專利名稱：斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的新的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列及制造方法。屬于紅外探測(cè)器領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
紅外探測(cè)器的應(yīng)用十分廣泛，用于軍事用途，有紅外成像、紅外偵察、紅外跟蹤、紅外制導(dǎo)、紅外預(yù)警和紅外對(duì)抗等；在民用中，有紅外測(cè)溫、紅外測(cè)濕、紅外理療、紅外檢測(cè)、紅外遙感、紅外報(bào)警等。按探測(cè)器工作機(jī)理區(qū)分，紅外探測(cè)器可分為熱探測(cè)器與光子探測(cè)器兩大類。與光子探測(cè)器相比，熱探測(cè)器具有廣譜響應(yīng)、低成本、易操作以及對(duì)環(huán)境溫度不敏感等優(yōu)點(diǎn)，但響應(yīng)時(shí)間較慢。因此在氣體分析，入侵報(bào)警，非接觸測(cè)溫等應(yīng)用中普遍采用。熱電堆紅外探測(cè)器是熱探測(cè)器中的一類，另外一大類為熱釋電探測(cè)器。熱電堆紅外探測(cè)器是由眾多熱電偶組成的，其工作原理是塞貝克效應(yīng)，也就是溫差電效應(yīng)。當(dāng)組成熱電偶的兩種不同材料構(gòu)成閉合回路時(shí)，兩個(gè)節(jié)點(diǎn)之間如果存在溫度差，就會(huì)在環(huán)路中產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)。
早先的熱電堆紅外探測(cè)器是利用掩膜真空鍍膜的方法，將熱偶材料沉積到塑料或氧化鋁襯底上獲得的，器件的尺寸較大，且不易批量生產(chǎn)。在20世紀(jì)80年代初，隨著微電子技術(shù)的蓬勃發(fā)展，提出了微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器的概念，K.D.Wise等最先利用微機(jī)械制造技術(shù)制造出了熱電堆紅外探測(cè)器。近年來，為了提高靈敏度和分辨率，更發(fā)展了探測(cè)器陣列，用于紅外成像等各個(gè)領(lǐng)域。與以往的熱電堆紅外探測(cè)器相比，微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器的優(yōu)點(diǎn)在于1.具有高的靈敏度，寬松的工作環(huán)境與非常寬的頻譜響應(yīng)；
2.與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝兼容，成本低廉且適合批量生產(chǎn)。
在微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器中，影響器件性能的主要因素有熱偶材料，熱堆結(jié)構(gòu)以及紅外吸收層。為了獲得高性能的探測(cè)器，熱偶材料要具有高的塞貝克系數(shù)，熱堆結(jié)構(gòu)要具有低的熱傳導(dǎo)性(即高熱阻)，同時(shí)紅外吸收層對(duì)紅外波段要具有高的響應(yīng)率。早先采用的熱偶材料為鉍(Bi)和銻(Sb)，但由于這些材料與標(biāo)準(zhǔn)集成電路工藝不兼容，因此以后逐漸被硅、多晶硅與金屬代替。在紅外吸收材料中，現(xiàn)在廣泛采用的是聚合物(Polymer)黑體。上述兩項(xiàng)相對(duì)變動(dòng)較小，因此在影響探測(cè)器性能的因素中，熱堆結(jié)構(gòu)就起了主導(dǎo)作用。
為了降低熱傳導(dǎo)，提高探測(cè)器性能，微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器普遍采用薄膜結(jié)構(gòu)，用以起到良好的隔熱效果。現(xiàn)在應(yīng)用的薄膜結(jié)構(gòu)有兩類，即封閉膜(close membrane)結(jié)構(gòu)和懸梁(cantilever)結(jié)構(gòu)，其中封閉膜是指熱堆的支撐膜為整層的復(fù)合介質(zhì)膜，一般為氮化硅和氧化硅復(fù)合膜。這種膜結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，由于膜與基體處處相連，因此受應(yīng)力影響小，制造過程中膜本身不易破裂；缺點(diǎn)在于隔熱效果不好，紅外吸收區(qū)吸收紅外輻射后，熱可以沿著介質(zhì)支撐膜傳播，而并不完全沿著熱偶對(duì)傳播，故熱耗散大，熱電轉(zhuǎn)換效率低，靈敏度小。懸梁則是指周圍為氣氛介質(zhì)所包圍，一端固支，一端懸空的膜結(jié)構(gòu)，膜上為熱堆與紅外吸收區(qū)，其中膜亦為復(fù)合介質(zhì)膜。這種膜結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，由于周圍是導(dǎo)熱性能很差的氣氛介質(zhì)(如空氣)，因此熱耗散小，熱阻高，隔熱效果好，同時(shí)吸收的熱可以沿著膜的方向，也就是熱偶對(duì)的方向有效傳導(dǎo)，故熱電轉(zhuǎn)換效率較好，靈敏度高。其缺點(diǎn)在于膜與機(jī)體間只有通過固支一端相連，另一端懸空，因此受應(yīng)力的影響顯著，制造過程中膜容易發(fā)生翹曲或破裂，故成品率較低。兩種膜結(jié)構(gòu)如圖1、圖2所示。這些膜結(jié)構(gòu)都是利用硅的各相異性腐蝕而得到的，腐蝕孔呈金字塔型，側(cè)壁為慢腐蝕面(111)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提出一種新的具有斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列及制造方法，以進(jìn)一步改善熱堆結(jié)構(gòu)，提高探測(cè)器的性能。
本發(fā)明提出的新的熱電堆紅外探測(cè)器陣列，其支撐膜與框體呈45度角，故稱之為斜拉懸梁，周圍被氣氛介質(zhì)包圍，一端固支，另一端與基體兩點(diǎn)相連(如圖3所示)。懸梁介質(zhì)薄膜上有熱堆結(jié)構(gòu)、紅外吸收區(qū)以及熱堆區(qū)。依單元探測(cè)器腐蝕孔的結(jié)構(gòu)可將其分為分立型和單腐蝕孔型二種。前者是獨(dú)立的腐蝕孔結(jié)構(gòu)，腐蝕孔之間由硅襯底相隔；后者為共用一個(gè)腐蝕孔結(jié)構(gòu)；懸梁間由腐蝕孔隔開。無論哪一種斜拉型懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列均可用m×n表示，m、n理論上為任何自然數(shù)，如m＝1、n＝4，則為線列，m、n均大于1則為面陣。探測(cè)器的陣列的輸出可以根據(jù)實(shí)際需要采用多種方式，如并聯(lián)輸出，單元探測(cè)器一端輸出通過一公共引腳引出，而另一輸出端由分立引腳輸出。
本發(fā)明提出的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)陣列的制造過程是(請(qǐng)參閱圖4)。
(1)首先，用低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)的方法在(100)晶向單晶硅片7上沉積一層氮化硅層8，厚度為100納米到150納米，然后沉積低溫氧化硅(LTO)層9，厚度為200納米到300納米，再用低壓化學(xué)氣相方法沉積多晶硅層10，厚度為500納米到800納米，然后用離子注入的方法進(jìn)行硼摻雜；(2)在摻雜后的硅層上光刻出用于形成熱偶硅條的形狀，其中熱偶硅條與切邊成45度角，用等離子刻蝕方法得到所需的多晶硅條10，條寬為十到幾十微米，長(zhǎng)為條寬的幾倍到幾十倍；(3)將多晶硅條10進(jìn)行氧化，與低溫氧化硅層構(gòu)成混合氧化硅層9，然后再用低壓化學(xué)沉積方法沉積一層氮化硅層8。光刻引線孔圖形，以光刻膠為掩膜，用等離子刻蝕方法去除氮化硅8，用氫氟酸腐蝕掉氧化硅9，在引線孔13處暴露出用于形成熱偶對(duì)的多晶硅條10；(4)在整個(gè)表面沉積金屬層11；光刻出用于形成熱偶的金屬條形狀，金屬條11和摻雜的多晶硅條10通過引線孔13實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，形成熱偶對(duì)，成為熱堆4的主要構(gòu)成；光刻用于形成斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的圖形，利用氮化硅與氧化硅復(fù)合介質(zhì)膜作為掩膜，直接用各向異性腐蝕劑，如四甲基氫氧化氨(TMAH)和氫氧化鉀(KOH)腐蝕體硅，利用硅各晶向腐蝕速率的不同，從硅正面向下腐蝕，得到斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)；再形成紅外輻射吸收區(qū)，面積從100微米×100微米到1000微米×1000微米，通過沉積黑體提高吸收效率；由此得到新的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱堆探測(cè)器陣列。
由此可見，本發(fā)明提出的支撐膜的優(yōu)點(diǎn)在于綜合了封閉膜與懸梁結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)。由于非固支端與基體亦有兩點(diǎn)相連，因此具有封閉膜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，制作過程中膜結(jié)構(gòu)不易被破壞，成品率高的優(yōu)點(diǎn)；而這僅有的兩點(diǎn)相連，對(duì)于導(dǎo)熱的影響很小，因而秉承了懸梁結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，熱耗散小，隔熱效果好，熱阻高，熱可以沿著熱偶對(duì)做有效傳導(dǎo)，因此可以提高探測(cè)器的熱電轉(zhuǎn)換效率，獲得高的靈敏度。綜上所述，采用這種新的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)，可以使微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器的整體性能得到較大提高。


圖1為具有封閉膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器示意圖。經(jīng)由各相異性腐蝕劑，如四甲基氫氧化氨(TMAH)后氫氧化鉀(KOH)腐蝕后，在硅基體1的頂部留下一層很薄的復(fù)合介質(zhì)膜6，側(cè)壁為(111)。這層膜一般為氮化硅與氧化硅復(fù)合膜，膜與基體間一一相連，中間沒有孔隙。膜上面有熱堆結(jié)構(gòu)4，以及紅外吸收區(qū)5，其中熱堆的熱結(jié)區(qū)3位于紅外吸收區(qū)5附近，冷結(jié)區(qū)2在硅基體上。
圖2為具有懸梁結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器的示意圖。懸梁的形成也經(jīng)過了各項(xiàng)異性腐蝕，側(cè)壁為(111)，懸梁薄膜結(jié)構(gòu)也是氮化硅與氧化硅復(fù)合介質(zhì)膜。懸梁一端與硅基體1相連，另一端懸空，懸梁與基體間有孔隙相隔。懸梁上有熱堆結(jié)構(gòu)4以及紅外吸收區(qū)5。與封閉膜結(jié)構(gòu)類似，熱結(jié)區(qū)3靠近紅外吸收區(qū)5，冷結(jié)區(qū)2在硅基體1上。
圖3為斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器的示意圖。由各相異性腐蝕劑腐蝕后，留下側(cè)壁為(111)慢腐蝕面的斜拉懸梁結(jié)構(gòu)。其中懸梁與硅基體1成45度角。故命名斜拉。懸梁一端固支，與硅基體1相連，另外一端僅有兩點(diǎn)與基體1相連。紅外吸收區(qū)5與熱堆結(jié)構(gòu)4在此懸梁上。紅外吸收區(qū)5吸收紅外輻射后，溫度升高，構(gòu)成熱堆的熱結(jié)區(qū)3，硅的導(dǎo)熱性好，稱為熱堆的冷結(jié)區(qū)2，保持與周圍環(huán)境相同的溫度。
圖4為斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)制造工藝示意圖。在一片單晶硅7上，先低壓化學(xué)氣相沉積氮化硅層8，再上面沉積低溫氧化硅9后，再用低壓化學(xué)氣相沉積方法沉積多晶硅層10，離子注入摻雜，使之具有一定的電阻率。光刻多晶硅條圖形，用等離子刻蝕方法形成多晶硅條。將多晶硅條進(jìn)行氧化后，再沉積一層氮化硅8，至此形成了氮化硅與氧化硅的復(fù)合介質(zhì)膜。光刻引線孔圖形，用等離子刻蝕方法去掉氮化硅，用氫氟酸腐蝕去掉氧化硅，得到引線孔13，暴露處摻雜的多晶硅條。蒸發(fā)一層金屬11，光刻金屬線條圖形，腐蝕得到所需的金屬條，通過引線孔13與多晶硅條事先歐姆接觸，構(gòu)成熱堆結(jié)構(gòu)4。此后，光刻腐蝕結(jié)構(gòu)圖形，用氮化硅、氧化硅以及金屬條作掩膜，利用硅各相性腐蝕劑腐蝕去掉體硅，形成側(cè)壁為(111)面，懸梁與基體成45度腳，中間有孔隙14相隔，一端固支，另外一端由兩點(diǎn)與基體相連的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)，而基體1由單晶硅7與氮化硅層8與氧化硅層9的復(fù)合膜構(gòu)成，稱為熱堆的冷結(jié)區(qū)。之后沉積黑體12，形成紅外吸收區(qū)，并構(gòu)成熱堆的熱結(jié)區(qū)。這樣就得到了新的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器。
圖5為1×4分立型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器線性陣列的示意圖。
圖6為4×4分立型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器面陣的示意圖。
圖7為1×4單腐蝕孔型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器線性陣列示意圖。
圖8為4×4單腐蝕孔型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器面陣的示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面通過實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步，但本發(fā)明絕非僅限于實(shí)施例。
實(shí)施例1 1×4分立型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器線列(圖5)該線列由4個(gè)單元斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器按線性排列組成。斜拉懸梁與腐蝕孔14成45度角，懸梁介質(zhì)薄膜上有熱堆結(jié)構(gòu)4，紅外吸收區(qū)5以及熱結(jié)區(qū)3；單元探測(cè)器具有獨(dú)立的腐蝕孔結(jié)構(gòu)，腐蝕孔之間由硅襯底1相隔，成為熱堆的冷結(jié)區(qū)2；單元探測(cè)器的熱結(jié)區(qū)3位于紅外吸收區(qū)5附近，冷結(jié)區(qū)2位于硅襯底1，相鄰兩單元共用一硅襯底邊框作為公共冷結(jié)區(qū)；在此，將這種單元探測(cè)器具有獨(dú)立的腐蝕孔結(jié)構(gòu)的陣列稱為分立型陣列。探測(cè)器陣列的輸出可以根據(jù)實(shí)際需要采取多種方式，圖5中示意的是并聯(lián)輸出的方式，即單元探測(cè)器間通過一公共引線15連接一輸出端，引出公共引腳16，單元另外一輸出端由分立引腳17引出。依此結(jié)構(gòu)，連接任一分立引腳17與公共引腳16作為輸出，就是連接該分立引腳17的單元探測(cè)器的輸出。
實(shí)施例2 4×4分立型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器面陣(圖6)該面陣是在1×4分立型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器線列的基礎(chǔ)上形成的，由16個(gè)單元組成。與該線列相似，單元探測(cè)器具有獨(dú)立的腐蝕孔結(jié)構(gòu)，斜拉懸梁與腐蝕孔14成45度角，懸梁上有熱堆結(jié)構(gòu)4，紅外吸收區(qū)5以及熱結(jié)區(qū)3；熱結(jié)區(qū)3位于紅外吸收區(qū)5附近，冷結(jié)區(qū)2位于硅襯底1，同一行相鄰兩單元探測(cè)器共用一硅襯底邊框作為公共冷結(jié)區(qū)，相鄰行之間則以以硅襯底1相隔。該面陣的輸出方式采用的亦是并聯(lián)方式，如圖6示意，由公共引線15連接同一行中單元探測(cè)器的一個(gè)輸出端，引出公共引腳16，單元探測(cè)器的另一輸出由分立引腳17引出；各行間采用并聯(lián)方式輸出，各有一相對(duì)該行的公共輸出端16，而單元探測(cè)器的另一輸出端由分立引腳17引出。
實(shí)施例3 1×4單腐蝕孔型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器線列(圖7)與實(shí)施例1不同，該線列的最大特點(diǎn)就是單元探測(cè)器共用一個(gè)腐蝕孔，由圖7所示，故將其命名為單腐蝕孔型面陣。其中懸梁仍與硅襯底1成45度角，熱堆結(jié)構(gòu)4，紅外吸收區(qū)5以及熱結(jié)區(qū)3都在懸梁介質(zhì)薄膜上，冷結(jié)區(qū)2則為公共的硅襯底。懸梁間由腐蝕孔14隔開，中間介以氣氛介質(zhì)，用以隔熱。單元探測(cè)器間由公共引線15連接一輸出端，由公共引腳16引出，另一輸出則由分立引腳17引出；這里采用的也是并聯(lián)輸出的方式。
實(shí)施例4 4×4單腐蝕孔型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器面陣(圖8)該面陣以實(shí)施例3為基礎(chǔ)構(gòu)建，其中每一行中單元探測(cè)器共用一個(gè)腐蝕孔，但相鄰行之間以硅襯底相隔。同樣，同一行中懸梁仍硅襯底1成45度角，熱堆結(jié)構(gòu)4，紅外吸收區(qū)5以及熱結(jié)區(qū)3都在懸梁介質(zhì)薄膜上，冷結(jié)區(qū)2則為公共的硅襯底。懸梁間也以腐蝕孔14相隔，通過氣氛介質(zhì)起到隔熱效果。每一行的輸出方式與實(shí)施例3相同，單元探測(cè)器間由公共引線15連接一輸出端，由公共引腳16引出，另一輸出則由分立引腳17引出；不同行引出對(duì)應(yīng)它的公共引腳16，與單元探測(cè)器的分立引腳17形成該單元的輸出端。
權(quán)利要求
1.一種斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列，包括懸梁支撐膜，其特征在于支撐膜與框架呈45度角，周圍被氣氛介質(zhì)包圍；一端固定，另一端與基體兩點(diǎn)相連。
2.按權(quán)利要求1所述的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列，其特征在于懸梁介質(zhì)薄膜上有熱堆結(jié)構(gòu)、紅外吸收區(qū)以及熱結(jié)區(qū)。
3.按權(quán)利要求1所述的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列，其特征在于依單元探測(cè)器腐蝕孔的結(jié)構(gòu)可分為分立型和單腐蝕孔二種。
4.按權(quán)利要求1或3所述的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列，其特征在于分立型斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)是獨(dú)立的腐蝕孔結(jié)構(gòu)，腐蝕孔之間由硅襯底相隔；單腐蝕孔型斜拉型懸梁支撐結(jié)構(gòu)是共用一個(gè)腐蝕孔結(jié)構(gòu)，懸梁之間由腐蝕孔隔開。
5.按權(quán)利要求1所述的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列，其特征在于探測(cè)器陣列的輸出根據(jù)實(shí)際需要采取多種方式，如并聯(lián)輸出，一端輸出通過公共引腳引出，另一輸出端由分立引腳輸出。
6.按權(quán)利要求1所述的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列的制造方法，其特征在于(1)首先，用低壓化學(xué)氣相沉積的方法在(100)晶向單晶硅片7上沉積一層氮化硅層，厚度為100納米到150納米，然后沉積低溫氧化硅層，厚度為200納米到300納米，再用低壓化學(xué)氣相方法沉積多晶硅層，厚度為500納米到800納米，然后用離子注入的方法進(jìn)行硼摻雜；(2)在摻雜后的硅層上光刻出用于形成熱偶硅條的形狀，其中熱偶硅條與切邊成45度角，用等離子刻蝕方法得到所需的多晶硅條，條寬為十到幾十微米，長(zhǎng)為條寬的幾倍到幾十倍；(3)將多晶硅條進(jìn)行氧化，與低溫氧化硅層構(gòu)成混合氧化硅層，然后再用低壓化學(xué)沉積方法沉積一層氮化硅層。光刻引線孔圖形，以光刻膠為掩膜，用等離子刻蝕方法去除氮化硅，用氫氟酸腐蝕掉氧化硅，在引線孔處暴露出用于形成熱偶對(duì)的多晶硅條；(4)在整個(gè)表面沉積金屬層；光刻出用于形成熱偶的金屬條形狀，金屬條和摻雜的多晶硅條通過引線孔實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，形成熱偶對(duì)，成為熱堆的主要構(gòu)成；光刻用于形成斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的圖形，利用氮化硅與氧化硅復(fù)合介質(zhì)膜作為掩膜，直接用各向異性腐蝕劑，如四甲基氫氧化氨和氫氧化鉀腐蝕體硅，利用硅各晶向腐蝕速率的不同，從硅正面向下腐蝕，得到斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)；再形成紅外輻射吸收區(qū)，面積從100微米×100微米到1000微米×1000微米，通過沉積黑體提高吸收效率；由此得到新的斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱堆探測(cè)器陣列。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有斜拉懸梁支撐膜結(jié)構(gòu)的微機(jī)械熱電堆紅外探測(cè)器陣列及制造方法。結(jié)構(gòu)特征是支撐膜與框體呈45度角,周圍被氣氛介質(zhì)包圍,一端固支,另一端與基體兩點(diǎn)相連。它又可分為分立型和單腐蝕孔型二種,前者是獨(dú)立的腐蝕孔結(jié)構(gòu),腐蝕孔之間由硅襯底相隔;后者為共用一個(gè)腐蝕孔結(jié)構(gòu),懸梁間由腐蝕孔隔開。制造特征是先沉積Si
文檔編號(hào)G01J1/02GK1333569SQ0112640
公開日2002年1月30日 申請(qǐng)日期2001年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月3日
發(fā)明者徐崢誼, 熊斌, 王躍林 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所