專利名稱：圖案產(chǎn)生器以及測(cè)試裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種圖案產(chǎn)生器以及測(cè)試裝置。特別是，本發(fā)明是有關(guān)于一種為了測(cè)試電子元件的圖案產(chǎn)生器以及測(cè)試裝置。在承認(rèn)并入文獻(xiàn)參考的指定國，參考下述申請(qǐng)案所記載的內(nèi)容，并入本申請(qǐng)案中，做為本申請(qǐng)案的一部分。
特愿2003-163461 申請(qǐng)日 平成15年6月9日背景技術(shù)習(xí)知以來，圖案產(chǎn)生器被使用于測(cè)試電子元件的測(cè)試裝置中。圖案產(chǎn)生器是為了測(cè)試電子元件，產(chǎn)生電子元件的輸入信號(hào)的測(cè)試圖案。習(xí)知以來，圖案產(chǎn)生器從圖案資料與序列資料產(chǎn)生測(cè)試圖案。
圖案產(chǎn)生器包括記憶體與快取(cache)記憶體，記憶體是以執(zhí)行順序儲(chǔ)存圖案資料群與序列資料群，快取記憶體是從記憶體中依序讀取圖案資料與序列資料，并儲(chǔ)存。序列資料為利用指示輸出圖案資料的順序，用來產(chǎn)生測(cè)試圖案的命令群，并由在循序資料的跳躍(jump)命令與回圈(loop)命令等所構(gòu)成。
圖案產(chǎn)生器從記憶體依序讀出圖案資料與序列資料，儲(chǔ)存于快取記憶體中。此外，依據(jù)儲(chǔ)存在快取記憶體中的序列資料，從儲(chǔ)存在快取記憶體中的圖案資料產(chǎn)生測(cè)試圖案。
在序列資料的命令群中，檢測(cè)出跳躍至快取記憶體中沒有儲(chǔ)存的序列資料與圖案資料的位址時(shí)，圖案產(chǎn)生器從記憶體讀取出在該位址的序列資料與圖案資料，并儲(chǔ)存到快取記憶體。
因此，在從記憶體讀取出序列資料與圖案資料時(shí)，會(huì)產(chǎn)生讀取時(shí)間，在圖案產(chǎn)生時(shí)便可能會(huì)產(chǎn)生等待時(shí)間。另外，在進(jìn)行電子元件的功能測(cè)試與掃描測(cè)試時(shí)，功能測(cè)試用資料與掃描測(cè)試用資料必須以執(zhí)行順序儲(chǔ)存在記憶體中的連續(xù)位址空間。因此，例如當(dāng)想要多次使用掃描測(cè)試用資料的時(shí)候，必須把多數(shù)個(gè)相同資料儲(chǔ)存在記憶體中，故需要大容量的記憶體。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的即是要提供一種可以解決前述問題的圖案產(chǎn)生器與測(cè)試裝置。本目的可以藉由將申請(qǐng)專利范圍的獨(dú)立項(xiàng)所記載的特征加以組合來達(dá)成。另外，依附項(xiàng)則規(guī)定了本發(fā)明的更有利的具體例子。
為了解決上述問題，依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施型態(tài)，提供一種圖案產(chǎn)生器，從預(yù)先給予的測(cè)試資料產(chǎn)生用來測(cè)試電子元件的測(cè)試圖案。圖案產(chǎn)生器包括主記憶體，儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊用以產(chǎn)生測(cè)試圖案；第一序列快取記憶體，依序儲(chǔ)存該些序列資料區(qū)塊；第二序列快取記憶體；資料展開部，依序執(zhí)行第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的該些序列資料區(qū)塊，以產(chǎn)生該測(cè)試圖案；以及先讀單元，用以在資料展開部在執(zhí)行一個(gè)序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他序列資料區(qū)塊的先讀命令時(shí)，從主記憶體讀取出其他序列資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體中。
資料展開部在檢測(cè)出該先讀命令后，若檢測(cè)出應(yīng)該執(zhí)行其他序列資料區(qū)塊的一跳躍命令時(shí)，從第二序列快取記憶體讀取并執(zhí)行其他序列資料區(qū)塊。在檢測(cè)出先讀命令后，若沒有在一個(gè)序列資料區(qū)塊中檢測(cè)出跳躍命令時(shí)，從第一序列快取記憶體讀取并執(zhí)行序列資料區(qū)塊。
主記憶體更儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)圖案資料區(qū)塊，顯示對(duì)應(yīng)該序列資料區(qū)塊應(yīng)給電子元件的信號(hào)。圖案產(chǎn)生器更包括第一圖案快取記憶體，用以儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)于第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的序列資料區(qū)塊的圖案資料區(qū)塊；以及第二圖案快取記憶體。先讀單元在資料展開部執(zhí)行一個(gè)序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他序列資料區(qū)塊的先讀命令時(shí)，從主記憶體讀取出與其他序列資料區(qū)塊對(duì)應(yīng)的圖案資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到第二圖案快取記憶體中。資料展開部藉由執(zhí)行序列資料區(qū)塊，將與其他序列資料區(qū)塊對(duì)應(yīng)的圖案資料區(qū)塊展開，以產(chǎn)生測(cè)試圖案。
先讀命令為一命令，用以指定應(yīng)先讀取的序列資料區(qū)塊以及對(duì)應(yīng)的圖案資料區(qū)塊的在主記憶體的起始位址。先讀單元使用被指定的起始位址，從主記憶體中先讀取出序列資料區(qū)塊以及圖案資料區(qū)塊。
先讀命令為一命令，用以指定應(yīng)該先讀取的序列資料區(qū)塊以及圖案資料區(qū)塊的標(biāo)簽。圖案產(chǎn)生器更包括參考記憶體，用以將標(biāo)簽以及被該標(biāo)簽所指定的序列資料區(qū)塊與圖案資料區(qū)塊的在主記憶體的位址分別對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存。先讀單元可依據(jù)標(biāo)簽，從參考記憶體取得在主記憶體的位址，并且依據(jù)取得的位址從主記憶體先讀取出序列資料區(qū)塊與圖案資料區(qū)塊。
序列資料區(qū)塊包括用來進(jìn)行電子元件的掃描測(cè)試的掃描序列資料區(qū)塊，圖案資料區(qū)塊包括用來進(jìn)行電子元件的掃描測(cè)試的掃描圖案資料區(qū)塊。先讀單元可先讀取掃描序列資料區(qū)塊與掃描圖案資料區(qū)塊。
展開部在產(chǎn)生一個(gè)該測(cè)試圖案時(shí)，可以多次執(zhí)行一個(gè)掃描序列區(qū)塊。主記憶體可以將多數(shù)個(gè)掃描序列資料區(qū)塊儲(chǔ)存在連續(xù)的區(qū)域中。主記憶體可將多數(shù)個(gè)掃描圖案資料區(qū)塊儲(chǔ)存在連續(xù)的區(qū)域中。
資料展開部在執(zhí)行該其他序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該返回到一個(gè)序列資料區(qū)塊的跳躍命令的下一個(gè)命令的返回命令時(shí)，可從第一序列快取區(qū)塊中讀取出并執(zhí)行在一個(gè)序列資料區(qū)塊的跳躍命令的下一個(gè)命令。
依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施型態(tài)，本發(fā)明提供一種測(cè)試裝置，用以測(cè)試電子元件。測(cè)試裝置包括圖案產(chǎn)生器，產(chǎn)生測(cè)試圖案，以測(cè)試電子元件；波形成形器，用以成形測(cè)試圖案；以及判斷部，依據(jù)輸出信號(hào)判斷電子元件的好壞，其中電子元件依據(jù)測(cè)試圖案輸出輸出信號(hào)。前述圖案產(chǎn)生器更包括主記憶體，儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊用以產(chǎn)生測(cè)試圖案；第一序列快取記憶體，依序儲(chǔ)存該些序列資料區(qū)塊；第二序列快取記憶體；資料展開部，依序執(zhí)行第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的該些序列資料區(qū)塊，以產(chǎn)生測(cè)試圖案；以及先讀單元，用以在資料展開部在執(zhí)行一個(gè)序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)先讀取其他序列資料區(qū)塊的先讀命令時(shí)，從主記憶體讀取出其他序列資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體中。
另外，上述的本發(fā)明概要并不是列舉出所有本發(fā)明的必要特征，這些特征群的次組合也是能夠構(gòu)成本發(fā)明的特征。
依據(jù)本發(fā)明，可以更有效率地產(chǎn)生測(cè)試圖案。另外，可以更有效率地測(cè)試電子元件。此外，可以縮小使用的記憶體容量。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1為顯示本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試裝置100的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。
圖2繪示出圖案產(chǎn)生器20的一個(gè)結(jié)構(gòu)例示意圖。
圖3繪示記憶體控制部70、圖案產(chǎn)生部80以及序列器90的詳細(xì)構(gòu)造例的示意圖。
圖4繪示在主記憶體60的資料結(jié)構(gòu)例的示意圖。
圖5繪示圖案產(chǎn)生器50產(chǎn)生的測(cè)試圖案的例子。
圖6繪示圖案產(chǎn)生器50的動(dòng)作例的示意圖。
圖7繪示測(cè)試裝置100的結(jié)構(gòu)的其他例子的示意圖。
圖8繪示多數(shù)個(gè)主記憶體60的資料結(jié)構(gòu)例的示意圖。
圖9繪示多數(shù)個(gè)主記憶體60的資料結(jié)構(gòu)例的示意圖。
150測(cè)試臺(tái)控制部50圖案產(chǎn)生器40波形成形器 20判斷器30信號(hào)輸出入部 100測(cè)試裝置200電子元件60主記憶體110匯流排控制部70記憶體控制部10失效記憶體 140快取控制部80圖案產(chǎn)生部 90序列器
120演算法130快取部72先讀單元 160參考記憶體82第一圖案快取記憶體 84第二圖案快取記憶體86匯流排控制部 92第一序列快取記憶體94第二序列快取記憶體 96序列控制部具體實(shí)施方式
接著，透過本發(fā)明的實(shí)施例來說明本發(fā)明，但是下述的實(shí)施例并不是用來限制與申請(qǐng)專利范圍有關(guān)的發(fā)明，另在實(shí)施例中所說明的特征的所有組合并不被局限為發(fā)明解決手段的必須要件。
圖1為顯示本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試裝置100的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。測(cè)試裝置100測(cè)試電子元件200。測(cè)試裝置100具備圖案產(chǎn)生器50、波形成形器40、信號(hào)輸出入部30以及判斷部20。在此，電子元件200是指因應(yīng)被給予的電子信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作的元件。例如，包含具有半導(dǎo)體零件的IC晶片、LSI等的半導(dǎo)體電路等。
圖案產(chǎn)生器50從設(shè)置在外部的測(cè)試臺(tái)控制部150，接收應(yīng)該測(cè)試電子元件200的測(cè)試資料，并依據(jù)該測(cè)試資料產(chǎn)生用來測(cè)試電子元件200的測(cè)試圖案。測(cè)試臺(tái)控制部150為例如工作站(work station)等的電腦。此外，圖案產(chǎn)生器50可產(chǎn)生電子元件200依據(jù)輸入的測(cè)試圖案而應(yīng)輸出的期待信號(hào)。
波形成形器40接收并整形測(cè)試圖案，以所要的時(shí)序提供給信號(hào)輸出入部30。信號(hào)輸出入部30把接收到的測(cè)試圖案提供給電子元件200，電子元件200接收依據(jù)測(cè)試圖案所輸出的輸出信號(hào)。
判斷部20依據(jù)接收的輸出信號(hào)，判斷電子元件200的好壞。例如，判斷部20從圖案產(chǎn)生器50接收期待值信號(hào)，并藉由比較該期待值信號(hào)與電子元件200的輸出信號(hào)，判斷電子元件200的好壞。
圖2繪示出圖案產(chǎn)生器20的一個(gè)結(jié)構(gòu)例示意圖。圖案產(chǎn)生器50包括主記憶體60、資料展開部170、序列器(sequencer)90、匯流排控制部110、演算法圖案產(chǎn)生部120、擷取部130、擷取控制部140以及失效記憶體(failmemory)10。資料展開部170包括記憶體控制部70與圖案產(chǎn)生部80。
主記憶體60儲(chǔ)存為了產(chǎn)生測(cè)試圖案的測(cè)試資料。測(cè)試資料被分割成多數(shù)個(gè)測(cè)試資料區(qū)塊而儲(chǔ)存。例如，主記憶體60將多數(shù)個(gè)圖案資料區(qū)塊(pattern data block)與多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊(sequence data block)做為測(cè)試資料區(qū)塊來儲(chǔ)存，其中多數(shù)個(gè)圖案資料區(qū)塊是將顯示應(yīng)給予電子元件200的信號(hào)的圖案資料加以分割，序列資料區(qū)塊是將用來指示應(yīng)把圖案資料給電子元件200的順序的序列資料加以分割。此外，主記憶體60將圖案資料區(qū)塊與序列資料區(qū)塊對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存。
匯流排控制部110從測(cè)試臺(tái)控制部150，接收應(yīng)提供測(cè)試資料區(qū)塊給圖案產(chǎn)生器80及/或序列器90的順序的指示資訊，并依據(jù)該指示資訊，將應(yīng)該從主記憶體60讀出的任何一個(gè)圖案資料區(qū)塊及/或序列資料區(qū)塊，依序指示記憶體控制部70。記憶體控制部70依據(jù)從匯流排控制部110所接收到的指示，從主記憶體60依序讀取圖案資料區(qū)塊及序列資料區(qū)塊。讀出的圖案資料區(qū)塊依序提供給圖案產(chǎn)生部80，讀出的序列資料區(qū)塊依序提供給序列器90。
此外，應(yīng)測(cè)試的電子元件200為記憶體時(shí)，序列器90可以提供使產(chǎn)生記憶體測(cè)試用的圖案資料的指示信號(hào)給演算法圖案產(chǎn)生部120。演算法圖案產(chǎn)生部120在接收該指示信號(hào)的情形時(shí)，依據(jù)預(yù)先設(shè)定的演算法，產(chǎn)生記憶體測(cè)試用圖案資料。在此情形，圖案產(chǎn)生部80更依據(jù)記憶體測(cè)試用圖案資料，產(chǎn)生測(cè)試圖案。
擷取部130與擷取控制部140將判斷部20的判斷結(jié)果儲(chǔ)存于失效記憶體10。擷取部130接收序列器90對(duì)圖案產(chǎn)生部80指示的圖案資料區(qū)塊的位址或是演算法圖案產(chǎn)生部80產(chǎn)生的記憶體測(cè)試用資料兩者的任何一個(gè)或全部。擷取部130在判斷結(jié)果中，給出對(duì)應(yīng)的圖案資料區(qū)塊的位址或?qū)?yīng)的記憶體測(cè)試用資料的任何一個(gè)，或者是兩者。擷取控制部140從測(cè)試臺(tái)控制部150接收用來指示是否把判斷結(jié)果儲(chǔ)存到失效記憶體10的指示信號(hào)，并對(duì)應(yīng)該指示信號(hào)，提供判斷結(jié)果給失效記憶體10。
此外，在一個(gè)圖案資料區(qū)塊的測(cè)試結(jié)束時(shí)，擷取控制部140也可將該圖案資料區(qū)塊的判斷結(jié)果通知匯流排控制部110。在此情形，匯流排控制部110將該判斷結(jié)果通知測(cè)試臺(tái)控制部150。
此外，失效記憶體10儲(chǔ)存判斷部20的判斷結(jié)果。測(cè)試臺(tái)控制部150可以讀出失效記憶體10儲(chǔ)存的判斷結(jié)果，進(jìn)行電子元件200的測(cè)試結(jié)果的分析，也可以依據(jù)每個(gè)圖案資料區(qū)塊的判斷結(jié)果，進(jìn)行測(cè)試結(jié)果的分析。此外，在本例中，圖案產(chǎn)生器50具有失效記憶體10，但是在其他例子中，圖案產(chǎn)生器50并不具有失效記憶體10，測(cè)試裝置100也可以具有失效記憶體10，另外測(cè)試臺(tái)控制部150也可以具有失效記憶體。
圖3繪示記憶體控制部70、圖案產(chǎn)生部80以及序列器90的詳細(xì)構(gòu)造例的示意圖。記憶體控制部70包括先讀單元72，圖案產(chǎn)生器80包括快取記憶體88與圖案控制部86，序列器90包括快取記憶體98與序列器控制器96。
記憶體控制部70依據(jù)從匯流排控制部所接收的指示資訊，從主記憶體60讀取資料，并儲(chǔ)存到快取記憶體88與快取記憶體98。快取記憶體88包括第一圖案快取記憶體82與第二圖案快取記憶體84?？烊∮洃涹w98包括第依序列快取記憶體92與第二序列快取記憶體94。
記憶體控制部70依據(jù)從匯流排控制部110所接收到的指示資訊，把圖案資料區(qū)塊依序儲(chǔ)存到第一圖案快取記憶體82，并把序列資料區(qū)塊依序儲(chǔ)存到第一序列快取記憶體92。
圖案控制部86依據(jù)第一圖案快取記憶體82儲(chǔ)存的圖案資料區(qū)塊，產(chǎn)生測(cè)試圖案。例如，從序列控制部96依序接收在第一圖案快取記憶體82的位址，并依序輸出接收到的位址的圖案資料，以產(chǎn)生測(cè)試圖案。
序列控制部96依序取出且執(zhí)行第一序列快取記憶體92儲(chǔ)存的序列資料區(qū)塊。例如，序列資料區(qū)塊為包含跳躍命令、回圈命令與返回命令等的命令群，序列控制部96依據(jù)在序列資料區(qū)塊的命令，將第一圖案快取記憶體82的位址依序指示給圖案控制部86。
序列控制部96在執(zhí)行一個(gè)序列資料區(qū)塊中，若在該序列資料區(qū)塊中檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他序列資料區(qū)塊的先讀命令的情形時(shí)，序列控制部96將該先讀命令通知記憶體控制部70的先讀單元。例如，序列資料區(qū)塊為包含跳躍命令、回圈命令與返回命令等的命令群，序列控制部96依據(jù)在序列資料區(qū)的命令，把第一圖案快取記憶體82的位址依序指示給圖案控制部86。
序列控制部96在執(zhí)行一個(gè)序列資料區(qū)決中，若在該序列資料區(qū)塊檢測(cè)出應(yīng)先讀取其他序列資料區(qū)塊的先讀命令時(shí)，序列控制部96將該先讀命令通知給記憶體控制部的先讀單元72。例如，在執(zhí)行顯示測(cè)試圖案的主程式(main routine)的序列資料區(qū)塊中，當(dāng)檢測(cè)出先讀取測(cè)試圖案的副程式(subroutine)時(shí)，便將此訊息通知記憶體控制部70。
先讀單元72從序列控制部96接收先讀命令的通知時(shí)，從主記憶體60讀取先讀命令所指定的序列資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體94。此外，先讀單元72在圖案控制部86動(dòng)作中，從主記憶體60先讀取資料，儲(chǔ)存到快取記憶體中。
序列控制部96在檢測(cè)出先讀命令后，當(dāng)檢測(cè)出在第二序列快取記憶體94所儲(chǔ)存的應(yīng)該執(zhí)行的序列資料區(qū)塊的跳躍命令時(shí)，便讀取出并執(zhí)行在第二序列快取記憶體94所儲(chǔ)存的序列資料區(qū)塊。之后，，圖案控制部86依據(jù)儲(chǔ)存在第二圖案快取記憶體84中對(duì)應(yīng)的圖案資料區(qū)塊，產(chǎn)生測(cè)試圖案。在此情形時(shí)，序列控制部96可以指定在第二圖案快取記憶體84的位址。另外，當(dāng)?shù)谝粓D案快取記憶體82與第二圖案快取記憶體84為在相同快取記憶體的兩個(gè)位址空間時(shí)，也可以指定該快取記憶體的位址。
此外，在檢測(cè)出先讀命令后，當(dāng)沒有從執(zhí)行中的序列資料區(qū)塊檢測(cè)出跳躍命令時(shí)，便讀取并執(zhí)行第一序列快取記憶體92所儲(chǔ)存的下一個(gè)應(yīng)該執(zhí)行的序列資料區(qū)塊。
在此，先讀命命可以為一命令，其為應(yīng)先讀取的序列資料區(qū)塊中，指定在主記憶體60的起始位址的命令。此外，先讀命令可以是指定應(yīng)該先讀取的序列資料區(qū)塊的標(biāo)簽(label)的命令。在此，所謂的標(biāo)簽為指定各個(gè)序列資料區(qū)塊的資訊。在此情形，圖案產(chǎn)生器50可以更包括參考記憶體160，用來將標(biāo)簽以及對(duì)應(yīng)該標(biāo)簽的序列資料區(qū)塊的在主記憶體60的起始位址對(duì)應(yīng)并儲(chǔ)存。序列控制部96可以將該標(biāo)簽通知給先讀單元72，先讀單元72依據(jù)該標(biāo)簽，從參考記憶體160抽取出在主記憶體60的位址，再從主記憶體60讀取出在抽取出的位址上的序列資料區(qū)塊。
此外，先讀單元72從主記憶體60中，讀取出對(duì)應(yīng)到序列資料區(qū)塊的圖案資料區(qū)塊，再儲(chǔ)存到第二圖案快取記憶體84。先讀單元72在圖案產(chǎn)生器50的其他構(gòu)成元件的動(dòng)作中，從主記憶體60先讀取測(cè)試資料，并儲(chǔ)存到第二圖案快取記憶體84以及第二序列快取記憶體94。因此，若使用本實(shí)施例的話，可以減少資料讀取的等待時(shí)間，并連續(xù)地產(chǎn)生測(cè)試圖案。此外，記憶體控制部70依據(jù)指示資訊，將測(cè)試資料依序儲(chǔ)存到第一圖案快取記憶體82以及第一序列快取記憶體92。由在在記憶體控制部70也在圖案產(chǎn)生器50的其他構(gòu)成元件的動(dòng)作中，依序儲(chǔ)存測(cè)試資料，故可以連續(xù)地產(chǎn)生測(cè)試圖案。如上所述，依據(jù)本實(shí)施例的圖案產(chǎn)生器50，可以更有效率地產(chǎn)生測(cè)試圖案。
第一圖案快取記憶體82與第二圖案快取記憶體84可為在相同快取記憶體的兩個(gè)位址空間，也可以是另外兩個(gè)快取記憶體。此外，在第依序列快取記憶體92與第二序列快取記憶體94中也是相同的。
此外，測(cè)試裝置100也可以進(jìn)行電子元件的掃描測(cè)試。在此，所謂的掃描測(cè)試為例如包含由IEEE1149.1決定的測(cè)試樣態(tài)的測(cè)試，測(cè)試電子元件的掃描及格(scan pass)的測(cè)試。在此情形，主記憶體60儲(chǔ)存的圖案資料區(qū)塊包含掃描測(cè)試用的掃描圖案資料區(qū)塊，序列資料區(qū)塊包含掃描測(cè)試用的掃描序列資料區(qū)塊。此外，測(cè)試裝置100也可以將掃描測(cè)試與其他測(cè)試加以組合進(jìn)行。例如，測(cè)試裝置100可以將掃描測(cè)試與測(cè)試電子元件的邏輯部的功能測(cè)試一并結(jié)合來進(jìn)行。
圖4繪示在主記憶體60的資料結(jié)構(gòu)例的示意圖。在本例子中，測(cè)試裝置100進(jìn)行功能測(cè)試與掃描測(cè)試。主記憶體60分別將圖4所示的多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊、多數(shù)個(gè)掃描序列資料區(qū)塊、多數(shù)個(gè)圖案資料區(qū)塊以及多數(shù)個(gè)掃描圖案資料區(qū)塊儲(chǔ)存到連續(xù)的區(qū)域中。本例的圖案產(chǎn)生器50由于依據(jù)被先讀命令所指定的掃描測(cè)試用資料區(qū)塊的起始位址，來進(jìn)行資料區(qū)塊的讀取，各可以將各別的每一種資料區(qū)塊連續(xù)地儲(chǔ)存在主記憶體中。
另外，依據(jù)本例的圖案產(chǎn)生器的話，各個(gè)資料區(qū)塊下不以執(zhí)行順序存儲(chǔ)于主記憶體中，也可以也可以連續(xù)地產(chǎn)生測(cè)試圖案。因此，以資料區(qū)塊為單位的資料追加、刪除與替換等等可以容易地進(jìn)行。
圖5繪示圖案產(chǎn)生器50產(chǎn)生的測(cè)試圖案的例子。在本例中，圖案產(chǎn)生器50產(chǎn)生把功能測(cè)試與掃描測(cè)試組合起來的測(cè)試用測(cè)試圖案。
圖6繪示圖案產(chǎn)生器50的動(dòng)作例的示意圖。在本例中，圖案產(chǎn)生器50產(chǎn)生圖5所示的測(cè)試圖案。在本例中，圖案產(chǎn)生器50依據(jù)儲(chǔ)存在第一序列掃描快取記憶體92中的序列資料區(qū)塊，主要地進(jìn)行功能測(cè)試，并依據(jù)儲(chǔ)存在第二序列掃描快取記憶體94中的序列資料區(qū)塊，進(jìn)行掃描測(cè)試。
首先，記憶體控制部70依據(jù)指示資訊，將應(yīng)該使用于該測(cè)試圖案的產(chǎn)生的圖案資料區(qū)塊與序列資料區(qū)塊，依序儲(chǔ)存于第一圖案快取記憶體82與第一序列快取記憶體92。在此，記憶體控制部70可以刪除已經(jīng)執(zhí)行的資料區(qū)塊，而因此產(chǎn)生的快取記憶體的空區(qū)域則依序儲(chǔ)存資料區(qū)塊。此外，記憶體控制部70也可以將下次應(yīng)儲(chǔ)存的資料區(qū)塊，覆蓋到已經(jīng)執(zhí)行的資料區(qū)塊。另外較佳而言，快取記憶體具有可以儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)資料區(qū)塊的區(qū)域。
序列器90依序執(zhí)行在第一序列快取記憶體92中所儲(chǔ)存的序列資料區(qū)塊。若在執(zhí)行中的序列資料區(qū)塊1檢測(cè)出先讀命令的情況下，先讀單元72將該先讀命令所指定的掃描序列資料區(qū)塊1儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體94。
若在序列資料區(qū)塊1檢測(cè)出跳躍命令，序列器90執(zhí)行第二序列快取記憶體94儲(chǔ)存的掃描序列資料區(qū)塊1。序列器90若檢測(cè)出應(yīng)該要返回到在序列資料區(qū)塊1的跳躍命令的下一個(gè)命令時(shí)，則讀取并執(zhí)行該跳躍命令的下一個(gè)命令。另外，跳躍命令為序列資料區(qū)塊1的結(jié)束命令時(shí)，序列器90從第一序列快取記憶體讀取出并執(zhí)行下一個(gè)序列資料區(qū)塊2。
在下一個(gè)序列資料區(qū)塊檢測(cè)出先讀命令，將指定的掃描序列資料區(qū)塊2儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體94。在此情形下，先讀單元72可以從第二序列快取記憶體刪除掃描序列資料區(qū)塊1。
此外，如圖6所示，資料展開部170再產(chǎn)生一個(gè)測(cè)試圖案的情形時(shí)，可以多次執(zhí)行掃描序列資料區(qū)塊1。依據(jù)在本例的圖案產(chǎn)生器50的話，由于從主記憶體60讀取出先讀命令所指定的掃描序列資料區(qū)塊，再儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體94，儲(chǔ)存在主記憶體60的一個(gè)區(qū)域的資料區(qū)塊可以被多次執(zhí)行。因此，相較于將資料區(qū)塊以執(zhí)行順序儲(chǔ)存在主記憶體60中的情形，主記憶體60的容量可以縮小。
此外，依據(jù)本例的圖案產(chǎn)生器50的話，由于被先讀命令所指定的掃描測(cè)試用資料區(qū)塊被儲(chǔ)存于快取記憶體中，功能測(cè)試與掃描測(cè)試可以任意組合。
此外，在本例雖然是說明關(guān)于序列資料區(qū)塊，但是圖案產(chǎn)生器50對(duì)于對(duì)應(yīng)于序列資料區(qū)塊的圖案資料區(qū)塊，也是進(jìn)行相同的處理。
圖7繪示測(cè)試裝置100的結(jié)構(gòu)的其他例子的示意圖。在本例中，測(cè)試裝置100包括多數(shù)個(gè)圖案產(chǎn)生器50，其分別對(duì)應(yīng)到電子元件200的多數(shù)個(gè)接腳(pin)。另，也更可以包括對(duì)應(yīng)到各個(gè)圖案產(chǎn)生器50的多數(shù)個(gè)波形成形器40。
測(cè)試控制部150分別獨(dú)立地控制各個(gè)圖案產(chǎn)生器50。另，信號(hào)輸出入部30將各個(gè)圖案產(chǎn)生器50產(chǎn)生的測(cè)試圖案提供給電子元件200的對(duì)應(yīng)接腳。
電子元件200包括掃描測(cè)試用的接腳。測(cè)試裝置100在進(jìn)行掃描測(cè)試的情形時(shí)，將掃描測(cè)試用的測(cè)試圖案提供給該掃描測(cè)試用接腳，而對(duì)于其他接腳可以保持先前提供的信號(hào)。換句話說，對(duì)應(yīng)該些其他接腳的圖案產(chǎn)生器50可以不產(chǎn)生測(cè)試圖案，并保持輸出。
圖8與圖9繪示多數(shù)個(gè)主記憶體60的資料結(jié)構(gòu)例的示意圖。圖8與圖9以對(duì)應(yīng)到各個(gè)主記憶體60的資料區(qū)域的接腳名稱來表示。主記憶體60與圖4相關(guān)說明的主記憶體60相同，儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊(SQ)、多數(shù)個(gè)掃描序列資料區(qū)塊(SC)、多數(shù)個(gè)圖案資料區(qū)塊(PD)以及多數(shù)個(gè)掃描圖案資料區(qū)塊(SP)。
在測(cè)試裝置100進(jìn)行掃描測(cè)試的情形時(shí)，沒有對(duì)應(yīng)到掃描測(cè)試用接腳的圖案產(chǎn)生器50不產(chǎn)生測(cè)試圖案。因此，對(duì)于沒有對(duì)應(yīng)于掃描測(cè)試的接腳的掃描圖案資料區(qū)塊及掃描序獵資料區(qū)塊，對(duì)應(yīng)的主記憶體60便不儲(chǔ)存。因此，主記憶體60中便在位址空間中產(chǎn)生空出的區(qū)域。
例如在圖8中，接腳1為掃描測(cè)試用接腳，接腳2至接腳4為沒有對(duì)應(yīng)到掃描測(cè)試的接腳。主記憶體60由于沒有儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)于接腳2至接腳4的掃描序列資料區(qū)塊及掃描圖案資料區(qū)塊，在位址空間中便產(chǎn)生空區(qū)域210與空區(qū)域220。
本例的主記憶體5也可以在該空區(qū)域中，儲(chǔ)存在其他圖案產(chǎn)生器50所執(zhí)行的資料區(qū)塊。例如，如圖9所示，可儲(chǔ)存接腳1用的掃描序列資料區(qū)塊(SC1-n)及掃描圖案資料區(qū)塊(SP1-n)。在此情形下，圖案產(chǎn)生器50包括從其他圖案產(chǎn)生器50的主記憶體中讀取資料區(qū)塊的手段。例如，記憶體控制部70可從其他圖案產(chǎn)生器50的主記憶體60中讀取資料區(qū)塊。依據(jù)本例的測(cè)試裝置100的話，主記憶體60的區(qū)域可以更有效率地被使用。因此，可以縮小主記憶體60的容量。
如上述的說明，依據(jù)本實(shí)施例知測(cè)試裝置100的話，可以更有效率地產(chǎn)生測(cè)試圖案，并且可以減低記憶體容量。
從上述的說明可以明了，依據(jù)本發(fā)明的話，可以更有效率地產(chǎn)生測(cè)試圖案。此外，可以更有效率地測(cè)試電子元件。再者，使用的記憶體容量可以縮小。
上述雖然使用本發(fā)明實(shí)施例來說明，但是本發(fā)明的技術(shù)范圍并不限定于上述實(shí)施例的記載范圍。上述的實(shí)施例可以加入各種不同的變更與改良。加入此種變更或改良的實(shí)施型態(tài)也是包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種圖案產(chǎn)生器，從預(yù)先給予的一測(cè)試資料產(chǎn)生用來測(cè)試一電子元件的一測(cè)試圖案，該圖案產(chǎn)生器包括一主記憶體，儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊用以產(chǎn)生該測(cè)試圖案；一第一序列快取記憶體，依序儲(chǔ)存該些序列資料區(qū)塊；一第二序列快取記憶體；一資料展開部，依序執(zhí)行該第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的該些序列資料區(qū)塊，以產(chǎn)生該測(cè)試圖案；以及一先讀單元，用以在該資料展開部在執(zhí)行一個(gè)該序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他該序列資料區(qū)塊的一先讀命令時(shí)，從該主記憶體讀取出其他該序列資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到該第二序列快取記憶體中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案產(chǎn)生器，其中該資料展開部在檢測(cè)出該先讀命令后，若檢測(cè)出應(yīng)該執(zhí)行其他該序列資料區(qū)塊的一跳躍命令時(shí)，從該第二序列快取記憶體讀取并執(zhí)行其他該序列資料區(qū)塊，在檢測(cè)出該先讀命令后，若沒有在該一個(gè)序列資料區(qū)塊中檢測(cè)出該跳躍命令時(shí)，從該第一序列快取記憶體讀取并執(zhí)行該序列資料區(qū)塊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案產(chǎn)生器，其中該主記憶體更儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)圖案資料區(qū)塊，顯示對(duì)應(yīng)該序列資料區(qū)塊應(yīng)給該電子元件的信號(hào)，該圖案產(chǎn)生器更包括一第一圖案快取記憶體，用以儲(chǔ)存對(duì)應(yīng)于該第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的該序列資料區(qū)塊的該圖案資料區(qū)塊；及一第二圖案快取記憶體，其中該先讀單元在該資料展開部執(zhí)行該一個(gè)序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他該序列資料區(qū)塊的一先讀命令時(shí)，從該主記憶體讀取出與其他該序列資料區(qū)塊對(duì)應(yīng)的該圖案資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到該第二圖案快取記憶體中，該資料展開部藉由執(zhí)行該序列資料區(qū)塊，將與其他該序列資料區(qū)塊對(duì)應(yīng)的該圖案資料區(qū)塊展開，以產(chǎn)生該測(cè)試圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖案產(chǎn)生器，其中該先讀命令為一命令，用以指定應(yīng)先讀取的該序列資料區(qū)塊以及對(duì)應(yīng)的該圖案資料區(qū)塊的在該主記憶體的一起始位址，該先讀單元使用被指定的該起始位址，從該主記憶體中先讀取出該序列資料區(qū)塊以及該圖案資料區(qū)塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖案產(chǎn)生器，其中該先讀命令為一命令，用以指定應(yīng)該先讀取的該序列資料區(qū)塊以及該圖案資料區(qū)塊的標(biāo)簽，該圖案產(chǎn)生器更包括一參考記憶體，用以將該標(biāo)簽以及被該標(biāo)簽所指定的該序列資料區(qū)塊與該圖案資料區(qū)塊的在該主記憶體的位址分別對(duì)應(yīng)儲(chǔ)存，該先讀單元依據(jù)該標(biāo)簽，從該參考記憶體取得在該主記憶體的一位址，并且依據(jù)取得的該位址從該主記憶體先讀取出該序列資料區(qū)塊與該圖案資料區(qū)塊。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖案產(chǎn)生器，其中該序列資料區(qū)塊包括用來進(jìn)行該電子元件的一掃描測(cè)試的一掃描序列資料區(qū)塊，該圖案資料區(qū)塊包括用來進(jìn)行該電子元件的該掃描測(cè)試的一掃描圖案資料區(qū)塊，該先讀單元先讀取該掃描序列資料區(qū)塊與該掃描圖案資料區(qū)塊。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的圖案產(chǎn)生器，其中該展開部在產(chǎn)生一個(gè)該測(cè)試圖案時(shí)，多次執(zhí)行一個(gè)該掃描序列區(qū)塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖案產(chǎn)生器，其中該主記憶體是將多數(shù)個(gè)掃描序列資料區(qū)塊儲(chǔ)存在連續(xù)的區(qū)域中。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖案產(chǎn)生器，其中該主記憶體是將多數(shù)個(gè)掃描圖案資料區(qū)塊儲(chǔ)存在連續(xù)的區(qū)域中。
10.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案產(chǎn)生器，其中該資料展開部在執(zhí)行該其他序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該返回到該一個(gè)序列資料區(qū)塊的該跳躍命令的下一個(gè)命令的一返回命令時(shí)，從該第一序列快取區(qū)塊中讀取出并執(zhí)行在該一個(gè)序列資料區(qū)塊的該跳躍命令的該下一個(gè)命令。
11.一種測(cè)試裝置，用以測(cè)試一電子元件，該測(cè)試裝置包括一圖案產(chǎn)生器，產(chǎn)生一測(cè)試圖案，以測(cè)試該電子元件；一波形成形器，用以成形該測(cè)試圖案；以及一判斷部，依據(jù)一輸出信號(hào)判斷該電子元件的好壞，其中該電子元件依據(jù)該測(cè)試圖案輸出該輸出信號(hào)，該圖案產(chǎn)生器更包括一主記憶體，儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊用以產(chǎn)生該測(cè)試圖案；一第一序列快取記憶體，依序儲(chǔ)存該些序列資料區(qū)塊；一第二序列快取記憶體；一資料展開部，依序執(zhí)行該第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的該些序列資料區(qū)塊，以產(chǎn)生該測(cè)試圖案；以及一先讀單元，用以在該資料展開部在執(zhí)行一個(gè)該序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他該序列資料區(qū)塊的一先讀命令時(shí)，從該主記憶體讀取出其他該序列資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到該第二序列快取記憶體中。
全文摘要
一種圖案產(chǎn)生器包括主記憶體，儲(chǔ)存多數(shù)個(gè)序列資料區(qū)塊用以產(chǎn)生測(cè)試圖案；第一序列快取記憶體，依序儲(chǔ)存該些序列資料區(qū)塊；第二序列快取記憶體；資料展開部，依序執(zhí)行第一序列快取記憶體所儲(chǔ)存的該些序列資料區(qū)塊，以產(chǎn)生測(cè)試圖案；以及先讀單元，用以在資料展開部在執(zhí)行一個(gè)序列資料區(qū)塊中，若檢測(cè)出應(yīng)該先讀取其他序列資料區(qū)塊的先讀命令時(shí)，從主記憶體讀取出其他序列資料區(qū)塊，并儲(chǔ)存到第二序列快取記憶體中。
文檔編號(hào)G01M99/00GK1802569SQ20048001593
公開日2006年7月12日 申請(qǐng)日期2004年5月21日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月9日
發(fā)明者中山浩彥 申請(qǐng)人:愛德萬測(cè)試株式會(huì)社