專利名稱：基于p型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于采集電場信號的傳感器，尤其涉及一種基于P型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器。
背景技術：
現(xiàn)有的電場微傳感器的感應原理主要是動態(tài)感應的原理，即使用諧振結構交替地阻擋感應電場的導體，從而產生感應電流。這種動態(tài)感應的電場微傳感器的主要缺陷是(1)由于微諧振結構對工藝線要求較高，并且活動結構的封裝較困難，因此使用這種結構的電場微傳感器其可靠性較差。(2)采用動態(tài)感應電場的原理使得其分辨率不高(目前報道的最高分辨率為630V/m)。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種靈敏度高、可靠性高的基于P型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器。
本發(fā)明采用如下技術方案一種用于采集電場信號的基于P型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器，包括n型襯底，在襯底上設有共平面的兩個重摻雜的P型接觸區(qū)，在重摻雜的P型接觸區(qū)上為金屬引線，在這兩個重摻雜的P型接觸區(qū)之間設有P型溝道且分別與之相連，在P型接觸區(qū)及P型溝道的表面設有SiO2層。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(1)本發(fā)明利用摻雜半導體中電荷的漂移原理(正電荷沿電場方向運動，負電荷逆電場方向運動)，靜態(tài)地感應電場，從而提高了電場檢測的可靠性。
(2)本發(fā)明利用高寬長比的溝道以及在溝道上加微小的電流，提高了電場檢測的分辨率。


圖1是本發(fā)明的主視圖。
圖2是本發(fā)明的俯視圖。
具體實施例方式
一種用于采集電場信號的基于P型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器，包括n型襯底1，在襯底1上設有共平面的兩個重摻雜的P型接觸區(qū)3，在重摻雜的P型接觸區(qū)3上為金屬引線5，在這兩個重摻雜的P型接觸區(qū)之間設有P型溝道2且分別與之相連，在P型接觸區(qū)3及P型溝道2的表面設有SiO2層4，其厚度可為50nm。
本發(fā)明的兩個p重摻雜的接觸區(qū)加上電壓后，當有外界電場入射電場微傳感器的p溝道時，溝道中的載流子(空穴)會相應的減小，從而使溝道電流減小，即外界的電場引起了溝道電流的變化。使用時，先利用標準電場標定此電場微傳感器的溝道電流。測量電場時，則通過測量微傳感器的溝道電流，對照標定值即可得到入射電場的強度。
本發(fā)明可以采用以下工藝制備a在p型襯底Si上生長底氧，形成表面SiO2層；b離子注入溝道，形成P型溝道；c離子注入接觸區(qū)，形成接觸區(qū)；d光刻引線孔，淀積金屬并刻蝕，形成金屬引線。
權利要求
1.一種用于采集電場信號的基于P型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器，包括n型襯底(1)，其特征在于在襯底(1)上設有共平面的兩個重摻雜的P型接觸區(qū)(3)，在重摻雜的P型接觸區(qū)(3)上為金屬引線(5)，在這兩個重摻雜的P型接觸區(qū)之間設有P型溝道(2)且分別與之相連，在P型接觸區(qū)(3)及P型溝道(2)的表面設有SiO2層(4)。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于采集電場信號的基于P型金屬氧化物半導體管結構的微電場傳感器，包括n型襯底，在襯底上設有共平面的兩個重摻雜的P型接觸區(qū)，在重摻雜的P型接觸區(qū)上為金屬引線，在這兩個重摻雜的P型接觸區(qū)之間設有P型溝道且分別與之相連，在P型接觸區(qū)及P型溝道的表面設有SiO
文檔編號G01R29/12GK1693908SQ20051004028
公開日2005年11月9日 申請日期2005年5月27日 優(yōu)先權日2005年5月27日
發(fā)明者黃慶安, 王立峰, 秦明 申請人:東南大學