專利名稱：在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明是一種在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置，尤指一種可將于半導體治具板上受測元件區(qū)的數(shù)字信號地點，串接至少一具有電感的磁性元件而產(chǎn)生一新的待測元件參考地點的裝置。
由于該受測元件的數(shù)字信號地點DG與模擬信號地點AG均與供給受測元件的電源地點相通，若有其中一受測元件的數(shù)字信號地點DG受到干擾時，則會波及至模擬信號地點AG而產(chǎn)生噪聲，進而影響半導體元件在測試時的準確度。
本發(fā)明人特潛心研究并配合學理的運用，以設計一可針對上述因素作考慮的裝置，分割出模擬信號地點與數(shù)字信號地點，并以一新的待測元件參考地點來取代原模擬信號地點。
為了使審查員能更進一步了解本發(fā)明的特征及技術內(nèi)容，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖
，然而附圖僅供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
圖2為本發(fā)明一實施例半導體治具板的外觀圖。
圖3為圖2的斷面圖。
附圖標記說明1半導體治具板TOP第一層IN1第二層IN2第三層BOT第四層2受測元件區(qū)SG信號地點DG數(shù)字信號地點AG模擬信號地點G待測元件參考地點3磁性元件具體實施方式
本發(fā)明為一種在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置，其使至少一受測元件區(qū)設在半導體治具板上，并有數(shù)字信號地點及一待測元件參考地點，該待測元件參考地點是由受測元件區(qū)的數(shù)字信號地點串接至少一磁性元件而產(chǎn)生，以取代原模擬信號地點，在進行測試時，能降低待測元件參考地點受信號噪聲的干擾，進而提高該半導體受測元件在測試時的準確度。
請參閱圖2，為本發(fā)明的一實施例測試板的外觀圖，包括一受測元件區(qū)2、四具有電感的磁性元件3及一待測元件參考地點G，其中該受測元件區(qū)2為設在半導體治具板1的中間部位上，并有其數(shù)字信號地點DG及一待測元件參考地點G，該待測元件參考地點G是由受測元件區(qū)2的數(shù)字信號地點DG串接四個磁性元件3而產(chǎn)生一新的參考地點，各磁性元件3是一扼流圈或一鐵氧體墊圈(ferritr bead)，該參考地點可為單地點或相互連通的多地點，在本發(fā)明的實施例中選用多地點。
請參閱圖3，為圖2的斷面圖，以四層作為范例來說明，其中在第二層IN1受測元件區(qū)2的鋪銅面上設有數(shù)字信號地點DG；在第三層IN2受測元件區(qū)2的鋪銅面上有數(shù)字信號地點DG及一待測元件參考地點G，該待測元件參考地點G是由數(shù)字信號地點DG串接至少一具有電感的磁性元件3而產(chǎn)生一新的地點。
由該斷面圖可知，受測元件區(qū)2的原模擬信號地點已被新的待測元件參考地點G取代。
當受測元件區(qū)2的數(shù)字信號地點DG受到信號噪聲干擾時，由于該磁性元件3具有隔離交流信號的特性，因此，可有效降低待測元件參考地點G受噪聲主干擾，進而提高該半導體元件在測試時的準確度。
綜上所述，通過本發(fā)明的特殊設計，與公用的治具板相比具有下述幾項特點(1)可將受測元件區(qū)的數(shù)字信號地點串接至少一磁性元件而產(chǎn)生一新的待測元件參考地點。
(2)可有效降低信號噪聲干擾，提高該半導體元件在測試時的準確度。
因此，本發(fā)明完全符合專利申請要求，具有產(chǎn)業(yè)上利用性，故依專利法提出申請。
以上所述，僅為本發(fā)明一具體實施例，本發(fā)明的特征并不局限于此，任何熟悉該項技術者在本發(fā)明的領域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾，如本發(fā)明的半導體治具板也可用崩應板(burn board)取代；受測元件區(qū)的數(shù)字信號地點可為單地點或多地點，皆可被涵蓋在本發(fā)明專利的權利要求范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置，其特征為包括至少一受測元件區(qū)，設在半導體治具板上，并有數(shù)字信號地點；至少一具有電感的磁性元件；及一待測元件參考地點，由受測元件區(qū)的數(shù)字信號地點串接至少一磁性元件而產(chǎn)生；以進行測試時，降低受信號噪聲的干擾，提高該半導體元件在測試時的準確度。
2.如權利要求1所述的在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置，其特征為受測元件區(qū)的數(shù)字信號地點可為單地點或多地點。
3.如權利要求1所述的在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置，其特征為各磁性元件為一扼流圈或一鐵氧體墊圈(ferritr bead)。
全文摘要
本發(fā)明是有關于一種在半導體治具板上建立新參考地平面的裝置，包括至少一受測元件區(qū)、至少一具有電感的磁性元件及一待測元件參考地點，其使受測元件區(qū)設在半導體治具板上，并有其數(shù)字信號地點，該數(shù)字信號地點串接至少一磁性元件而產(chǎn)生一新的待測元件參考地點，以取代原模擬信號地點，在進行測試時，能降低受信號噪聲的干擾，提高該半導體元件在測試時的準確度。
文檔編號G01R31/26GK1428833SQ0114341
公開日2003年7月9日 申請日期2001年12月26日 優(yōu)先權日2001年12月26日
發(fā)明者陳文祺 申請人:陳文祺