專利名稱：多方向漏電流路徑的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系關(guān)于一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，特別是指一種可測(cè)試多種方向的漏電流路徑的測(cè)試結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在電路保護(hù)的測(cè)試中，測(cè)試保護(hù)電路的漏電流是很重要的項(xiàng)目，若是漏電流過(guò)大，不但危及保護(hù)電路，也會(huì)導(dǎo)致測(cè)試的失敗。在一般的邏輯電路中，在一N型阱中，由于P型重?fù)诫s區(qū)與N型重?fù)诫s主動(dòng)區(qū)的間距小，可能導(dǎo)致P型重?fù)诫s區(qū)移動(dòng)至N型重?fù)诫s主動(dòng)區(qū)。當(dāng)N型重?fù)诫s區(qū)也以相同方向移動(dòng)時(shí)，N型重?fù)诫s區(qū)很有可能接近阱邊界區(qū)域，導(dǎo)致漏電流的形成。然而，通常用來(lái)測(cè)試漏電流路徑的一維的測(cè)試結(jié)構(gòu)，只能用來(lái)測(cè)試單一方向的漏電流路徑，導(dǎo)致欲測(cè)試不同方向的漏電流時(shí)，需使用不同的測(cè)試結(jié)構(gòu)，無(wú)法有效測(cè)試與監(jiān)控漏電流路徑。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的是提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，利用接觸與摻雜區(qū)的特別配置，可應(yīng)用于多種方向的漏電流路徑測(cè)試。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種測(cè)試多種方向的漏電流路徑的測(cè)試結(jié)構(gòu)，利用接觸與摻雜區(qū)的相對(duì)偏移位置，可測(cè)試不同方向的漏電流路徑。
為達(dá)到以上所述的目的，本發(fā)明提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試多方向的漏電流路徑，其中多方向包含一第一方向與一第二方向，該第一方向不同于該第二方向，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包含具有一第一導(dǎo)電性的一第一阱位于一底材中；具有第一導(dǎo)電性的一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱；一第一接觸(contact)位于第一摻雜區(qū)上，并且接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向；具有一第二導(dǎo)電性的復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)，其中在第三方向上，每一第二摻雜區(qū)同時(shí)相鄰但隔離于第一部分與第二部分，其中該第二導(dǎo)電性不同于該第一導(dǎo)電性；復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)上，并且每一第二接觸對(duì)應(yīng)著每一第二摻雜區(qū)。
本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還可以包含一拾起(pick-up)區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導(dǎo)電性。進(jìn)一步的，本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第二阱，其位于該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導(dǎo)電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對(duì)偏移(shift)位置時(shí)，在該第三方向上，該第二部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。
本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第二方向上形成相對(duì)偏移位置時(shí)，在該第三方向上，該第一部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。更優(yōu)的是，該第三方向同時(shí)垂直于該第一方向與該第二方向。
本發(fā)明另提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試多方向的漏電流路徑，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包含具有一第一導(dǎo)電性的一第一阱位于一底材中；具有第一導(dǎo)電性的一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱；一第一接觸位于第一摻雜區(qū)上，并且接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向；具有一第二導(dǎo)電性的復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)，在每一該第二摻雜區(qū)的正上方，每一第二摻雜區(qū)同時(shí)相鄰但隔離于第一部分與第二部分，該第三方向同時(shí)垂直于該第一方向與該第二方向，其中該第二導(dǎo)電性不同于該第一導(dǎo)電性；復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)上，并且每一第二接觸對(duì)應(yīng)于每一第二摻雜區(qū)，每一該第二接觸隔離但同時(shí)相鄰于該第一部分及該第二部分。
上述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還可以包含一拾起區(qū)，其位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導(dǎo)電性。進(jìn)一步的，所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第二阱，其位于該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導(dǎo)電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
本發(fā)明提供第三種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試漏電流路徑，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包含一第一接觸位于一底材上，該第一接觸具有一第一部分平行于一第一方向，與一第二部分平行于一第二方向，該第一方向不同于該第二方向；復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于該底材上，每一該第二接觸隔離(isolated from)于該第一接觸，但同時(shí)相鄰(adjacent to)于該第一部分及該第二部分；一第一阱位于該底材中，并位于該第一接觸與該第二接觸的下方(underlay)，該第一阱具有一第一導(dǎo)電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且接觸(contacting with)該第一接觸，該第一摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；以及復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，每一該第二摻雜區(qū)接觸每一該第二接觸，該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電性，該第二導(dǎo)電性不同于該第一導(dǎo)電性。
上述的第三種測(cè)試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第三摻雜區(qū)，其位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該第三摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電性。進(jìn)一步的，所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，還可以包含一第二阱，其位于該底材中，接觸該第一阱，并包含該第三摻雜區(qū)，該第二阱具有該第二導(dǎo)電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)。
本發(fā)明的第三種測(cè)試結(jié)構(gòu)還可以是，任一該第二摻雜區(qū)在一第三方向上同時(shí)相鄰但隔離于該第一部分及該第二部分，該第三方向垂直于該第一方向與該第二方向。更優(yōu)的是，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對(duì)偏移(shift)位置時(shí)，在該第三方向上，該第二部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。更優(yōu)的是，上述形成部分重迭情形的部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第二方向上的兩個(gè)該第二摻雜區(qū)。
本發(fā)明的第三種測(cè)試結(jié)構(gòu)，當(dāng)任一該第二摻雜區(qū)在一第三方向上同時(shí)相鄰但隔離于該第一部分及該第二部分，該第三方向垂直于該第一方向與該第二方向，并當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第二方向形成相對(duì)偏移位置時(shí)，在該第三方向上，該第一部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。更優(yōu)的是，上述形成部分重迭情形的部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第一方向上的兩個(gè)該第二摻雜區(qū)。


圖1為本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2為圖1的一實(shí)施例正視示意圖。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的上述目的、技術(shù)內(nèi)容、和特點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1所示，圖1為本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。一第一接觸20與若干第二接觸22位于底材(圖上未標(biāo)示)上，而具有一第一導(dǎo)電性的一第一阱10則位于底材中，并且位于第一接觸20與第二接觸22的下方(underlay)。具有第一導(dǎo)電性的一第一摻雜區(qū)18位于第一阱10中，并且接觸(contacting with)第一接觸20，其中第一摻雜區(qū)18的摻雜濃度高于第一阱10。具有一第二導(dǎo)電性的若干第二摻雜區(qū)16A、16D亦位于第一阱10中，并且以隔離組件14，例如淺溝槽隔離組件STI，與第一摻雜區(qū)18相隔離，其中每一個(gè)皆接觸一個(gè)第二接觸22。再者，第二導(dǎo)電性不同于第一導(dǎo)電性。此外，在第一阱10外的底材中，尚包含具有第二導(dǎo)電性的若干第二阱12，有些第二摻雜區(qū)16則位于第二阱12，可藉由第二接觸22連接至一外部電壓。
請(qǐng)參閱圖2所示，圖2為圖1的一實(shí)施例正視示意圖，其中沿著AA’切面即為圖1。圖2中，第一接觸20具有一第一部分平行于一第一方向，如X方向，與一第二部分平行于一第二方向，如Y方向，其中第一方向不同于第二方向。再者，要注意的是，每個(gè)第二接觸22同時(shí)相鄰于第一接觸20的第一部分及第二部分。也就是說(shuō)，每個(gè)第二接觸22下方所各自對(duì)應(yīng)的第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D，在垂直X-Y平面的方向上，同時(shí)相鄰但隔離而不重迭于第一接觸20的第一部分及第二部分，如此可利用本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，測(cè)試兩方向，即X與Y方向的漏電流路徑。此外，第一阱10與第二阱12以虛線框表示其位于以實(shí)線表示的其它結(jié)構(gòu)的下方。在此實(shí)施例中，第一接觸20所接觸的第一摻雜區(qū)18(位于第一接觸20的下方，圖上未示)為一N型重?fù)诫s區(qū)，則第一阱10為一N型阱，且其摻雜濃度低于第一摻雜區(qū)18。而第二阱12則為一P型阱，且與第二接觸22接觸的第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D為P型重?fù)诫s區(qū)。
在應(yīng)用上，位于第一阱10外側(cè)的第二摻雜區(qū)16可視為拾起(pick-up)區(qū)，透過(guò)外側(cè)的第二接觸22連接至一外部電壓。此外，也可透過(guò)第一接觸20或其它第二接觸22，對(duì)第一摻雜區(qū)18與第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D施加一外部電壓。測(cè)試的方法，舉例來(lái)說(shuō)，若第一接觸20朝第一方向(即X方向)偏移(shift)時(shí)，第一接觸20的第二部分(即平行Y方向的部分)會(huì)與下方的兩個(gè)第二摻雜區(qū)16A與16B(或16C與16D)在垂直方向上，即垂直X-Y平面的方向上，部分重迭。如此一來(lái)，當(dāng)透過(guò)第二接觸22，施加一外部電壓(接地或不為零的電壓)于所對(duì)應(yīng)的第二摻雜區(qū)16時(shí)，便可監(jiān)測(cè)到因第二部分與第二摻雜區(qū)16A與16B(或16C與16D)的部分重迭而誘發(fā)(induced)的漏電流路徑(leakage)。同理，若第一接觸20朝第二方向(即Y方向)平移產(chǎn)生偏差時(shí)，第一接觸20的第一部分(即平行X方向的部分)會(huì)與下方的兩個(gè)第二摻雜區(qū)16A與16D(或16B與16C)在垂直方向上(即垂直X-Y平面的方向上)部分重迭。如此一來(lái)，當(dāng)透過(guò)第二接觸22，施加一外部電壓于所對(duì)應(yīng)的第二摻雜區(qū)16時(shí)，便可監(jiān)測(cè)到因第一部分與第二摻雜區(qū)16A與16D(或16B與16C)的部分重迭而誘發(fā)的漏電流路徑。
再者，應(yīng)用上也可將第二摻雜區(qū)16A、16B、16C、16D偏移，同樣也可產(chǎn)生部分重迭的情形，運(yùn)用其測(cè)試漏電流路徑。同理，可將圖2中的第一導(dǎo)電性替換成P型，則第二導(dǎo)電性為N型，其應(yīng)用與測(cè)試方法皆和上述相同，此外，此時(shí)第一阱10與第二阱12可同在底材的一N型阱中。
因此，本發(fā)明提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試多方向的漏電流路徑。具有一第一導(dǎo)電性的一第一阱位于一底材中。具有第一導(dǎo)電性的一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱。一第一接觸位于第一摻雜區(qū)上，并且接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向。具有一第二導(dǎo)電性的復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)。其中在第三方向上，每一第二摻雜區(qū)同時(shí)相鄰但隔離于第一部分與第二部分，此第三方向同時(shí)垂直于第一方向與第二方向。復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)上，每一第二接觸對(duì)應(yīng)的每一第二摻雜區(qū)，并且隔離但同時(shí)相鄰于第一部分及第二部分。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的測(cè)試結(jié)構(gòu)可被廣泛地應(yīng)用到許多半導(dǎo)體測(cè)試中，通過(guò)本較佳實(shí)施例，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以清楚地推知本較佳實(shí)施例中的許多結(jié)構(gòu)可以改變，材料也可替換，這些一般的替換并不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求所界定的的保護(hù)范圍。
其次，上述實(shí)施例中，本發(fā)明表示測(cè)試結(jié)構(gòu)的正視與剖面圖在半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)計(jì)中會(huì)不依一般比例作局部放大以利說(shuō)明，然而不應(yīng)以此作為有限定的認(rèn)知。此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
以上所述的實(shí)施例僅是為說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在于使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，但不能以此來(lái)限定本發(fā)明的專利范圍，即依本發(fā)明所揭示的技術(shù)特征所作的等同變化或修飾，仍應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試多方向的漏電流路徑，其中多方向包含一第一方向與一第二方向，該第一方向不同于該第二方向，其特征在于，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包含一第一阱位于一底材中，該第一阱具有一第一導(dǎo)電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，該第一摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；一第一接觸位于該第一摻雜區(qū)上，并且接觸該第一摻雜區(qū)，該第一接觸具有一第一部份平行于該第一方向，與一第二部分平行于該第二方向；復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，其中在一第三方向上，每一該第二摻雜區(qū)同時(shí)相鄰但隔離于該第一部分與該第二部分，及該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電性，該第二導(dǎo)電性不同于該第一導(dǎo)電性；及復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)上，并且每一該第二接觸對(duì)應(yīng)于每一該第二摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一拾起區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導(dǎo)電性。
3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二阱在該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導(dǎo)電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對(duì)偏移位置時(shí)，在該第三方向上，該第二部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。
5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第二方向上形成相對(duì)偏移位置時(shí)，在該第三方向上，該第一部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。
6.如權(quán)利要求1項(xiàng)所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第三方向同時(shí)垂直于該第一方向與該第二方向。
7.一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試多方向的漏電流路徑，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包含一第一阱位于一底材中，該第一阱具有一第一導(dǎo)電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，該第一摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；一第一接觸位于該第一摻雜區(qū)上，并且接觸該第一摻雜區(qū)，該第一接觸具有一第一部分平行于一第一方向，與一第二部分平行于一第二方向，該第一方向不同于該第二方向；復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，其中在每一該第二摻雜區(qū)的正上方，每一該第二摻雜區(qū)同時(shí)相鄰但隔離于該第一部分與該第二部分，該第三方向同時(shí)垂直于該第一方向與該第二方向，及該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電性，該第二導(dǎo)電性不同于該第一導(dǎo)電性；及復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)上，并且每一該第二接觸對(duì)應(yīng)于每一該第二摻雜區(qū)，每一該第二接觸隔離但同時(shí)相鄰于該第一部分及該第二部分。
8.如權(quán)利要求7所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一拾起區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該拾起區(qū)具有該第二導(dǎo)電性。
9.如權(quán)利要求8所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二阱在該底材中，接觸該第一阱，并包含該拾起區(qū)，該第二阱具有該第二導(dǎo)電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該拾起區(qū)。
10.一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試漏電流路徑，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包含一第一接觸位于一底材上，該第一接觸具有一第一部分平行于一第一方向，與一第二部分平行于一第二方向，該第一方向不同于該第二方向；復(fù)數(shù)個(gè)第二接觸位于該底材上，每一該第二接觸隔離于該第一接觸，但同時(shí)相鄰于該第一部分及該第二部分；一第一阱位于該底材中，并位于該第一接觸與該第二接觸的下方，該第一阱具有一第一導(dǎo)電性；一第一摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且接觸該第一接觸，該第一摻雜區(qū)具有該第一導(dǎo)電性，并且該第一摻雜區(qū)的摻雜濃度高于該第一阱；及復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)位于該第一阱中，并且隔離于該第一摻雜區(qū)，每一該第二摻雜區(qū)接觸每一該第二接觸，該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)具有一第二導(dǎo)電性，該第二導(dǎo)電性不同于該第一導(dǎo)電性。
11.如權(quán)利要求10所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第三摻雜區(qū)位于該第一阱外的該底材中，并可連接至一外部電壓，該第三摻雜區(qū)具有該第二導(dǎo)電性。
12.如權(quán)利要求11所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包含一第二阱在該底材中，接觸該第一阱，并包含該第三摻雜區(qū)，該第二阱具有該第二導(dǎo)電性，其中該第二阱的摻雜濃度低于該第二摻雜區(qū)與該第三摻雜區(qū)。
13.如權(quán)利要求10所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，任一該第二摻雜區(qū)在一第三方向上同時(shí)相鄰但隔離于該第一部分及該第二部分，該第三方向垂直于該第一方向與該第二方向。
14.如權(quán)利要求13所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第一方向形成相對(duì)偏移位置時(shí)，在該第三方向上，該第二部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。
15.如權(quán)利要求14所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述形成部分重迭情形的部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第二方向上的兩個(gè)該第二摻雜區(qū)。
16.如權(quán)利要求13所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，當(dāng)該第一接觸與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)朝該第二方向形成相對(duì)偏移位置時(shí)，在該第三方向上，該第一部分與部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)形成部分重迭情形，可用以測(cè)試漏電流路徑。
17.如權(quán)利要求16所述的測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述形成部分重迭情形的部分該復(fù)數(shù)個(gè)第二摻雜區(qū)至少包含位于平行該第一方向上的兩個(gè)該第二摻雜區(qū)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，用以測(cè)試多方向的漏電流路徑，其具有一第一導(dǎo)電性的一第一阱位于一底材中，并且一第一摻雜區(qū)位于第一阱中，其摻雜濃度高于第一阱；一第一接觸位于第一摻雜區(qū)上并接觸第一摻雜區(qū)，其具有一第一部分平行于第一方向，與一第二部分平行于第二方向；具有一第二導(dǎo)電性的第二摻雜區(qū)位于第一阱中，并且隔離于第一摻雜區(qū)；其中在第三方向上，每一第二摻雜區(qū)同時(shí)相鄰但隔離于第一部分與第二部分；第二接觸位于對(duì)應(yīng)第二摻雜區(qū)上，并且每一第二接觸對(duì)應(yīng)的每一第二摻雜區(qū)；利用形成第一接觸與第二摻雜區(qū)的相對(duì)偏移位置，使得兩者部分重迭，即可測(cè)試多種方向的漏電流路徑。
文檔編號(hào)G01R31/00GK1548969SQ0312882
公開日2004年11月24日 申請(qǐng)日期2003年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月23日
發(fā)明者蔡孟錦, 蒲興華, 姜寧, 何軍 申請(qǐng)人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司