專利名稱：用于校準(zhǔn)反射鏡的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及一種用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備以及一種控制該設(shè)備的方法，且更具體地，涉及一種用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備以及一種控制該設(shè)備的方法，該設(shè)備通過測(cè)量鏡的電容、壓電材料層的電容或輸出衍射光的強(qiáng)度測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償。
背景技術(shù)：
隨著微技術(shù)的發(fā)展，微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件和其中組裝有MEMS器件的小尺寸設(shè)備正引起關(guān)注。
MEMS器件以微結(jié)構(gòu)形式形成于諸如硅襯底或玻璃襯底的一襯底上，并且是一種器件，其中電地或機(jī)械地組合有用于輸出機(jī)械激勵(lì)力的激勵(lì)器和用于控制激勵(lì)器的半導(dǎo)體集成電路(IC)。這種MEMS器件的基本特征是，具有一機(jī)械結(jié)構(gòu)的激勵(lì)器組裝在器件的一部分中。使用電極間的庫(kù)侖力電操作激勵(lì)器。
圖1和圖2圖示了利用光的反射或衍射并應(yīng)用于光學(xué)開關(guān)或光調(diào)制器件的代表性光學(xué)MEMS器件的構(gòu)造。
如圖1所示的光學(xué)MEMS器件1包括襯底2、形成于襯底2上的襯底側(cè)電極3、配置成具有相對(duì)于并平行于襯底側(cè)電極3地設(shè)置的激勵(lì)側(cè)電極4的懸臂梁6、配置成支撐懸臂梁6的一端的支撐7。梁6和襯底側(cè)電極3通過間隙8彼此電絕緣。
在光學(xué)MEMS器件1中，通過依賴于施加在襯底側(cè)電極3與激勵(lì)側(cè)電極4之間的電勢(shì)而產(chǎn)生于梁6與襯底側(cè)電極3之間的靜電吸引力或靜電排斥力，梁6移位。例如，如圖1中的實(shí)和點(diǎn)線所示，梁14平行于襯底側(cè)電極3地移位。
如圖2所示的光學(xué)MEMS器件11包括襯底12、形成于襯底12上的襯底側(cè)電極13、和以橋形式跨襯底側(cè)電極13而形成的梁14。梁14和襯底側(cè)電極13通過間隙10彼此電絕緣。
梁14包括橋部件15，其配置成具有橋形狀并且例如由SiN膜制成；以及激勵(lì)側(cè)電極16，其由橋部件15支撐以相對(duì)于并且平行于襯底側(cè)電極13，其由厚度為100nm的Al膜制成，并配置成還起到反射膜的作用。梁14構(gòu)造成橋形式，其中其兩端都被支撐。
在光學(xué)MEMS器件11中，通過依賴于施加在襯底側(cè)電極13與激勵(lì)側(cè)電極16之間的電勢(shì)而產(chǎn)生于梁14與襯底側(cè)電極13之間的靜電吸引力或靜電排斥力，梁14移位。例如，如圖2中的實(shí)和點(diǎn)線所示，梁14移位成平行于襯底側(cè)電極3并向襯底側(cè)電極3壓低。
光學(xué)MEMS器件和1和11可以用作光學(xué)開關(guān)，其具備開關(guān)功能，以這樣一種方式，以便將光輻射到激勵(lì)側(cè)電極4和16的表面上，這些表面還起到反射膜的作用并且基于光的反射方向依賴于梁4和14的激勵(lì)位置而不同的事實(shí)來檢測(cè)具有一個(gè)方向的反射光。
此外，光學(xué)MEMS器件1和11可以用作用于調(diào)制光強(qiáng)度的光學(xué)調(diào)制器件。
當(dāng)利用光反射時(shí)，通過使梁4或14振動(dòng)，使用每單位時(shí)間在一個(gè)方向上的反射光的量調(diào)制光強(qiáng)度。
與此對(duì)比，當(dāng)利用光衍射時(shí)，光調(diào)制器件通過相對(duì)于公共襯底側(cè)電極3或13平行地布置多個(gè)梁6或14來構(gòu)造，還起到光反射膜作用的激勵(lì)側(cè)電極的高度通過交替梁6或14向公共襯底側(cè)電極3或13靠近或遠(yuǎn)離來改變，由激勵(lì)側(cè)電極反射的光的強(qiáng)度通過光的衍射來調(diào)制。此類型的光調(diào)制器件是所謂的空間調(diào)制器件。
圖3圖示了被開發(fā)為用于激光顯示的光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換器件、即光調(diào)制器的光柵光閥(GLV)器件的構(gòu)造。
GLV器件21，如圖3所示，以如下方式構(gòu)造共享的襯底側(cè)電極23形成在諸如玻璃襯底的絕緣襯底22上，并且多個(gè)梁24、在本實(shí)施例中為六個(gè)梁24(241，242，243，244，245和246)以橋形式跨襯底側(cè)電極23地彼此平行地布置。襯底側(cè)電極23和梁24的構(gòu)造與結(jié)合圖2在上面描述的構(gòu)造相同。
包括橋部件25和配置成設(shè)置在橋部件25上并還配置成起到反射膜作用的激勵(lì)側(cè)電極26通常稱為“條帶(ribbon)”。
當(dāng)小量電壓施加在襯底側(cè)電極23與還起到反射膜作用的激勵(lì)側(cè)電極26之間時(shí)，梁24由于上述靜電現(xiàn)象而向襯底側(cè)電極23移動(dòng)。與此對(duì)比，當(dāng)停止施加該電壓時(shí)，梁24與襯底側(cè)電極23遠(yuǎn)離并返回到其初始位置。
在GLV器件21中，激勵(lì)側(cè)電極26的高度通過一操作來交替地改變，在該操作中，多個(gè)梁24靠近或遠(yuǎn)離襯底側(cè)電極23(即多個(gè)梁24的靠近或遠(yuǎn)離)，并且由激勵(lì)側(cè)電極26反射的光的強(qiáng)度通過光的衍射來調(diào)制(單個(gè)光點(diǎn)輻射到全部六個(gè)梁24上)。
同時(shí)，上述衍射光調(diào)制器是一種通過激勵(lì)上微鏡層來改變光信號(hào)的器件。在此情形下，盡管上微鏡層在激勵(lì)之后必須保持在初始位置，但上微鏡層由于環(huán)境和時(shí)間的流逝而可能位于與其初始位置不同的位置(漂移)。當(dāng)上微鏡層的位置恢復(fù)到初始位置時(shí)，衍射光調(diào)制器的性能可得以保持。

發(fā)明內(nèi)容
提供此概要以引入簡(jiǎn)化形式的概念的選擇，這些概念在下面的詳細(xì)描述中進(jìn)一步描述。此概要并非旨在確定所要求主題的關(guān)鍵特征或基本特征，也并非旨在用來限制所要求主題的范圍。
因此，本發(fā)明已牢記在現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)生的上述問題。提供了一種用于測(cè)量上微鏡層的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備，并且描述了一種用于控制該設(shè)備的方法。
用于測(cè)量光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行補(bǔ)償、校正或校準(zhǔn)的設(shè)備包括位置測(cè)量單元，用于測(cè)量光調(diào)制器的微鏡的位置；控制單元，用于通過估算由位置測(cè)量單元計(jì)算的位置值來計(jì)算從參考位置位移的值，計(jì)算補(bǔ)償或校準(zhǔn)值并輸出補(bǔ)償控制信號(hào)；以及補(bǔ)償和激勵(lì)單元，用于響應(yīng)于從控制單元輸入的補(bǔ)償控制信號(hào)執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的補(bǔ)償或校準(zhǔn)，并使用經(jīng)補(bǔ)償?shù)尿?qū)動(dòng)電壓激勵(lì)衍射光調(diào)制器的上微鏡。
另外，本發(fā)明提供了一種用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行補(bǔ)償或校準(zhǔn)的設(shè)備，包括光源，用于產(chǎn)生光并發(fā)射光；衍射光調(diào)制器，用于當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入時(shí)通過調(diào)制從光源入射的光來產(chǎn)生衍射光；驅(qū)動(dòng)裝置，用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出到衍射光調(diào)制器；光量檢測(cè)裝置，用于測(cè)量由衍射光調(diào)制器發(fā)射的衍射光的量；以及校正數(shù)據(jù)計(jì)算裝置，用于當(dāng)測(cè)試者基于從光量檢測(cè)裝置輸出的衍射光的量來設(shè)定參考電壓范圍時(shí)，使用由光量檢測(cè)裝置獲得的衍射光的量來計(jì)算基于像素的校正數(shù)據(jù)。
另外，本發(fā)明提供了一種控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法，包括測(cè)量衍射光調(diào)制器的微鏡的位置；通過估算由位置測(cè)量單元計(jì)算的位置值來計(jì)算從參考位置位移的值，計(jì)算補(bǔ)償值并輸出補(bǔ)償控制信號(hào)；并且響應(yīng)于從控制單元輸入的補(bǔ)償控制信號(hào)補(bǔ)償用于微鏡的驅(qū)動(dòng)電壓，并使用經(jīng)補(bǔ)償?shù)尿?qū)動(dòng)電壓激勵(lì)衍射光調(diào)制器的微鏡。


根據(jù)結(jié)合附圖的下面的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1和圖2是圖示了利用光的反射或衍射并應(yīng)用于光學(xué)開關(guān)和光調(diào)制器件的代表性光學(xué)MEMS器件的構(gòu)造的圖；圖3是圖示了用作用于激光顯示的光強(qiáng)度轉(zhuǎn)換器件、即光調(diào)制器的光柵光閥(GLV)器件的構(gòu)造的圖；圖4A是圖示了本發(fā)明應(yīng)用于的凹陷型衍射光調(diào)制器的透視圖；圖4B是本發(fā)明應(yīng)用于的并且利用了壓電材料的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖；
圖5A是圖示了用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的構(gòu)造的圖；圖5B是用于通過測(cè)量與鏡的位置有關(guān)的電容值來測(cè)量圖5A中的鏡的位置的電路圖；圖6是圖示了用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的構(gòu)造的另一個(gè)圖；圖7是圖示了用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的構(gòu)造的另一個(gè)圖；圖8是圖示了控制根據(jù)圖5的用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法的流程圖；圖9是圖示了控制根據(jù)圖6的用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法的流程圖；圖10是圖示了控制根據(jù)圖7的用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法的流程圖；圖11是圖示了表示輸出光的量相對(duì)于施加到衍射光調(diào)制器的元件的所施加電壓的光量歷史曲線的曲線圖；圖12是圖示了輸出灰度級(jí)(gray level)相對(duì)于由圖7的基于像素的校正數(shù)據(jù)計(jì)算單元使用的驅(qū)動(dòng)IC的對(duì)應(yīng)灰度級(jí)的曲線圖；圖13是存儲(chǔ)在圖7的基于像素的校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中的校正數(shù)據(jù)表；以及圖14是圖示了用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)牧硪辉O(shè)備的圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖，其中相同的參考數(shù)字貫穿使用于不同的附圖以指示相同或相似的部件。
參考圖4A至13，詳細(xì)描述一種用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置的設(shè)備以及一種控制該設(shè)備的方法。
圖4A是圖示了本發(fā)明應(yīng)用于的并且利用了壓電材料的凹陷型衍射光調(diào)制器的透視圖。
參考圖4A，薄膜壓電光調(diào)制器包括硅襯底40和多個(gè)元件42a～42n。
元件42a～42n可以具有均勻的寬度，并且被規(guī)則地布置并構(gòu)成凹陷型薄膜壓電光調(diào)制器?？商鎿Q地，元件42a～42n可以具有不同的寬度，并且被交替地布置并構(gòu)成凹陷型薄膜壓電光調(diào)制器。此外，元件42a～42n示出為以規(guī)則間隔(例如基本上等于元件42a～42n的寬度)彼此隔開，在此情形下，形成在硅襯底40的整個(gè)上表面之上的微鏡層通過反射入射光來衍射入射光。
硅襯底40具有凹陷，以便向元件42a～42n提供空氣空間。絕緣層41設(shè)置在硅襯底40的上表面上，并且元件42a～42n的端附著到凹陷的相對(duì)側(cè)。
每個(gè)元件(雖然在此詳細(xì)描述了元件42a，但相同的描述也應(yīng)用于其余元件42b～42n)都具有棒形狀。該元件的端的下表面附著到硅襯底40的相對(duì)側(cè)，使得該元件的中心部分跨越硅的凹陷。該元件包括下支撐43a，它的位于硅襯底40的凹陷之上的部分可豎直移動(dòng)。
此外，元件42a設(shè)置在下支撐43a的左端上，并且包括下電極層44a，其配置成提供壓電電壓；壓電材料層45a，其設(shè)置在下電極層44a上，并配置成當(dāng)電壓跨其兩個(gè)表面施加時(shí)通過其膨脹和收縮來產(chǎn)生豎直激勵(lì)力；以及上電極層46a，其設(shè)置在壓電材料層45a上，并配置成向壓電材料層45a提供壓電電壓。
元件42a設(shè)置在下支撐43a的右端上，并進(jìn)一步包括下電極層44a′，其配置成提供壓電電壓；壓電材料層45a′，其設(shè)置在下電極層44a′上，并配置成當(dāng)電壓跨其兩個(gè)表面施加時(shí)通過其膨脹和收縮來產(chǎn)生豎直激勵(lì)力；以及上電極層46a′，其設(shè)置在壓電材料層45a′上，并配置成向壓電材料層45a′提供壓電電壓。
微鏡層47a設(shè)置在位于元件42a的中心部分上的下支撐43a的上表面上，并反射或衍射入射光。
圖4B是本發(fā)明應(yīng)用于的并且利用了壓電材料的基于開孔的衍射光調(diào)制器的透視圖。
參考附圖，使用壓電材料的基于開孔的衍射光調(diào)制器可視為在傳統(tǒng)衍射光調(diào)制器上進(jìn)行了改進(jìn)?；陂_孔的衍射光調(diào)制器包括微鏡層47a(下文稱為上微鏡層以區(qū)分它)上的多個(gè)開孔49a1～49a3，并進(jìn)一步包括凹陷的絕緣層41上的下微鏡層48。
開孔49a1～49a3允許入射在元件42a上的光穿過元件42a并入射在對(duì)應(yīng)于開孔49a1～49a3的下微鏡層48的部分上，由此允許下微鏡層48和上微鏡層47a形成像素。
即，例如，通過其形成開孔49a1～49a3的上微鏡層47a的部分(A)以及下微鏡層48的部分(B)可形成單個(gè)像素。在此情形下，已穿過通過其形成開孔49a1～49a3的上微鏡層47a的該部分的入射光可入射在下微鏡層48的對(duì)應(yīng)部分上。當(dāng)上微鏡層47a與下微鏡層48之間的間隔是λ/4的奇數(shù)倍時(shí)，產(chǎn)生最大的衍射光。
同時(shí)，上述衍射光調(diào)制器是一種用于通過上微鏡層的激勵(lì)來改變光信號(hào)的器件。在此情形下，盡管上微鏡層在激勵(lì)之后必須保持在初始位置，但由于環(huán)境(例如溫度或濕度的變化)和時(shí)間的流逝，上微鏡層而可位于與初始位置不同的位置，其中由于變得喪失調(diào)整性的微鏡層或光學(xué)透鏡的結(jié)構(gòu)材料或可變或變化的電路，微鏡層的位置可改變。在此點(diǎn)上，諸如PZT的氧化物的某些材料可由于溫度或濕度的變化而膨脹或收縮。而且，隨著時(shí)間的過去，電荷可積累在微鏡層上、用于其的支撐上、襯底上和/或調(diào)制器的其它部件上，引起其中的物理變化。當(dāng)上微鏡層的位置恢復(fù)到初始位置時(shí)，衍射光調(diào)制器的性能可得以保持。
圖5A是圖示了用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的構(gòu)造的圖。
參考附圖，根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例的用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備包括電容測(cè)量單元510、控制單元512、顯示單元514、補(bǔ)償單元516和激勵(lì)單元518。
電容測(cè)量單元510測(cè)量衍射光調(diào)制器的上微鏡層47a和下微鏡層48的電容。為此目的，電容測(cè)量單元510的一個(gè)端子連接到電連接到上微鏡層47a的壓電材料層45a′的下電極層44a′，電容測(cè)量單元510的另一端子連接到下微鏡層48，且電容測(cè)量單元510測(cè)量上微鏡層47a和下微鏡層48的電容。
可替換地，該電容測(cè)量單元可連接在電連接到上微鏡層47a的壓電材料45a的上電極層46a與襯底40之間，襯底40起到參考電極的作用。
圖5B提供了用于圖5A中所示的電容測(cè)量單元510的電路圖的一個(gè)實(shí)例。該電路包括電容器520，其測(cè)量上微鏡層47a與下微鏡層48之間的電容，或可替換地，如上面所提到的上微鏡層47a與襯底40之間的電容。該電路還包括電荷放大器522，其輸出信號(hào)524。信號(hào)524由高頻調(diào)制信號(hào)526調(diào)制，所得到的輸出為反映測(cè)得的電容的正弦信號(hào)。此信號(hào)傳輸?shù)娇刂茊卧?12。
控制單元512具有關(guān)于基于由電容測(cè)量單元510測(cè)得的上微鏡層47a和下微鏡層48的電容的衍射光強(qiáng)度的信息，基于該信息計(jì)算補(bǔ)償值，并將補(bǔ)償控制信號(hào)輸出到補(bǔ)償單元516。
然后補(bǔ)償單元516基于輸入補(bǔ)償控制信號(hào)將補(bǔ)償值輸出到激勵(lì)單元518，且激勵(lì)單元518輸出反映補(bǔ)償值的電壓。
圖6是圖示了根據(jù)本公開的另一實(shí)施例用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的構(gòu)造的圖。參考該圖，用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備包括電容測(cè)量單元610、控制單元612、顯示單元614、補(bǔ)償單元616和激勵(lì)單元618。
電容測(cè)量單元610測(cè)量衍射光調(diào)制器的壓電材料層45a′的上微鏡層46a′和下微鏡層44a′的電容。為此目的，電容測(cè)量單元610的一個(gè)端子連接到上微鏡層46a′，且電容測(cè)量單元610的另一端子連接到下微鏡層44a′，并然后電容測(cè)量單元610測(cè)量上微鏡層46a′和下微鏡層44a′的電容。電容測(cè)量單元610可以以與圖5B中所示并在上面描述的電路相似的電路的形式。
此外，控制單元612具有關(guān)于基于由電容測(cè)量單元610測(cè)得的上微鏡層46a′和下微鏡層44a′的電容的衍射光強(qiáng)度的信息，基于該信息計(jì)算補(bǔ)償值，并將補(bǔ)償控制信號(hào)輸出到補(bǔ)償單元616。
然后補(bǔ)償單元616基于輸入補(bǔ)償控制信號(hào)將補(bǔ)償值輸出到激勵(lì)單元618，且激勵(lì)單元618輸出反映補(bǔ)償值的電壓。
圖7是圖示了根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的構(gòu)造的圖。
參考該圖，用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備包括光源710、衍射光調(diào)制器712、反射鏡713、光電傳感器714、掃描器715、基于像素的光量檢測(cè)單元718、屏幕719、控制單元720、輸入單元722、基于像素的補(bǔ)償數(shù)據(jù)計(jì)算單元724、參考電壓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元726、基于像素的補(bǔ)償數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元728和顯示單元730。
光源710包括圖7中未示出的光源R、光源G和光源B。在控制單元720的控制下，只有一個(gè)相關(guān)于期望顏色的光源可接通。測(cè)試者在測(cè)量光的量的同時(shí)只接通一個(gè)相關(guān)于期望顏色的光源。
激勵(lì)單元716分別地激勵(lì)衍射光調(diào)制器712的元件，并在預(yù)定電壓范圍內(nèi)重復(fù)地和豎直地激勵(lì)每個(gè)元件。
當(dāng)該元件由激勵(lì)單元716豎直地激勵(lì)時(shí)，衍射光調(diào)制器712產(chǎn)生衍射光。
反射鏡713將由衍射光調(diào)制器712產(chǎn)生的、否則導(dǎo)向掃描器715的衍射光的一部分反射向光電傳感器714。反射鏡713優(yōu)選地反射衍射光的約從1/2到1/100，其從衍射光調(diào)制器712發(fā)射到光電傳感器714。當(dāng)提供了反射鏡713時(shí)，可測(cè)量衍射光調(diào)制器712的鏡的位置，并且在使用衍射光調(diào)制器712的顯示器件工作的同時(shí)執(zhí)行位置補(bǔ)償。
光電傳感器714測(cè)量從衍射光調(diào)制器712發(fā)射的衍射光的量，并將與衍射光的量有關(guān)的信息輸出到基于像素的校正數(shù)據(jù)計(jì)算單元724。
然后，基于像素的校正數(shù)據(jù)計(jì)算單元724通過分析由光電傳感器714測(cè)得的光的量來獲得用于每個(gè)像素的光量歷史曲線，并將所獲得的光量歷史曲線顯示在顯示單元730上。在圖11中針對(duì)三個(gè)像素圖示了由基于像素的校正數(shù)據(jù)計(jì)算單元724獲得的光量歷史曲線的一個(gè)實(shí)例。針對(duì)像素1，與最小量的光有關(guān)的電壓是Vp1min，且與最大量的光有關(guān)的電壓是Vp1max。針對(duì)像素2，與最小量的光有關(guān)的電壓是Vp2min，且與最大量的光有關(guān)的電壓是Vp2max。針對(duì)像素3，與最小量的光有關(guān)的電壓是Vp3min，且與最大量的光有關(guān)的電壓是Vp3max。
在該情形下，測(cè)試者可設(shè)定參考電壓范圍，使得其可包括針對(duì)所有像素的能夠檢測(cè)到最小量的光的最低電壓，以及能夠檢測(cè)到最大量的光的最高電壓。作為一個(gè)實(shí)例，在圖11中設(shè)定了g0和g10。
當(dāng)由測(cè)試者選擇的參考電壓范圍通過輸入單元722輸入時(shí)，輸入?yún)⒖茧妷簲?shù)據(jù)存儲(chǔ)在參考電壓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元726中。
根據(jù)基于像素的光量歷史曲線，基于像素的校正/補(bǔ)償數(shù)據(jù)計(jì)算單元724參考存儲(chǔ)在參考電壓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元726中的參考電壓范圍基于灰度標(biāo)(grayscale)來計(jì)算基于像素的校正/補(bǔ)償數(shù)據(jù)。
為了理解計(jì)算基于像素的校正/補(bǔ)償數(shù)據(jù)的過程，有必要理解衍射光調(diào)制器712的顯示應(yīng)用中的驅(qū)動(dòng)IC(未示出)的工作。當(dāng)灰度級(jí)輸入時(shí)，該驅(qū)動(dòng)IC輸出根據(jù)參考電壓確定的驅(qū)動(dòng)電壓。即，作為一個(gè)實(shí)例，假定參考電壓是g0～g10，且灰度標(biāo)具有256個(gè)級(jí)，則該驅(qū)動(dòng)IC當(dāng)灰度級(jí)0輸入時(shí)輸出驅(qū)動(dòng)電壓g0，當(dāng)灰度級(jí)255輸入時(shí)輸出驅(qū)動(dòng)電壓g10，且當(dāng)0與255之間的值輸入時(shí)輸出預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓。因此，當(dāng)測(cè)試者設(shè)定參考電壓范圍時(shí)，該驅(qū)動(dòng)IC基于灰度標(biāo)輸出預(yù)定驅(qū)動(dòng)電壓。即，一旦確定了參考電壓范圍，該驅(qū)動(dòng)IC就根據(jù)參考電壓基于輸入灰度級(jí)自動(dòng)輸出驅(qū)動(dòng)電壓。同時(shí)，如從圖11可知的，由于不使用最高電壓和最低電壓來針對(duì)每個(gè)像素設(shè)定參考電壓范圍，但參考電壓范圍設(shè)定成包括所有最低電壓和最高電壓，所以必須計(jì)算針對(duì)每個(gè)像素的校正數(shù)據(jù)。這參考圖12描述，圖12圖示了只針對(duì)像素1的光量歷史曲線。在從外界輸入的灰度標(biāo)例如為0的情形下，如果0未校正地施加到該驅(qū)動(dòng)IC，則輸出電壓為g0，在此情形下，由像素1輸出的光的量為15。因此，為了解決此偏差，對(duì)應(yīng)于在該處像素1實(shí)際上輸出0的Vp1min的灰度級(jí)10輸出到該驅(qū)動(dòng)IC。
結(jié)果，基于像素的校正數(shù)據(jù)計(jì)算單元724使用能夠以上述方式校正從外界輸入的輸入灰度級(jí)的校正灰度級(jí)來準(zhǔn)備在圖13中圖示的表，并將該表存儲(chǔ)在基于像素的校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元728中。
即，根據(jù)圖13的表，可理解，存在外部輸入灰度級(jí)，且針對(duì)相應(yīng)的像素確定將輸出的灰度級(jí)。
例如，針對(duì)像素1，當(dāng)輸入灰度級(jí)為0時(shí)將輸出的灰度級(jí)為5，當(dāng)輸入灰度級(jí)為1時(shí)將輸出的灰度級(jí)為6，當(dāng)輸入灰度級(jí)為254時(shí)將輸出的灰度級(jí)為249，且當(dāng)輸入灰度級(jí)為255時(shí)將輸出的灰度級(jí)為250。從此表可看出灰度標(biāo)的實(shí)際損耗發(fā)生。
同時(shí)，在顯示應(yīng)用中，在圖像從外界輸入的情形下，控制單元720參考存儲(chǔ)在基于像素的校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元728中的校正表來校正輸入灰度級(jí)，并輸出經(jīng)校正的灰度級(jí)。
圖8是圖示了根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法的流程圖。
參考該圖，在控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法中，電容測(cè)量單元在步驟S110測(cè)量衍射光調(diào)制器的上微鏡層和下微鏡層的電容，并將測(cè)得的電容輸出到控制單元。
控制單元具有關(guān)于對(duì)應(yīng)于由電容測(cè)量單元測(cè)得的上微鏡層和下微鏡層的測(cè)得的電容的衍射光強(qiáng)度的信息，在步驟S112基于該信息計(jì)算補(bǔ)償值，并在步驟S114將補(bǔ)償控制信號(hào)輸出到補(bǔ)償單元。
此后，補(bǔ)償單元在步驟S116將基于輸入補(bǔ)償控制信號(hào)的補(bǔ)償值輸出到激勵(lì)單元，并且激勵(lì)單元在步驟S118輸出反映該補(bǔ)償值的電壓。
圖9是圖示了根據(jù)本公開的另一實(shí)施例的控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法的流程圖。
參考該圖，在控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法中，電容測(cè)量單元在步驟S210測(cè)量衍射光調(diào)制器的上電極層和下電極層的電容，并將測(cè)得的電容輸出到控制單元。
控制單元具有關(guān)于對(duì)應(yīng)于由電容測(cè)量單元測(cè)得的上微鏡層和下微鏡層的測(cè)得的電容的衍射光強(qiáng)度的信息，在步驟S212基于該信息計(jì)算補(bǔ)償值，并在步驟S214將補(bǔ)償控制信號(hào)輸出到補(bǔ)償單元。
此后，補(bǔ)償單元在步驟S216將基于輸入補(bǔ)償控制信號(hào)的補(bǔ)償值輸出到激勵(lì)單元，并且激勵(lì)單元在步驟S218輸出反映該補(bǔ)償值的電壓。
圖10是圖示了根據(jù)本公開的另一實(shí)施例的控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法的流程圖。
參考該圖，在控制用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的方法中，控制單元接通光源R、G和B中所選擇的一個(gè)，并在步驟S310通過將驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)施加到激勵(lì)單元來操作衍射光調(diào)制器。
此后，光電傳感器檢測(cè)光的量并將光的量傳輸?shù)交谙袼氐臋z測(cè)單元，并且基于像素的光量檢測(cè)單元從所檢測(cè)的光的量獲得基于像素的光量曲線并將所獲得的基于像素的光量曲線顯示在顯示單元上。
此時(shí)，當(dāng)測(cè)試者確定了參考電壓范圍，使得其包括針對(duì)所有像素的能夠檢測(cè)到最小量的光的最低電壓，以及針對(duì)所有像素的能夠檢測(cè)到最大量的光的最高電壓，并通過輸入單元輸入?yún)⒖茧妷悍秶诓襟ES314輸入?yún)⒖茧妷悍秶鎯?chǔ)在參考電壓存儲(chǔ)單元中。
同時(shí)，當(dāng)基于像素的光量曲線從基于像素的光量檢測(cè)單元輸入時(shí)，基于像素的校正數(shù)據(jù)計(jì)算單元參考存儲(chǔ)在參考電壓存儲(chǔ)單元中的參考電壓范圍基于灰度標(biāo)來計(jì)算基于像素的校正數(shù)據(jù)，將基于像素的校正數(shù)據(jù)布置在圖13中所示的表中，并在步驟S316將其存儲(chǔ)在基于像素的校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元中。
在這個(gè)基于像素的檢測(cè)和校正系統(tǒng)中，可假定來自衍射光調(diào)制器的輸出從參考電平的任何漂移由所有像素同時(shí)地發(fā)生。而且，前述校準(zhǔn)/校正方法可在調(diào)制器的工作范圍中的每個(gè)電壓電平下以連續(xù)的方式應(yīng)用到衍射光調(diào)制器的每個(gè)像素。
上述本發(fā)明具有優(yōu)點(diǎn)使能夠方便地測(cè)量上微鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償。
而且，本發(fā)明具有優(yōu)點(diǎn)能夠使用上微鏡層和下微鏡層的電容或者上電極層和下電極層的電容來間接地測(cè)量上微鏡的位置，并執(zhí)行對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償，使得不必要提供有額外的光學(xué)系統(tǒng)。
雖然本發(fā)明的實(shí)施例為了說明的目的而公開，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，各種修改、添加和替換是可能的，而不背離如所附權(quán)利要求中公開的本在另一實(shí)施例中，不同于將來自調(diào)制器712的輸出經(jīng)由鏡713轉(zhuǎn)向到光電傳感器714，未示出的一光電傳感器可定位于該調(diào)制器與掃描器715之間的一位置處的光學(xué)流(optical stream)中?？商鎿Q地，未示出的該光電傳感器可位于掃描器715與顯示屏719之間的光學(xué)流中，在此情形下，使得掃描器不起作用。在此情況下，掃描器的掃描噪聲不干擾光電傳感器的工作。當(dāng)在制造期間或時(shí)常在衍射光調(diào)制器的工作期間以“出廠層次(factory level)”校準(zhǔn)衍射光調(diào)制器時(shí)，將光學(xué)傳感器放置在這些可替換位置是可行的。應(yīng)當(dāng)理解，圖7中所示的實(shí)施例具有優(yōu)點(diǎn)當(dāng)衍射光調(diào)制器用來在屏幕19上產(chǎn)生顯示時(shí)，其可同時(shí)地用于“實(shí)時(shí)”校準(zhǔn)。這樣，衍射光調(diào)制器的校準(zhǔn)不需要圖7中所示系統(tǒng)的任何停歇(down time)。
已針對(duì)包括圖示于圖4A、4B、5A、6和7中的衍射光調(diào)制器的各種類型的衍射光調(diào)制器公開了本發(fā)明。也可針對(duì)包括圖3中所公開的調(diào)制器的其它類型的衍射光調(diào)制器采用本發(fā)明。
圖14是圖示了用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備的另一構(gòu)造的圖。圖14的設(shè)備相似于圖6的設(shè)備，但添加了光電二極管732形式的光強(qiáng)度測(cè)量器件。在圖14中，相同的部件或與圖6的部件對(duì)應(yīng)的部件給予相同的數(shù)字但以上標(biāo)(′)指示。
光電二極管732能夠測(cè)量也由衍射光調(diào)制器接收的來自光源的光，并將此信息輸出到電容測(cè)量單元610′。光電二極管732可安裝在衍射光調(diào)制器上或與其相鄰。諸如光電二極管732的光電二極管是商業(yè)產(chǎn)品。
來自光電二極管的信息可用來校正上和下微鏡層的電容的測(cè)量。電容測(cè)量單元610由于由包括光源734的激光器引入到微鏡層上的表面電荷而不總是導(dǎo)致精確的電容測(cè)量。
應(yīng)當(dāng)理解，不同于使用單個(gè)光電二極管732，光電二極管陣列可與衍射光調(diào)制器結(jié)合使用。這樣的光電二極管陣列將具有降低如僅使用單個(gè)光電二極管而產(chǎn)生的噪聲的優(yōu)點(diǎn)。
而且，除了與圖6的設(shè)備結(jié)合來實(shí)施光電二極管732或光電二極管陣列之外，也可以與圖5A的設(shè)備一起實(shí)施這樣的光電二極管或光電二極管陣列。不同于添加光電二極管732，圖14中示出的設(shè)備以與圖5A和6中示出的設(shè)備相同或相似的方式工作。
權(quán)利要求
1.一種用于測(cè)量在顯示系統(tǒng)中使用的衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備，所述顯示系統(tǒng)處理從所述衍射光調(diào)制器衍射的光用于隨后的顯示，包括位置測(cè)量單元，用于基于估算從所述顯示系統(tǒng)之前的一位置處的所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光來測(cè)量所述衍射光調(diào)制器的鏡的位置；控制單元，用于通過估算由所述位置測(cè)量單元計(jì)算的位置值來計(jì)算所述鏡從參考位置的位移的值，基于所述位移值計(jì)算補(bǔ)償值并輸出補(bǔ)償控制信號(hào)；以及補(bǔ)償和激勵(lì)單元，用于響應(yīng)于從所述控制單元輸入的補(bǔ)償控制信號(hào)來執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的補(bǔ)償，并使用經(jīng)補(bǔ)償?shù)尿?qū)動(dòng)電壓來激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器的鏡。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述位置測(cè)量單元通過測(cè)量所述鏡相對(duì)于參考電極的電容來測(cè)量所述鏡的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的設(shè)備，進(jìn)一步包括光強(qiáng)度測(cè)量器件，以測(cè)量入射在所述鏡上的光，該光測(cè)量可用于校準(zhǔn)所述位置測(cè)量單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的設(shè)備，其中所述光強(qiáng)度測(cè)量器件包括光電二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的設(shè)備，其中所述光電二極管安裝在所述衍射光調(diào)制器上或與其相鄰。
6.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備其中所述衍射光調(diào)制器包括壓電激勵(lì)器，用于激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器，所述壓電激勵(lì)器具有至少一個(gè)電極；其中所述位置測(cè)量單元通過測(cè)量所述壓電激勵(lì)器的電極相對(duì)于參考電極的電容來測(cè)量所述鏡的位置。
7.一種用于校準(zhǔn)用于顯示系統(tǒng)的衍射光調(diào)制器的設(shè)備，包括光源，用于產(chǎn)生光并發(fā)射光；衍射光調(diào)制器，用于當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入時(shí)通過調(diào)制從所述光源入射的光來產(chǎn)生衍射光，所述衍射光用于產(chǎn)生光學(xué)輸出顯示；驅(qū)動(dòng)裝置，用于將驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸?shù)剿鲅苌涔庹{(diào)制器；光檢測(cè)器，用于測(cè)量由所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的衍射光的量，所述測(cè)量發(fā)生在所述光學(xué)輸出顯示之前的位置；以及校準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算裝置，用于遍及基于由所述光檢測(cè)器測(cè)得的衍射光的量的參考電壓范圍、使用由所述光檢測(cè)器獲得的衍射光的量來計(jì)算基于像素的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括反射鏡，用于將從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的衍射光的一部分導(dǎo)向所述光檢測(cè)器。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述反射鏡引起入射在所述光檢測(cè)器上的衍射光的量是從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的衍射光的1/2～1/100。
10.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述光檢測(cè)器包括光電傳感器，用于測(cè)量發(fā)射到所述衍射光調(diào)制器的衍射光的量，以及基于像素的光量檢測(cè)單元，用于參考由所述光電傳感器測(cè)得的衍射光的量來計(jì)算針對(duì)每個(gè)像素的光的量。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括顯示單元，用于顯示由所述光檢測(cè)單元計(jì)算的光的量。
12.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述校準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算裝置包括參考電壓數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)將測(cè)試的參考電壓范圍，以及基于像素的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算裝置，用于參考存儲(chǔ)在所述參考電壓存儲(chǔ)單元中的參考電壓數(shù)據(jù)范圍和由所述光檢測(cè)器接收的光的量來計(jì)算基于像素的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)；
13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括基于像素的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，用于存儲(chǔ)由所述基于像素的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)計(jì)算單元計(jì)算的基于像素的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。
14.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述光檢測(cè)器設(shè)置在所述衍射光調(diào)制器與所述光學(xué)輸出顯示之間的光學(xué)路徑中。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備(a)進(jìn)一步包括掃描器，用于基于從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的衍射光產(chǎn)生二維顯示；以及(b)所述光檢測(cè)器定位于所述衍射光調(diào)制器與所述掃描器之間的光學(xué)路徑中。
16.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備(a)進(jìn)一步包括掃描器，用于使用從所述衍射光調(diào)制器衍射的光產(chǎn)生二維顯示；以及(b)所述光檢測(cè)器位于來自所述掃描器的光學(xué)路徑下游中。
17.一種用于操作具有用于衍射入射光的微鏡的衍射光調(diào)制器的方法，包括(a)以施加到所述衍射光調(diào)制器的一特定驅(qū)動(dòng)電壓，通過測(cè)量與所述微鏡的位置有關(guān)的值來測(cè)量所述衍射光調(diào)制器的微鏡的位置；(b)通過測(cè)量與所述微鏡的位置有關(guān)的值來計(jì)算所述微鏡從參考位置的位移；(c)基于與所述微鏡相對(duì)于參考位置的位置有關(guān)的測(cè)得的值計(jì)算補(bǔ)償值；(d)響應(yīng)于所計(jì)算的補(bǔ)償值產(chǎn)生所述衍射光調(diào)制器驅(qū)動(dòng)電壓；并且(e)使用所產(chǎn)生的驅(qū)動(dòng)電壓激勵(lì)所述微鏡。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量所述微鏡的位置通過測(cè)量所述微鏡相對(duì)于參考電極的電容來執(zhí)行。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括通過測(cè)量所述微鏡的位置的一個(gè)可替換方法來測(cè)量入射在所述衍射光調(diào)制器上的光；并且使用入射在所述衍射光調(diào)制器上的測(cè)得的光來監(jiān)視通過測(cè)量所述微鏡相對(duì)于參考電極的電容的測(cè)量所述微鏡的位置的精度。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中測(cè)量入射在所述衍射光調(diào)制器上的光通過光電二極管和光電二極管陣列中的一個(gè)來執(zhí)行。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述光電二極管和光電二極管陣列中的一個(gè)安裝在所述衍射光調(diào)制器上。
22.如權(quán)利要求17所述的方法其中所述衍射光調(diào)制器包括壓電激勵(lì)器，用于激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器，所述壓電激勵(lì)器具有至少一個(gè)電極；并且其中測(cè)量所述衍射光調(diào)制器的微鏡的位置通過測(cè)量所述壓電電極相對(duì)于參考電極的電容來執(zhí)行。
23.如權(quán)利要求17所述的方法其中所述衍射光調(diào)制器包括多個(gè)微鏡，用于衍射入射光；并且基于所有微鏡都從參考位置移位的假設(shè)計(jì)算用于微鏡中的每個(gè)的補(bǔ)償值。
24.如權(quán)利要求17所述的方法其中所述衍射光調(diào)制器包括多個(gè)微鏡；并且在所述衍射光調(diào)制器的工作期間以連續(xù)的方式在施加到所述衍射光調(diào)制器的特定驅(qū)動(dòng)電壓的范圍中測(cè)量所述衍射光調(diào)制器的微鏡中的每個(gè)的位置，以一個(gè)微鏡接一個(gè)微鏡地校正從微鏡的參考位置的位移。
25.一種校準(zhǔn)由用來產(chǎn)生光學(xué)顯示的多個(gè)衍射微鏡構(gòu)成的衍射光調(diào)制器的方法，包括(a)通過激勵(lì)電壓激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器；(b)在所產(chǎn)生的顯示之前的位置處以逐個(gè)像素為基礎(chǔ)來測(cè)量由所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光的量；(c)通過所述衍射光調(diào)制器的工作電壓范圍確定測(cè)得的光水平與參考光水平之間的差異；并且(d)計(jì)算與一特定激勵(lì)電壓下的由所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光的水平相對(duì)于光的參考水平的差異有關(guān)的校準(zhǔn)因子。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，進(jìn)一步包括調(diào)整所述激勵(lì)電壓以便基于所計(jì)算的校準(zhǔn)因子激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中所述校準(zhǔn)因子以逐個(gè)像素為基礎(chǔ)遍及所述衍射光調(diào)制器的工作電壓范圍來計(jì)算，并且用于激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器的激勵(lì)電壓以逐個(gè)像素為基礎(chǔ)基于針對(duì)每個(gè)像素所計(jì)算的校準(zhǔn)因子來確認(rèn)。
28.根據(jù)權(quán)利要求25的方法進(jìn)一步包括掃描從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光以產(chǎn)生二維顯示；并且在所述衍射光調(diào)制器與所述掃描器之間的一位置處測(cè)量從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光。
29.如權(quán)利要求25所述的方法進(jìn)一步包括掃描從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光以產(chǎn)生二維輸出顯示；并且當(dāng)掃描鏡不工作時(shí)，在從掃描所述衍射光的位置下游的一位置處測(cè)量由所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光的量。
30.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中所述校準(zhǔn)因子基于當(dāng)測(cè)試電壓施加到所述衍射光調(diào)制器時(shí)產(chǎn)生自所述衍射光調(diào)制器的光相對(duì)于將由在所述測(cè)試電壓下的所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光的期望水平之間的差異來計(jì)算。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中計(jì)算所述校正因子進(jìn)一步包括將輸入?yún)⒖茧妷号c灰度標(biāo)等級(jí)(gray scale level)相匹配；確定對(duì)應(yīng)于從所述衍射光調(diào)制器發(fā)射的光的實(shí)際灰度標(biāo)等級(jí)；使用在每個(gè)測(cè)試電壓下獲得的灰度標(biāo)等級(jí)準(zhǔn)備校正數(shù)據(jù)表；并且使用在一特定電壓下的所測(cè)得的灰度標(biāo)等級(jí)與參考灰度標(biāo)等級(jí)之間的差異來校正來自所述衍射光調(diào)制器的衍射光的灰度標(biāo)等級(jí)。
全文摘要
一種用于測(cè)量衍射光調(diào)制器的鏡的位置并執(zhí)行位置補(bǔ)償?shù)脑O(shè)備，以及一種控制該設(shè)備的方法。位置測(cè)量單元測(cè)量所述衍射光調(diào)制器的鏡的位置。控制單元通過估算由所述位置測(cè)量單元計(jì)算的位置值從參考位置計(jì)算位移值，計(jì)算補(bǔ)償值并輸出補(bǔ)償控制信號(hào)。補(bǔ)償和激勵(lì)單元響應(yīng)于所述補(bǔ)償控制信號(hào)執(zhí)行對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的補(bǔ)償，并使用所補(bǔ)償?shù)尿?qū)動(dòng)電壓激勵(lì)所述衍射光調(diào)制器的鏡。
文檔編號(hào)G01M11/00GK1877389SQ20061008711
公開日2006年12月13日 申請(qǐng)日期2006年6月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月10日
發(fā)明者尹相璟, 安承道 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社