低熔點的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法、電鍍鋁用鍍液、鋁箔的制造方法、以及降低電鍍鋁用 ...的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的特征在于在調(diào)制至少含有(1)二烷基砜、(2)鋁鹵化物、以及(3)含氮化合物的電鍍鋁用鍍液之際的二烷基砜、鋁鹵化物、含氮化合物的配合比例，相對于二烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為3.5+n～4.2+n摩爾，含氮化合物為n摩爾(其中n為0.001～2.0摩爾)。還有，在通過本發(fā)明的方法調(diào)制的電鍍鋁用鍍液中，相對于通電量，鋁的析出效率高的電鍍處理是可能的，因此謀求電使用量的削減有在經(jīng)濟性方面優(yōu)異的有利之處。
【專利說明】低熔點的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法、電鍍鋁用鍍液、鋁箔的 制造方法、以及降低電鍍鋁用鍍液的熔點的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及以電解法制造可作為如鋰離子二次電池或超級電容器（電雙層電容 器、氧化還原電容器、鋰離子電容器等）的蓄電設(shè)備的正極集電體等使用的鋁箔之際等可 適當(dāng)采用的、低熔點的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法、電鍍鋁用鍍液、鋁箔的制造方法、以及降 低電鍍鋁用鍍液的熔點的方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在手機或筆記本電腦等的便攜工具的電源中所使用的擁有高能源密度，且，沒有 放電容量的顯著減少的鋰離子二次電池雖是周知的事實，但近年來伴隨便攜工具的小型 化，其中所安裝的鋰離子二次電池也被要求小型化。另外，伴隨從地球溫暖化防止對策等觀 點來的混合動力汽車或太陽能發(fā)電等技術(shù)的進展，加速以電雙層電容器、氧化還原電容器、 鋰離子電容器等擁有高能源密度的超級電容器的新用途擴展的同時，這些被要求更高的能 源密度化。
[0003] 如鋰離子二次電池或超級電容器的蓄電設(shè)備，例如，在作為電解質(zhì)含有LiPF6* NR4 · BF4(R為烷基）等的含氟化合物的有機電解液中，正極和負極具有介由以聚烯烴等構(gòu) 成的隔板所配置的結(jié)構(gòu)。正極是以LiC 〇02(鈷酸鋰）或活性炭等的正極活性物質(zhì)和正極集 電體組成的同時，負極是以石墨或活性炭等的負極活性物質(zhì)和負極集電體組成，一般是各 自的形狀為在集電體的表面涂布活性物質(zhì)成型為薄片狀。對于各電極，除被施加大電壓外， 還被浸漬在含有腐蝕性高的含氟化合物的有機電解液中，特別是正極集電體的材料被要求 電傳導(dǎo)性良好的同時，耐腐蝕性也良好。從這樣的情況，現(xiàn)在，作為正極集電體材料，幾乎 100 %為電良導(dǎo)體，且，采用通過在表面形成惰性膜而具有良好耐腐蝕性的鋁。另外，作為負 極集電體的材料，可例舉銅或鎳等。
[0004] 作為使蓄電設(shè)備小型化或高能源密度化的一個方法，有構(gòu)成以薄片狀成型電極的 集電體的薄膜化。目前來看，正極集電體中，一般使用通過壓延法制造的厚度在15?20 μ m 左右的鋁箔，通過使該鋁箔的厚度更薄可達成目的。但是壓延法中，在工業(yè)的制造規(guī)模上， 很難使箔的厚度做的比上述更薄。
[0005] 為此，作為替代壓延法的鋁箔的制造方法，考慮到通過電解法制造鋁箔的方法。通 過電解法的金屬箔的制造，例如，在不銹鋼板等基材的表面以電鍍形成金屬被膜后，通過將 該被膜從基材剝離來進行的，例如作為銅箔的制造方法是眾所皆知的。但是，由于鋁在電化 學(xué)上是賤金屬，故電鍍有時非常難的，通過電解法制造鋁箔并非容易。專利文獻1中公開了 作為通過電解法鋁箔的制造方法，使用由氯化鋁50?75摩爾％和烷基吡啶氯化物25?50 摩爾％構(gòu)成的電解浴或者是在此浴中添加有機溶媒的電解浴的方法，但此方法中，鍍液的 氯濃度非常高。因此，鍍液所含的氯在鍍覆處理中通過和大氣中的水分反應(yīng)而產(chǎn)生氯化氫 氣體，會引發(fā)設(shè)備腐蝕的問題，所以有必要尋求防止氯化氫氣體的產(chǎn)生的對策或防止產(chǎn)生 的氯化氫氣體腐蝕設(shè)備的對策。另外，專利文獻1記載的方法中，因可施加的電流密度即使 最大也是2A/dm2程度，存在成膜速度慢的問題（若施加電流密度比此更高，則引發(fā)鍍液分 解等導(dǎo)致無法穩(wěn)定地進行鍍覆處理）。成膜速度可期待通過在鍍液中添加苯或甲苯等的有 機溶媒來改善，但這些有機溶媒的有如毒性高，另外，易燃性高的擔(dān)心性，因此從廢液處理 的容易性和安全性的觀點而論，不得不說在鍍液中添加這些有機溶媒是有問題的。
[0006] 鑒于以上的方面，本發(fā)明人的研究小組，迄今為止致力于進行通過使用氯濃度低 的鍍液的電解法，以快速的成膜速度制造富有延展性的高純度鋁箔的方法的研究，作為其 成果，在專利文獻2中提案如下方法：通過使用至少含有（1)二烷基砜，（2)鋁鹵化物，以 及，（3)從鹵化銨、伯胺的氯化鹽、仲胺的氯化鹽、叔胺的氯化鹽、通式?ΧΟ? 1?R4 為相同或者是相異的烷基，X表示相對于季胺陽離子的陰離子）表示的季胺鹽組成的組中 所選擇的至少1個的含氮化合物的鍍液的電解法在基材的表面形成鋁被膜后，將該被膜從 基材剝離的方法。根據(jù)專利文獻2,此電鍍鋁用鍍液中的二烷基砜，鋁鹵化物，含氮化合物 的配合比例相對于二烷基砜10摩爾，優(yōu)選鋁鹵化物為1. 5?4. 0摩爾，優(yōu)選含氮化合物為 0. 01?2. 0摩爾。這樣的配合比例的鍍液雖以快速成膜速度制造富有延展性的高純度鋁箔 之際等有用，但在操作性的方面等還留有改良的余地。具體而論，這樣的配合比例的鍍液， 因作為溶媒成分使用二烷基砜的熔點高（例如二甲基砜的熔點為約ll〇°C )，進行電鍍處理 之際，從如若不使鍍液的溫度高于二烷基砜的熔點以上，則鍍液會固化而無法進行處理的 方面，或在25°C的常溫鍍液是固化的，因此無法簡易且圓滑地進行鍍液的調(diào)制或廢棄等的 方面，所以期待不大幅變更鍍液的配合比例而降低熔點的方法。
[0007] 關(guān)于降低電鍍鋁用鍍液的熔點的方法，本發(fā)明人的研究小組通過所提案的專利文 獻3有如下記載：在含有二烷基砜和鋁鹵化物的電鍍鋁用鍍液的情況下，相對于二烷基砜 10摩爾，鋁鹵化物4摩爾來調(diào)整兩者的配合比例，則熔點降低，即使在60°C也使電鍍處理成 為可能。但是，專利文獻3記載的鍍液由于不含有專利文獻2記載的含氮化合物，因此在含 有專利文獻2記載的含氮化合物的鍍液中也以二烷基砜和鋁鹵化物的配合比例為相對于 前者10摩爾后者4摩爾則能一定使熔點降低而論，通過本發(fā)明人的探討明確其未必可行。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0009] 專利文獻
[0010] 專利文獻1:特開平1-104791號公報
[0011] 專利文獻2:國際公開第2011/001932號
[0012] 專利文獻3:特許第4609777號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 發(fā)明所要解決的課題
[0014] 在此，本發(fā)明的目的在于提供快速的成膜速度制造富有延展性的高純度鋁箔之際 等有用的電鍍鋁用鍍液，調(diào)制即使25°C也不固化可進行電鍍處理，操作性良好的鍍液的方 法，通過此方法所調(diào)制電鍍鋁用鍍液，使用此電鍍鋁用鍍液的鋁箔的制造方法，以及，降低 電鍍鋁用鍍液的熔點的方法。
[0015] 用于解決課題的手段
[0016] 本發(fā)明人，鑒于上述的方面進行專心探討的結(jié)果，在調(diào)制含有二烷基砜，鋁鹵化 物，含氮化合物的電鍍鋁用鍍液之際，相對于二烷基砜的鋁鹵化物和含氮化合物的配合比 例，在前者的配合比例依賴于后者的配合比例的規(guī)定關(guān)系的情況下，得到的鍍液是低熔點 的，發(fā)現(xiàn)即使在25°C也不固化并具有流動性。
[0017] 基于上述見解而完成的本發(fā)明的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法，如權(quán)利要求1記載， 其為至少含有（1)二烷基砜、（2)鋁鹵化物、以及（3)含氮化合物的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方 法，其特征在于，在調(diào)制鍍液之際的二烷基砜、鋁鹵化物、含氮化合物的配合比例，相對于二 烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為3. 5+n?4. 2+n摩爾，含氮化合物為η摩爾（其中η為0. 001? 2. 0摩爾），以使鍍液的熔點在25°C以下為特征。
[0018] 另外，權(quán)利要求2記載的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法是在權(quán)利要求1記載的電鍍鋁 用鍍液的調(diào)制方法中，其特征在于，二烷基砜為二甲基砜。
[0019] 另外，權(quán)利要求3記載的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法是在權(quán)利要求1記載的電鍍鋁 用鍍液的調(diào)制方法中，其特征在于，含氮化合物是從鹵化銨、伯胺的氯化氫鹽、仲胺的氯化 氫鹽、叔胺的氯化氫鹽、通式1---- ?χα?1?r4為相同或者是相異的烷基，X表示相對于 季胺陽離子的陰離子）表示的季胺鹽、含氮芳香族化合物組成的組中選擇的至少1種。
[0020] 另外，本發(fā)明的電鍍鋁用鍍液，如權(quán)利要求4記載，其特征在于，其是通過權(quán)利要 求1記載的調(diào)制方法調(diào)制而成的。
[0021] 還有，本發(fā)明的鋁箔的制造方法，如權(quán)利要求5記載，其特征在于，通過使用權(quán)利 要求4記載的電鍍鋁用鍍液的電解法在基材的表面形成鋁被膜后，將該被膜從基材剝離。
[0022] 另外，本發(fā)明的降低電鍍鋁用鍍液的熔點方法，如權(quán)利要求6記載，其特征在于， 在調(diào)制至少含有（1)二烷基砜、（2)鋁鹵化物、以及（3)含氮化合物的電鍍鋁用鍍液之 際的二烷基砜、鋁鹵化物、含氮化合物的配合比例，相對于二烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為 3· 5+n?4· 2+n摩爾，含氮化合物為η摩爾（其中η為0· 001?2. 0摩爾）。
[0023] 發(fā)明的效果
[0024] 根據(jù)本發(fā)明，在以快速的成膜速度制造富有延展性的高純度鋁箔之際等有用的電 鍍鋁用鍍液中，能夠提供調(diào)制即使在25°C也不固化地可進行電鍍處理的、操作性良好的鍍 液的方法，通過此方法調(diào)制的電鍍鋁用鍍液，使用此電鍍鋁用鍍液的鋁箔的制造方法，以 及，降低電鍍鋁用鍍液的熔點的方法。另外，在通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液 中，相對于通電量的鋁的析出效率高的電鍍處理是可能的，因此謀求電使用量的削減有在 經(jīng)濟性方面優(yōu)異的有利之處。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025] [圖1]將使用通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液所制造的鋁箔作為蓄電 設(shè)備用正極集電體利用的蓄電設(shè)備的一例的概略圖。
[0026] [圖2]圖1的A-A斷面。

【具體實施方式】
[0027] 本發(fā)明的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法為至少含有（1)二烷基砜、⑵鋁鹵化物、以及 (3)含氮化合物的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法，其特征在于，在調(diào)制鍍液之際的二烷基砜、鋁 鹵化物、含氮化合物的配合比例相對于二烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為3. 5+n?4. 2+n摩爾， 含氮化合物為η摩爾（其中η為0. 001?2. 0摩爾），以使鍍液的熔點在25°C以下。本發(fā) 明的方法為：調(diào)制電鍍鋁用鍍液的構(gòu)成成分的配合比例并未將專利文獻2中所優(yōu)選的配合 比例大幅變更，即使在25°C也不固化并具有流動性的低熔點的鍍液的方法。尤其是基于鍍 液的電傳導(dǎo)性的改善因施加高電流密度的電鍍處理的實現(xiàn)使成膜速度的提升，有助于鋁箔 的高純度化或延展性的提升等的含氮化合物相對于二烷基砜的配合比例，并未將專利文獻 2中所優(yōu)選的配合比例變更，因此通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍液對在以快速成膜的速度 制造富有延展性高純度的鋁箔之際等有用。另外，在通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍液中，相 對于通電量的鋁的析出效率高的電鍍處理是可能的，因此謀求電使用量的削減有在經(jīng)濟性 上優(yōu)異的有利之處。
[0028] 在調(diào)制鍍液之際，相對于二烷基砜的鋁鹵化物和含氮化合物的配合比例為：在將 前者的配合比例依賴于后者的配合比例的上述關(guān)系的情況，得到即使在25°C也不固化并具 有流動性的低熔點的鍍液的理由雖未必清楚，現(xiàn)階段中本發(fā)明人做了如下的推測。如專利 文獻3記載的那樣，相對于二烷基砜10摩爾的鋁鹵化物的配合比例在4摩爾的情況，鍍液 的熔點雖降低，但考慮這起因于：以相對于二烷基砜鋁的鹵化物的配合比例在此數(shù)值附近， 在鍍液中與鋁離子配位而形成絡(luò)合物的二烷基砜的比例高，未形成絡(luò)合物的游離二烷基砜 的比例低。若在此配合含氮化合物，因與鋁離子配位而形成絡(luò)合物的二烷基砜的比例減少， 未形成絡(luò)合物的游離的二烷基砜的比例雖有増加，通過追加配合含氮化合物的配合摩爾數(shù) 那部分的鋁鹵化物，因與鋁離子配位而形成絡(luò)合物的二烷基砜的比例増加，未形成絡(luò)合物 的游離的二烷基砜的比例減少，其結(jié)果，認為鍍液的熔點降低。
[0029] 作為在通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液中所含的二烷基砜，雖可例舉二 甲基砜、二乙基砜、二丙基砜、二己基砜、甲乙基砜等的烷基的碳數(shù)在1?6的二烷基砜（直 鏈狀或分支狀都可），但從良好的電傳導(dǎo)性或入手的容易性等的觀點看可優(yōu)選采用二甲基 砜。
[0030] 作為鋁鹵化物，雖可例舉氯化鋁或溴化鋁等，但從使成為妨礙鋁的析出要因的鍍 液所含的水分的量盡可能減少的觀點看，優(yōu)選使用鋁鹵化物為無水物。
[0031] 含氮化合物意味著在1個分子中具有1個以上的氮原子的化合物。作為優(yōu)選采 用的含氮化合物，可例舉鹵化銨、伯胺的氯化氫鹽、仲胺的氯化氫鹽、叔胺的氯化氫鹽、通 式：RfPP.xa? 1?R4為相同或者是相異的烷基，X表示相對于季胺陽離子的陰離子）所 示的季胺鹽、含氮芳香族化合物等。這些含氮化合物可單獨使用，也可將多個種類混合使 用。
[0032] 可作為含氮化合物采用的鹵化銨而論，可例舉氯化銨或溴化銨等。另外，作為伯 胺?叔胺，可舉例甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、丙胺、二丙胺、三丙胺、己胺、 甲乙胺等的烷基的碳數(shù)在1?6的胺（直鏈狀或分支狀均可）。作為鹵化氫，可舉例氯化氫 或溴化氫等。在通式：?R 4為相同或者是相異的烷基，X表示相對于季胺陽 離子的陰離子）表示的季胺鹽中作為R1?R 4所示的烷基，可舉例甲基、乙基、丙基、己基等 的碳數(shù)在1?6的烷基（直鏈狀或分支狀都可）。作為X，可舉例氯離子或溴離子或碘離子 等的鹵化物離子以外，還有BF^或PF^等。作為具體的化合物，可舉例氯化四甲銨、溴化四 甲銨、碘化四甲銨、四氟化硼四乙銨等。作為含氮芳香族化合物，可舉例菲咯啉等。作為含氮 化合物，從以快速的成膜速度容易制造富有延展性的高純度鋁箔的觀點看，叔胺的鹽酸鹽， 例如可例舉三甲胺鹽酸鹽。
[0033] 通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液中，二烷基砜、鋁鹵化物、含氮化合物的 配合比例相對于二烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為3. 5+n?4. 2+n摩爾，含氮化合物為η摩爾 (其中η為0. 001?2. 0摩爾）。本發(fā)明中重點在于，將相對于二烷基砜的鋁鹵化物的配 合比例改為依賴于相對于二烷基砜的含氮化合物的配合比例的點上，混合滿足上述關(guān)系的 配合比例的這些成分而調(diào)制成鍍液，能得到即使在25°C也不固化并具有流動性低熔點的鍍 液。并且，通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍液中，相對于通電量的鋁的析出效率高的電鍍處理 是可能的，因此謀求電使用量的削減有在經(jīng)濟性優(yōu)異的有利之處。另外，鍍液的調(diào)制優(yōu)選在 氮氣體或不活性氣體的氛圍下，將這些成分的混合物升溫至二烷基砜的熔點，將鋁鹵化物 和含氮化合物溶解在溶融的二烷基砜中進行。相對于二烷基砜的含氮化合物的配合比例是 相對于二烷基砜10摩爾為〇. 001?2. 0摩爾，低于0. 001摩爾則配合的效果，S卩，有難以得 到基于鍍液的電傳導(dǎo)性的改善施加高電流密度的電鍍處理的實現(xiàn)所致成膜速度的提升，鋁 箔的高純度化或延展性的提升等效果的擔(dān)心，另一方面，超過2. 0摩爾則因鍍液的組成在 本質(zhì)上改變，有鋁不析出的擔(dān)心。相對于二烷基砜的含氮化合物的配合比例優(yōu)選相對于二 烷基砜10摩爾為0. 05?1. 5摩爾。將相對于二烷基砜的鋁鹵化物的配合比例設(shè)為依賴相 對于二烷基砜10摩爾的含氮化合物的配合比例η摩爾為3. 5+n?4. 2+n摩爾，因為即使低 于3. 5+n摩爾，即使超過4. 2+n摩爾，也都有鍍液的烙點不降低的擔(dān)心或有相對于通電量的 鋁的析出效率降低的擔(dān)心。另外，對于相對于二烷基砜的鋁鹵化物的配合比例，若過少則有 發(fā)生形成的鋁被膜發(fā)黑的現(xiàn)象（被稱為燒焦的現(xiàn)象）的擔(dān)心或有成膜效率降低的擔(dān)心，另 一方面，若過多則因鍍液的液電阻過高而有使鍍液發(fā)熱并分解的擔(dān)心。相對于二烷基砜的 鋁鹵化物的配合比例優(yōu)選相對于二烷基砜10摩爾為3. 8+n?4. 0+n摩爾。
[0034] 使用通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液制造鋁箔的情況下，通過電解法在 基材的表面形成鋁被膜后，當(dāng)該被膜從基材剝離來進行即可。通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的 鍍液為即使在25°C也不固化并具有流動性的低熔點的鍍液。因此，鍍液的溫度即使在25°C 也可進行電鍍處理。例如鍍液的溫度在25?80°C來進行電鍍處理的情況下，優(yōu)選施加電 流密度為2?15A/dm2。施加電流密度低于2A/dm 2則有成膜效率降低的擔(dān)心，另一方面，超 過15A/dm2則含氮化合物的分解等原因使穩(wěn)定的電鍍處理無法進行或有得不到富有延展性 的高純度鋁箔的擔(dān)心。更優(yōu)選施加電流密度為3?12A/dm 2。通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的 鍍液在進行電鍍處理之際，也可加溫至超過80°C的溫度來使用。若提高鍍液的溫度，則通過 鍍液的粘度降低而使電傳導(dǎo)性提升。通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍液在加溫至超過80°C 的溫度的情況下，由于可施加超過15A/dm2的電流密度，因此有效的電鍍處理成為可能（施 加電流密度的上限為例如60A/dm 2)。另外，進行電鍍處理之際的鍍液的溫度的上限為例如 150°C。若鍍液的溫度超過150°C，則鍍液因發(fā)生不可忽視的蒸發(fā)有使其組成變化的擔(dān)心，或 在基材的表面形成的鋁被膜和鍍液之間的反應(yīng)活躍化，鋁被膜中組入很多雜質(zhì)而有使其純 度降低的擔(dān)心。電鍍處理的時間雖然依賴于鋁箔所期望的厚度、鍍液的溫度或施加電流密 度等，但通常為0. 5?90分鐘。電鍍處理的環(huán)境從謀求防止鍍液的劣化并延長其壽命的觀 點看，優(yōu)選干燥氣氛。
[0035] 作為形成鋁被膜的基材（陰極），可舉例不銹鋼板，鈦板，鋁板，鎳板，銅板等。通常 為使鋁被膜從基材的剝離容易，優(yōu)選通過在基材的表面施加鏡面加工等盡可能使其平滑， 但使用通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液在基材的表面形成的鋁被膜，具有相對于 基材不施加這樣的加工也能容易剝離的特征（其理由尚不清楚，但推測鋁被膜在基材的表 面形成之際，接觸基材一側(cè)的鋁被膜的表面附近與來自于鍍液的S和C1變濃有關(guān)）。另外， 作為陽極的材料，可例舉例如鋁。鋁被膜從基材的剝離可以分批進行以外，使用陰極鼓可使 鋁被膜的形成和剝離連續(xù)地進行（例如特開平6-93490號公報）。
[0036] 如果使用通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的電鍍鋁用鍍液，即使鍍液的溫度在80°C以 下，目前來看，以壓延法制造非常困難的厚度在15 μ m以下的鋁箔，更進一步，說以壓延法 不可能制造也不過分的厚度在10 μ m以下的鋁箔，可通過電解法來制造。另外，通過本發(fā)明 的方法所調(diào)制的鍍液中，相對于通電量的鋁的析出效率高的電鍍處理是可能的，因此謀求 電使用量的削減而在經(jīng)濟性有優(yōu)異的有利之處。并且，使用通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍 液得到的鋁箔除富有延展性以外，還是高純度。具體而論，如果使用通過本發(fā)明的方法所調(diào) 制的鍍液，可容易地制造，例如，鋁的含量為97. 0?99. 9質(zhì)量％，S和C1的含量均為1. 5質(zhì) 量％以下（標(biāo)準(zhǔn)的為0.01?0.5質(zhì)量％ )，厚度在1?15 μ m的鋁箔（含有微量從大氣中 不可避免混入的C或0)。被制造的鋁箔可用于作為蓄電設(shè)備的小型化或高能源密度化的被 薄膜化的正極集電體等。并且，通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍液，不僅可在以快速的成膜速 度制造富有延展性的高純度鋁箔之際利用，也可作為將設(shè)計性或耐候性賦予各種的物品進 行鋁涂層之際利用。另外，通過本發(fā)明的方法所調(diào)制的鍍液，無需為加快成膜速度而添加苯 或甲苯等的有機溶媒，將其水洗是可能的，具有可容易進行廢液處理的有利之處。
[0037] 實施例
[0038] 以下，雖通過實施例詳細說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于以下的記載而進行解釋。
[0039] 實施例1:
[0040] 在氮氣體氛圍下，二甲基砜、無水氯化鋁、三甲胺鹽酸鹽如表1所示按6種摩爾比 混合，在110°c溶解而調(diào)制電鍍鋁用鍍液。通過自然放熱使鍍液冷卻至室溫（25°C )后，經(jīng) 靜置24小時通過目測觀察其性狀。結(jié)果如表1所示。另外，表1中"本發(fā)明適用性"，以把 作為含氮化合物的三甲胺鹽酸鹽的摩爾數(shù)為η時的無水氯化鋁的摩爾數(shù)在3. 5+n?4. 2+n 的范圍內(nèi)則為"適用"，在范圍外則為"非適用"。
[0041] [表 1]
[0042]

【權(quán)利要求】
1. 電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法，其為至少含有（1)二烷基砜、（2)鋁鹵化物、以及（3)含 氮化合物的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法，其特征在于，通過在調(diào)制鍍液之際的二烷基砜、鋁鹵 化物、含氮化合物的配合比例相對于二烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為3. 5+n?4. 2+n摩爾，含 氮化合物為η摩爾（其中η為0. 001?2. 0摩爾），以使鍍液的熔點在25°C以下。
2. 權(quán)利要求1記載的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法，其特征在于，二烷基砜為二甲基砜。
3. 權(quán)利要求1記載的電鍍鋁用鍍液的調(diào)制方法，其特征在于，含氮化合物為從鹵化銨、 伯胺的氯化氫鹽、仲胺的氯化氫鹽、叔胺的氯化氫鹽、通式々(R 1?R4為相同或者 是相異的烷基，X表示相對于季胺陽離子的陰離子）表示的季胺鹽、含氮芳香族化合物組成 的組中選擇的至少1種。
4. 電鍍鋁用鍍液，其特征在于，其是通過權(quán)利要求1記載的調(diào)制方法所調(diào)制而成的。
5. 鋁箔的制造方法，其特征在于，其通過使用權(quán)利要求4記載的電鍍鋁用鍍液的電解 法在基材的表面形成鋁被膜后，將該被膜從基材剝離。
6. 降低電鍍鋁用鍍液的熔點的方法，其特征在于，在調(diào)制至少含有（1)二烷基砜、（2) 鋁鹵化物、以及（3)含氮化合物的電鍍鋁用鍍液之際的二烷基砜、鋁齒化物、含氮化合物的 配合比例，相對于二烷基砜10摩爾，鋁鹵化物為3. 5+n?4. 2+n摩爾，含氮化合物為η摩爾 (其中η為0.001?2.0摩爾）。
【文檔編號】C25D1/04GK104204308SQ201380011635
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2013年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月29日
【發(fā)明者】岡本篤志, 松田純一 申請人:日立金屬株式會社