本技術(shù)涉及一種雙流供液電解槽，屬于電解槽的。

背景技術(shù)：

1、電解槽是一種常用的電化學(xué)設(shè)備，用于電解金屬、分離化學(xué)物質(zhì)等。在電解槽中，電流通過(guò)池液，被電解質(zhì)中的陽(yáng)離子或陰離子接受，在陰極或陽(yáng)極上發(fā)生還原或氧化反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)電化學(xué)反應(yīng)。電解槽是銅冶煉行業(yè)中用于銅精煉的常用提純?cè)O(shè)備。

2、現(xiàn)有的電解槽如cn212713777u一種面板及應(yīng)用其的平行流電解槽通常采用單側(cè)單流道的供液模式，即電解槽的一側(cè)只設(shè)置一套供液通道系統(tǒng)，實(shí)際工作時(shí)，循環(huán)電解液從電解槽側(cè)面上、中或下方流入電解槽中，電解液補(bǔ)入口處的離子濃度較高，進(jìn)而導(dǎo)致電極板a上各處電積附著效率出現(xiàn)不同程度的偏差；另外，由于單側(cè)單流道的供液模式，為了保證電解效率進(jìn)液流速不能太慢，而相對(duì)較快的電解液流速增加了電解槽中的液體涌動(dòng)，進(jìn)而阻礙電解出的雜質(zhì)沉降，懸浮的雜質(zhì)可能隨陰極電積附著，從而影響產(chǎn)品純度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了一種雙流供液電解槽。

2、本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下：

3、一種雙流供液電解槽，包括電解槽本體，所述電解槽本體內(nèi)左右兩側(cè)各設(shè)置有兩套上下間隔分布的供液系統(tǒng)，所述供液系統(tǒng)包括供液槽以及與所述供液槽連通的、水平排列分布的多個(gè)出液噴嘴。

4、其中，各個(gè)所述供液系統(tǒng)的出液噴嘴出液方向均水平設(shè)置，四套所述供液系統(tǒng)的布液軌跡呈水平對(duì)沖狀分布。

5、其中，位于上方的所述供液系統(tǒng)的出液噴嘴傾斜向下設(shè)置，位于下方的所述供液系統(tǒng)的出液噴嘴傾斜向上設(shè)置，四套所述供液系統(tǒng)的布液軌跡呈傾斜交叉狀分布。

6、其中，所述供液系統(tǒng)的供液槽包括開(kāi)設(shè)于電解槽本體內(nèi)壁上的開(kāi)口槽、且所述開(kāi)口槽開(kāi)口一側(cè)設(shè)置有密封面板；所述密封面板安裝側(cè)設(shè)置有密封圈，所述密封面板通過(guò)若干間隔環(huán)列的螺栓緊固安裝，所述密封面板上水平排列分布設(shè)置有若干出液口，各個(gè)出液口均分別設(shè)置有所述出液噴嘴；所述出液口為所述密封面板上垂直沖孔成型的安裝孔結(jié)構(gòu)，所述出液噴嘴采用直流噴嘴。

7、其中，所述供液系統(tǒng)的供液槽包括開(kāi)設(shè)于電解槽本體內(nèi)壁上的開(kāi)口槽、且所述開(kāi)口槽開(kāi)口一側(cè)設(shè)置有密封面板；所述密封面板安裝側(cè)設(shè)置有密封圈，所述密封面板通過(guò)若干間隔環(huán)列的螺栓緊固安裝，所述密封面板上水平排列分布設(shè)置有若干出液口，各個(gè)出液口均分別設(shè)置有所述出液噴嘴；所述出液口為所述密封面板上傾斜沖壓成型的傾斜孔座結(jié)構(gòu)，所述出液噴嘴采用直流噴嘴。

8、其中，如權(quán)利要求所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：所述供液系統(tǒng)的供液槽包括開(kāi)設(shè)于電解槽本體內(nèi)壁上的開(kāi)口槽、且所述開(kāi)口槽開(kāi)口一側(cè)設(shè)置有密封面板；所述密封面板安裝側(cè)設(shè)置有密封圈，所述密封面板通過(guò)若干間隔環(huán)列的螺栓緊固安裝，所述密封面板上水平排列分布設(shè)置有若干出液口，各個(gè)出液口均分別設(shè)置有所述出液噴嘴；所述出液口為所述密封面板上垂直沖孔成型的安裝孔結(jié)構(gòu)，所述出液噴嘴采用彎流噴嘴。

9、其中，所述供液系統(tǒng)的出液噴嘴出液方向與豎立面的傾斜夾角為15°≤α≤70°。

10、本實(shí)用新型具有如下有益效果：

11、1、本實(shí)用新型一種雙流供液電解槽，設(shè)置單側(cè)雙供液流道，相較于傳統(tǒng)單側(cè)單供液流道，能夠同時(shí)在電解槽側(cè)面上下同時(shí)供液，尤其采用布液軌跡呈傾斜交叉狀分布時(shí)，能夠有效提升補(bǔ)入電解液與電解槽中原有電解液的融合速度，進(jìn)而提升電解槽中各處電解液的離子濃度一致性，減小電極板a上各處電積附著效率偏差。

12、2、本實(shí)用新型一種雙流供液電解槽，設(shè)置單側(cè)雙供液流道，相較于傳統(tǒng)單側(cè)單供液流道，進(jìn)液口數(shù)量增加，相同反應(yīng)效率前提下，降低了各個(gè)進(jìn)液口的進(jìn)液流速，從而降低了電解槽中的液體涌動(dòng)，利于電解出的雜質(zhì)沉降，減少懸浮的雜質(zhì)隨陰極電積附著，從而提升產(chǎn)品純度。

技術(shù)特征：

1.一種雙流供液電解槽，其特征在于：包括電解槽本體(10)，所述電解槽本體(10)內(nèi)左右兩側(cè)各設(shè)置有兩套上下間隔分布的供液系統(tǒng)(20)，所述供液系統(tǒng)(20)包括供液槽(21)以及與所述供液槽(21)連通的、水平排列分布的多個(gè)出液噴嘴(26)。

2.如權(quán)利要求1所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：各個(gè)所述供液系統(tǒng)(20)的出液噴嘴(26)出液方向均水平設(shè)置，四套所述供液系統(tǒng)(20)的布液軌跡呈水平對(duì)沖狀分布。

3.如權(quán)利要求1所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：位于上方的所述供液系統(tǒng)(20)的出液噴嘴(26)傾斜向下設(shè)置，位于下方的所述供液系統(tǒng)(20)的出液噴嘴(26)傾斜向上設(shè)置，四套所述供液系統(tǒng)(20)的布液軌跡呈傾斜交叉狀分布。

4.如權(quán)利要求2所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：所述供液系統(tǒng)(20)的供液槽(21)包括開(kāi)設(shè)于電解槽本體(10)內(nèi)壁上的開(kāi)口槽、且所述開(kāi)口槽開(kāi)口一側(cè)設(shè)置有密封面板(22)；所述密封面板(22)安裝側(cè)設(shè)置有密封圈(23)，所述密封面板(22)通過(guò)若干間隔環(huán)列的螺栓(24)緊固安裝，所述密封面板(22)上水平排列分布設(shè)置有若干出液口(25)，各個(gè)出液口(25)均分別設(shè)置有所述出液噴嘴(26)；所述出液口(25)為所述密封面板(22)上垂直沖孔成型的安裝孔結(jié)構(gòu)，所述出液噴嘴(26)采用直流噴嘴。

5.如權(quán)利要求3所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：所述供液系統(tǒng)(20)的供液槽(21)包括開(kāi)設(shè)于電解槽本體(10)內(nèi)壁上的開(kāi)口槽、且所述開(kāi)口槽開(kāi)口一側(cè)設(shè)置有密封面板(22)；所述密封面板(22)安裝側(cè)設(shè)置有密封圈(23)，所述密封面板(22)通過(guò)若干間隔環(huán)列的螺栓(24)緊固安裝，所述密封面板(22)上水平排列分布設(shè)置有若干出液口(25)，各個(gè)出液口(25)均分別設(shè)置有所述出液噴嘴(26)；所述出液口(25)為所述密封面板(22)上傾斜沖壓成型的傾斜孔座結(jié)構(gòu)，所述出液噴嘴(26)采用直流噴嘴。

6.如權(quán)利要求3所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：所述供液系統(tǒng)(20)的供液槽(21)包括開(kāi)設(shè)于電解槽本體(10)內(nèi)壁上的開(kāi)口槽、且所述開(kāi)口槽開(kāi)口一側(cè)設(shè)置有密封面板(22)；所述密封面板(22)安裝側(cè)設(shè)置有密封圈(23)，所述密封面板(22)通過(guò)若干間隔環(huán)列的螺栓(24)緊固安裝，所述密封面板(22)上水平排列分布設(shè)置有若干出液口(25)，各個(gè)出液口(25)均分別設(shè)置有所述出液噴嘴(26)；所述出液口(25)為所述密封面板(22)上垂直沖孔成型的安裝孔結(jié)構(gòu)，所述出液噴嘴(26)采用彎流噴嘴。

7.如權(quán)利要求3所述的一種雙流供液電解槽，其特征在于：所述供液系統(tǒng)(20)的出液噴嘴(26)出液方向與豎立面的傾斜傾斜夾角為15°≤α≤70°。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及電解槽的技術(shù)領(lǐng)域的一種雙流供液電解槽，包括電解槽本體，電解槽本體內(nèi)左右兩側(cè)各設(shè)置有兩套上下間隔分布的供液系統(tǒng)，供液系統(tǒng)包括供液槽以及與供液槽連通的、水平排列分布的多個(gè)出液噴嘴，供液系統(tǒng)的布液軌跡呈水平對(duì)沖狀分布或傾斜交叉狀分布，相較于傳統(tǒng)單側(cè)單供液流道，能夠同時(shí)在電解槽側(cè)面上下同時(shí)供液，減小電極板a上各處電積附著效率偏差；同時(shí)降低了電解槽中的液體涌動(dòng)，減少懸浮的雜質(zhì)隨陰極電積附著，從而提升產(chǎn)品純度。

技術(shù)研發(fā)人員：代紅坤,楊美彥,趙善榕,文華明,平連聰,阮茂光,王帥,李顯紅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中銅東南銅業(yè)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240511
技術(shù)公布日：2024/12/23