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陽極分離器及離子膜電解單元的制作方法

文檔序號:40545421發(fā)布日期:2025-01-03 11:04閱讀:14來源:國知局
陽極分離器及離子膜電解單元的制作方法

本技術(shù)涉及氯堿化工領(lǐng)域,具體地涉及一種陽極分離器及離子膜電解單元。


背景技術(shù):

1、離子膜電解單元的陽極分離器具有電解槽陽極室進(jìn)液和出液存儲、淡鹽水產(chǎn)出、氣液分離以及配合水封保障電解槽陽極室氣壓穩(wěn)定的重要作用。

2、目前陽極分離器使用時,濃鹽水進(jìn)入陽極分離器混入循環(huán)的淡鹽水中直接進(jìn)入電解槽陽極室進(jìn)行電解反應(yīng),同時濃鹽水與淡鹽水的混合液通過設(shè)置在陽極分離器靠近液面處的溢流口溢流完成淡鹽水的產(chǎn)出,其中,溢流管在充滿混合液時發(fā)揮氣體液封的作用。該種設(shè)計方式下的陽極分離器存在以下缺陷:

3、(1)濃鹽水與淡鹽水混合后溢流出分離器,隨淡鹽水溢流出的濃鹽水未參與電解反應(yīng)便被排出,造成了物料浪費(fèi),提高了運(yùn)行成本;

4、(2)濃鹽水未與淡鹽水混合均勻便進(jìn)入電解槽參與電解反應(yīng),不均勻介質(zhì)將使電解反應(yīng)整體出現(xiàn)不均衡,進(jìn)而影響電解槽運(yùn)行的穩(wěn)定性,同時對離子膜的使用壽命產(chǎn)生不可逆的不良影響。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述技術(shù)問題或者至少部分地解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型提供了一種陽極分離器及離子膜電解單元。

2、本實(shí)用新型提供了一種陽極分離器,包括罐體,所述罐體的內(nèi)部形成有沿水平方向依次設(shè)置的溢流腔體、混合腔體以及循環(huán)出液腔體,所述混合腔體與所述循環(huán)出液腔體之間通過多個混流孔連通,所述罐體上設(shè)有:

3、循環(huán)回液口,與所述溢流腔體沿著豎直方向上的位置相對;

4、濃鹽水進(jìn)液口,與所述混合腔體沿著豎直方向上的位置相對;以及

5、循環(huán)出液口,與所述循環(huán)出液腔體的底部連通。

6、可選地,所述罐體上還設(shè)有溢流出口,所述溢流出口與所述溢流腔體連通。

7、可選地,所述溢流出口上還連接有溢流管,所述溢流管的出口端用于連接淡鹽水桶,且所述溢流管的出口端的高度不低于所述溢流腔體與所述混合腔體的隔壁的上沿高度。

8、可選地,所述罐體的底部向上延伸形成有第一隔板和第二隔板,所述第一隔板和所述第二隔板的高度小于所述罐體的高度,所述第一隔板與所述第二隔板將所述罐體的內(nèi)部分割成所述溢流腔體、混合腔體以及所述循環(huán)出液腔體,多個所述混流孔形成在所述第二隔板上。

9、可選地,所述濃鹽水進(jìn)液口與所述混合腔體連通,且所述濃鹽水進(jìn)液口靠近所述第一隔板或所述第二隔板的上沿設(shè)置。

10、可選地,所述罐體的頂部還設(shè)有排氣口,所述排氣口用于與水封桶連通。

11、本實(shí)用新型還提供了一種離子膜電解單元,包括上述的陽極分離器。

12、可選地,所述離子膜電解單元還包括:

13、離子膜電解槽,具有陽極出液口和陽極進(jìn)液口,所述陽極出液口與所述循環(huán)回液口通過第一管道連接,所述陽極進(jìn)液口與所述循環(huán)出液口通過第二管道連接,所述第二管道上設(shè)有循環(huán)泵;

14、濃鹽水桶,與所述濃鹽水進(jìn)液口通過第三管道連接,所述第三管道上設(shè)有進(jìn)水泵。

15、可選地,所述離子膜電解單元還包括水封桶,所述罐體上設(shè)有排氣口,所述排氣口與所述水封桶通過第四管道連接,且所述第四管道的端部伸入至所述水封桶的底部。

16、可選地,所述離子膜電解單元還包括淡鹽水桶,所述罐體上設(shè)有溢流出口,所述溢流出口與所述淡鹽水桶通過溢流管連通,所述溢流管的出口端的高度不低于所述溢流腔體與所述混合腔體的隔壁的上沿高度。

17、本實(shí)用新型實(shí)施方式提供的技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點(diǎn):

18、本實(shí)用新型提供的陽極分離器中,罐體的內(nèi)部間隔設(shè)有溢流腔體、混合腔體以及循環(huán)出液腔體,以將回液和濃鹽水的進(jìn)水分開,并將循環(huán)回液口與溢流腔體相對設(shè)置,保證了溢流腔體一直處于滿液位的狀態(tài),濃鹽水進(jìn)液口與混合腔體沿著豎直方向相對設(shè)置,使得濃鹽水不進(jìn)入溢流的淡鹽水中,解決了溢流出的淡鹽水中混入濃鹽水所造成的物料浪費(fèi)的問題,將循環(huán)出液口與循環(huán)出液腔體的底部連通,且混合腔體與循環(huán)出液腔體之間通過多個混流孔連通,混入濃鹽水的淡鹽水在經(jīng)過多個混流孔后混合更加均勻,多個混流孔起到了均勻布水及水力攪拌的作用,混合液在更加均勻的混合狀態(tài)下進(jìn)入電解槽陽極室,從而使電解反應(yīng)更加均衡,提高了電解槽運(yùn)行的穩(wěn)定性,降低了對離子膜的不可逆損傷的風(fēng)險,延長了離子膜的使用壽命。



技術(shù)特征:

1.一種陽極分離器,其特征在于,包括罐體,所述罐體的內(nèi)部形成有沿水平方向依次設(shè)置的溢流腔體(102-y)、混合腔體(102-h)以及循環(huán)出液腔體(102-x),所述混合腔體(102-h)與所述循環(huán)出液腔體(102-x)之間通過多個混流孔(102-b-1)連通,所述罐體上設(shè)有:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陽極分離器,其特征在于,所述罐體上還設(shè)有溢流出口(102-2),所述溢流出口(102-2)與所述溢流腔體(102-y)連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陽極分離器,其特征在于,所述溢流出口(102-2)上還連接有溢流管(401),所述溢流管的出口端(401-1)用于連接淡鹽水桶(105),且所述溢流管的出口端(401-1)的高度不低于所述溢流腔體(102-y)與所述混合腔體(102-h)的隔壁的上沿高度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陽極分離器,其特征在于,所述罐體的底部向上延伸形成有第一隔板(102-a)和第二隔板(102-b),所述第一隔板(102-a)和所述第二隔板(102-b)的高度小于所述罐體的高度,所述第一隔板(102-a)與所述第二隔板(102-b)將所述罐體的內(nèi)部分割成所述溢流腔體(102-y)、混合腔體(102-h)以及所述循環(huán)出液腔體(102-x),多個所述混流孔(102-b-1)形成在所述第二隔板(102-b)上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陽極分離器,其特征在于,所述濃鹽水進(jìn)液口(102-3)與所述混合腔體(102-h)連通,且所述濃鹽水進(jìn)液口(102-3)靠近所述第一隔板(102-a)或所述第二隔板(102-b)的上沿設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陽極分離器,其特征在于,所述罐體的頂部還設(shè)有排氣口(102-5),所述排氣口(102-5)用于與水封桶(104)連通。

7.一種離子膜電解單元,其特征在于,包括如權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的陽極分離器(102)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的離子膜電解單元,其特征在于,所述離子膜電解單元還包括:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子膜電解單元,其特征在于,所述離子膜電解單元還包括水封桶(104),所述罐體上設(shè)有排氣口(102-5),所述排氣口(102-5)與所述水封桶(104)通過第四管道連接,且所述第四管道的端部伸入至所述水封桶(104)的底部。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的離子膜電解單元,其特征在于,所述離子膜電解單元還包括淡鹽水桶(105),所述罐體上設(shè)有溢流出口(102-2),所述溢流出口(102-2)與所述淡鹽水桶(105)通過溢流管(401)連通,所述溢流管的出口端(401-1)的高度不低于所述溢流腔體(102-y)與所述混合腔體(102-h)的隔壁的上沿高度。


技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及氯堿化工領(lǐng)域,公開了一種陽極分離器及離子膜電解單元。該陽極分離器包括罐體,罐體的內(nèi)部形成有溢流腔體、混合腔體以及循環(huán)出液腔體,混合腔體與循環(huán)出液腔體之間通過多個混流孔連通,罐體上設(shè)有循環(huán)回液口、濃鹽水進(jìn)液口以及循環(huán)出液口。本技術(shù)提供的陽極分離器將回液和濃鹽水的進(jìn)水分開,使得濃鹽水不進(jìn)入溢流的淡鹽水中,解決了溢流出的淡鹽水中混入濃鹽水所造成的物料浪費(fèi)的問題,多個混流孔起到了均勻布水及水力攪拌的作用,混合液在更加均勻的混合狀態(tài)下進(jìn)入電解槽陽極室,從而使電解反應(yīng)更加均衡,提高了電解槽運(yùn)行的穩(wěn)定性,降低了對離子膜的不可逆損傷的風(fēng)險,延長了離子膜的使用壽命。

技術(shù)研發(fā)人員:張占勛,張鑫,王丁,李培,魏亮,劉凱,譚蓓,黃丹
受保護(hù)的技術(shù)使用者:中化環(huán)境科技工程有限公司
技術(shù)研發(fā)日:20240520
技術(shù)公布日:2025/1/2
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