專利名稱：一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，屬于半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體陶瓷封裝外殼常規(guī)的電鍍鎳鈷工藝使用鎳的氨基磺酸鹽溶液作為電鍍液，并在該溶液中添加氨基磺酸鈷來實(shí)現(xiàn)電鍍鎳鈷合金鍍層。此工藝是通過調(diào)整電鍍液中的鈷鹽含量來控制鍍層中含鈷的比例，鈷鹽的一點(diǎn)微小變化都會(huì)引起鍍層中鈷比例的很大變化，因此需要不斷的分析溶液中鎳、鈷元素的含量，并及時(shí)補(bǔ)充鈷鹽來保證鍍層中鈷比例的穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:本發(fā)明提出一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，能夠在電鍍過程中保持電鍍液中鎳離子和鈷離子的濃度比例穩(wěn)定在一定的范圍內(nèi)，無需在電鍍過程中不斷檢測并添加鈷鹽以維持電鍍液中鈷離子的濃度。技術(shù)方案:本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，該工藝在電鍍鎳鈷時(shí)使用兩個(gè)電鍍電源，電源陽極分別接鎳板和鈷板，兩個(gè)電源的陰極均與陶瓷封裝外殼連接；連接鈷板的電源電流與連接鎳板的電源電流之比為鈷和鎳的電鍍速率之比的倒數(shù)；
電鍍液成份為:
氨基磺酸鎳600g/L
氨基磺酸鈷17g/L
硼酸45g/L
氯化鎳8g/L
電鍍液的PH值保持在4.0，溫度為60攝氏度。作文本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述鎳板與鈷板前后交錯(cuò)設(shè)置，并且鎳板比鈷板更接近電鍍陰極。有益效果:本發(fā)明使用兩個(gè)電鍍電源，其中一個(gè)電源的陽極按照現(xiàn)有工藝連接鎳板，另一個(gè)電源的陽極連接鈷金屬板。在電鍍過程中，鈷板能夠不斷給電鍍液補(bǔ)充鈷離子，保持鈷離子濃度穩(wěn)定。無需像傳統(tǒng)工藝那樣，不斷的檢測鈷離子含量，不足時(shí)還要向電鍍液中補(bǔ)充鈷的鹽溶液。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍 ，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請所附權(quán)利要求所限定的范圍。本發(fā)明包括以下步驟:1、首先將待電鍍的陶瓷封裝外殼裝掛在電鍍掛具上，再將電鍍掛具掛裝在堿槽中進(jìn)行電解除油。電解除油的溫度為50攝氏度，時(shí)間為5分鐘，電流密度為3A/d m2。2、進(jìn)行鹽酸酸洗活化4分鐘,酸液為50%鹽酸溶液,溫度為40°C。3、沖擊鍍鎳進(jìn)行預(yù)鍍鎳，鍍液成分:
氯化鎳240g/L
鹽酸130ml/L
溫度35 °C
電流密度為3A/dm2
時(shí)間4分鐘
4、安裝好電鍍裝置。電鍍槽內(nèi)盛有電鍍液，電鍍液成份為:
氨基磺酸鎳600g/L
氨基磺酸鈷17g/L
硼酸45g/L
氯化鎳8g/L
電鍍液的PH值保持在4.0，溫度為60攝氏度。兩組電鍍電源的正極分別接在掛裝鎳板的陽極棒上和掛裝鈷板的陽極棒上，鎳板和鈷板都做成窄條狀。兩組電源的負(fù)極則共同接在陰極棒上。待電鍍的陶瓷封裝外殼掛裝在陰極棒上。鎳板相對于鈷板更靠近陰極棒，兩者前后交錯(cuò)設(shè)置。在電流密度相同的條件下，由于N1-C0合金共沉積屬于異相共沉積，在沉積過程中Co優(yōu)先沉積，因此連接鈷板的電源電流要小于連接鎳板的電源電流，兩電流的比值與N1-Co合金鍍層中N1、Co比例相一致。電流密度設(shè)置為總電流密度為0.5A/dm2:本配方N1-Co合金鍍層中Co含量約為25%左右，因此鎳電流密度0.4A/dm2，鈷鎳電流密度0.lA/dm2，時(shí)間為60分鐘。5、沖擊鍍金進(jìn)行預(yù)鍍金，鍍液成分:
金0.9g/L
其余市售
時(shí)間0.5分鐘
溫度35 °C
電流密度為lA/dm2
6、電解鍍金，鍍液成分:
金8g/L
其余市售
時(shí)間20分鐘
溫度65 °C
電流密度為0.2A/dm2
7、電鍍完成的陶瓷封裝外殼取出，脫水烘干。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，其特征在于，該工藝在電鍍鎳鈷時(shí)使用兩個(gè)電鍍電源，電源陽極分別接鎳板和鈷板，兩個(gè)電源的陰極均與陶瓷封裝外殼連接；連接鈷板的電源電流與連接鎳板的電源電流之比為鈷和鎳的電鍍速率之比的倒數(shù)； 電鍍液成份為: 氨基磺酸鎳600g/L 氨基磺酸鈷17g/L 硼酸45g/L 氯化鎳8g/L 電鍍液的PH值保持在4.0，溫度為60攝氏度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，其特征在于:所述鎳板與鈷板前后交錯(cuò)設(shè)置， 并且鎳板比鈷板更接近電鍍陰極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陶瓷封裝外殼鎳鈷電鍍工藝，其使用兩個(gè)電鍍電源，其中一個(gè)電源的陽極按照現(xiàn)有工藝連接鎳板，另一個(gè)電源的陽極連接鈷金屬板。在電鍍過程中，鈷板能夠不斷給電鍍液補(bǔ)充鈷離子，保持鈷離子濃度穩(wěn)定。無需像傳統(tǒng)工藝那樣，不斷的檢測鈷離子含量，不足時(shí)還要向電鍍液中補(bǔ)充鈷的鹽溶液。
文檔編號C25D21/12GK103088376SQ201210569528
公開日2013年5月8日 申請日期2012年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月25日
發(fā)明者李裕洪 申請人:江蘇省宜興電子器件總廠