專利名稱：包括引線框架的傳感器和及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及包括引線框架的傳感器和形成包括引線框架的傳感器的方法。
本發(fā)明要求于2005年2月25日提交的日本專利申請(qǐng)No.2005-50879和于2005年3月29日提交的日本專利申請(qǐng)No.2005-93636的優(yōu)先權(quán)，它們的全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考并入這里。
背景技術(shù)：
為了更充分地描述本發(fā)明涉及的技術(shù)領(lǐng)域的狀態(tài)，將下面在本申請(qǐng)中引用或指出的全部專利、專利申請(qǐng)、專利出版物、科學(xué)論文等的全部?jī)?nèi)容通過(guò)參考并入這里。
近年來(lái)，不斷要求將諸如移動(dòng)電話等的終端裝置與指示有關(guān)用戶位置的信息的GPS(全球定位系統(tǒng))集成。GPS功能可通過(guò)使用諸如磁性傳感器或加速傳感器的用于傳感或測(cè)量物理量的傳感器實(shí)現(xiàn)。集成在終端裝置中的磁性傳感器傳感或測(cè)量地磁場(chǎng)，以傳感或測(cè)量終端裝置的三維空間中的方位角或方向。集成在終端裝置中的加速傳感器傳感或測(cè)量終端裝置的運(yùn)動(dòng)方向，以傳感或測(cè)量終端裝置的位置。用于傳感物理量的傳感器的典型實(shí)例可包括但不限于彼此傾斜放置的多個(gè)諸如磁性傳感器芯片的傳感器芯片。傳感器芯片的這種放置方式有助于減小傳感器尺寸和減少傳感器的厚度。
具有傾斜的傳感器芯片的傳感器在垂直于包括傾斜傳感器的平面的軸向方向上具有高靈敏度，在諸如平行于基板表面的軸向方向的其它軸向方向上具有低靈敏度。這種類型的傳感器將是未來(lái)的主要趨勢(shì)。
圖24示出了用于傳感物理量的傳統(tǒng)傳感器的平面圖。圖25是圖24的傳感器的橫截面圖。圖26是用于形成圖24所示傳感器的引線框架的平面圖。用于傳感物理量的傳感器1包括一對(duì)傳感器芯片2和3，這對(duì)傳感器芯片彼此傾斜，以便傳感或測(cè)量外部磁場(chǎng)的方向和大小。圖24的傳感器1可使用圖26的引線框架4形成。引線框架4可通過(guò)金屬板的壓力加工和/或蝕刻工藝形成。
圖26的引線框架4包括框架5和由框架5支撐的一對(duì)臺(tái)6和7。框架5進(jìn)一步包括矩形框架部分5a、多個(gè)引線5b、和修改的連接引線5d。矩形框架部分5a限定矩形內(nèi)部區(qū)域。矩形框架部5a具有四個(gè)角部5c、兩個(gè)長(zhǎng)邊和兩個(gè)短邊。多個(gè)引線5b從矩形框架部分5a延伸進(jìn)所述內(nèi)部區(qū)域。修改的連接引線5d從矩形框架部分5a的角部5c延伸進(jìn)所述內(nèi)部區(qū)域。臺(tái)6和7設(shè)置在所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)，并且由第一對(duì)修改的連接引線5d和第二對(duì)修改的連接引線5d支撐。
引線框架4具有平行于矩形框架部分5a的兩個(gè)長(zhǎng)邊的第一中心線和平行于矩形框架部分5a的兩個(gè)短邊的第二中心線。第一和第二中心線彼此垂直。臺(tái)6和7具有矩形形狀。第二中心線將所述內(nèi)部區(qū)域分成兩個(gè)子區(qū)域。臺(tái)6和7分別設(shè)置在兩個(gè)子區(qū)域內(nèi)，以便遠(yuǎn)離第二中心線。臺(tái)6和7相對(duì)于第二中心線的反射對(duì)稱軸對(duì)稱地定位。臺(tái)6和7的每一個(gè)都相對(duì)于第一中心線的另一反射對(duì)稱軸對(duì)稱地延伸?？蚣?相對(duì)于第一和第二中心線的反射對(duì)稱軸對(duì)稱。臺(tái)6具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，其中傳感器芯片2安裝在所述第一表面上。臺(tái)7具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，其中傳感器芯片3安裝在所述第一表面上。臺(tái)6具有一對(duì)突出部8，這對(duì)突出部向著對(duì)應(yīng)臺(tái)7突出，并且從包括臺(tái)6的平面朝著第二表面面對(duì)的空間傾斜。突出部8遠(yuǎn)離第二中心線。臺(tái)7具有一對(duì)突出部9，這對(duì)突出部向著對(duì)應(yīng)臺(tái)6突出，并且從包括臺(tái)7的平面朝著第二表面面向的空間傾斜。突出部9遠(yuǎn)離第二中心線。
修改的連接引線5d包括從矩形框架部分5a懸掛臺(tái)6和7的懸掛引線。每個(gè)修改的連接引線5d都具有可扭曲部分5e，所述可扭曲部分5e與臺(tái)6或7的側(cè)邊緣6b或7b相鄰并相連?？膳で糠?e包括由凹陷側(cè)限定的窄部分。扭曲可扭曲部分5e使得臺(tái)6或7從包括框架5的平面傾斜。
圖24和25中所示的傳感器1包括多個(gè)引線5b、具有扭曲部分5e的修改的連接引線5d、具有傾斜的傳感器芯片2和3的傾斜臺(tái)6和7、將傾斜的傳感器芯片2和3電連接至引線5b的布線10、和封裝傳感器芯片2和3和多個(gè)引線5b的樹脂模11。樹脂模11通過(guò)注模工藝形成。當(dāng)注模工藝已經(jīng)完成時(shí)，引線5b和修改的連接引線5d具有位于樹脂模11和矩形框架部分5a外面的外側(cè)部分。切去引線5b和修改的連接引線5d的一部分，以去除外側(cè)部分和矩形框架部分5a，從而完成傳感器1。這在日本未審專利申請(qǐng)首次公布No.2004-128473中作了披露。
圖24、25、和26中的虛線表示樹脂模11的周邊。樹脂模11在平面圖中具有矩形形狀，在截面圖中具有梯形形狀。樹脂模11具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面11a。所述第一表面是頂表面，所述第二表面11a是底表面。引線框架4具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面4a。引線框架5具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面5g。第二表面4a包括第二表面5g。引線框架5的第二表面5g出現(xiàn)在樹脂模11的第二表面11a中。即，第二表面5g從第二表面11a暴露。突出部8和9具有定位在樹脂模11的第二表面11a上的頂部8a和9a。具有傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7從樹脂模11的第二表面11a傾斜。臺(tái)6在從第二平面傾斜的第一平面內(nèi)延伸，所述第二平面包括樹脂模11的第二表面11a。臺(tái)7在第三平面內(nèi)延伸，所述第三平面從第二平面傾斜，也從第一平面傾斜。第一平面和第三平面彼此以銳角相交。傳感器芯片2和3安裝在傾斜的臺(tái)6和7上。具有傾斜的傳感器芯片2和3的傾斜的臺(tái)6和7固定至樹脂模11，并且由樹脂模11封裝。
將描述形成傳感器1的傳統(tǒng)方法。圖27A是處于形成圖24和25的傳感器1的方法所涉及的步驟中的圖26的引線框架4的局部截面圖。圖27B是處于形成圖24和25的傳感器1的方法所涉及的另一步驟中的引線框架4的局部截面圖。圖27C是處于形成圖24和25的傳感器1的方法所涉及的又一步驟中的引線框架4的局部截面圖。
如圖26和27A中所示，準(zhǔn)備具有預(yù)定內(nèi)部區(qū)域的金屬板。金屬板的所述預(yù)定內(nèi)部區(qū)域經(jīng)受光蝕刻工藝，以減少一半的厚度，并且形成厚度減小的板。厚度減小的板接著經(jīng)受壓力加工和/或蝕刻工藝，以形成引線框架4，所述引線框架包括框架5和具有突出部8和9的臺(tái)6和7。臺(tái)6和7由連接至矩形框架部分5a的修改的連接引線5d支撐。每個(gè)修改的連接引線5d都具有可扭曲部分5e，所述可扭曲部分包括由凹陷側(cè)限定的窄部分。突出部8從臺(tái)6向?qū)?yīng)臺(tái)7延伸，并且從包括臺(tái)6的平面傾斜。突出部9從臺(tái)7向?qū)?yīng)臺(tái)6延伸，并且從包括臺(tái)7的平面傾斜。
傳感器芯片2和3分別結(jié)合到臺(tái)6和7上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。布線10是柔性的，并且松弛地延伸，以便允許在后續(xù)工藝中具有傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7從包括框架5的平面傾斜。每個(gè)布線10都具有第一結(jié)合部分10a和第二結(jié)合部分10b，所述第一結(jié)合部分與傳感器芯片2或3結(jié)合，所述第二結(jié)合部分與引線5b結(jié)合。傾斜具有傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7增加了布線10的第一和第二結(jié)合部分10a和10b之間的距離。布線10的松弛允許臺(tái)6和7被傾斜。
如圖27B中所示，引線框架4放入第一和第二模具“D”和“E”之間。第一模具“D”具有凹部分和脊部分，而第二模具“E”具有平坦表面“E1”。第二模具“E”向第一模具“D”移動(dòng)，從而平坦表面“E1”上壓突起部8和9，直到第一和第二模具“D”和“E”夾住框架5的正方形框架部分5a，由此可扭曲部分5e被扭曲，并且臺(tái)6和7從包括框架5的平面傾斜。
如圖27C中所示，臺(tái)6和7從包括框架5的平面傾斜。分別安裝在臺(tái)6和7上的磁性傳感器芯片2和3也與臺(tái)6和7一起傾斜。傾斜的磁性傳感器芯片2和3相對(duì)于正方形框架部分5a和平坦表面“E1”具有預(yù)定傾角。所述預(yù)定傾角由可扭曲部5e和突出部8或9的頂部8a或9a之間的距離確定。
熔融的樹脂被注入模具“D”和“E”的空腔中，同時(shí)使第二模具“E”上推突出部8和9，從而形成樹脂模11，所述樹脂模封裝和固定傾斜的傳感器芯片2和3和傾斜的臺(tái)6和7。正方形框架部分5a和引線5b的外側(cè)部分和修改的連接引線5d定位在樹脂模11外面。引線5b和修改的連接引線5d的第二表面、正方形框架部分5a、引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分從樹脂模11暴露。
接著將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，以在暴露的表面上形成鍍層。引線5b和修改的連接引線5d被切去一部分，以去除正方形框架部分5a以及引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分，同時(shí)在引線5b的剩余部分和修改的連接引線5d的剩余部分的第二表面上留下鍍層，從而完成傳感器1。
傳感器1安裝在電路板上，從而剩余引線5b和剩余的修改的連接引線5d的第二表面上的鍍層與電路板電連接。
圖28是沿圖24的A-A線得到的傳感器的底視圖。執(zhí)行注模工藝，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a與模具“E”的平坦表面“E1”接觸。這樣，熔融的樹脂在注模時(shí)不能覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a，從而頂部8a和9a從樹脂模11的第二表面11a暴露。當(dāng)傳感器1安裝在電路板上時(shí)，暴露的頂部8a和9a與電路板的導(dǎo)電圖案電接觸，從而形成短路。
圖29是放入模具“D”和“E”之間的傳統(tǒng)的引線框架的截面圖。如圖29中所示，使用成對(duì)的模具“D”和“E”。模具“D”具有凹部分“D1”和用片狀物“S”覆蓋的脊部分，而模具“E”具有用片狀物“S”覆蓋的平坦表面“E1”。片狀物“S”是柔性的。當(dāng)模具“D”和“E”閉合時(shí)，頂部8a和9a與片狀物“S”緊密接觸。在注模工藝中，熔融的樹脂填充空腔，但不密封或覆蓋頂部8a和9a，由此頂部8a和9a沒(méi)有被樹脂模11覆蓋，并且從樹脂模11的底表面11a突出。傳感器1具有底表面，所述底表面包括樹脂模11的平坦底部、引線5b的底表面、和突出的頂部8a和9a。引線5b的底表面與樹脂模11的平坦底部在相同的水平高度上。突出的頂部8a和9a與引線5b的底表面和樹脂模11的平坦底部的水平高度不同。突出的頂部8a和9a防止引線5b與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，由此引線5b不能電連接至電路板。突出的頂部8a和9a進(jìn)一步阻止傳感器令人滿意地安裝在電路板上。
在從模具“D”和“E”釋放具有樹脂模11的傳感器后，可選地將傳感器浸入電鍍液內(nèi)，由此諸如焊料層的鍍層不僅形成在引線5b的暴露的底表面上，而且形成在突出的頂部8a和9a上。覆蓋突出的頂部8a和9a的鍍層是不必要的。當(dāng)傳感器安裝在電路板上時(shí)，覆蓋頂部8a和9a的不必要的鍍層放入傳感器和電路板之間。所述不必要的鍍層阻止引線5b與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，由此引線5b不能電連接至電路板。不必要的鍍層進(jìn)一步阻止傳感器令人滿意地安裝在電路板上。
鑒于上述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)此披露易知，需要一種改進(jìn)的引線框架、包括所述改進(jìn)的引線框架的傳感器、形成引線框架的方法、和使用所述引線框架形成傳感器的方法。本發(fā)明致力于本領(lǐng)域中的這些需要和本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)此披露易知的其它需要。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)主要目的是提供一種傳感物理量且包括引線框架的傳感器。
本發(fā)明的另一目的是提供一種形成傳感物理量且包括引線框架的傳感器的方法。
根據(jù)本發(fā)明第一方面，一種傳感器包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有在水平高度上比所述底表面高的頂部。
根據(jù)本發(fā)明第二方面，一種傳感器包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述至少一個(gè)突出部的頂部；以及所述多個(gè)引線的底表面上的鍍層，所述鍍層在水平高度上比所述絕緣層低。
根據(jù)本發(fā)明第三方面，一種傳感器包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部包括在從所述第一和第二平面傾斜的方向上從所述臺(tái)延伸的主部和在平行于所述引線的底表面的第二方向上從所述主部延伸的頂部，所述頂部在水平高度上等于或高于所述底表面。
根據(jù)本發(fā)明第四方面，一種傳感器包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)，所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)引線電斷開；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有在水平高度上等于或高于所述底表面的頂部。
根據(jù)本發(fā)明第五方面，一種傳感器包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；及所述多個(gè)引線的底表面上的鍍層，所述鍍層在水平高度上比所述頂部低。
根據(jù)本發(fā)明第六方面，一種形成傳感器的方法包括制備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；形成樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上；及在所述底部?jī)?nèi)形成凹陷部，所述凹陷部具有第二平坦表面，所述第二平坦表面在水平高度上比所述第一平坦表面高且與所述頂部在同一水平高度上。
根據(jù)本發(fā)明第七方面，一種形成傳感器的方法包括制備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部，所述頂部在水平高度上比所述底表面低；及將所述頂部移動(dòng)到在水平高度上比所述底表面高的第一水平高度，同時(shí)從所述第一平面傾斜所述臺(tái)。
根據(jù)本發(fā)明第八方面，一種形成傳感器的方法包括制備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；形成樹脂模，所述樹脂模封裝除底表面和頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有與所述底表面在同一水平高度的第一平坦表面；及將所述底表面暴露于電鍍液，同時(shí)將所述頂部與所述電鍍液隔離。
根據(jù)本發(fā)明第九方面，一種形成傳感器的方法包括制備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；及將所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)分成彼此電斷開的第一部分和第二部分，所述第一部分電連接至所述至少一個(gè)突出部，所述第二部分電連接至所述多個(gè)引線。
根據(jù)本發(fā)明第十方面，一種形成用于傳感物理量的傳感器的方法包括制備引線框架，所述引線框架包括矩形框架部分、從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的引線，從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的修改的連接引線、由所述修改的連接引線支撐的臺(tái)、和從所述臺(tái)向下突出且從所述臺(tái)傾斜的突出部；將用于傳感所述物理量的傳感器芯片緊固在所述臺(tái)上；向上推所述突出部，以便從所述矩形框架部分傾斜具有所述傳感器芯片的臺(tái)；在空腔中形成樹脂模，所述樹脂模封裝所述臺(tái)、所述傳感器芯片、所述突出部、所述引線、和所述修改的連接引線；及將所述突出部的頂部定位在第一水平高度，所述第一水平高度比所述引線的底表面的第二水平高度高。
根據(jù)本發(fā)明第十一方面，一種形成用于傳感物理量的傳感器的方法包括制備引線框架，所述引線框架包括矩形框架部分、從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的引線，從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的修改的連接引線、由所述修改的連接引線支撐的臺(tái)、和從所述臺(tái)向下突出且從所述臺(tái)傾斜的突出部；將用于傳感所述物理量的傳感器芯片緊固在所述臺(tái)上；向上推所述突出部，以便從所述矩形框架部分傾斜具有所述傳感器芯片的臺(tái)；在空腔中形成樹脂模，所述樹脂模封裝所述臺(tái)、所述傳感器芯片、所述突出部、所述引線、和所述修改的連接引線；及將具有樹脂模的引線框架浸入電鍍液中，以在所述引線的底表面上形成鍍層且不在所述突出部的頂部的每一個(gè)上形成鍍層。
根據(jù)本發(fā)明第十二方面，一種用于傳感物理量的傳感器，包括矩形框架部分；從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的引線；從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的修改的連接引線；由修改的連接引線支撐并且從所述矩形框架部分傾斜的臺(tái)；用于傳感物理量的傳感器芯片，所述傳感器芯片被緊固在臺(tái)上且從矩形框架部分傾斜；突出部，所述突出部從所述臺(tái)向下突出且從所述臺(tái)傾斜；樹脂模，所述樹脂模封裝除所述引線的底表面和所述突出部的頂部之外的所述引線、所述修改的連接引線、所述臺(tái)、所述傳感器芯片、和所述突出部；及鍍層，所述鍍層覆蓋所述引線的底表面。
在下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例詳細(xì)描述，本發(fā)明的這些和其它目的、特性、方面、和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言將更加明顯。
現(xiàn)在參考構(gòu)成本原始公開的一部分的附圖圖1示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；圖2是圖1的傳感器的底視圖；圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的修改的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；圖4示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的另一修改的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；圖5A示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的又一修改的傳感器修改的突出部的局部截面圖；圖5B是圖5A的突出部的局部平面圖；圖6示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的又一修改的傳感器的修改的突出部的局部截面圖；圖7示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的又一修改的用于傳感物理量的傳感器的局部平面圖；圖8示出圖7的傳感器的局部截面圖；圖9A是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的步驟中；圖9B是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的另一步驟中；圖10A是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的步驟中；圖10B是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的另一步驟中；圖11示出根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部平面圖；圖12示出根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；圖13是圖11和12的傳感器的底視圖；圖14A是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖11和12的傳感器的方法所涉及的步驟中；圖14B是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖11和12的傳感器的方法所涉及的另一步驟中；圖14C是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖11和12的傳感器的方法所涉及的另一步驟中；圖15是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的修改的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；
圖16示出根據(jù)本發(fā)明第五優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；圖17示出圖16的傳感器的局部平面圖；圖18是示出在本發(fā)明第五實(shí)施例的修改中的修改的連接引線的內(nèi)部和外部之間的分離間隙的局部截面圖；圖19示出根據(jù)本發(fā)明第六優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖；圖20示出圖19的傳感器的局部底視圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的具有樹脂模的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖19和20的傳感器的方法所涉及的步驟中；圖22是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的具有樹脂模的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成所述傳感器的方法所涉及的步驟中；圖23是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的修改的具有樹脂模的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成所述傳感器的另一方法所涉及的步驟中；圖24示出用于傳感物理量的傳統(tǒng)傳感器的平面圖；圖25是圖24的傳感器的截面圖；圖26是用于形成圖24的傳感器的引線框架的平面圖；圖27A是圖26的引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖24和25的傳感器的方法所涉及的步驟中；圖27B是引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖24和25的傳感器的方法所涉及的另一步驟中；圖27C是引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖24和25的傳感器的方法所涉及的又一步驟中；圖28是沿圖24的A-A線得到的傳感器的底視圖；以及圖29是放入模具“D”和“E”之間的傳統(tǒng)引線框架的截面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的被選擇的實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)本公開將易知，下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述僅為示例性的，而不是用于限制由所附權(quán)利要求書及其等同物所限定的本發(fā)明。
第一實(shí)施例圖1示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖。圖2是圖1的傳感器的底視圖。下面的描述將針對(duì)第一實(shí)施例的傳感器與上述傳統(tǒng)傳感器的區(qū)別。
用于傳感物理量的傳感器1在圖1中示出。傳感器1包括一對(duì)傾斜的傳感器芯片，這對(duì)傳感器芯片用于傳感或測(cè)量外部磁場(chǎng)的方向和大小。傳感器1使用圖26中所示的引線框架4形成。傳感器1可以是諸如QFN(四側(cè)無(wú)引腳扁平)封裝和SON(小外型無(wú)引腳)封裝的表面安裝封裝類型。
圖1和2中所示的傳感器1包括多個(gè)引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、布線10、和樹脂模11。具有突出部8和9的引線框架4由諸如金屬的導(dǎo)電材料制成。傾斜臺(tái)6和7由修改的連接引線5d支撐。傳感器芯片2和3分別安裝在傾斜臺(tái)6和7上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。突出部8和9分別從臺(tái)6和7延伸。樹脂模11封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、以及布線10。
樹脂模11的截面大體為梯形形狀，所述梯形形狀由平坦頂部、傾斜側(cè)壁、和下部限定。下部進(jìn)一步包括底部11a和凹陷部11b。底部11a具有平坦表面。凹陷部11b由平坦表面11c和側(cè)壁11d限定。平坦表面11c與底部11a的平坦表面所處的水平高度不同。即，平坦表面11c具有比底部11a的平坦表面的水平高度高的水平高度。凹陷部11b在平面圖中具有圓形形狀。突出部8和9具有與凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度的頂部8a和9a。這樣，頂部8a和9a與底部11a的平坦表面所處的水平高度不同。即，頂部8a和9a具有高于底部11a的平坦表面的水平高度的水平高度。引線5b具有限定引線框架4的底表面4a的第二表面5g。頂部8a和9a與引線5的第二表面5g所處的水平高度不同。即，頂部8a和9a具有高于引線5的第二表面5g的水平高度的水平高度。
凹陷部11b可通過(guò)凹進(jìn)或切割樹脂模11底部的一部分形成。
將描述形成上述傳感器1的方法。上面參考圖26描述的引線框架用已知方法制備。傳感器芯片2和3分別安裝在臺(tái)6和7的表面6c和7c上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。
再次參考圖27A、27B、和27C，制備引線框架4。將引線框架4放在成對(duì)的模具“D”和“E”之間。模具“D”向著配對(duì)模具“E”移動(dòng)，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的連接引線5d的可扭曲部5e被扭曲，且具有磁性傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7被傾斜，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a仍與平坦表面“E1”緊密接觸。
執(zhí)行注模工藝，以將熔融的樹脂注入由組合的模具“D”和“E”限定的空腔中，以便形成樹脂模11，所述樹脂模封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、及傾斜的傳感器芯片2和3。
圖28是示出封裝引線框架4的樹脂模11的底視圖。引線5b具有從樹脂模11的底表面11a暴露的表面。突出部8和9的頂部8a和9a也從樹脂模11的底表面11a暴露。
具有樹脂模11的引線框架4被從模具“D”和“E”釋放，接著浸入電鍍液內(nèi)，以便在引線5b和突出部8和9的頂部8a和9a的暴露表面上形成鍍層。所述鍍層可以是焊料層，但不限于焊料層。
當(dāng)已經(jīng)完成注模工藝時(shí)，樹脂模11的截面大體為梯形形狀，所述梯形形狀由平坦頂部、傾斜側(cè)壁、和平坦底部11a限定。底部11a具有包括頂部8a和9a的預(yù)定區(qū)域。底部11a的預(yù)定區(qū)域通過(guò)使用諸如激光束或噴砂的已知技術(shù)去除，以便形成由無(wú)凹陷底部11a圍繞的凹陷部11b，同時(shí)切去突出部8和9的一部分，并且形成被切的突出部8和9的新頂部8a和9a。這種去除可在具有樹脂模11的引線框架4已經(jīng)從模具“D”和“E”釋放之后且被浸入電鍍液之前進(jìn)行。可選地，所述去除可在具有樹脂模11的引線框架4被浸入電鍍液之后進(jìn)行。樹脂模11的下部包括底部11a和凹陷部11b。底部11a具有平坦表面。凹陷部11b由平坦表面11c和側(cè)壁11d限定。平坦表面11c與底部11a的平坦表面所處的水平高度不同。即，平坦表面11c具有比底部11a的平坦表面的水平高度高的水平高度。凹陷部11b在平面圖中具有圓形形狀。突出部8和9的頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度。這樣，頂部8a和9a與底部11a的平坦表面所處的水平高度不同。底部11a的平坦表面與引線5的第二表面5g在相同的水平高度上。即，頂部8a和9a具有比底部11a的平坦表面和引線5的第二表面5g的水平高度高的水平高度。
引線5b和修改的連接引線5b具有在樹脂模11外面延伸的外側(cè)部分。矩形框架部分5a也定位在樹脂模11外面。接著從樹脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分被切去一部分并從樹脂模11去除，從而完成傳感器1。
傳感器1具有引線5b，所述引線具有用金屬層覆蓋的第二表面5g。鍍層通過(guò)將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)形成。傳感器1安裝在電路板上，從而覆蓋第二表面5g的鍍層與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，同時(shí)被切的突出部8和9的頂部8a和9a遠(yuǎn)離電路板，所述頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度。這確保引線5b與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，由此引線5b電連接至電路板，且傳感器可被可靠地安裝在電路板上。
根據(jù)形成傳感器1的上述方法，在已經(jīng)完成注模工藝后或在已經(jīng)將具有引線框架4的樹脂模11浸入電鍍液之前，切去突出部8和9的一部分，同時(shí)去除底部11a的預(yù)定區(qū)域，從而形成凹陷部11b。被切的突出部8和9的頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在同一水平高度，并且在水平高度上比引線5b的第二表面5g高。這確保引線5b與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，由此引線5b電連接至電路板，且傳感器1可被可靠地安裝在電路板上。
根據(jù)第一實(shí)施例，突出部8和9被切去一部分，同時(shí)去除樹脂模11的底部11a的預(yù)定區(qū)域。作為對(duì)第一實(shí)施例的修改，可能切去突出部8和9的一部分，但不去除樹脂模11的底部11a的任何部分，從而被切的突出部8和9的頂部8a和9a在水平高度上比樹脂模11的底部11a的平坦表面高。
根據(jù)第一實(shí)施例，突出部8和9成形為細(xì)桿形。臺(tái)6具有靠近臺(tái)7的近側(cè)6a。臺(tái)7具有靠近臺(tái)6的近側(cè)7a。突出部8和9分別從近側(cè)6a和7a向臺(tái)7和6延伸。作為修改，可選地，多個(gè)突出部8和9可能在臺(tái)6和7的寬度方向上對(duì)準(zhǔn)。突出部8和9從其延伸的位置不應(yīng)限于近側(cè)6a和7a。突出部8和9的形狀不應(yīng)限于細(xì)桿形。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的一個(gè)修改的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖。如圖3中所示，突出部8和9具有平行于樹脂模11的底部11a的平坦表面延伸的彎曲部分8b和9b。突出部8和9埋在樹脂模11中。彎曲部分8b和9b具有從樹脂模11的底面11a的平坦表面示出的暴露表面。彎曲部分8b和9b的暴露表面可用在浸在電鍍液內(nèi)時(shí)形成的金屬層覆蓋。有利的是進(jìn)一步修改所述彎曲部分8b和9b，以便減小覆蓋彎曲部分8b和9b的表面的金屬層的面積，或使得容易從彎曲部分8b和9b的表面去除金屬層。
圖4示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的另一修改的傳感器的修改的突出部的局部截面圖。突出部8和9具有修改的彎曲部分8b和9b，所述修改的彎曲部分具有一個(gè)或多個(gè)槽8c和9c。槽8c和9c減小了彎曲部分8b和9b的暴露表面的面積，從而減小了覆蓋彎曲部分8b和9b表面的金屬層的面積，并且也使得容易從彎曲部分8b和9b的表面去除金屬層。
圖5A示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的又一修改的傳感器的修改的突出部的局部截面圖。圖5B是圖5A的突出部的局部平面圖。突出部8和9具有進(jìn)一步修改的彎曲部分8b和9b，所述彎曲部分具有多個(gè)通孔8d和9d。通孔8d和9d減小了彎曲部分8b和9b的暴露表面的面積，從而減小了覆蓋彎曲部分8b和9b的表面的金屬層的面積，并且也使得容易從彎曲部分8b和9b的表面去除金屬層。
圖6示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的又一修改的傳感器的修改的突出部的局部截面圖。突出部8和9具有修改的彎曲部分8b和9b，所述彎曲部分具有向下凸出的凸起8e和9e。凸起8e和9e被暴露，同時(shí)修改的彎曲部分8b和9b埋在樹脂模11內(nèi)，從而減小了覆蓋彎曲部分8b和9b的表面的金屬層的面積，并且也使得容易從彎曲部分8b和9b的表面去除金屬層。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，修改的連接引線5d具有如圖24-27C中所示的可扭曲部5e，作為第一實(shí)施例的修改，修改的連接引線可具有可彎曲部分和不可扭曲部分。彎曲修改的引線5d的可彎曲部分而不扭曲不可扭曲部分，使得臺(tái)被傾斜。圖7示出根據(jù)本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的又一修改的用于傳感物理量的傳感器的局部平面圖。圖8示出圖7的傳感器的局部截面圖?？蓮澢糠?f寬度比修改的連接引線5d的其它部分窄。彎曲修改的引線5d的可彎曲部分5f而不扭曲不可扭曲部分5e，使得臺(tái)6或7被傾斜。
如圖7和8中所示，傳感器芯片2和3具有第一側(cè)2a和3a，所述第一側(cè)2a和3a靠近引線5b，并且定位在引線5b的內(nèi)部上方和臺(tái)6和7外面。傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a通過(guò)布線10電連接至引線5b。引線5b的內(nèi)部機(jī)械支撐傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a。傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a可連接至引線5b的內(nèi)部。所述內(nèi)部比引線5b的其余部分薄，從而所述內(nèi)部是可彎曲的。所述內(nèi)部的厚度的典型實(shí)例可以是引線5b的厚度的一半，但不限于此。作為第一實(shí)施例的另一修改，引線5b的內(nèi)部可機(jī)械支撐在傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a且在傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a下面延伸，且引線5b的內(nèi)部不連接至傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a。即，傳感器芯片2和3的第一側(cè)2a和3a可定位在引線5b的內(nèi)部上方。
模具“E”向著配對(duì)模具“D”移動(dòng)，同時(shí)平坦表面“E1”推突出部8和9，以便彎曲修改的連接引線5d的可彎曲部分5f和引線5d的薄內(nèi)部，從而使得臺(tái)6和7傾斜，且不扭曲不可扭曲部分5e。
第二實(shí)施例將描述本發(fā)明第二實(shí)施例。下面的描述將針對(duì)第二實(shí)施例與上述第一實(shí)施例的區(qū)別。第二實(shí)施例提供了與第一實(shí)施例具有相同結(jié)構(gòu)的傳感器1。即，傳感器1具有與圖1、2、和24-28中所示相同的結(jié)構(gòu)。將描述形成傳感器1的方法。圖24中所示的引線框架4以與第一實(shí)施例中描述的相同方式制備。圖9A是引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的步驟中。圖9B是引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的另一步驟中。
如圖9A中所示，引線框架4放入第一模具“D”和第二模具“E”之間。第一模具“D”具有凹部分和脊部分，而第二模具“E”具有周邊部分和突出部分，所述周邊部分具有第一平坦表面“E1”，所述突出部分具有第二平坦表面“E2”。第二平坦表面“E2”在水平高度上高于第一平坦表面“E1”。所述突出部分具有距第一平坦表面“E1”的預(yù)定高度。突出部8和9定位在第二模具“E”的突出部分的第二平坦表面“E2”上方。
如圖9B中所示，第二模具“E”向著第一模具“D”移動(dòng)，從而第二平坦表面“E2”上推突出部8和9，直到第一模具“D”和第二模具“E”夾住框架5的正方形框架部分5a，由此可扭曲部分5e被扭曲，且臺(tái)6和7從包括框架5的平面傾斜。并且，分別安裝在臺(tái)6和7上的磁性傳感器芯片2和3與臺(tái)6和7一起傾斜。傾斜的磁性傳感器芯片2和3相對(duì)于包括正方形框架部分5a的平面具有預(yù)定傾角。突出部8和9具有與第二模具“E”的突出部的第二平坦表面“E2”緊密接觸的頂部8a和9a。引線5b具有與第二模具“E”的周邊部分的第一平坦表面“E1”緊密接觸的第二表面5g。頂部8a和9a的水平高度與引線5b的第二表面5g的水平高度之間的差異對(duì)應(yīng)第二模具“E”的突出部分的高度。頂部8a和9b和引線5d的第二表面5g之間的水平高度之差相應(yīng)于第二模具“E”的突出部分的高度。
熔融的樹脂注入第一模具“D”和第二模具“E”的空腔內(nèi)，同時(shí)第二模具“E”繼續(xù)上推突出部8和9，從而形成封裝和固定傾斜的傳感器芯片2和3及傾斜臺(tái)6和7的樹脂模11。矩形框架部分5a定位在樹脂模11外面。引線5b和修改的連接引線5d的每個(gè)都具有在樹脂模11外面延伸的外側(cè)部分。引線5具有在樹脂模11的第二表面上示出的第二表面。
具有圖9A和9B的第二平坦表面“E2”的突出部限定圖1和2的樹脂模11的凹陷部11b。凹陷部11b的深度相應(yīng)于突出部的高度。具有圖9A和9B的第二平坦表面“E2”的突出部也限定突出部8和9的頂部8a和9a的水平高度。因此，頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但是在水平高度上高于樹脂模11的底部11a的平坦表面。底部11a的平坦表面與引線5的第二表面5g在相同的水平高度上。因此，頂部8a和9a在水平高度上高于底部11a的平坦表面和引線5的第二表面5g。
引線5b和修改的連接引線5d被切去一部分，以去除矩形框架部分5a和引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分，從而完成傳感器1。
根據(jù)第二實(shí)施例，第一模具“D”和第二模具“E”閉合，同時(shí)第二模具“E”的突出部的第二平坦表面“E2”上推第一和第二突出部8和9的頂部8a和9a，由此具有傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7傾斜。執(zhí)行注模工藝，以形成樹脂模11，同時(shí)第二平坦表面“E2”繼續(xù)上推頂部8a和9a。這樣，頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但是在水平高度上高于樹脂模11的底部11a的平坦表面。頂部8a和9a與引線5的第二表面5g的水平高度之差允許傳感器1被安裝在電路板上，而不會(huì)形成任何問(wèn)題或缺點(diǎn)。
根據(jù)第二實(shí)施例，突出部8和9成形為細(xì)桿形。突出部8和9分別從近側(cè)6a和7a向臺(tái)7和6延伸。作為修改，可選地，多個(gè)突出部8和9可能在臺(tái)6和7的寬度方向上對(duì)準(zhǔn)。突出部8和9從其延伸的位置不應(yīng)限于近側(cè)6a和7a。突出部8和9的形狀不應(yīng)限于細(xì)桿形。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，修改的連接引線5d具有可扭曲部分5e。作為第二實(shí)施例的修改，修改的連接引線可具有可彎曲部分和不可扭曲部分。彎曲修改引線5d的可彎曲部分但不扭曲不可扭曲部分使得臺(tái)傾斜。
第三實(shí)施例將描述本發(fā)明第三實(shí)施例。下面的描述將針對(duì)第三實(shí)施例與上述第一和第二實(shí)施例的區(qū)別。第三實(shí)施例提供了與第一實(shí)施例具有相同結(jié)構(gòu)的傳感器1。即，傳感器1具有與圖1、2、和24-28中所示相同的結(jié)構(gòu)。將描述形成傳感器1的方法。圖26中所示的引線框架4以與第一實(shí)施例中描述的相同方式制備。圖10A是引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的步驟中。圖10B是引線框架4的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖1和2的傳感器的方法所涉及的另一步驟中。
如圖10A中所示，引線框架4放入第一模具“D”和第二模具“E”之間。第一模具“D”具有凹部分和脊部分，而第二模具“E”具有周邊部分和用于容納脫模銷“E4”的開口“E3”，所述周邊部分具有第一平坦表面“E1”，所述開口具有第二平坦表面“E5”。開口“E3”具有與脫模銷“E4”接觸的內(nèi)壁，以便允許脫模銷“E4”沿垂直于第一和第二平坦表面“E1”和“E5”的方向在內(nèi)壁上滑動(dòng)。脫模銷“E4”在開口“E3”中的第一和第二位置之間滑動(dòng)。當(dāng)脫模銷“E4”具有第一位置時(shí)，脫模銷“E4”的第二平坦表面“E5”與周邊部分的第一平坦表面“E1”在相同的水平高度上。當(dāng)脫模銷“E4”具有第二位置時(shí)，脫模銷“E4”的第二平坦表面“E5”在水平高度上高于周邊部分的第一平坦表面“E1”。突出部8和9定位在脫模銷“E4”的第二平坦表面“E5”上方。
具有與第一平坦表面“E1”具有相同的水平高度的第二平坦表面“E5”的第二模具“E”向著第一模具“D”移動(dòng)，從而第二平坦表面“E5”上推突出部8和9，直到第一和第二模具“D”和“E”夾住框架5的正方形框架部分5a，由此可扭曲部分5e被扭曲，并且臺(tái)6和7從包括框架5的平面傾斜。并且，分別安裝在臺(tái)6和7上的磁性傳感器芯片2和3也與臺(tái)6和7一起傾斜。傾斜的磁性傳感器芯片2和3相對(duì)于包括正方形框架部分5a的表面具有預(yù)定的第一傾角。突出部8和9具有頂部8a和9a，所述頂部與第二平坦表面“E5”緊密接觸，所述第二平坦表面與第一平坦表面“E1”在相同的水平高度上。引線5b具有第二表面5g，所述第二表面與第二模具“E”的周邊部分的第一平坦表面“E1”緊密接觸。頂部8a和9a與引線5b的第二表面5g在相同的水平高度上。
如圖10B中所示，脫模銷“E4”向第一模具“D”移動(dòng)，以便進(jìn)入由第一模具“D”和第二模具“E”之間限定的空腔。第二平坦表面“E5”升高，并且變得在水平高度上高于第一平坦表面“E1”，同時(shí)進(jìn)一步上推突出部8和9，由此可扭曲部分5e被進(jìn)一步扭曲，且傾斜臺(tái)6和7進(jìn)一步傾斜。并且，分別安裝在臺(tái)6和7上的磁性傳感器芯片2和3也與臺(tái)6和7一起進(jìn)一步傾斜。傾斜的磁性傳感器芯片2和3具有比第一傾角大的預(yù)定第二傾角。突出部8和9具有頂部8a和9a，所述頂部8a和9a與升高的第二平坦表面“E5”緊密接觸，所述第二平坦表面在水平高度上高于第一平坦表面“E1”。引線5b具有第二表面5g，所述第二表面與第二模具“E”的周邊部分的第一平坦表面“E1”緊密接觸。頂部8a和9a在水平高度上高于引線5b的第二表面5g。頂部8a和9a和引線5d的第二表面5g之間的水平高度之差對(duì)應(yīng)于脫模銷“E4”的移動(dòng)量。
熔融的樹脂注入第一模具“D”和第二模具“E”之間的空腔內(nèi)，同時(shí)脫模銷“E4”的第二平坦表面“E5”繼續(xù)上推突出部8和9，從而形成封裝和固定傾斜的傳感器芯片2和3及傾斜臺(tái)6和7的樹脂模11。矩形框架部分5a定位在樹脂模11外面。引線5b和修改的連接引線5d的每個(gè)都具有在樹脂模11外面延伸的外側(cè)部分。引線5具有在樹脂模11的第二表面上示出的第二表面。
具有圖10B的第二平坦表面“E5”的脫模銷“E4”限定圖1和2的樹脂模11的凹陷部11b。凹陷部11b的深度相應(yīng)于第二平坦表面“E5”和第一平坦表面“E1”之間的水平高度差。具有圖10B的第二平坦表面“E2”的脫模銷“E4”也限定突出部8和9的頂部8a和9a的水平高度。因此，頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但在水平高度上高于樹脂模11的底部11a的平坦表面。底部11a的平坦表面與引線5的第二表面5g在相同的水平高度上。因此，頂部8a和9a在水平高度上高于引線5的第二表面5g。
具有樹脂模11的引線框架4被從具有脫模銷“E4”的模具“D”和“E”釋放。引線5b和修改的連接引線5d被切去一部分，以去除框架部分5a及引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分，從而完成傳感器1。
根據(jù)第三實(shí)施例，在第一模具“D”和第二模具“E”之間已經(jīng)閉合后，脫模銷“E4”進(jìn)入所述空腔，同時(shí)第二平坦表面“E5”進(jìn)一步上推第一和第二突出部8和9的頂部8a和9a，由此具有傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7進(jìn)一步傾斜。執(zhí)行注模工藝，以形成樹脂模11，同時(shí)第二平坦表面“E5”繼續(xù)上推頂部8a和9a。這樣，頂部8a和9a與凹陷部11b的平坦表面11c在相同的水平高度上，但是在水平高度上高于樹脂模11的底部11a的平坦表面。底部11a的平坦表面與引線5的第二表面5g在相同的水平高度上。頂部8a和9a與引線5的第二表面5g之間的水平高度之差允許傳感器1被安裝在電路板上，而不會(huì)形成任何問(wèn)題或缺點(diǎn)。
根據(jù)第三實(shí)施例，突出部8和9成形為細(xì)桿形。突出部8和9分別從近側(cè)6a和7a向臺(tái)7和6延伸。作為修改，可選地，多個(gè)突出部8和9可能在臺(tái)6和7的寬度方向上對(duì)準(zhǔn)。突出部8和9從其延伸的位置不應(yīng)限于近側(cè)6a和7a。突出部8和9的形狀不應(yīng)限于細(xì)桿形。
根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例，修改的連接引線5d具有可扭曲部分5e。作為第三實(shí)施例的修改，修改的連接引線可具有可彎曲部分和不可扭曲部分。彎曲修改引線5d的可彎曲部分但不扭曲不可扭曲部分，使得臺(tái)傾斜。
第四實(shí)施例圖11是示出根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部平面圖。圖12示出根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖。圖13是圖11和12的傳感器的底視圖。下面的描述將針對(duì)第四實(shí)施例的傳感器與上述傳統(tǒng)傳感器的區(qū)別。
傳感器1包括一對(duì)傾斜的傳感器芯片，這對(duì)傳感器芯片用于傳感或測(cè)量外部磁場(chǎng)的方向和大小。傳感器1使用圖26中所示的引線框架4形成。傳感器1可以是諸如QFN(四側(cè)無(wú)引腳扁平)封裝和SON(小外型無(wú)引腳)封裝的表面安裝封裝類型。
圖11和12中所示的傳感器1包括多個(gè)引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、布線10、和樹脂模11。傾斜臺(tái)6和7由修改的連接引線5d支撐。傳感器芯片2和3分別安裝在傾斜臺(tái)6和7上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。突出部8和9分別從臺(tái)6和7延伸。樹脂模11封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、以及布線10。
樹脂模11的截面大體為梯形形狀，所述梯形形狀由平坦頂部、傾斜側(cè)壁、和下部限定。
突出部8和9具有用絕緣層12覆蓋的頂部8a和9a。絕緣層12的典型實(shí)例可包括但不限于環(huán)氧樹脂層和四氟乙烯樹脂層。
如圖12中所示，引線5b具有第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面5g。第二表面5g用鍍層5h覆蓋，所述鍍層可通過(guò)將第二表面5g暴露于電鍍液形成。引線5b的第二表面5g上的鍍層5h在樹脂模11的平坦底部上示出。覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的絕緣層12在樹脂模11的平坦底部上示出。
將描述形成上述傳感器1的方法。上面參考圖26描述的引線框架用已知方法制備。圖14A是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖11和12的傳感器的方法所涉及的步驟中。圖14B是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖11和12的傳感器的方法所涉及的另一步驟中。圖14C是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖11和12的傳感器的方法所涉及的另一步驟中。
如圖14A中所示，傳感器芯片2和3分別安裝在臺(tái)6和7的表面6c和7c上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。絕緣材料有選擇地施加到突出部8和9的頂部8a和9a，以便形成覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的每個(gè)的絕緣層12。所述絕緣材料是不導(dǎo)電的，例如環(huán)氧樹脂或四氟乙烯樹脂。
如圖14B和14C中所示，引線框架4放在成對(duì)的模具“D”和“E”之間。模具“D”具有凹部分和圍繞凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向著配對(duì)模具“E”移動(dòng)，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的連接引線5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7傾斜，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a仍與平坦表面“E1”緊密接觸。
執(zhí)行注模工藝，將熔融的樹脂注入由組合的模具“D”和“E”限定的空腔11e內(nèi)，以便形成樹脂模11，所述樹脂模封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、及傾斜的傳感器芯片2和3。熔融的樹脂被注入空腔11e內(nèi)，以便填充所述空腔，同時(shí)第二表面5g和覆蓋頂部8a和9a的絕緣層12的部分與平坦表面“E1”緊密接觸，由此熔融的樹脂沒(méi)有覆蓋第二表面5g和覆蓋頂部8a和9a的絕緣層12的部分。
將具有樹脂模11的引線框架4從模具“D”和“E”釋放。第二表面5g和覆蓋頂部8a和9a的絕緣層12的部分在樹脂模11的平坦底表面上示出。
接著將具有樹脂模11的引線框架4浸入與DC電源的陰極連接的電鍍液內(nèi)，以便在引線5b的第二表面5g的每個(gè)上形成鍍層5h。當(dāng)樹脂模11暴露于電鍍液時(shí)，在電鍍液和第二表面5g之間形成電流，由此在引線5b的每個(gè)第二表面5g上形成鍍層5h。除引線5b的第二表面5g外的引線框架4用樹脂模11和絕緣層12覆蓋。突出部8和9的頂部8a和9a通過(guò)絕緣層12與電鍍液隔離。由于樹脂模11和絕緣層12是不導(dǎo)電的，所以沒(méi)有在電鍍液和樹脂模11或絕緣層12之間產(chǎn)生電流，由此沒(méi)有鍍層形成在樹脂模11和絕緣層12上。
從電鍍液拾取具有樹脂模11和鍍層5h的引線框架4。引線5b和修改的連接引線5d具有在樹脂模11外面延伸的外側(cè)部分。矩形框架部分5a也定位在樹脂模11外面。接著從樹脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分被切去一部分，并且從樹脂模31去除，從而完成傳感器1。
傳感器1安裝在電路板上，從而覆蓋第二表面5g的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，同時(shí)覆蓋頂部8a和9a的絕緣層12遠(yuǎn)離電路板。在覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的絕緣層12上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b電連接至電路板，且傳感器1可被可靠地安裝在電路板上。
根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例，在形成樹脂模11之前形成覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的絕緣層12，從而除引線5b的第二表面5g外的引線框架4用樹脂模11和絕緣層12覆蓋。當(dāng)具有樹脂模11和絕緣層12的引線框架4進(jìn)入電鍍液內(nèi)時(shí)，除引線5b的第二表面5g外的引線框架4沒(méi)有暴露于電鍍液，同時(shí)第二表面5g暴露于電鍍液，從而在引線5b的第二表面5g上形成鍍層5h。即，突出部8和9的頂部8a和9a通過(guò)絕緣層12與電鍍液隔離，從而沒(méi)有在覆蓋頂部8a和9a的絕緣層12上形成鍍層。
絕緣層12上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b可被電連接至電路板，且傳感器1可被令人滿意地安裝在電路板上。絕緣層12上不存在任何鍍層防止任何短路形成在突出部8和9及電路板的導(dǎo)電圖案之間。
根據(jù)第四實(shí)施例，將諸如環(huán)氧樹脂和四氟乙烯樹脂的不導(dǎo)電的絕緣材料應(yīng)用于突出部8和9的頂部8a和9a上，以便形成覆蓋頂部8a和9a的絕緣層12。作為修改，可能將諸如聚酰亞胺密封物或四氟乙烯密封物的不導(dǎo)電的絕緣件粘到頂部8a和9a上，以便形成絕緣層12。作為另一修改，也可能執(zhí)行灌封、浸漬、或涂覆工藝，將絕緣材料施加到頂部8a和9a，從而形成絕緣層12。作為第四實(shí)施例的修改，突出部8和9也可能由諸如絕緣材料的不導(dǎo)電材料制成。
根據(jù)第四實(shí)施例，絕緣層12在樹脂模11形成之前形成。作為進(jìn)一步的修改，可能的是，在形成樹脂模11后，絕緣層12形成在頂部8a和9a的暴露表面上，所樹暴露表面在樹脂模11的底表面上示出。
根據(jù)第四實(shí)施例，突出部8和9成形為細(xì)桿形。臺(tái)6具有靠近臺(tái)7的近側(cè)6a。臺(tái)7具有靠近臺(tái)6的近側(cè)7a。突出部8和9分別從近側(cè)6a和7a向臺(tái)7和6延伸。作為修改，可選地，多個(gè)突出部8和9可能在臺(tái)6和7的寬度方向上對(duì)準(zhǔn)。突出部8和9從其延伸的位置不應(yīng)限于近側(cè)6a和7a。突出部8和9的形狀不應(yīng)限于細(xì)桿形。
圖15是根據(jù)本發(fā)明第四優(yōu)選實(shí)施例的修改的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖。如圖15中所示，突出部8和9具有平行于樹脂模11的底部11a的平坦表面延伸的彎曲部分8b和9b。彎曲部分8b和9b具有從樹脂模11的底面11a的平坦表面示出的暴露表面。彎曲部分8b和9b用絕緣層12覆蓋。突出部8和9埋在樹脂模11中。覆蓋彎曲部分8b和9b的絕緣層12從樹脂模11的底部11a的平坦表面示出。即，突出部8和9用樹脂模11和絕緣層12覆蓋。換句話說(shuō)，除了用絕緣層12覆蓋的規(guī)定部分外，突出部8和9用樹脂模11覆蓋。
第五實(shí)施例將描述本發(fā)明第五實(shí)施例。圖16示出根據(jù)本發(fā)明第五優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖。圖17示出圖16的傳感器1的局部平面圖。下面的描述將針對(duì)第五實(shí)施例與上述第四傳感器的區(qū)別。
圖16和17中所示的傳感器1包括多個(gè)引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、布線10、和樹脂模11。傾斜臺(tái)6和7由修改的連接引線5d支撐。傳感器芯片2和3分別安裝在傾斜臺(tái)6和7上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。突出部8和9分別從臺(tái)6和7延伸。樹脂模11封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、以及布線10。
每個(gè)導(dǎo)線5b都具有用鍍層5h覆蓋的第二表面5g。突出部8和9由例如金屬等導(dǎo)電材料制成。突出部8和9具有暴露和示出在樹脂模11的底表面11a上的頂部8a和9a。突出部8和9的頂部8a和9a被暴露，并且未用任何絕緣層或鍍層覆蓋。即，頂部8a和9a沒(méi)有任何覆蓋層(例如絕緣層和鍍層等)。每個(gè)修改的連接導(dǎo)線5d進(jìn)一步包括內(nèi)部5j和經(jīng)由一個(gè)或多個(gè)分離間隙13與內(nèi)部5j斷開的外部5i。內(nèi)部5j通過(guò)分離間隙13與外部5i電斷開。然而，內(nèi)部5j經(jīng)由可扭曲部分5e連接至臺(tái)6或7。
突出部8或9從臺(tái)6或7延伸。修改的連接引線5d的內(nèi)部5j電連接至臺(tái)6或7和突出部8或9。修改的連接引線5d電連接至引線5b。引線5b和外部5i從內(nèi)部5j、臺(tái)6或7、和突出部8或9電斷開。
頂部8a和9a在水平高度上比鍍層5h的底表面高鍍層5h的厚度。即，鍍層不存在于突出部8和9的頂部8a和9a上形成頂部8a和9a和覆蓋引線5b的第二表面5g的鍍層5h的底表面之間的水平高度差。鍍層5h的厚度對(duì)應(yīng)于所述水平高度差。
將描述形成上述傳感器1的方法。上面參考圖26描述的引線框架用已知方法制備。
傳感器芯片2和3分別安裝在臺(tái)6和7的表面6c和7c上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。
類似于參考圖14B描述的第四實(shí)施例的工藝，將引線框架4放在成對(duì)的模具“D”和“E”之間。模具“D”具有凹部分和圍繞凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向著配對(duì)模具“E”移動(dòng)，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的連接引線5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7傾斜，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a仍與平坦表面“E1”緊密接觸。
類似于參考圖14C描述的第四實(shí)施例的工藝，執(zhí)行注模工藝，將熔融的樹脂注入由組合的模具“D”和“E”限定的空腔11e內(nèi)，以便形成樹脂模11，所述樹脂模封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、及傾斜的傳感器芯片2和3。熔融的樹脂被注入空腔11e內(nèi)，以便填充所述空腔，同時(shí)第二表面5g和頂部8a和9a的部分與平坦表面“E1”緊密接觸，由此熔融的樹脂沒(méi)有覆蓋第二表面5g和頂部8a和9a的部分。
執(zhí)行另一工藝，以分開每個(gè)修改的連接引線5d，使得每個(gè)修改的連接引線5d都包括由分離間隙13分開的內(nèi)部5j和外部5i。所述另一工藝的典型實(shí)例可包括但不限于激光束輻射或噴砂?？蓮臉渲?1的底表面11a進(jìn)行所述另一工藝。將引線5b結(jié)合到矩形框架部分5a。在處理樹脂模11以分開修改的連接引線期間沒(méi)有分開樹脂模11。突出部8和9、臺(tái)6和7、和修改的連接引線5d的內(nèi)部5j彼此電連接，但是經(jīng)由分離間隙13與外部5i和引線5b電斷開。
接著將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，以便在引線5b的每個(gè)第二表面5g上形成鍍層5h，其中DC電源的陰極連接至所述電鍍液。當(dāng)樹脂模11暴露于電鍍液時(shí)，在電鍍液和第二表面5g之間產(chǎn)生電流，由此在引線5b的每個(gè)第二表面5g上形成鍍層5h。突出部8和9的頂部8a和9a暴露于電鍍液。然而，由于突出部8和9、臺(tái)6和7、和修改的連接引線5d的內(nèi)部5j經(jīng)由分離間隙13與外部5i和引線5b電斷開，所以沒(méi)有在電鍍液和突出部8和9的頂部8a和9a之間產(chǎn)生電流，由此沒(méi)有鍍層形成在頂部8a和9a上。
從電鍍液拾取具有樹脂模11和鍍層5h的引線框架4。引線5b和修改的連接引線5d具有在樹脂模11外面延伸的外側(cè)部分。矩形框架部分5a也定位在樹脂模11外面。接著從樹脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分被截短，并且從樹脂模31去除，從而完成傳感器1。
傳感器1安裝在電路板上，從而覆蓋第二表面5g的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a遠(yuǎn)離電路板。在突出部8和9的頂部8a和9a上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b可被電連接至電路板，且傳感器1可被可靠地安裝在電路板上。
每個(gè)修改的連接引線5d都被分成內(nèi)部5j和外部5i，從而在具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液之前，在樹脂模11的底表面11a上示出的頂部8a和9a電浮動(dòng)。在引線5b的第二表面5g和電鍍液之間產(chǎn)生電流，而沒(méi)有電流在頂部8a和9a和電鍍液之間產(chǎn)生，由此鍍層5h形成在引線5b的第二表面5g上，而頂部8a和9a未用任何鍍層覆蓋。在突出部8和9的頂部8a和9a上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b可被電連接至電路板，且傳感器1可被令人滿意地安裝在電路板上。
根據(jù)第五實(shí)施例，每個(gè)修改的連接引線5d都在樹脂模11內(nèi)的位置被分成內(nèi)部5e和外部5i。即，將修改的連接引線5d的內(nèi)部5j與其外部5i分離的分離間隙13定位在樹脂模11內(nèi)。作為修改，可在樹脂模11外面的另一位置分開修改的連接引線，從而將修改的連接引線5d的內(nèi)部5j與其外部5i分離的分離間隙13定位在樹脂模11內(nèi)。即，修改的連接引線5d的內(nèi)部5j從樹脂模11的內(nèi)部延伸到其外部。在此情形下，可執(zhí)行分開或分離工藝，而不處理或蝕刻樹脂模11。
根據(jù)第五實(shí)施例，分開或分離工藝可使用激光束輻射或噴砂執(zhí)行。作為第五實(shí)施例的一個(gè)修改，可使用時(shí)刻工藝或鉆孔工藝執(zhí)行分開或分離工藝。當(dāng)在樹脂模11外面的位置分開修改的連接引線5d時(shí)，可利用壓力加工執(zhí)行分開或分離工藝。不管怎樣，對(duì)分開修改的連接引線5d的方法沒(méi)有限制。
根據(jù)第五實(shí)施例，在形成樹脂模11后，將修改的連接引線5d分成內(nèi)部5j和外部5i。作為第五實(shí)施例的進(jìn)一步的修改，可在形成樹脂模11之前分開修改的連接引線5d。圖18示出在修改的連接引線5d的內(nèi)部5j和外部5i之間的分離間隙13的局部截面圖。修改的連接引線5d被分成內(nèi)部5j和外部5i，所述內(nèi)部和外部經(jīng)由分離間隙13彼此隔開。并且，不導(dǎo)電的絕緣件14形成在分離間隙13處，從而將絕緣件14放入修改的連接引線5d的內(nèi)部5j和外部5i之間，從而機(jī)械連接它們，同時(shí)使它們彼此電絕緣。將引線框架4放在成對(duì)的模具“D”和“E”之間。模具“D”向著配對(duì)模具“E”移動(dòng)，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的連接引線5d的可扭曲部5e被扭曲，且具有磁性傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7被傾斜，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a仍與平坦表面“E1”緊密接觸。有利的是，絕緣件14可具有高柔性，允許絕緣件14彎曲但不扭曲可扭曲部分5e，以便傾斜具有傳感器芯片2盒3的臺(tái)8和9，同時(shí)模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9。
第六實(shí)施例將描述本發(fā)明第六實(shí)施例。圖19示出根據(jù)本發(fā)明第六優(yōu)選實(shí)施例的用于傳感物理量的傳感器的局部截面圖。圖20示出圖19的傳感器的局部底視圖。圖21是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的具有樹脂模的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成圖19和20的傳感器的方法所涉及的步驟中。下面的描述將針對(duì)第六實(shí)施例與上述第四和第五實(shí)施例的區(qū)別。
圖19和20中所示的傳感器1包括多個(gè)引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、布線10、和樹脂模11。
傾斜臺(tái)6和7由修改的連接引線5d支撐。傳感器芯片2和3分別安裝在傾斜臺(tái)6和7上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。突出部8和9分別從臺(tái)6和7延伸。樹脂模11封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、以及布線10。
每個(gè)導(dǎo)線5b都具有用鍍層5h覆蓋的第二表面5g。突出部8和9由例如金屬等導(dǎo)電材料制成。突出部8和9具有暴露和示出在樹脂模11的底表面11a上的頂部8a和9a。突出部8和9的頂部8a和9a被暴露，并且未用任何絕緣層或任何鍍層覆蓋。即，頂部8a和9a沒(méi)有任何覆蓋層(例如絕緣層和鍍層等)。
頂部8a和9a在水平高度上比鍍層5h的底表面高鍍層5h的厚度。即，鍍層不存在于突出部8和9的頂部8a和9a上形成頂部8a和9a和覆蓋引線5b的第二表面5g的鍍層5h的底表面之間的水平高度差。鍍層5h的厚度對(duì)應(yīng)于所述水平高度差。
將描述形成上述傳感器1的方法。上面參考圖26描述的引線框架用已知方法制備。
傳感器芯片2和3分別安裝在臺(tái)6和7的表面6c和7c上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。
類似于參考圖14B描述的第四實(shí)施例的工藝，將引線框架4放在成對(duì)的模具“D”和“E”之間。模具“D”具有凹部分和圍繞凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向著配對(duì)模具“E”移動(dòng)，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的連接引線5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7傾斜，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a仍與平坦表面“E1”緊密接觸。
類似于參考圖14C描述的第四實(shí)施例的工藝，執(zhí)行注模工藝，將熔融的樹脂注入由組合的模具“D”和“E”限定的空腔11e內(nèi)，以便形成樹脂模11，所述樹脂模封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、及傾斜的傳感器芯片2和3。熔融的樹脂被注入空腔11e內(nèi)，以便填充所述空腔，同時(shí)第二表面5g和頂部8a和9a的部分與平坦表面“E1”緊密接觸，由此熔融的樹脂沒(méi)有覆蓋第二表面5g和頂部8a和9a的部分。
執(zhí)行另一工藝，以在樹脂模11的底表面11a的預(yù)定區(qū)域上形成不導(dǎo)電密封物20。所述預(yù)定區(qū)域包括底視圖中的頂部8a和9a。不導(dǎo)電密封物20覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的暴露部分。不導(dǎo)電密封物20可通常是絕緣密封物，例如環(huán)氧樹脂密封物和四氟乙烯樹脂密封物等。
接著將具有樹脂模11和不導(dǎo)電密封物20的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，以便在引線5b的每個(gè)第二表面5g上形成鍍層5h，其中DC電源的陰極連接至所述電鍍液。當(dāng)樹脂模11暴露于電鍍液時(shí)，在電鍍液和第二表面5g之間形成電流，由此在引線5b的每個(gè)第二表面5g上形成鍍層5h。由于突出部8和9的頂部8a和9a通過(guò)不導(dǎo)電密封物20與電鍍液隔開，所以沒(méi)有在電鍍液和覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的不導(dǎo)電密封物20之間產(chǎn)生電流，由此沒(méi)有鍍層形成在頂部8a和9a上。
從電鍍液拾取具有樹脂模11的引線框架4。從樹脂模11的底表面11a去除不導(dǎo)電密封物20。引線5b和修改的連接引線5d具有在樹脂模11外面延伸的外側(cè)部分。矩形框架部分5a也定位在樹脂模11外面。接著從樹脂模11切掉和去除矩形框架部分5a。引線5b和修改的連接引線5d的外側(cè)部分被切去一部分，并且從樹脂模31去除，從而完成傳感器1。
傳感器1安裝在電路板上，從而覆蓋第二表面5g的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a遠(yuǎn)離電路板。在突出部8和9的頂部8a和9a上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b可被電連接至電路板，且傳感器1可被令人滿意地安裝在電路板上。頂部8a和9a上不存在任何鍍層防止任何短路形成在突出部8和9及電路板的導(dǎo)電圖案之間。
根據(jù)第六實(shí)施例，不導(dǎo)電密封物20包括絕緣材料，例如環(huán)氧樹脂密封物和四氟乙烯樹脂密封物等。作為第六實(shí)施例的修改，可形成覆蓋突出部8和9的頂部8a和9a的導(dǎo)電密封物。當(dāng)具有樹脂模11和導(dǎo)電密封物的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)時(shí)，在導(dǎo)電密封物和電鍍液之間產(chǎn)生電流，從而在導(dǎo)電密封物上形成鍍層。在從電鍍液拾取具有樹脂模11的引線框架4后，從樹脂模11的底表面11a去除具有鍍層的導(dǎo)電密封物。接著將傳感器安裝在電路板上，從而覆蓋第二表面5g的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a遠(yuǎn)離電路板。在突出部8和9的頂部8a和9a上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b可被電連接至電路板，且傳感器1可被令人滿意地安裝在電路板上。頂部8a和9a上不存在任何鍍層防止任何短路形成在突出部8和9及電路板的導(dǎo)電圖案之間。
可使用任何其它蓋部件代替不導(dǎo)電密封物20，用于在將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)時(shí)覆蓋突出部8的頂部8a和9a的暴露部分。蓋部件可以是用于使頂部8a和9a與電鍍液分離的固體或液體部件。所述蓋部件可通過(guò)固化液體材料形成。所述蓋部件可以呈液相。
第七實(shí)施例將描述本發(fā)明第七實(shí)施例。圖22是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的具有樹脂模的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成所述傳感器的方法所涉及的步驟中。下面的描述將針對(duì)第七實(shí)施例與上述第四和第五實(shí)施例的區(qū)別。
類似于參考圖19和20描述的第六實(shí)施例，傳感器1包括多個(gè)引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、布線10、和樹脂模11。傾斜臺(tái)6和7由修改的連接引線5d支撐。傳感器芯片2和3分別安裝在傾斜臺(tái)6和7上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。突出部8和9分別從臺(tái)6和7延伸。樹脂模11封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、傳感器芯片2和3、突出部8和9、以及布線10。
每個(gè)導(dǎo)線5b都具有用鍍層5h覆蓋的第二表面5g。突出部8和9由例如金屬等導(dǎo)電材料制成。突出部8和9具有暴露和示出在樹脂模11的底表面11a上的頂部8a和9a。突出部8和9的頂部8a和9a被暴露，并且未用任何絕緣層或任何鍍層覆蓋。即，頂部8a和9a沒(méi)有任何覆蓋層(例如絕緣層和鍍層等)。
頂部8a和9a在水平高度上比鍍層5h的底表面高鍍層5h的厚度。即，鍍層不存在于突出部8和9的頂部8a和9a上形成頂部8a和9a和覆蓋引線5b的第二表面5g的鍍層5h的底表面之間的水平高度差。鍍層5h的厚度對(duì)應(yīng)于所述水平高度差。
將描述形成上述傳感器1的方法。上面參考圖26描述的引線框架用已知方法制備。
傳感器芯片2和3分別安裝在臺(tái)6和7的表面6c和7c上。傳感器芯片2和3通過(guò)布線10電連接至引線5b。
類似于參考圖14B描述的第四實(shí)施例的工藝，將引線框架4放在成對(duì)的模具“D”和“E”之間。模具“D”具有凹部分和圍繞凹部分的脊部分。模具“E”具有平坦表面“E1”。模具“D”向著配對(duì)模具“E”移動(dòng)，且模具“E”的平坦表面“E1”推突出部8和9，由此修改的連接引線5d的可扭曲部分5e被扭曲，且具有磁性傳感器芯片2和3的臺(tái)6和7傾斜，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a仍與平坦表面“E1”緊密接觸。
類似于參考圖14C描述的第四實(shí)施例的工藝，執(zhí)行注模工藝，將熔融的樹脂注入由組合的模具“D”和“E”限定的空腔11e內(nèi)，以便形成樹脂模11，所述樹脂模封裝引線5b、修改的連接引線5d、傾斜臺(tái)6和7、及傾斜的傳感器芯片2和3。熔融的樹脂被注入空腔11e內(nèi)，以便填充所述空腔，同時(shí)第二表面5g和頂部8a和9a的部分與平坦表面“E1”緊密接觸，由此熔融的樹脂沒(méi)有覆蓋第二表面5g和頂部8a和9a的部分。
一對(duì)第一21-1夾具和第二夾具21-2用于保持具有樹脂模11的引線框架4和將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，其中DC電源的陰極連接至所述電鍍液。第一夾具21-1具有與樹脂模11的底表面11a的預(yù)定區(qū)域緊密接觸的第一接觸表面21a。第一接觸表面21a與突出部8和9的頂部8a和9a的暴露部分緊密接觸。第二夾具21-2具有與樹脂模11的頂表面的預(yù)定區(qū)域緊密接觸的第二接觸表面。引線5b的第二表面被暴露，未用第一夾具21-1的第一接觸表面21a覆蓋。第一21-1夾具和第二夾具21-2可由絕緣材料制成。
第一21-1夾具和第二夾具21-2用于保持具有樹脂模11的引線框架4和將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，從而引線5b的第二表面5g暴露于電鍍液，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a通過(guò)第一接觸表面21a與電鍍液分離。在電鍍液和第二表面5g之間形成電流，從而在引線5b的每個(gè)第二表面5g上形成鍍層5h。由于突出部8和9的頂部8a和9a通過(guò)第一夾具21-1的第一接觸表面21a從電鍍液隔開，所以沒(méi)有在電鍍液和頂部8a和9a之間產(chǎn)生電流，由此沒(méi)有鍍層形成在頂部8a和9a上。
根據(jù)第七實(shí)施例，將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，以將引線5b的第二表面5g暴露于電鍍液，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a的暴露部分用第一夾具21-1的第一接觸表面21a覆蓋，并且通過(guò)第一夾具21-1與第一接觸表面21a隔開。鍍層5h形成在引線5b的第二表面5g上，而無(wú)鍍層形成在突出部8和9的頂部8a和9a上。
傳感器1安裝在電路板上，從而覆蓋第二表面5g的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案接觸，同時(shí)突出部8和9的頂部8a和9a遠(yuǎn)離電路板。在突出部8和9的頂部8a和9a上不存在任何鍍層允許引線5b的第二表面5g上的鍍層5h與電路板的導(dǎo)電圖案牢固地接觸，由此導(dǎo)線5b可被電連接至電路板，且傳感器1可被令人滿意地安裝在電路板上。頂部8a和9a上不存在任何鍍層防止任何短路形成在突出部8和9及電路板的導(dǎo)電圖案之間。
根據(jù)第七實(shí)施例，將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，同時(shí)使第一夾具21-1的第一接觸表面21a與樹脂模11的底表面11a的預(yù)定區(qū)域緊密接觸，以便使突出部8和9的頂部8a和9a的暴露表面從電鍍液分離，并且暴露引線5b的第二表面5g于電鍍液，從而在引線5b的第二表面5g上形成鍍層5h，而沒(méi)有在突出部8和9的頂部8a和9a的暴露部分上形成任何鍍層。
作為第七實(shí)施例的修改，第一夾具21-1可具有修改的接觸表面。圖23是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的修改的具有樹脂模的引線框架的局部截面圖，所述引線框架處于形成所述傳感器的另一方法所涉及的步驟中。第一夾具21-1具有第一接觸表面21a，所述第一接觸表面具有凹槽21b。第一接觸表面21a在底視圖中圍繞凹槽21b。凹槽21b由具有第一接觸表面21a的隆起(ridge)圍繞。第一接觸表面21a與樹脂模11的底表面11a的預(yù)定環(huán)形區(qū)域緊密接觸。所述預(yù)定環(huán)形區(qū)域圍繞或包圍突出部8和9的頂部8a和9a。凹槽21b面對(duì)突出部8和9的頂部8a和9a。
將具有樹脂模11的引線框架4浸入電鍍液內(nèi)，同時(shí)使第一夾具21-1的第一接觸表面21a與樹脂模11的底表面11a的預(yù)定環(huán)形區(qū)域緊密接觸，且突出部8和9的頂部8a和9a面對(duì)凹槽21b，以便使突出部8和9的頂部8a和9a的暴露表面從電鍍液分離，并且暴露引線5b的第二表面5g于電鍍液，從而在引線5b的第二表面5g上形成鍍層5h，而沒(méi)有在突出部8和9的頂部8a和9a的暴露部分上形成任何鍍層。
如這里所使用的，方向術(shù)語(yǔ)“上、下、向內(nèi)、向外、向前、向后、上方、向上、向下、正交、垂直、水平、下方、和橫向”以及任何其它類似術(shù)語(yǔ)是指裝配有本發(fā)明的設(shè)備的方向。因此，描述本發(fā)明所使用的術(shù)語(yǔ)應(yīng)就裝配有本發(fā)明的設(shè)備進(jìn)行理解。
如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)“矩形”是指具有四個(gè)直邊和四個(gè)直角的形狀。術(shù)這里所使用的術(shù)語(yǔ)“正方形”是指具有四個(gè)長(zhǎng)度相同的邊和四個(gè)直角的形狀。術(shù)語(yǔ)“長(zhǎng)方形”是指具有兩個(gè)長(zhǎng)邊和兩個(gè)短邊和四個(gè)直角的形狀。因此，術(shù)語(yǔ)“矩形”包括術(shù)語(yǔ)“正方形”和術(shù)語(yǔ)“長(zhǎng)方形”。
如這里所使用的，術(shù)語(yǔ)“物理量”通常指矢量。術(shù)語(yǔ)“物理量”可包括標(biāo)量、矢量、和張量。
如這里所使用的，例如“大體上”、“大致”、“約”和“大約”等程度術(shù)語(yǔ)是指修改的術(shù)語(yǔ)的合理的偏離量，使得最終結(jié)果沒(méi)有較大改變。
盡管上面已經(jīng)描述和例示本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但應(yīng)理解，這些是本發(fā)明的范例，并不應(yīng)認(rèn)為是限制?？蛇M(jìn)行增添、省略、替換、和其它修改，而不偏離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)認(rèn)為由前面的描述所限制，而是僅由所附權(quán)利要求書的范圍限制。
權(quán)利要求
1.一種傳感器，包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有在水平高度上比所述底表面高的頂部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，進(jìn)一步包括樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部和凹陷部，所述底部具有第一平坦表面且所述凹陷部具有在水平高度上比所述第一平坦表面高的第二平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上，且所述第二平坦表面與所述頂部在同一水平高度上。
3.一種傳感器，包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；第一絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋所述至少一個(gè)突出部的頂部；以及所述多個(gè)引線的底表面上的鍍層，所述鍍層在水平高度上比所述絕緣層低。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器，其中所述至少一個(gè)突出部包括在所述第一方向上從所述臺(tái)延伸的主部和在平行于所述引線的底表面的第二方向上從所述主部延伸的頂部。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的傳感器，進(jìn)一步包括樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上且在水平高度上比所述鍍層高。
6.一種傳感器，包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部包括在從所述第一和第二平面傾斜的第一方向上從所述臺(tái)延伸的主部和在平行于所述引線的底表面的第二方向上從所述主部延伸的頂部，所述頂部在水平高度上等于或高于所述底表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器，其中所述頂部具有至少一個(gè)向下開口的槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器，其中所述頂部具有至少一個(gè)通孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器，其中所述頂部具有至少一個(gè)向下凸出的凸起，且所述凸起與所述多個(gè)引線的第二表面在同一水平高度上。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器，進(jìn)一步包括覆蓋所述頂部的絕緣層。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的傳感器，進(jìn)一步包括樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上。
12.一種傳感器，包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)，所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)與所述多個(gè)引線電斷開；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有在水平高度上等于或高于所述底表面的頂部。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的傳感器，其中所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)包括從所述臺(tái)延伸的第一部分和電連接至所述多個(gè)引線且與所述第一部分電斷開的第二部分。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的傳感器，其中所述第一部分和所述第二部分通過(guò)間隙彼此分遠(yuǎn)離。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的傳感器，其中所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括將所述第一部分和所述第二部分彼此分遠(yuǎn)離的絕緣部件。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的傳感器，進(jìn)一步包括樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的傳感器，進(jìn)一步包括所述多個(gè)引線的底表面上的鍍層，所述鍍層在水平高度上比所述頂部和所述樹脂模的第一平坦表面低。
18.一種傳感器，包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；及所述多個(gè)引線的底表面上的鍍層，所述鍍層在水平高度上比所述頂部低。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的傳感器，進(jìn)一步包括樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上且在水平高度上比所述鍍層高。
20.一種形成傳感器的方法，所述方法包括準(zhǔn)備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；形成樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和所述頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度上；及在所述底部?jī)?nèi)形成凹陷部，所述凹陷部具有第二平坦表面，所述第二平坦表面在水平高度上比所述第一平坦表面高且與所述頂部在同一水平高度上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中形成所述凹陷部包括有選擇地去除所述樹脂模的底部和所述至少一個(gè)突出部。
22.一種形成傳感器的方法，所述方法包括準(zhǔn)備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部，所述頂部在水平高度上比所述底表面低；及將所述頂部移動(dòng)到在水平高度上比所述底表面高的第一水平高度，同時(shí)從所述第一平面傾斜所述臺(tái)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中移動(dòng)所述頂部包括用模具的突出部推所述頂部。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中移動(dòng)所述頂部包括用接合在模具的孔中的脫模銷推所述頂部。
25.一種形成傳感器的方法，所述方法包括準(zhǔn)備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；形成樹脂模，所述樹脂模封裝除底表面和頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有與所述底表面在同一水平高度的第一平坦表面；及將所述底表面暴露于電鍍液，同時(shí)將所述頂部與所述電鍍液隔離。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中將所述底表面暴露于電鍍液同時(shí)將所述頂部與所述電鍍液隔離包括將具有所述樹脂模的引線框架浸入所述電鍍液中，同時(shí)用蓋部件將所述頂部與所述電鍍液隔離。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述蓋部件包括覆蓋所述頂部的絕緣層。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述蓋部件包括粘接在樹脂模底部的第一平坦表面的預(yù)定區(qū)域上的蓋片，且所述預(yù)定區(qū)域包括所述頂部的暴露部分且不包括所述引線的底表面。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述蓋部件包括具有凸出部分的夾具，所述凸出部分與所述樹脂模底部的第一平坦表面的預(yù)定區(qū)域的接觸，且所述預(yù)定區(qū)域包括所述頂部的暴露部分且不包括所述引線的底表面。
30.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其中所述蓋部件包括具有凹陷和圍繞凹陷的凸出部分的夾具，所述凹陷面對(duì)所述頂部，同時(shí)所述凸出部分與所述樹脂模底部的第一平坦表面的預(yù)定環(huán)形區(qū)域接觸，且所述預(yù)定環(huán)形區(qū)域圍繞所述頂部的暴露部分，同時(shí)所述引線的底表面位于所述預(yù)定環(huán)形區(qū)域外面。
31.一種形成傳感器的方法，所述方法包括準(zhǔn)備引線框架，所述引線框架包括具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面的多個(gè)引線、在從所述第一平面傾斜的第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)、被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片、支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和在第一方向上從所述臺(tái)延伸的至少一個(gè)突出部，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜，且所述至少一個(gè)突出部具有頂部；及將所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)分成彼此電斷開的第一部分和第二部分，所述第一部分電連接至所述至少一個(gè)突出部，所述第二部分電連接至所述多個(gè)引線。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，進(jìn)一步包括在分開所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)之前形成樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度；及將所述引線的底表面和所述至少一個(gè)突出部的頂部暴露于電鍍液，以便在所述底表面上形成鍍層且不在所述頂部上形成任何鍍層。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，進(jìn)一步包括在分開所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)之后形成絕緣部件，所述絕緣部件機(jī)械連接所述第一和第二部分且電斷開所述第一部分和第二部分；在形成所述絕緣部件之后形成樹脂模，所述樹脂模封裝除所述底表面和頂部以外的所述多個(gè)引線、所述臺(tái)、具有絕緣部件的所述修改的連接引線結(jié)構(gòu)、和所述至少一個(gè)突出部，所述樹脂模進(jìn)一步具有底部，所述底部具有第一平坦表面，所述第一平坦表面與所述底表面在同一水平高度；及將所述引線的底表面和所述至少一個(gè)突出部的頂部暴露于電鍍液，以便在所述底表面上形成鍍層且不在所述頂部上形成任何鍍層。
34.一種形成用于傳感物理量的傳感器的方法，所述方法包括準(zhǔn)備引線框架，所述引線框架包括矩形框架部分、從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的引線，從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的修改的連接引線、由所述修改的連接引線支撐的臺(tái)、和從所述臺(tái)向下突出且從所述臺(tái)傾斜的突出部；將用于傳感所述物理量的傳感器芯片緊固在所述臺(tái)上；向上推所述突出部，以便從所述矩形框架部分傾斜具有所述傳感器芯片的臺(tái)；在空腔中形成樹脂模，所述樹脂模封裝所述臺(tái)、所述傳感器芯片、所述突出部、所述引線、和所述修改的連接引線；及將所述突出部的頂部定位在第一水平高度，所述第一水平高度比所述引線的底表面的第二水平高度高。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的頂部包括在形成所述樹脂模之后部分地去除所述突出部，從而所述突出部具有位于所述第一水平高度的頂部。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中部分地去除所述突出部通過(guò)使用激光束執(zhí)行。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的方法，其中部分地去除所述突出部通過(guò)使用噴沙執(zhí)行。
38.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的頂部包括在形成樹脂模之后將具有樹脂模的引線框架浸入電鍍液中，以在所述引線的底表面上和所述突出部的頂部上形成鍍層；及從突出部的頂部去除鍍層，同時(shí)在所述底表面上留下所述鍍層。
39.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的頂部包括利用模具向上推所述突出部，其中所述模具具有與所述引線的第二表面接觸的第一平坦表面和與所述突出部的頂部接觸的第二平坦表面，且所述第二平坦表面在水平高度上比所述第一平坦表面高。
40.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中定位所述突出部的頂部包括通過(guò)朝著所述突出部移動(dòng)所述脫模銷，利用接合在模具的開口內(nèi)的脫模銷的第三平坦表面向上推所述突出部。
41.一種形成用于傳感物理量的傳感器的方法，所述方法包括準(zhǔn)備引線框架，所述引線框架包括矩形框架部分、從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的引線，從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的修改的連接引線、由所述修改的連接引線支撐的臺(tái)、和從所述臺(tái)向下突出且從所述臺(tái)傾斜的突出部；將用于傳感所述物理量的傳感器芯片緊固在所述臺(tái)上；向上推所述突出部，以便從所述矩形框架部分傾斜具有所述傳感器芯片的臺(tái)；在空腔中形成樹脂模，所述樹脂模封裝所述臺(tái)、所述傳感器芯片、所述突出部、所述引線、和所述修改的連接引線；及將具有樹脂模的引線框架浸入電鍍液中，以在所述引線的底表面上形成鍍層且不在所述突出部的頂部的每一個(gè)上形成鍍層。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括在形成樹脂模之前在所述突出部的頂部的每一個(gè)上形成絕緣層，從而用所述樹脂模和所述絕緣層覆蓋所述突出部。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括在將具有樹脂模的引線框架浸入電鍍液之前在所述突出部的頂部的每一個(gè)上形成絕緣層，同時(shí)用樹脂模和絕緣層覆蓋突出部。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括在將具有樹脂模的引線框架浸入電鍍液之前，將修改的連接引線的每一個(gè)分成通過(guò)分離間隙彼此分開的內(nèi)部和外部，所述內(nèi)部連接至所述突出部，且所述外部連接至所述引線。
45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，進(jìn)一步包括在形成樹脂模之后形成蓋部件，所述蓋部件覆蓋所述突出部的頂部的暴露表面，從而當(dāng)具有樹脂模的引線框架被浸入電鍍液中時(shí)，突出部與電鍍液通過(guò)樹脂模和蓋部件隔離。
46.一種用于傳感物理量的傳感器，包括矩形框架部分；從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的引線；從所述矩形框架部分向內(nèi)延伸的修改的連接引線；由修改的連接引線支撐并且從所述矩形框架部?jī)A斜的臺(tái)；用于傳感物理量的傳感器芯片，所述傳感器芯片被緊固在臺(tái)上且從矩形框架部分傾斜；突出部，所述突出部從所述臺(tái)向下突出且從所述臺(tái)傾斜；樹脂模，所述樹脂模封裝除所述引線的底表面和所述突出部的頂部之外的所述引線、所述修改的連接引線、所述臺(tái)、所述傳感器芯片、和所述突出部；及鍍層，所述鍍層覆蓋所述引線的底表面。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的傳感器，進(jìn)一步包括覆蓋所述突出部的頂部的絕緣層。
48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的傳感器，其中所述修改的連接引線的每一個(gè)都包括多個(gè)部分，所述多個(gè)部分彼此斷開以便所述突出部與所述引線被電斷開。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種傳感器，包括多個(gè)引線，所述多個(gè)引線具有在第一平面內(nèi)延伸的底表面；在第二平面內(nèi)延伸的臺(tái)，所述第二平面從所述第一平面傾斜；被支撐在所述臺(tái)上的傳感器芯片；支撐所述臺(tái)的修改的連接引線結(jié)構(gòu)；及至少一個(gè)突出部，所述至少一個(gè)突出部在第一方向上從所述臺(tái)延伸，所述第一方向從所述第一平面和第二平面傾斜。所述至少一個(gè)突出部具有在水平高度上比所述底表面高的頂部。
文檔編號(hào)G01R33/02GK1825133SQ200610009458
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2006年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月25日
發(fā)明者白坂健一 申請(qǐng)人:雅馬哈株式會(huì)社