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一種超疏水啞光復合鍍層及其制備方法與流程

文檔序號:40508656發(fā)布日期:2024-12-31 13:17閱讀:11來源:國知局
一種超疏水啞光復合鍍層及其制備方法與流程

本發(fā)明涉及材料,尤其涉及用于材料表面處理的復合鍍層及其制備方法。


背景技術(shù):

1、液滴在固體表面穩(wěn)定存在時會呈現(xiàn)不同的形貌,該形貌用接觸角(contactangle,ca)表示。接觸角是指在氣、液、固三相交點處所作的氣液界面的切線,此切線在液體一方的與固液交界線之間的夾角θ,其取值范圍為(0,180),疏水的臨界接觸角值為90°,大于90°定義為疏水,接觸角越大表面疏水性能越好,接觸角大于150°的潤濕狀態(tài)定義為超疏水超疏水(superhydrophobic)。即靜態(tài)液滴傾向于在表面維持球狀。研究同時發(fā)現(xiàn),僅以靜態(tài)接觸角大于150°還不足夠表征疏水性。于是引入了滾動角(sliding?angle,sa)表征親動態(tài)潤濕性,滾動角是指傾斜表面至液滴開始滾動的角度。目前文獻中普遍將ca>150°,sa<10°的表面定義為超疏水表面。

2、靜態(tài)接觸角(ca)大于150°,且滑動角(sa)小于10°的超疏水表面因其優(yōu)異的防水、自清潔、防腐保護、防覆冰性能以及微流體特性,在界面應(yīng)用中起著重要作用。

3、受到自然界中超疏水現(xiàn)象(如荷葉,壁虎,玫瑰花瓣等)的啟發(fā),多年的研究達成普遍共識,超疏水性能實現(xiàn)途徑為構(gòu)建超疏水表面,以經(jīng)典的wenzel和cassie模型總結(jié),適當粗糙度和低表面能這兩個基本因素對于設(shè)計人造超疏水表面是必不可少:低表面能材料粗糙化和降低粗糙表面的表面能。一種是,通過表面微納米復合結(jié)構(gòu)改變粗糙度,獲得疏水性;另一種是與低表面能材料結(jié)合降低表面能。

4、廚衛(wèi)產(chǎn)品(比如花灑)在使用中與自來水、臟污、洗滌劑等親密接觸,表面易殘留污漬不易清潔,影響美觀且不利于抗腐蝕,對超疏水表面有現(xiàn)實需求。但不可避免的接觸會引起表面微納結(jié)構(gòu)的磨損,表面粗糙度輕微損傷都會導致疏水性能的大幅下降并失效。目前,廚衛(wèi)產(chǎn)品的超疏水表面主要采用粉末噴涂法來實現(xiàn),涂噴涂技術(shù)所用顆粒大多為有色顆粒,這對于透明度要求較高的金屬表面、顏色表面很不適用。為廚衛(wèi)產(chǎn)品表面得到一種低折射率而高透光,同時又具備漫散射啞光狀態(tài)的超疏水微納結(jié)構(gòu),又具有低表面能,從而使產(chǎn)品具備超疏水性能。


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種超疏水啞光復合鍍層及其制備方法。

2、本發(fā)明的技術(shù)方案是通過以下方式實現(xiàn)的:

3、本發(fā)明公開了一種超疏水啞光復合鍍層,包括abs基材;所述abs基材的底層上表面依次電鍍有半光鎳層、珍珠鎳層和三價鉻層形成疏水結(jié)構(gòu)層;在真空條件下,所述abs基材的疏水結(jié)構(gòu)層表面上離子鍍膜形成10-20nm厚的二氧化硅層。

4、作為本發(fā)明的進一步限定,所述半光鎳層的原料成份包括如下組份:硫酸鎳niso4-6h2o濃度為260-340g/l、氯化鎳nicl-5h2o濃度為35-55g/l和硼酸h3bo3濃度為30-65g/l。

5、作為本發(fā)明的進一步限定,所述珍珠鎳層采用如下組分的電鍍液電鍍而成:硫酸鎳niso4-6h2o濃度為450-530g/l、氯化鎳nicl-5h2o濃度為25-55g/l、硼酸h3bo3濃度為30-50g/l、糖精鈉c7h4nnao3s濃度為90-110g/l、辛基酚聚乙烯醚濃度為15-40g/l。

6、作為本發(fā)明的進一步限定,所述三價鉻層的原料成份包括如下組份:丁炔二醇boz濃度為0.1-0.2g/l、硼酸h3bo3濃度為43-83g/l和濃度為11-31g/l的三價鉻離子。

7、作為本發(fā)明的進一步限定,所述二氧化硅層采用中頻磁控濺射純度為99.99%的硅靶鍍膜,頻率為40khz的中頻電源,以ar為濺射氣體,o2為反應(yīng)氣體。

8、本發(fā)明還公開了一種用于超疏水啞光復合鍍層的制備方法,應(yīng)用于上述的超疏水啞光復合鍍層,制備步驟包括:

9、s1.電鍍半光鎳層,在潔凈的abs基材上,進行電鍍半鎳光層;

10、s2.電鍍珍珠鎳層,在得到的半鎳光層上電鍍珍珠鎳層;

11、s3.電鍍?nèi)齼r鉻層,在得到的珍珠鎳層上進行三價鉻層電鍍處理;

12、s4.真空鍍膜,得到的清洗烘干后的abs基材的三價鉻層上,磁控濺射二氧化硅層。

13、作為本發(fā)明的進一步限定,所述三價鉻層的電鍍液包括:0.1-0.2g/l丁炔二醇boz,43-83g/l硼酸h3bo3和11-31g/l金屬鉻陽極電化學溶解,其工藝條件為:ph值2.4-3,溫度為30-40℃,電流密度2.5-4.5a/dm2,時間為950-1150s。

14、作為本發(fā)明的進一步限定,所述半鎳光層的電鍍液組份包括:硫酸鎳niso4-6h2o濃度260-340g/l、氯化鎳nicl-5h2o濃度35-55g/l和硼酸h3bo3濃度30-65g/l;其工藝條件為:工作時間為1100-1250s,ph范圍3.7-4.3,電流為1100a,電流密度2.5-4.5a/dm2。

15、作為本發(fā)明的進一步限定,所述珍珠鎳層的電鍍液組份包括:硫酸鎳niso4-6h2o濃度450-530g/l,氯化鎳nicl-5h2o濃度25-55g/l、硼酸h3bo3濃度30-50g/l,糖精鈉c7h4nnao3s濃度90-110g/l,辛基酚聚乙烯醚濃度15-40g/l,其工藝條件:電鍍時間為400-480s,ph值3.8-4.4,溫度為50℃-60℃,電流為1600a,電流密度2.5-4.5a/dm2。

16、作為本發(fā)明的進一步限定,將s4中電鍍處理的abs基材潔凈烘干后置于真空窒,當真空為1*10-3pa時,通入氬氣,將真空室的氣壓調(diào)節(jié)至2*10-3pa,脈沖偏壓為120v,占空比為20%,抽真空到1.0*10pa,濺射氣壓為1.2pa,用氬氣預濺射靶材表面10min以上,去除表面氧化物和其他雜質(zhì),通入氧氣,濺射功率為0.8-2kw,氧氣流量為20-50sccm,氬氣流量為150-200sccm,濺射氣壓為0.6pa,濺射沉積時間為30-60mim,冷卻后時取出。

17、本發(fā)明超疏水啞光復合鍍層及其制備方法的有益效果:

18、abs基材的復合鍍層表面具有無數(shù)個類荷葉微納米圓形凹穴緊致重疊結(jié)構(gòu),表面粗糙化對光折射效為漫反射狀態(tài),高散光率,結(jié)構(gòu)接觸角ca>153°,滾動角sa<10°,濺射二氧化硅層為多面體網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)離子晶體鍍層,介電常數(shù)>3.9,具有低表面能特性,具有超疏水性。二氧化硅層表面形貌光滑致密,耐磨擦,高透光率,可呈現(xiàn)為珍珠緞面顏色的啞光超疏水復合鍍層。



技術(shù)特征:

1.一種超疏水啞光復合鍍層,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超疏水啞光復合鍍層,其特征在于:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超疏水啞光復合鍍層,其特征在于:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超疏水啞光復合鍍層,其特征在于:

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的超疏水啞光復合鍍層,其特征在于:

6.一種超疏水啞光復合鍍層的制備方法,應(yīng)用于如權(quán)利要求1-5任一項所述的超疏水啞光復合鍍層,其特征在于,制備步驟包括:

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法,其特征在于:

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于:

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于:

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法,其特征在于:


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出的一種超疏水啞光復合鍍層,包括:ABS基材;所述ABS基材的底層上表面依次電鍍有半光鎳層、珍珠鎳層和三價鉻層形成疏水結(jié)構(gòu)層;在真空條件下,所述ABS基材的疏水結(jié)構(gòu)層表面上離子鍍膜形成10?20nm厚的二氧化硅層。本發(fā)明的超疏水啞光復合鍍層及其制備方法,在ABS基材上通過電鍍形成底層和疏水結(jié)構(gòu)層,并在疏水結(jié)構(gòu)層表面通過真空離子鍍形成二氧化硅層,在ABS基材表面形成一種低折射率而高透光,同時又具備漫散射啞光狀態(tài)的超疏水微納結(jié)構(gòu)層,其復合鍍層具有低表面能,又具備超疏水性能。

技術(shù)研發(fā)人員:鄧宇伸
受保護的技術(shù)使用者:水伯格五金(深圳)有限公司
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/30
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