯示裝置1的像素部分2a至21的缺陷的方法。圖3示出了液晶顯示裝置1和LSI測試器70之間的連接。在本實施例中，從LSI測試器70向液晶顯示裝置1輸入各種的控制信號，并基于從液晶顯示裝置1輸出的輸出信號TOUT，檢測像素部分2a至21的缺陷。圖4為在液晶顯示裝置1的測試模式期間的時序圖。LSI測試器70對應(yīng)于用于檢查像素部分的缺陷的計算機。
LSI測試器70具有存儲部分72，其中存儲了CPU 71和程序。CPU 71通過讀取和執(zhí)行存儲于存儲部分72等中的程序(包含根據(jù)本發(fā)明實施例的缺陷像素檢查程序)執(zhí)行下面將描述的功能。該缺陷像素檢查程序可記錄在諸如CD-ROM的存儲介質(zhì)上，可通過LSI測試器70的存儲介質(zhì)驅(qū)動(未示出)將該存儲介質(zhì)上的程序讀取到該存儲部分72中。
LSI測試器70進行的測試大致由四個過程組成(a)向像素部分的電容性元件寫入電壓的操作、(b)使一對數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2或DB1和DB2的電壓變?yōu)橹虚g電壓的操作、(c)讀取像素部分的電容性元件的電壓的操作、以及(d)比較讀取電壓以及檢測缺陷像素的操作。在根據(jù)本實施例的液晶顯示裝置1中，可以檢測像素部分2a至21的缺陷。然而，在這里只描述檢測一對像素部分2a和2b的缺陷的操作；由于其它像素部分的缺陷檢測和像素部分2a及2b的相同，因此可以忽略對其的描述。像素部分2a對應(yīng)于第一像素部分，像素部分2b對應(yīng)于第二像素部分。
最初，LSI測試器70使TEST信號為高電壓電平，并提供第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG。此外，LSI測試器70向反轉(zhuǎn)信號TINV提供低電壓，并向垂直信號控制信號TVON提供低電壓。因此，第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG分別被提供給數(shù)據(jù)信號線D1和D2(見圖4中的計時Ta1)。在本實施例中，第一測試信號TSIG的電壓電平設(shè)為4V，第二測試信號XTSIG的電壓電平設(shè)為5V，但電壓電平不限于這些示例。測試信號為直流電壓的模擬信號。
接著，LSI測試器70控制水平驅(qū)動器10以便向晶體管T11a和T12a輸出高電壓，使得晶體管T11a和T12a同時導通。此外，LSI測試器70通過使該信號為高電壓電平并通過控制垂直驅(qū)動器20而將AND電路21的輸入設(shè)為高電壓電平，使柵信號線G1為高電壓電平。如前所述，當柵信號線G1為高電壓電平時，像素晶體管T14a至T14d導通(見圖4中的計時Ta2)。因此，第一測試信號TSIG的電壓從數(shù)據(jù)信號線DA1被施加到像素部分2a的電容性元件C1a，且該電壓得到保持。類似地，第二測試信號XTSIG的電壓從數(shù)據(jù)信號線DA2施加到像素部分2a的電容性元件C1b，且該電壓得到保持。按照前述方式，第一測試信號TSIG的電壓被寫入像素部分2a，第二測試信號XTSIG的電壓被寫入像素部分2b。
當完成對像素部分2a和2b的寫入時，LSI測試器70控制水平驅(qū)動器10以便向晶體管T11a和T12a的控制電極輸出低電平信號，使得晶體管T11a和T12a截止。此外，通過使垂直信號控制信號TVON為低電壓電平或者通過控制垂直驅(qū)動器20而使AND電路21的輸入為低電壓電平，LSI測試器70使柵信號線G1為低電壓電平。因此，像素部分2a和2b截止，且由于所述像素部分的像素晶體管T14a和T14b的輸入電極與第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG斷開，所述像素部分變?yōu)楦咦杩範顟B(tài)。
這里，由于在數(shù)據(jù)信號線DA1和數(shù)據(jù)信號線DA2中存在電容性元件，第一測試信號的電壓電平和第二測試信號的電壓電平分別得到保持。也就是說，在數(shù)據(jù)信號線DA1中保持4V，在數(shù)據(jù)信號線DA2中保持5V。在本實施例中，假設(shè)數(shù)據(jù)信號線DA1的電容性元件和數(shù)據(jù)信號線DA2的電容性元件相同。
接著，在完成了對像素部分2a和2b的寫入后，LSI測試器70等待預定的時間段。之后，LSI測試器70通過使平均信號EQ為高電壓電平而導通晶體管T13a和T13b。當按照這個方式導通晶體管T13a時，數(shù)據(jù)信號線DA1和數(shù)據(jù)信號線DA2短路，電流從數(shù)據(jù)信號線DA2流到數(shù)據(jù)信號線DA1。因此，數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2的電壓變?yōu)槠骄妷海诒緦嵤├性撈骄妷簽?.5V(見圖4中的計時Ta3)。LSI測試器70保持平均信號EQ的高電平狀態(tài)預定的時間段，之后使平均信號EQ返回到低電壓電平。
接著，LSI測試器70使垂直信號控制信號TVON為高電壓電平并通過AND電路21使柵信號線G1為來自垂直驅(qū)動器20的高電壓電平，使得像素晶體管T14a和T14b導通(見圖4中的計時Ta4)。當按照這個方式導通像素晶體管T14a時，由電容性元件C1a保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號線DA1被輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端。此外，由于像素晶體管T14b導通，電容性元件C1b保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號線DA2被輸入到讀出放大器50a的非反轉(zhuǎn)輸入端。
如前所述，當將讀取電容性元件C1a和C1b保持的電壓時，在數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2的電容性元件中保持4.5V，且所述電容性元件的電容成分小于數(shù)據(jù)信號線的電容成分。因此，當像素部分2a和2b沒有缺陷時，略高于前述中間電壓的電壓被輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端，且略低于前述中間電壓的電壓被輸入到讀出放大器50a的非反轉(zhuǎn)輸入端。這種電壓改變對應(yīng)于數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2的電容成分與電容性元件C1a和C1b的電容成分之比。例如，當數(shù)據(jù)信號線DA1的電容成分為電容性元件C1a的電容成分的49倍時，4.51V的電壓輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端，4.49V的電壓輸入到其非反轉(zhuǎn)輸入端。
接著，讀出放大器50a將電容性元件C1a保持的電壓與電容性元件C1b保持的電壓進行比較，將電壓差放大到最大幅度，并將其輸出到解碼器40(見圖4中的計時Ta5)。圖4的時序圖中DA1和DA2的信號表示被讀出放大器放大之后的的電壓。
按照這種方式從讀出放大器50a輸出的差值信號作為被解碼器40編碼的輸出信號TOUT被輸入到LSI測試器70。LSI測試器70基于在寫入到像素部分2a和2b的過程中電勢的相對水平是否反轉(zhuǎn)，檢測像素部分2a和2b的缺陷。這里，由于對像素部分2a施加4V并對像素部分2b施加5V，當從像素部分2a的電容性元件C1a讀取的電壓小于從像素部分2b的電容性元件C1b讀取的電壓時，這些像素并不被確定為是有缺陷的；但是當從像素部分2a的電容性元件C1a讀取的電壓較高時，這些像素被確定是有缺陷的。即使在這種情況下，當電壓差非常小時，由于可以確定泄漏量小，這些像素不被確定為有缺陷的也是可能的。通過按前述方式將讀出放大器50a用作比較電路，可以檢測泄漏量，并可能更加精確地區(qū)分良品和劣品。
之后，輸入電壓被反轉(zhuǎn)，并重復上述測試操作(a)至(d)。更為特別地，為了將第二測試信號施加到數(shù)據(jù)信號線DA1上并將第一測試信號施加到數(shù)據(jù)信號線DA2上，LSI測試器70使反轉(zhuǎn)信號TINV為高電壓電平(見圖4的計時Ta6)，并重復前述的測試操作(a)至(d)。如前所述，由于反轉(zhuǎn)了輸入電壓，可以成對地檢測像素部分2a和2b二者的缺陷。此外，由于可通過僅切換反轉(zhuǎn)信號TINV來反轉(zhuǎn)第一測試信號和第二測試信號，這導致測試時間縮短。
通過對每對像素部分(相同水平線的兩個像素部分)重復上述測試操作，可以檢測像素部分2a至21的缺陷像素。
如前所述，通過測試操作(a)至(d)可以容易地檢測像素部分2a和2b的缺陷。此外，可以不產(chǎn)生參考信號而對數(shù)據(jù)信號線求平均，因此對數(shù)據(jù)信號線求平均變得相當容易。
在本實施例中，針對一對像素部分連續(xù)地執(zhí)行過程(a)至(d)?？晒┻x擇地，可如下縮短檢查時間。
(a′)LSI測試器70控制水平驅(qū)動器10以導通晶體管T11a和T12a，使反轉(zhuǎn)信號TINV為低電壓電平，并使測試信號為高電壓電平，從而使得第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG分別被提供到數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2。
此外，LSI測試器70使TVON信號為高電壓電平并控制垂直驅(qū)動器20，以導通柵信號線G1并保持預定的時間段。這導致像素晶體管T14a和T14b導通并保持預定時間段，且測試信號被寫入像素部分2a和2b。
當完成該寫入時，LSI測試器70控制器水平驅(qū)動器10，以便截止晶體管T11a和T12a并導通晶體管T11b和T12b。因此，第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG分別被提供到數(shù)據(jù)信號線DB1和DB2。另外，LSI測試器70使TVON信號為高電壓電平并控制垂直驅(qū)動器20，以便導通柵信號線G1并保持預定時間段。因此，晶體管T14c和T14d導通，且測試信號被寫入像素部分2c和2d。
接著，LSI測試器70控制水平驅(qū)動器10，以便截止晶體管T11b和T12b并導通晶體管T11a和T12a。因此，第一測試信號TSIG和第二測試信號XTSIG被分別提供到數(shù)據(jù)信號線DA1和DA2。另外，LSI測試器70使TVON信號為高電壓電平并控制垂直驅(qū)動器20，以便導通柵信號線G2并保持預定時間段。因此，晶體管T15a和T15b導通并保持預定的時間段，且測試信號被寫入像素部分2e和2f。
類似地，之后，假設(shè)像素部分2g和2h、像素部分2i和2j、以及像素部分2k和21成對，按照上述過程執(zhí)行測試信號的寫入。
(b′)接著，LS I測試器70導通晶體管T11a、T12a、T11b和T12b，使得第一測試信號TSIG被施加到數(shù)據(jù)信號線DA1和DB1且第二測試信號XTSIG被施加到數(shù)據(jù)信號線DA2和DB2，并保持預定時間段。之后，LSI測試器70截止晶體管T11a、T12a、T11b和T12b并使平均信號EQ為高電壓電平，從而使得晶體管T13a和T13b導通并保持預定時間段。當按照這個方式導通晶體管T13a時，數(shù)據(jù)信號線DA1和數(shù)據(jù)信號線DA2短路，且電流從數(shù)據(jù)信號線DA2流到數(shù)據(jù)信號線DA1。當晶體管T13b導通時，數(shù)據(jù)信號線DB1和數(shù)據(jù)信號線DB2短路，且電流從數(shù)據(jù)信號線DB2流到數(shù)據(jù)信號線DB1。
(c′)接著，LSI測試器70使TVON信號為高電壓電平，控制垂直驅(qū)動20以便只導通柵信號線G1，并控制水平驅(qū)動器10以導通一個水平線上的所有像素T14a、T14b、T14c和T14d。當按照這個方式導通像素晶體管T14a時，電容性元件C1a所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號線DA1輸入到讀出放大器50a的反轉(zhuǎn)輸入端。當像素晶體管T14b導通時，電容性元件C1b所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號線DA2被輸入到讀出放大器50a的非反轉(zhuǎn)輸入端。當像素晶體管T14c導通時，電容性元件C1c所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號線DB1被輸入到讀出放大器50b的反轉(zhuǎn)輸入端。當像素晶體管T14d導通時，電容性元件C1d所保持的電壓通過數(shù)據(jù)信號線DB2被輸入到讀出放大器50b的非反轉(zhuǎn)輸入端。
(d′)接著，LSI測試器70將使能信號SE設(shè)為高電壓電平。因此，讀出放大器50a和50b將電容性元件C1a和C1c保持的電壓分別與電容性元件C1b和C1d保持的電壓比較，將電壓差放大到最大幅度，并將其輸出到解碼器40。
之后，對由柵信號線G2和G3控制的其余兩個水平線中的每一個執(zhí)行操作(b′)至(d′)，可以對所有像素部分2a至21執(zhí)行缺陷檢查，且和上述過程(a)至(d)相比可以縮短檢查時間。
由于第一測試信號和第二測試信號可以以模擬方式變化，可以檢測到與像素部分的電壓有關(guān)的線性特性的泄漏以及與像素部分的電壓有關(guān)的非線性特性的泄漏。
由于可以寫入任何期望測試信號圖形(signal pattern)，還可以檢測到相鄰像素之間的泄漏。此外，由于寫入圖形還可以是視覺可見的，還可以應(yīng)用于視覺檢查。
通過控制從寫入像素部分到讀取像素部分的時間，即保持時間，可以改善像素部分的泄漏缺陷的檢測精確度。
由于可以寫入任何期望的測試信號電壓，還可以檢測泄漏與電勢的依賴關(guān)系。此外，通過改變溫度執(zhí)行上述測試，可以進行線性特性泄漏和結(jié)泄漏之間差別的預測性確定。
由于可以檢測缺陷像素部分的位置，可以創(chuàng)建缺陷像素部分的地圖。
該測試可以在注入液晶之前或之后進行，并可通過縮短測試信號寫入時間和測試信號讀取時間而用作響應(yīng)速度測試。
在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的液晶顯示裝置中，由于將具有簡單數(shù)字輸出的比較器用作比較電路，無法檢測泄漏量。如果可以檢測泄漏量，則可以更精確地執(zhí)行像素部分的缺陷檢測。在本實施例中，由于使用了讀出放大器，可以檢測在相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中無法檢測到的泄漏量。因此，可以更加精確地進行像素部分的缺陷檢測。
在本實施例中，使用LSI測試器70執(zhí)行像素部分的缺陷測試?；蛘撸稍谝壕э@示裝置1中提供用于測試的控制部分，該控制部分可接受各種類型控制信號的輸入，且該控制部分可基于輸出信號TOUT檢測該像素部分的缺陷。
根據(jù)本發(fā)明各實施例，實現(xiàn)了用于下述液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法、具有下述元件的液晶顯示裝置、用于執(zhí)行下述功能的缺陷像素檢查程序、以及記錄介質(zhì)。
用于液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置1)的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個像素部分(例如像素部分2a至21)，每個像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)、連接到像素晶體管輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d、C2a至C2d、以及C3a至C3d)、以及基于保持于電容性元件中的電壓執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)，該缺陷像素檢查方法包含步驟對多個像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的電容性元件(例如電容性元件C1a)以及第二像素部分(例如像素部分2b)的電容性元件(例如電容性元件C1b)施加不同的電壓；導通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管(例如T14a)的輸入電極與第二像素部分中的像素晶體管(例如T14b)的輸入電極之間的開關(guān)(例如T13a)，并將該第一像素晶體管的輸入電極與該第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；并基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果檢測像素部分的缺陷。
用于包含多個像素部分(例如像素部分2a至21)的液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置1)的缺陷像素檢查方法，其中每個像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)、連接到像素晶體管輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d)、以及基于電容性元件內(nèi)所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)，該缺陷像素檢查方法包含步驟導通連接到該多個像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的輸入電極的第一晶體管(例如晶體管T11a)以便對該輸入電極施加第一電壓，并導通該第一像素部分的像素晶體管(例如T14a)以便對該第一像素部分的電容性元件(例如電容性元件C1a)施加第一電壓；導通連接到該多個像素部分中第二像素部分(例如像素部分2b)的輸入電極的第二晶體管以便對該輸入電極施加第二電壓，并導通該第二像素部分的像素晶體管(例如T14b)以便對第二像素部分的電容性元件(例如電容性元件C1b)施加第二電壓；截止第一晶體管和第二晶體管并截止第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管；導通設(shè)于第一像素部分的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分中像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)(例如T13a)并保持預定時間段，由此使這些像素晶體管的輸入電極短路；經(jīng)過該預定時間段之后，導通第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管，并讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓；并比較第一像素部分的電容性元件的讀取電壓和第二像素部分的電容性元件的讀取電壓。
在該缺陷像素檢查方法中，可由讀出放大器(例如，讀出放大器50a)執(zhí)行對第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的比較。
該液晶顯示裝置包含多個像素部分(例如像素部分2a至21)，其中每個像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)；連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d、C2a至C2d、以及C 3a至C3d)；以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)；連接到該多個像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的輸入電極的第一數(shù)據(jù)信號線(例如數(shù)據(jù)信號線DA1)；連接到該多個像素部分中第二像素部分(例如像素部分2b)的輸入電極的第二數(shù)據(jù)信號線(例如數(shù)據(jù)信號線DA2)；能夠向第一數(shù)據(jù)信號線提供第一測試信號(例如第一測試信號TSIG)的第一晶體管(例如晶體管T11a)；能夠向第二數(shù)據(jù)信號線提供第二測試信號(例如第二測試信號XTSIG)的第二晶體管(例如晶體管T11b)；連接于第一像素部分的像素晶體管(例如T14a)的控制電極與第二像素部分的像素晶體管(例如T14b)的控制電極之間的柵信號線(例如柵信號線G1)；設(shè)成連接于第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線之間的開關(guān)(例如晶體管T13a)；以及用于比較第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓的比較電路(例如讀出放大器50a)，其中該開關(guān)使第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線電學短路，并使得能夠進行將第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓用作中間電壓的控制。
在該液晶顯示裝置中，該比較電路是讀出放大器，該讀出放大器可將第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓進行比較，并能夠放大和輸出差值。
該液晶顯示裝置可進一步包含用于在第一測試信號和第二測試信號之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路(例如晶體管T20、T21、T23或T24，或者反相電路26)。
記錄介質(zhì)包括在其上以計算機可讀取的格式記錄的用于檢查包含多個像素部分(例如像素部分2a至21)的液晶顯示裝置(例如液晶顯示裝置1)的像素部分的缺陷的缺陷像素檢查程序，每個像素部分包含像素晶體管(例如像素晶體管T14a至T14d、T15a至T15d、以及T16a至T16d)、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件(例如電容性元件C1a至C1d、C2a至C2d、以及C3a至C3d)、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分(例如液晶部分11a至11d、12a至12d、以及13a至13d)，該缺陷像素檢查程序使得計算機(例如LSI測試器70)能夠執(zhí)行以下功能對該多個像素部分中第一像素部分(例如像素部分2a)的電容性元件(例如電容性元件C1a)和第二像素部分(例如像素部分2b)的電容性元件(例如電容性元件C1b)施加不同電壓的功能；導通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管(例如T14a)的輸入電極和第二像素部分中的像素晶體管(例如T14b)的輸入電極之間的開關(guān)(例如T13a)，并使第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極短路的功能；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的功能；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間比較的結(jié)果而檢測像素部分的缺陷的功能。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該了解到，只要落在本發(fā)明所附權(quán)利要求或其等效描述的范圍之內(nèi)，可根據(jù)設(shè)計要求和其它因素進行各種調(diào)整、組合、子組合、或者變更。
權(quán)利要求
1.一種用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于保持于電容性元件中的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分；該缺陷像素檢查方法包含步驟對該多個像素部分中第一像素部分的電容性元件以及第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓；導通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管的輸入電極與第二像素部分中的像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并將第一像素晶體管的輸入電極與第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果檢測像素部分的缺陷。
2.一種用于液晶顯示裝置的缺陷像素檢查方法，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于電容性元件內(nèi)所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分，該缺陷像素檢查方法包含步驟導通連接到該多個像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一晶體管以便對該輸入電極施加第一電壓，并導通第一像素部分的像素晶體管以便對第一像素部分的電容性元件施加第一電壓；導通連接到該多個像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二晶體管以便對該輸入電極施加第二電壓，并導通第二像素部分的像素晶體管以便對第二像素部分的電容性元件施加第二電壓；截止該第一晶體管和該第二晶體管并截止第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管；導通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分中的像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)并保持預定時間段，由此使這些像素晶體管的輸入電極短路；經(jīng)過該預定時間段之后，導通第一像素部分的像素晶體管和第二像素部分的像素晶體管，并讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓；以及比較第一像素部分的電容性元件的讀取電壓和第二像素部分的電容性元件的讀取電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2之一的缺陷像素檢查方法，其中使用讀出放大器比較第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓。
4.一種液晶顯示裝置，包含多個像素部分，其中每個像素部分包含像素晶體管，連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件，以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分；連接到該多個像素部分中第一像素部分的輸入電極的第一數(shù)據(jù)信號線；連接到該多個像素部分中第二像素部分的輸入電極的第二數(shù)據(jù)信號線；能夠向第一數(shù)據(jù)信號線提供第一測試信號的第一晶體管；能夠向第二數(shù)據(jù)信號線提供第二測試信號的第二晶體管；連接于第一像素部分的像素晶體管的控制電極與第二像素部分的像素晶體管的控制電極之間的柵信號線；設(shè)成連接于第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線之間的開關(guān)；以及用于比較第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓的比較電路，其中該開關(guān)使第一數(shù)據(jù)信號線和第二數(shù)據(jù)信號線電學短路，并使得能夠進行其中將第一數(shù)據(jù)信號線的電壓和第二數(shù)據(jù)信號線的電壓用作中間電壓的控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的液晶顯示裝置，其中該比較電路為讀出放大器，該讀出放大器可將第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓進行比較，并可放大和輸出差值。
6.根據(jù)權(quán)利要求4和5之一的液晶顯示裝置，進一步包含用于在第一測試信號和第二測試信號之間切換的電壓反轉(zhuǎn)輸入電路。
7.一種用于檢查液晶顯示裝置的像素部分的缺陷的缺陷像素檢查程序，該液晶顯示裝置包含多個像素部分，每個像素部分包含像素晶體管、連接到該像素晶體管的輸出電極的電容性元件、以及基于該電容性元件中所保持的電壓而執(zhí)行灰度顯示的液晶部分，該缺陷像素檢查程序使得計算機能夠執(zhí)行對該多個像素部分中第一像素部分的電容性元件和第二像素部分的電容性元件施加不同電壓的功能；導通設(shè)于第一像素部分中的像素晶體管的輸入電極和第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并使第一像素晶體管的輸入電極和第二像素晶體管的輸入電極短路的功能；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓和第二像素部分的電容性元件的電壓的功能；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測像素部分的缺陷的功能。
8.一種記錄介質(zhì)，該記錄介質(zhì)上以計算機可讀格式記錄了根據(jù)權(quán)利要求7的缺陷像素檢查程序。
全文摘要
一種缺陷像素檢查方法，包含步驟對多個像素部分中第一像素部分的電容性元件以及第二像素部分的電容性元件施加不同的電壓；導通設(shè)于第一像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極與第二像素部分內(nèi)像素晶體管的輸入電極之間的開關(guān)，并將第一像素晶體管的輸入電極與第二像素晶體管的輸入電極短路；讀取第一像素部分的電容性元件的電壓以及第二像素部分的電容性元件的電壓；以及基于第一像素部分的電容性元件的電壓與第二像素部分的電容性元件的電壓之間的比較結(jié)果而檢測像素部分的缺陷。
文檔編號G01R31/00GK1881389SQ200610093699
公開日2006年12月20日 申請日期2006年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月13日
發(fā)明者清水目和年, 宮澤一幸, 古賀慎一 申請人:索尼株式會社