專利名稱：一種用于鉆井壓力測(cè)量系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接口電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種應(yīng)用于油田鉆井領(lǐng)域中的配合ADUC848控制器使用的電路。
背景技術(shù)：
目前油田上根據(jù)鉆井壓カ測(cè)量系統(tǒng)的實(shí)際工程環(huán)境需要和技術(shù)需求，已經(jīng)廣泛采用了 ADI公司出品的具有軍品標(biāo)準(zhǔn)的SoC微控制器ADUC848系列集成芯片。目前最通用的是5V直流供電、片上ROM容量為8K字節(jié)的ADuC8 48BS8-5。這種微控制器可以倍頻至12MHz，大大提高系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)的處理速度，滿足系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性與快速性的需要，其所具有的抗振、低溫漂、零漂移等性能提高了鉆井壓力測(cè)量系統(tǒng)的可靠性，非常適合于井下惡劣環(huán)境中的作業(yè)。但是，由于鉆井作業(yè)的特殊性，單次施工連續(xù)工作在100小時(shí)以內(nèi)，按每秒鐘采集5組16位數(shù)據(jù)計(jì)算，單片F(xiàn)lash的容量至少應(yīng)在6. 86M以上，因此，目前還缺乏一種能夠?qū)ｉT(mén)配合該芯片的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接ロ電路。
發(fā)明內(nèi)容為了解決背景技術(shù)中所提到的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種用于鉆井壓力測(cè)量系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接ロ電路，該種電路能夠配合ADUC848控制器實(shí)現(xiàn)對(duì)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的高速
大容量存儲(chǔ)。本實(shí)用新型的技術(shù)方案是該種用于鉆井壓カ測(cè)量系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接ロ電路，主體為AT45DB642D芯片，其特征在于所述AT45DB642D芯片的SCK弓I腳作為與ADuC848控制器的P2.0端ロ的連接端ロ，以提供串行時(shí)鐘，用來(lái)控制數(shù)據(jù)流從設(shè)備的進(jìn)出；所述AT45DB642D芯片的SI引腳作為與ADuC848控制器的P2. I端ロ的連接端ロ，以提供數(shù)據(jù)的串行輸入功能；所述AT45DB642D芯片的SO引腳作為與ADuC848控制器的P2. 2端ロ的連接端，以提供數(shù)據(jù)的串行輸出功能；所述AT45DB642D芯片的CS引腳作為與ADuC848控制器的P2. 3端ロ的連接端，以實(shí)現(xiàn)對(duì)AT45DB642D芯片的片選功能；所述AT45DB642D芯片的VCC端、REST端和WP端短接后連接于工作電源和兩個(gè)并聯(lián)的濾波電容器之間；所述AT45DB642D芯片的SI引腳、SO引腳和CS引腳之間連接有三個(gè)做星型連接的去藕電容器。本實(shí)用新型具有如下有益效果該種電路采用AT45DB642D芯片作為主控芯片，該芯片是ー款64Mbit的大容量串行FLASH存儲(chǔ)器，工作溫度范圍-40°C +85°C，內(nèi)置上電復(fù)位電路，具有標(biāo)準(zhǔn)的SPI串行數(shù)據(jù)接ロ，8192頁(yè)，每頁(yè)1024字節(jié)。帶有靈活的擦寫(xiě)功能，頁(yè)擦寫(xiě)1K、塊擦寫(xiě)8K、區(qū)擦寫(xiě)256K，兩個(gè)SRAM數(shù)據(jù)緩沖器，可在編程期間寫(xiě)入或讀取數(shù)據(jù)，并且讀取/寫(xiě)入地址自動(dòng)遞增，實(shí)現(xiàn)高速頁(yè)面編程，典型時(shí)間為20ms，高速頁(yè)面到數(shù)據(jù)緩沖器的傳輸時(shí)間為lOOus，頁(yè)面擦除典型時(shí)間10ms，器件擦除典型時(shí)間2s。并可硬件寫(xiě)保護(hù)，采用單電源5V供電，并有低電壓2. 7 3. 6V可供選擇，因此，可以非常好的配合ADuC848控制器工作。同時(shí)，在本電路中，在AT45DB642D的SI、SO、CS引腳處均接有O. OluF的去藕電容，在電源和復(fù)位以及寫(xiě)保護(hù)引腳VCC、REST、WP處接有O. IuF的濾波電容，所有電容的另一端均接入到數(shù)字地上，這樣，可以避免環(huán)境因素的影響，提高電路工作的穩(wěn)定性。


圖I是本實(shí)用新型所述電路的電氣原理圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)ー步說(shuō)明由圖I所示，該種用于鉆井壓カ測(cè)量系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接ロ電路，主體為AT45DB642D芯片，其獨(dú)特之處在于所述AT45DB642D芯片的SCK引腳作為與ADuC848控制器的P2. O端ロ的連接端ロ，以提供串行時(shí)鐘，用來(lái)控制數(shù)據(jù)流從設(shè)備的進(jìn)出；所述AT45DB642D芯片的SI引腳作為與ADuC848控制器的P2. I端ロ的連接端ロ，以提供數(shù)據(jù)的串行輸入功能；所述AT45DB642D芯片的SO引腳作為與ADuC848控制器的P2. 2端ロ的連接 端，以提供數(shù)據(jù)的串行輸出功能；所述AT45DB642D芯片的CS引腳作為與ADuC848控制器的P2. 3端ロ的連接端，以實(shí)現(xiàn)對(duì)AT45DB642D芯片的片選功能；所述AT45DB642D芯片的VCC端、REST端和WP端短接后連接于工作電源DVDD和兩個(gè)并聯(lián)的濾波電容器C27、C28之間；所述AT45DB642D芯片的SI引腳、SO引腳和CS引腳之間連接有三個(gè)做星型連接的去藕電容器C24、C25和C 26之間。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)證明，本種電路采用了 AT45DB642D的64Mbit串行SPI存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)容量大，高速讀寫(xiě)可至66MHz，IOmA低功率串行工作，可擦寫(xiě)10萬(wàn)次，保存數(shù)據(jù)可達(dá)10年。可以對(duì)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)高速存儲(chǔ)，完全滿足大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需要，能夠很好的配合控制器工作。應(yīng)用本種電路，對(duì)存儲(chǔ)芯片的讀寫(xiě)操作主要是由SI、SCK和SO標(biāo)準(zhǔn)三線SPI接口和CS片選控制ロ實(shí)現(xiàn)，當(dāng)CS片選ロ選通存儲(chǔ)芯片時(shí)在SCK ロ為低電平時(shí)允許對(duì)存儲(chǔ)芯片寫(xiě)入數(shù)據(jù)，根據(jù)命令和地址碼寫(xiě)入相應(yīng)的存儲(chǔ)頁(yè)，寫(xiě)入完數(shù)據(jù)后把SCK引腳恢復(fù)至高電平進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，即低電平寫(xiě)入高電平存儲(chǔ)完成一次對(duì)存儲(chǔ)芯片的寫(xiě)數(shù)據(jù)操作。當(dāng)需要從存儲(chǔ)芯片中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，只需要CS片選ロ選通芯片同時(shí)SCK ロ置位為高電平時(shí)即可實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)據(jù)的讀取操作，即高電平讀取。為減少干擾對(duì)數(shù)字器件的影響保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性，在AT45DB642D的SI、SOXS引腳處均接有O. OluF的去藕電容，在電源和復(fù)位以及寫(xiě)保護(hù)引腳VCC、REST、WP處接有O. IuF的濾波電容，所有電容的另一端均接入到數(shù)字地上，并且電容在PCB板設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡量靠近存儲(chǔ)芯片以達(dá)到最好的效果。此外，存儲(chǔ)芯片的REST和WP引腳應(yīng)該始終接入高電平，以保證整個(gè)系統(tǒng)運(yùn)行期間存儲(chǔ)器不會(huì)復(fù)位并且存儲(chǔ)芯片始終處于非寫(xiě)保護(hù)狀態(tài)，隨時(shí)可對(duì)芯片進(jìn)行讀寫(xiě)操作。
權(quán)利要求1. 一種用于鉆井壓力測(cè)量系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接ロ電路，主體為AT45DB642D芯片，其特征在于所述AT45DB642D芯片的SCK引腳作為與ADuC848控制器的P2. O端ロ的連接端ロ，以提 供串行時(shí)鐘，用來(lái)控制數(shù)據(jù)流從設(shè)備的進(jìn)出；所述AT45DB642D芯片的SI引腳作為與ADuC848控制器的P2. I端ロ的連接端ロ，以提供數(shù)據(jù)的串行輸入功能；所述AT45DB642D芯片的SO引腳作為與ADuC848控制器的P2. 2端ロ的連接端，以提供數(shù)據(jù)的串行輸出功能；所述AT45DB642D芯片的CS引腳作為與ADuC848控制器的P2. 3端ロ的連接端，以實(shí)現(xiàn)對(duì)AT45DB642D芯片的片選功能；所述AT45DB642D芯片的VCC端、REST端和WP端短接后連接于工作電源(DVDD)和兩個(gè)并聯(lián)的濾波電容器(C27，C28)之間；所述AT45DB642D芯片的SI引腳、SO引腳和CS引腳之間連接有三個(gè)做星型連接的去藕電容器(C24，C25，C 26)。
專利摘要一種用于鉆井壓力測(cè)量系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接口電路。主要解決現(xiàn)有的隨鉆測(cè)量系統(tǒng)中ADuC848控制器缺乏有效的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和接口電路的問(wèn)題。其特征在于AT45DB642D芯片的SCK引腳作為與控制器的P2.0端口的連接端；AT45DB642D芯片的SI引腳作為與控制器的P2.1端口的連接端；AT45DB642D芯片的SO引腳作為與控制器的P2.2端口的連接端；AT45DB642D芯片的CS引腳作為與ADuC848控制器的P2.3端口的連接端；AT45DB642D芯片的VCC端、REST端和WP端短接后連接于工作電源和兩個(gè)并聯(lián)的濾波電容器之間；AT45DB642D芯片的SI引腳、SO引腳和CS引腳之間連接有三個(gè)做星型連接的濾波電容器。該種電路能夠配合ADuC848控制器實(shí)現(xiàn)對(duì)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的高速大容量存儲(chǔ)。
文檔編號(hào)E21B47/06GK202441366SQ20122007765
公開(kāi)日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月5日
發(fā)明者劉斌, 盧曉云, 孟耀華, 張濱濱, 王福成, 王道軍, 靳恒 申請(qǐng)人:黑龍江八一農(nóng)墾大學(xué)