專利名稱：一種mb8鎂合金表面厚層處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種MB8鎂合金表面厚層處理方法。
背景技術(shù)：
公開號CN1900382A，發(fā)明名稱“一種MB8鎂合金表面處理方法”上，闡述了 MB8 鎂合金交流等離子體微弧氧化處理方法，即，采用含有氟化鉀和氫氧化鉀的處理液，由調(diào)壓 器控制的工頻交流電源提供電能，在每個工頻交流電壓周期內(nèi)，利用處理液中的陰、陽離 子在MB8鎂合金表面進(jìn)行等離子體微弧放電產(chǎn)生的瞬時高溫在MB8鎂合金表面形成保護(hù) 層。利用這種交流等離子體微弧氧化處理方法，在專利CN1900382A中公開的氟化鉀濃度為 1051 1200g/L、氫氧化鉀濃度為371 400g/L、工頻交流電壓為50 61V條件下，可在 90 120秒內(nèi)，使MB8鎂合金表面原位生長出15 35 μ m厚、組織均勻而完整的保護(hù)層。 但是，采用CN1900382A專利方法在MB8鎂合金表面形成的厚度在35 μ m以上的厚層，存在 較為嚴(yán)重的沙化現(xiàn)象即保護(hù)層變疏松、起球團(tuán)的現(xiàn)象，這種出現(xiàn)沙化現(xiàn)象的鎂合金表面厚 層對鎂合金基體幾乎沒有保護(hù)作用，也就是說，采用CN1900382A專利方法在MB8鎂合金表 面形成的具有保護(hù)作用的保護(hù)層的最大厚度為35 μ m。對于MB8鎂合金表面的具有保護(hù)作用的組織致密、均勻的保護(hù)層，其厚度越大，對 基體的保護(hù)作用越強(qiáng)、越持久，因此，MB8鎂合金的表面保護(hù)層在出現(xiàn)沙化現(xiàn)象以前的厚度 越大越好。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是，克服現(xiàn)有交流等離子體微弧氧化處理方法“組織 致密、均勻的表面保護(hù)層最大厚度小”的不足，提供一種能夠在MB8鎂合金表面形成組織致 密、均勻的厚保護(hù)層的交流等離子體微弧氧化處理方法，進(jìn)一步提高具有保護(hù)作用的MB8 鎂合金表面厚層的最大厚度。本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是在交流等離子體微弧氧化處理方 法基礎(chǔ)上，向處理液中噴入氧氣以增強(qiáng)和改善對保護(hù)層的燒結(jié)作用，并在氟化鉀濃度為 492 494g/L、氫氧化鉀濃度為247 249g/L、工頻交流電壓為105 107V、每升處理液氧 氣噴入量為0. 01 0. 016L/s條件下，對MB8鎂合金進(jìn)行127 156秒的交流等離子體微 弧氧化表面處理。本發(fā)明的有益效果是在對鎂合金進(jìn)行表面處理時，對于鎂合金的表面保護(hù)層，當(dāng) 其達(dá)到一定厚度后，在處理液中的離子擊穿放電沖擊下，會產(chǎn)生迅速變疏松、起球團(tuán)的沙化 現(xiàn)象，要想延遲沙化現(xiàn)象的發(fā)生即進(jìn)一步提高具有保護(hù)作用的表面厚層的最大厚度，必須 增強(qiáng)和改善對保護(hù)層的燒結(jié)作用。如果在進(jìn)行表面處理時向處理液中噴入氧氣，則處理液 中的離子擊穿放電時產(chǎn)生的高溫會造成噴入處理液中的氧氣形成大量的氧等離子體，這些 氧等離子體對保護(hù)層具有助燒結(jié)作用，可大大增強(qiáng)和改善對保護(hù)層的燒結(jié)作用，本發(fā)明就 是利用各表面處理參數(shù)優(yōu)化組合后產(chǎn)生的氧等離子體對保護(hù)層的助燒結(jié)作用，延遲了沙化現(xiàn)象的發(fā)生，進(jìn)一步增大了具有保護(hù)作用的表面厚層的最大厚度。利用本發(fā)明，對MB8鎂合 金進(jìn)行表面處理，可在127 156秒內(nèi)得到55 65 μ m厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層，比 采用CN1900382A專利方法得到的最大厚度35 μ m至少增厚了 57%。


圖1為本發(fā)明方法對MB8鎂合金進(jìn)行表面處理裝置的主視圖。圖中，工頻交流電源1，導(dǎo)線2，調(diào)壓器3，導(dǎo)線4，MB8鎂合金工件5，處理液6，氧氣 噴嘴7，氧氣泵8，處理槽9。圖2為采用本發(fā)明方法對MB8鎂合金進(jìn)行表面處理后得到的處理界面的微觀組
幺口
/Ν ο
具體實(shí)施例方式結(jié)合附圖對本發(fā)明方法對ΜΒ8鎂合金進(jìn)行表面處理裝置的具體說明如下對ΜΒ8鎂合金進(jìn)行表面處理裝置主要包括工頻交流電源1，調(diào)壓器3，氧氣噴嘴 7，氧氣泵8，處理槽9。調(diào)壓器3的輸入端與工頻交流電源1通過導(dǎo)線2相連，調(diào)壓器2的輸出端與ΜΒ8 鎂合金工件5通過導(dǎo)線4相連。氧氣噴嘴7采用聚四氟乙烯密封連接方式固定在處理槽9 的下部，其一端伸入處理液6內(nèi)，另一端與氧氣泵8相連。工頻交流電源1為工業(yè)常用的工頻交流電源。調(diào)壓器3可以采用市場上購買的能 夠提供鎂合金表面處理所需電能的任何型號的調(diào)壓器。氧氣噴嘴7與處理槽9的材質(zhì)為聚 四氟乙烯。ΜΒ8鎂合金工件5需要進(jìn)行除油、打磨和清洗預(yù)處理。一種ΜΒ8鎂合金表面厚層處理方法，采用交流等離子體微弧氧化處理方法對ΜΒ8 鎂合金進(jìn)行表面處理，在進(jìn)行表面處理前1分鐘開始向處理液中噴入氧氣，并在氟化鉀濃 度為492 494g/L、氫氧化鉀濃度為247 249g/L、工頻交流電壓為105 107V、每升處理 液氧氣噴入量為0. 01 0. 016L/s條件下，對MB8鎂合金進(jìn)行127 156秒的交流等離子 體微弧氧化表面處理。實(shí)施方式一，在氟化鉀濃度為492g/L、氫氧化鉀濃度為247g/L、工頻交流電壓為 105V、每升處理液氧氣噴入量為0. 01L/s條件下，交流等離子體微弧氧化表面處理127秒 后，可在MB8鎂合金工件表面形成55 μ m厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層。實(shí)施方式二，在氟化鉀濃度為492g/L、氫氧化鉀濃度為247g/L、工頻交流電壓為 107V、每升處理液氧氣噴入量為0. 01L/s條件下，交流等離子體微弧氧化表面處理127秒 后，可在MB8鎂合金工件表面形成59 μ m厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層。實(shí)施方式三，在氟化鉀濃度為494g/L、氫氧化鉀濃度為247g/L、工頻交流電壓為 105V、每升處理液氧氣噴入量為0. 016L/s條件下，交流等離子體微弧氧化表面處理156秒 后，可在MB8鎂合金工件表面形成63 μ m厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層。實(shí)施方式四，在氟化鉀濃度為494g/L、氫氧化鉀濃度為249g/L、工頻交流電壓為 107V、每升處理液氧氣噴入量為0. 016L/s條件下，交流等離子體微弧氧化表面處理156秒 后，可在MB8鎂合金工件表面形成65 μ m厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層。實(shí)施方式五，在氟化鉀濃度為492g/L、氫氧化鉀濃度為249g/L、工頻交流電壓為107V、每升處理液氧氣噴入量為0. 016L/s條件下，交流等離子體微弧氧化表面處理127秒 后，可在MB8鎂合金工件表面形成58 μ m厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層?？梢姡诜洕舛葹?92 494g/L、氫氧化鉀濃度為247 249g/L、工頻交流電 壓為105 107V、每升處理液氧氣噴入量為0. 01 0. 016L/s條件下，對MB8鎂合金進(jìn)行 127 156秒的交流等離子體微弧氧化表面處理，可在MB8鎂合金表面形成55 65 μ m厚 的組織致密、均勻的厚保護(hù)層。附圖2為采用本發(fā)明方法對MB8鎂合金進(jìn)行表面處理后得到的處理界面的微觀組 織。圖中上部呈淺色的區(qū)域?yàn)楸Ｗo(hù)層，下部呈深色的區(qū)域?yàn)镸B8鎂合金基體，可見，厚保護(hù) 層的組織非常致密、均勻?？梢?，本發(fā)明可在MB8鎂合金表面形成厚度更大的厚保護(hù)層。
權(quán)利要求
1. 一種MB8鎂合金表面厚層處理方法，采用交流等離子體微弧氧化處理方法對MB8鎂 合金進(jìn)行表面處理，其特征在于，在進(jìn)行表面處理前1分鐘開始向處理液中噴入氧氣，并在 氟化鉀濃度為492 494g/L、氫氧化鉀濃度為247 249g/L、工頻交流電壓為105 107V、 每升處理液氧氣噴入量為0. 01 0. 016L/s條件下，對MB8鎂合金進(jìn)行127 156秒的交 流等離子體微弧氧化表面處理。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種MB8鎂合金表面厚層處理方法，屬于MB8鎂合金表面厚層處理研究領(lǐng)域，本發(fā)明在交流等離子體微弧氧化處理方法基礎(chǔ)上，通過向處理液中噴入氧氣以增強(qiáng)和改善對保護(hù)層的燒結(jié)作用，并在氟化鉀濃度為492～494g/L、氫氧化鉀濃度為247～249g/L、工頻交流電壓為105～107V、每升處理液氧氣噴入量為0.01～0.016L/s條件下，對MB8鎂合金進(jìn)行127～156秒的交流等離子體微弧氧化表面處理，可在MB8鎂合金表面形成55～65μm厚的組織致密、均勻的厚保護(hù)層。
文檔編號C25D11/30GK102127790SQ20111010149
公開日2011年7月20日 申請日期2011年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月22日
發(fā)明者劉漢武, 張鵬, 杜云慧 申請人:北京交通大學(xué)