一種透明電解槽裝置及其使用方法
【專利摘要】一種透明電解槽裝置及其使用方法，裝置包括電加熱爐、坩堝、電極系統(tǒng)、攝像采集系統(tǒng)和光源系統(tǒng)；電加熱爐側(cè)壁上設(shè)有光源入口，側(cè)壁和/或底壁設(shè)有采集窗口；光源入口為石英窗口或狹縫。方法為：（1）將電解質(zhì)置于坩堝內(nèi)，加入或不加入示蹤粒子，通過電加熱爐加熱使電解質(zhì)熔化并高于電解質(zhì)熔點10~30℃；（2）向電極系統(tǒng)施加電信號，光線通過光源入口，并通過坩堝進入電解質(zhì)，通過側(cè)部和/或底部的攝像采集系統(tǒng)對影像進行采集，并通過計算機進行處理，觀測氣泡行為或電解質(zhì)流場行為。本發(fā)明的裝置將加熱爐設(shè)計成底部開孔結(jié)構(gòu)，直接從底部觀察氣泡、電解質(zhì)等的行為，有助于對研究過程的深入理解；裝置結(jié)構(gòu)簡單，可操作性強。
【專利說明】—種透明電解槽裝置及其使用方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于熔鹽電解【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種透明電解槽裝置及其使用方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，采用熔鹽電解法生產(chǎn)金屬已在工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用，如鋁，鎂，稀土等的生產(chǎn)。關(guān)于電解過程中產(chǎn)生的氣泡行為、電解質(zhì)流動行為等現(xiàn)象還有待于進一步深入研究。但是由于熔鹽的高溫、高腐蝕性等特點，實現(xiàn)電化學(xué)過程中對電極和電解質(zhì)的直接觀測有一定難度。
[0003]對此，國內(nèi)外學(xué)者研發(fā)了幾種替代模型；水模型]被廣泛應(yīng)用于電解槽內(nèi)流體的流動研究，在水模型中，通過鼓入空氣(或其他氣體)模擬電解氣體的產(chǎn)生，以水(水溶液或有機溶劑)模擬電解質(zhì)，此方法操作方便，測量準(zhǔn)確，易于大型化；但水模型中氣泡的產(chǎn)生機理與工業(yè)電解有很大不同，很難確定其準(zhǔn)確性。采用O2-NaOH, O2-CuSO4, O2-ZnSO4,
O2-CuSO4-H2SO4等替代系統(tǒng)的常溫或低溫電解模型，可以通過電解產(chǎn)生氣體，但其氣體一液體性質(zhì)與真實電解系統(tǒng)存在巨大差異，其準(zhǔn)確性值得商榷。
[0004]邱竹賢發(fā)明了一種透明的高溫電解槽(ZL 20042003151803)，用方形石英坩堝承裝熔鹽，實現(xiàn)了在電解槽的側(cè)面觀測電解過程；Rudolf Keller采用石英管置于可打開的加熱爐中，同樣也是從側(cè)部來觀測熔鹽電解行為(Rudolf Keller and Kirk T.Larimer.Experimental study on the react1n forming cyanide in Potlining.Light Metals,1992，464-467.);上述設(shè)計的不足之處在于電解行為只能從側(cè)部來觀測，所得到的信息非常有限。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有電解行為觀測研究技術(shù)存在的上述問題，本發(fā)明提供一種透明電解槽裝置及其使用方法，通過在裝置上設(shè)置光源窗口和觀測窗口，配置光源系統(tǒng)和攝像系統(tǒng)，結(jié)合圖像分析技術(shù)，對電解時的氣泡行為和電解質(zhì)流場行為進行觀測。
[0006]本發(fā)明的透明電解槽裝置包括電加熱爐、坩堝、電極系統(tǒng)、攝像采集系統(tǒng)和光源系統(tǒng)；坩堝設(shè)置在電加熱爐內(nèi)，電極系統(tǒng)放置在坩堝內(nèi)；坩堝的材質(zhì)為石英；電加熱爐側(cè)壁上設(shè)有光源入口，側(cè)壁和底壁設(shè)有采集窗口 ；其中光源入口為石英窗口或狹縫；采集窗口為石英材質(zhì)；光源入口與光源系統(tǒng)相對，采集窗口與攝像采集系統(tǒng)相對。
[0007]上述的光源系統(tǒng)為照明光源，或為激光器和照明光源；當(dāng)光源系統(tǒng)為照明光源時，光源入口為石英窗口，側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)的軸線與光源系統(tǒng)的軸線平行；當(dāng)光源系統(tǒng)為激光器和照明光源時，照明光源與石英窗口相對，激光器與夾縫相對，狹縫為水平狹縫和/或垂直狹縫，側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)的軸線與激光器的軸線垂直且與照明光源的軸線平行。
[0008]上述裝置中，電極系統(tǒng)為陰極和陽極，或者為工作電極、參比電極和對電極；當(dāng)電極系統(tǒng)為陰極和陽極時，電極系統(tǒng)與直流穩(wěn)壓電源連接；當(dāng)電極系統(tǒng)為工作電極、參比電極和對電極時，電極系統(tǒng)與電化學(xué)工作站連接。
[0009]上述裝置中，光源入口、側(cè)壁采集窗口和底壁采集窗口均與陽極或工作電極相對。
[0010]上述的水平狹縫和垂直狹縫的寬度為10±0.1mm。
[0011 ] 上述裝置中，攝像采集系統(tǒng)與計算機連接。
[0012]上述裝置中，電加熱爐內(nèi)設(shè)有測溫?zé)犭娕己涂販責(zé)犭娕?，測溫?zé)犭娕寂c熱電偶溫度直讀表連接，控溫?zé)犭娕寂c控溫儀連接，控溫儀與電加熱爐裝配在一起。
[0013]上述裝置中，坩堝為單室坩堝或雙室坩堝；其中雙室坩堝內(nèi)設(shè)有擋板將坩堝內(nèi)部分為兩個室，擋板底部與雙室坩堝底面之間有縫隙，該縫隙與兩個室連通；當(dāng)坩堝為雙室坩堝時，陰極和陽極分別位于兩個室內(nèi)。
[0014]本發(fā)明的透明電解槽裝置的使用方法為:
1、將電解質(zhì)置于坩堝內(nèi)，加入或不加入示蹤粒子，通過電加熱爐加熱使電解質(zhì)熔化并高于電解質(zhì)熔點1(T30°C ；
2、向電極系統(tǒng)施加電信號進行電化學(xué)實驗，開啟光源系統(tǒng)，光線通過光源入口，并通過坩堝進入電解質(zhì)，通過側(cè)部和底部的攝像采集系統(tǒng)對影像進行采集，并通過計算機進行處理，觀測氣泡行為或電解質(zhì)流場行為。
[0015]上述方法中，當(dāng)觀測氣泡行為時，采用照明光源通過石英窗口照射電解質(zhì)，通過側(cè)壁采集窗口外的攝像采集系統(tǒng)和底壁采集窗口外的攝像采集系統(tǒng)采集氣泡的影像；當(dāng)觀測流場行為時，采用照明光源通過石英窗口照射電解質(zhì)，同時采用激光器通過狹縫照射電解質(zhì)，在電解質(zhì)中形成水平光面和垂直光面，通過底部和側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)采集示蹤粒子的影像。
[0016]本發(fā)明的優(yōu)點在于:(I)加熱爐設(shè)計成底部開孔結(jié)構(gòu)，可以直接從底部觀察氣泡、電解質(zhì)等的行為，是對側(cè)部觀測的補充，有助于對研究過程的深入理解；(2)結(jié)構(gòu)簡單，可操作性強。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為本發(fā)明實施例1中的透明電解槽裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為圖1的俯視圖；
圖3為本發(fā)明實施例2中的透明電解槽裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為圖3的側(cè)視圖；
圖5為本發(fā)明實施例3中的透明電解槽裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為圖5的俯視圖；
圖中，1、熱電偶溫度直讀表，2、測溫?zé)犭娕迹?、電解質(zhì)，4、陽極，5、電加熱爐，6、雙室石英坩堝，7、石英玻璃窗，8、攝像采集系統(tǒng)，9、計算機，10、控溫?zé)犭娕迹?1、加熱體，12、照明光源，13、溫控儀，14、爐蓋，15、直流穩(wěn)壓電源，16、陰極，17、工作電極，18、電化學(xué)工作站，19、對電極，20、參比電極、21、單室石英坩堝，22、水平放置的激光器，23、水平狹縫，24、垂直狹縫，25、垂直放置的激光器。
[0018]圖7為本發(fā)明實施例中的雙室石英坩堝結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8為圖7的俯視圖；
圖9為本發(fā)明實施例1的氣泡覆蓋率變化與槽電壓的波動曲線圖；其中Λ為槽電壓，〇
為覆蓋率； 圖10為本發(fā)明實施例2的線性伏安曲線圖；
圖11為本發(fā)明實施例1的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；圖中(a)為底部，(b)為側(cè)部；
圖12為本發(fā)明實施例2的掃描電位1.0V時的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；圖中(a)為底部，(b)為側(cè)部；
圖13為本發(fā)明實施例2中掃描電位1.7V時的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；圖中(a)為底部，(b)為側(cè)部；
圖14為本發(fā)明實施例2中掃描電位3.0V時的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；圖中(a)為底部，(b)為側(cè)部；
圖15為本發(fā)明實施例2中掃描電位4.0V時的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；圖中(a)為底部，(b)為側(cè)部；
圖16為本發(fā)明實施例2中掃描電位5.0V時的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；圖中(a)為底部，(b)為側(cè)部；
圖17為本發(fā)明實施例3中的電流密度0.1kfcm2時側(cè)部攝像系統(tǒng)經(jīng)處理后的電解質(zhì)流動圖；圖中，A為陰極，B為陽極；
圖18為本發(fā)明實施例3中的電流密度0.1kfcm2時側(cè)部攝像系統(tǒng)經(jīng)處理后的電解質(zhì)流動圖；圖中，A為陰極，B為陽極。

【具體實施方式】
[0019]本發(fā)明實施例中采用的陰極、陽極、工作電極和對電極材質(zhì)為石墨。
[0020]本發(fā)明實施例中采用的示蹤粒子為市購氧化鋁粉末，比重2.1 g/cm3，粒徑0.3^0.5 μ m。
[0021]本發(fā)明實施例中采用的攝像采集系統(tǒng)為LIGHT NING RDT高速相機或MV-078FC攝像機。
[0022]本發(fā)明實施例中采用的激光器為SM-LASER-KD200-15激光器。
[0023]本發(fā)明實施例中采用的照明光源為SUN光源，150w。
[0024]本發(fā)明實施例中采用的控溫儀型號為CKW-3100。
[0025]本發(fā)明實施例中采用Image Pro-Plus 6.0或SM-MICR0VEXC3軟件對所得到的圖片進行圖像處理。
[0026]本發(fā)明實施例中采用的電化學(xué)工作站為AUTOLAB PGSTAT 30。
[0027]本發(fā)明實施例中的加熱體的材質(zhì)為碳化硅。
[0028]實施例1
透明電解槽裝置結(jié)構(gòu)如圖1和圖2所示，包括電加熱爐5、雙室石英坩堝6、電極系統(tǒng)、攝像采集系統(tǒng)8和光源系統(tǒng)；雙室石英坩堝6設(shè)置在電加熱爐5內(nèi)，電極系統(tǒng)放置在雙室石英坩堝6內(nèi)；電加熱爐5側(cè)壁上設(shè)有光源入口，側(cè)壁和底壁設(shè)有石英玻璃窗7作為采集窗口 ；光源入口為石英玻璃窗7 ;光源入口與光源系統(tǒng)相對，米集窗口與攝像米集系統(tǒng)8相對；
光源系統(tǒng)為照明光源12 ;側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)的軸線與光源系統(tǒng)的軸線平行；電極系統(tǒng)為陰極16和陽極4，電極系統(tǒng)與直流穩(wěn)壓電源15連接； 光源入口、偵彳壁的采集窗口和底壁的采集窗口均與陽極4相對；
攝像采集系統(tǒng)8與計算機9連接；
電加熱爐5內(nèi)設(shè)有測溫?zé)犭娕?和控溫?zé)犭娕?0，測溫?zé)犭娕?與熱電偶溫度直讀表I連接，控溫?zé)犭娕?0與控溫儀13連接，控溫儀13與電加熱爐5裝配在一起；
雙室石英坩堝6為結(jié)構(gòu)如圖7和圖8所示，內(nèi)部設(shè)有擋板將坩堝內(nèi)部分為兩個室,擋板底部與雙室坩堝底面之間有縫隙，該縫隙與兩個室連通；陰極和陽極分別位于兩個室內(nèi)；
電加熱爐5頂部設(shè)有爐蓋14，內(nèi)部設(shè)有加熱體11，
使用方法為:
將電解質(zhì)置于坩堝內(nèi)，通過電加熱爐加熱至500°C，保溫2小時，升溫到950°C，使電解質(zhì)熔化并高于電解質(zhì)熔點111C ;所述的電解質(zhì)為Na3AlF6-3wt%LiF-5wt%CaF2-3wt%
Al2O3電解質(zhì)；
向電極系統(tǒng)施加電信號進行電化學(xué)實驗，開啟光源系統(tǒng)，光線通過光源入口，并通過坩堝進入電解質(zhì)，通過與側(cè)部和底部的攝像采集系統(tǒng)對影像進行采集，并通過計算機進行處理，觀測氣泡行為；兩個攝像采集系統(tǒng)的拍攝幀頻相同(15FPS)，開啟時間相同；對所得到的陽極氣泡行為照片采用Image Pro-Plus 6.0軟件進行圖像處理；圖9為氣泡覆蓋率變化與槽電壓的波動曲線；圖11為電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖；
石墨陽極尺寸為22mmX 50mmX 70mm,石墨陽極的浸入深度為40mm,石墨底面距離?甘禍底部為30mm。
[0029] 實施例2
透明電解槽裝置結(jié)構(gòu)如圖3和圖4所示，與實施例1的裝置的不同點在于:
(1)電極系統(tǒng)為工作電極17、參比電極20和對電極19，電極系統(tǒng)與電化學(xué)工作站18連接；
(2)光源入口、側(cè)壁的采集窗口和底壁的采集窗口均與工作電極17相對；
使用方法為:
將電解質(zhì)置于坩堝內(nèi)，通過電加熱爐加熱至500°C，保溫2小時，升溫到1000°C，使電解質(zhì)熔化并高于電解質(zhì)熔點20°C ;所述的電解質(zhì)為Na3AlF6-8wt%AlF3-2wt%Al203電解質(zhì)；
向電極系統(tǒng)施加電信號進行電化學(xué)實驗，開啟光源系統(tǒng)，光線通過光源入口，并通過坩堝進入電解質(zhì)，開啟電化學(xué)工作站進行線性伏安曲線掃描，電位范圍為0.3飛V，掃描速度為1000mV/s ;圖像的記錄與線性伏安曲線掃描同時進行；兩個攝像采集系統(tǒng)的拍攝幀頻相同(15FPS)，開啟時間相同；圖10為線性伏安曲線圖，可以看出在電位為1.5V(vs A1/A13+)時，開始發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)，在4.7V左右，電流達到最大值；圖12?16為不同掃描電位時的電解過程中陽極底部與側(cè)部攝像照片圖，1.0V時底面沒有任何氣泡，側(cè)部沒有任何氣泡；1.7V時底面?zhèn)€別地方出現(xiàn)氣泡，從側(cè)部看出小氣泡呈半球形，少量氣泡附著在側(cè)壁上；3.0V時底面許多地方出現(xiàn)氣泡，并發(fā)生匯聚，從側(cè)部看形成一個氣泡層，側(cè)壁上出現(xiàn)氣泡，并向上滑動，滑動過程中吞噬沿途氣泡，最后溢出；4.0V時底部大部分地方都有氣泡，但是氣泡間有縫隙，從側(cè)部看氣泡厚度達到最大，約4-5mm，側(cè)壁上不斷出現(xiàn)大量氣泡，并向上滑動，滑動過程中吞噬沿途氣泡，最后溢出；5.0V時氣泡呈一個層，阻斷電流傳遞，從側(cè)部看氣泡層厚度4-5mm，此時電流全部由側(cè)壁流出；
石墨工作電極尺寸為22mmX 50mmX 70mm,石墨陽極的浸入深度為40mm,石墨底面距離坩堝底部為30mm ;參比電極為盛裝在帶有開口的剛玉管中的Al液。
[0030] 實施例3
透明電解槽裝置結(jié)構(gòu)如圖5和圖6所示，
包括電加熱爐5、單室石英坩堝21、電極系統(tǒng)、攝像采集系統(tǒng)8和光源系統(tǒng)；單室石英坩堝21設(shè)置在電加熱爐5內(nèi)，電極系統(tǒng)放置在單室石英坩堝21內(nèi)；電加熱爐5側(cè)壁上設(shè)有兩個光源入口，側(cè)壁和底壁設(shè)有石英玻璃窗7作為采集窗口 ；三個光源入口分別為石英窗口、水平狹縫23和垂直狹縫24 ;光源入口與光源系統(tǒng)相對，采集窗口與攝像采集系統(tǒng)8相對；光源系統(tǒng)為照明光源12、水平放置的激光器22和垂直放置的激光器25，分別與水平狹縫23和垂直狹縫24相對；側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)的軸線與兩個激光器的軸線垂直，并與照明光源的軸線平行；
電極系統(tǒng)為陰極16和陽極4，電極系統(tǒng)與直流穩(wěn)壓電源15連接；三個光源入口、側(cè)部的采集窗口和底部的采集窗口均與陽極4相對；
光源入口為兩個狹縫和一個石英窗口 ；水平狹縫和垂直狹縫的寬度為10±0.1mm ； 攝像采集系統(tǒng)8與計算機9連接；
電加熱爐5內(nèi)設(shè)有測溫?zé)犭娕?和控溫?zé)犭娕?0，測溫?zé)犭娕?與熱電偶溫度直讀表I連接，控溫?zé)犭娕?0與控溫儀13連接，控溫儀13與電加熱爐5裝配在一起；
電加熱爐5頂部設(shè)有爐蓋14，內(nèi)部設(shè)有加熱體11，
使用方法為:
在電解質(zhì)中加入示蹤粒子；
將混有示蹤粒子的電解質(zhì)置于坩堝內(nèi)，通過電加熱爐加熱至500°C，保溫2小時，升溫到950°C，使電解質(zhì)熔化并高于電解質(zhì)熔點30°C ;所述的電解質(zhì)為20wt%MgF2-30wt%LiF-50wt%KCl 電解質(zhì)；
向電極系統(tǒng)施加電信號進行電化學(xué)實驗，開啟高速照相機、照明光源和激光器，然后開啟直流電源穩(wěn)壓電源進行電解，記錄電解圖像并采集槽電壓；兩個攝像采集系統(tǒng)的拍攝幀頻相同(100FPS)，開啟時間相同；通過與側(cè)部和底部的攝像采集系統(tǒng)對影像進行采集，并通過計算機進行處理，觀測電解質(zhì)流場行為；對所得到的電解質(zhì)照片采用SM-MICR0VEXC3進行圖像處理；
石墨陽極尺寸和陰極的尺寸為44mmX6mmX50mm,電極的浸入深度為40mm,石墨底面距離坩堝底部為30mm ；
圖17為電流密度0.Tkfcm2時側(cè)部攝像系統(tǒng)經(jīng)處理后的電解質(zhì)流動圖；圖18為電流密度0.7A/cm2時側(cè)部攝像系統(tǒng)經(jīng)處理后的電解質(zhì)流動圖；可以如圖所示的電解槽內(nèi)流場分布為基礎(chǔ)，進一步進行流場的仿真計算，并為工業(yè)尺度的仿真計算提供參數(shù)。
【權(quán)利要求】
1.一種透明電解槽裝置，其特征在于該裝置包括電加熱爐、坩堝、電極系統(tǒng)、攝像采集系統(tǒng)和光源系統(tǒng)；坩堝設(shè)置在電加熱爐內(nèi)，電極系統(tǒng)放置在坩堝內(nèi)；坩堝的材質(zhì)為石英；電加熱爐側(cè)壁上設(shè)有光源入口，側(cè)壁和/或底壁設(shè)有采集窗口 ；其中光源入口為石英窗口或狹縫；采集窗口為石英材質(zhì)；光源入口與光源系統(tǒng)相對，采集窗口與攝像采集系統(tǒng)相對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電解槽裝置，其特征在于所述的光源系統(tǒng)為照明光源，或為激光器和照明光源；當(dāng)光源系統(tǒng)為照明光源時，光源入口為石英窗口，側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)的軸線與光源系統(tǒng)的軸線平行；當(dāng)光源系統(tǒng)為激光器和照明光源時，照明光源與石英窗口相對，激光器與夾縫相對，狹縫為水平狹縫和/或垂直狹縫，側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)的軸線與激光器的軸線垂直且與照明光源的軸線平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電解槽裝置，其特征在于所述的電極系統(tǒng)為陰極和陽極，或者為工作電極、參比電極和對電極；當(dāng)電極系統(tǒng)為陰極和陽極時，電極系統(tǒng)與直流穩(wěn)壓電源連接；當(dāng)電極系統(tǒng)為工作電極、參比電極和對電極時，電極系統(tǒng)與電化學(xué)工作站連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電解槽裝置，其特征在于所述的光源入口、側(cè)壁采集窗口和底壁采集窗口均與陽極或工作電極相對。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電解槽裝置，其特征在于所述的電加熱爐內(nèi)設(shè)有測溫?zé)犭娕己涂販責(zé)犭娕?，測溫?zé)犭娕寂c熱電偶溫度直讀表連接，控溫?zé)犭娕寂c控溫儀連接，控溫儀與電加熱爐裝配在一起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明電解槽裝置，其特征在于所述的坩堝為單室坩堝或雙室坩堝；其中雙室坩堝內(nèi)設(shè)有擋板將坩堝內(nèi)部分為兩個室，擋板底部與雙室坩堝底面之間有縫隙，該縫隙與兩個室連通；當(dāng)坩堝為雙室坩堝時，陰極和陽極分別位于兩個室內(nèi)。
7.—種權(quán)利要求1所述的透明電解槽裝置的使用方法，其特征在于按以下步驟進行: (1)將電解質(zhì)置于坩堝內(nèi)，加入或不加入示蹤粒子，通過電加熱爐加熱使電解質(zhì)熔化并高于電解質(zhì)熔點1(T30°C ； (2)向電極系統(tǒng)施加電信號進行電化學(xué)實驗，開啟光源系統(tǒng)，光線通過光源入口，并通過坩堝進入電解質(zhì)，通過側(cè)部和/或底部的攝像采集系統(tǒng)對影像進行采集，并通過計算機進行處理，觀測氣泡行為或電解質(zhì)流場行為。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的透明電解槽裝置的使用方法，其特征在于當(dāng)觀測氣泡行為時，采用照明光源通過石英窗口照射電解質(zhì)，通過側(cè)壁采集窗口外的攝像采集系統(tǒng)和/或底部采集窗口外的攝像采集系統(tǒng)采集氣泡的影像；當(dāng)觀測流場行為時，采用照明光源通過石英窗口照射電解質(zhì)，同時采用激光器通過狹縫照射電解質(zhì)，在電解質(zhì)中形成水平光面和/或垂直光面，通過底部和/或側(cè)部的攝像采集系統(tǒng)采集示蹤粒子的影像。
【文檔編號】C25C7/00GK104313646SQ201410581592
【公開日】2015年1月28日 申請日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月28日
【發(fā)明者】王兆文, 趙志彬, 高炳亮, 胡憲偉, 石忠寧, 于江玉, 陶文舉, 楊酉堅 申請人:東北大學(xué)