專利名稱：錫離子濃度可控的鍍錫生產線的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及半導體封裝領域，具體涉及一種錫離子濃度可控的鍍錫生產線。
背景技術：
半導體封裝領域中微電子電鍍所常用的鍍錫生產線主要由直流電源、鍍槽、鍍槽 內盛有含電鍍金屬離子的鍍液、陽極(要電鍍的金屬)和陰極(加工的鍍件等)、輸送鋼帶 組成。陽極為2個鈦籃，其內裝有的錫球，2個鈦籃分別位于鍍槽的左右兩側。輸送鋼帶位于 2個鈦籃的上方，其上還夾帶有鍍件。在進行鍍錫工藝時，輸送鋼帶將鍍件伸入兩鈦籃之間 (鈦籃、鋼帶、鍍件均浸沒在鍍液中)，此時左右2個鈦籃形成陽極，鍍件形成陰極，開通電源 后鈦籃內的錫球溶解成二價錫離子，鍍件的表面不斷得到錫離子并還原成錫金屬。為了保 證二價錫離子的正常供應，獲得均勻的鍍層，錫球鈦籃陽極的面積應大于鍍件陰極的面積， 也就是說鈦籃的前后延伸長度要略大于鍍件的高度，鈦籃的左右延伸長度要略大于鍍件的 長度。受此觀念的影響，現(xiàn)有鈦籃的設計尺寸一般都預留了相當?shù)娜哂嗔浚允雇诲冨a生 產線能適應于不同尺寸的鍍件。鈦籃尺寸上的這些冗余量使得鈦籃的容積變大，其內也能 夠容納更多的錫球。雖然這樣的設計能夠保證大尺寸的鍍件獲得均勻的鍍層，但對于小尺 寸的鍍件而言，鈦籃中的錫球則顯得過多。而一旦鈦籃中的錫球過多，陽極(錫球)的面積 增大，生產中陽極(錫球)溶解量大大增加。隨著二價錫離子濃度不斷上升，鍍液的均鍍能 力下降，同時會導致四價錫的產生和鍍液渾濁，使得電鍍后的鍍層結晶粗糙，鍍層厚度分布 不均勻，影響產品的可焊性，這時就需要添加甲磺酸、電鍍添加劑、純水來平衡電鍍液各成 分的濃度，嚴重時還需要清洗鈦籃錫球和沉淀過濾鍍液。而隨著錫球的不斷消耗，陽極溶解 的速度會逐漸減慢，但是錫球位置降低太多時，鍍層容易不均勻。

實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是現(xiàn)有鍍錫生產線無法根據(jù)鍍件的尺寸來靈活 改變錫離子濃度的不足，提供一種錫離子濃度可控的鍍錫生產線。為解決上述問題，本實用新型所設計的錫離子濃度可控的鍍錫生產線，主要由直 流電源、鍍槽、輸送鋼帶和2個鈦籃(即陽極)組成；鍍槽內盛有的鍍液；2個鈦籃的內腔中 裝有錫球，并分別位于鍍槽的左右兩側；輸送鋼帶處于2鈦籃之間，并能帶動其下端固定的 鍍件(即陰極)上下運動；所述錫球與鈦籃的內腔底面之間設有一可改變鈦籃內腔深度的 調節(jié)件。該調節(jié)件能夠墊高錫球的位置，以解決鍍液中錫離子濃度不斷上升的問題。作為上述方案的改進，所述錫球與鈦籃的內腔前側壁和/或后側面之間最好還設 有可改變鈦籃內腔前后長度的調節(jié)件。該調節(jié)件能夠改變錫球的前后位置，有效控制陽極 面積，以解決鍍液中錫離子濃度不斷上升的問題。為了避免錫球附著在調節(jié)件的表面，上述方案所述調節(jié)件的表面最好光滑。上述方案中，所述調節(jié)件由絕緣且不溶于鍍液的材料制成。上述方案中，所述調節(jié)件最好為塑料管。[0009]與現(xiàn)有技術相比，本實用新型可根據(jù)鍍件的尺寸及位置，通過調節(jié)調節(jié)件來改變 鈦籃的內腔深度和長度，這樣不僅相改變了錫球處于鈦籃中的位置，同時也改變了鈦籃中 錫球的數(shù)量，從而使得錫球鈦籃陽極能恰好與鍍件陰極的位置相對，并能保證錫球鈦籃陽 極面積大于鍍件陰極的面積，這樣在對鍍件特別是對于小尺寸的鍍件進行鍍錫工藝時，陽 極錫球的溶解量變少，從而保持了鍍液中二價錫離子濃度的穩(wěn)定。一方面錫球的溶解量變 少了，可以減少錫球的添加，節(jié)約了錫球的耗用；另一方面錫離子濃度保持穩(wěn)定，可節(jié)約 因調節(jié)錫離子濃度對甲磺酸、電鍍添加劑、純水的使用?？偟男Ч菧p輕了陽極球清洗和鍍 液調整的工作量，以及節(jié)省了錫球和甲磺酸等原材料，而且保證了產品的質量。

圖1為本實用新型一種優(yōu)選實施例的結構示意圖。圖中標號為1、鍍槽；2、輸送鋼帶；3、鈦籃；4、錫球；5、鍍件；6、調節(jié)件。
具體實施方式
本實用新型一種錫離子濃度可控的鍍錫生產線如圖1所示，其主要由直流電源、 鍍槽1、輸送鋼帶2和2個鈦籃3組成。鍍槽1內盛有的鍍液。2個鈦籃3的內腔中裝有錫 球4，并分別位于鍍槽1的左右兩側。輸送鋼帶2處于2鈦籃3之間，并能帶動其下端固定 的鍍件5上下運動。在進行鍍錫工藝時，輸送鋼帶2向下移動，使得輸送鋼帶2上夾帶的鍍 件5浸入鍍液中，并使其處于2個鈦籃3之間，錫球4鈦籃3所形成的陽極面與鍍件5所形 成的陰極面恰好相對。為了能夠適應不同尺寸的鍍件5，錫球4與鈦籃3的內腔底面之間設 有一可改變鈦籃3內腔深度的調節(jié)件6，該調節(jié)件6能夠墊高錫球4的位置，以解決鍍液中 錫離子濃度不斷上升的問題。上述調節(jié)件6的采用絕緣且不溶于鍍液的材料制成。調節(jié)件 6具有一個光滑的表面，這樣在錫球4在溶解過程才不會嵌入調節(jié)件6內，而造成錫球4的 浪費以及調節(jié)件6的清洗困難。所述調節(jié)件6可以是設置鈦籃3內腔底部的調節(jié)隔板，這 樣當調節(jié)隔板與鈦籃3內腔底面之間的距離改變時，鈦籃3內腔深度隨之改變，鈦籃3中的 錫球4含量以及鈦籃3的高度也隨之發(fā)生改變。而在本實用新型優(yōu)選實施例中，所述調節(jié) 件6為設置在錫球4與鈦籃3的內腔底面之間的1條或1條以上的塑料管，通過調整堆疊 塑料管的條數(shù)來改變鈦籃3內腔深度。為了避免錫球4從塑料管與鈦籃3之間的間隙處流 入鈦籃3的底部，所述塑料管的直徑應鈦籃3的內腔寬度相適應，并一直從鈦籃3的前側一 直延伸至鈦籃3的后側。同樣的，為了改變錫球4在鈦籃3中的前后位置，所述錫球4與鈦籃3的內腔前側 壁和/或后側面之間還設有可改變鈦籃3內腔前后長度的調節(jié)件6。上述調節(jié)件6同樣采 用絕緣且不溶于鍍液的材料制成，且調節(jié)件6具有一個光滑的表面。所述調節(jié)件6可以是 設置鈦籃3內腔底部的調節(jié)隔板，這樣當調節(jié)隔板與鈦籃3內腔的前側面和/或后側面之 間的距離改變時，鈦籃3內腔前后長度隨之改變，鈦籃3中的錫球4含量以及鈦籃3的前后 位置也隨之發(fā)生改變。而在本實用新型優(yōu)選實施例中，所述調節(jié)件6為設置在錫球4與鈦 籃3的內腔底面之間的1條或1條以上的塑料管，通過調整堆疊塑料管的條數(shù)來改變鈦籃3 內腔前后長度。該塑料管的直徑應鈦籃3的內腔寬度相適應，并一直從鈦籃3的底面一直 延伸至鈦籃3的頂部。
權利要求1.錫離子濃度可控的鍍錫生產線，主要由直流電源、鍍槽(1)、輸送鋼帶⑵和2個鈦 籃(3)組成；鍍槽(1)內盛有的鍍液；2個鈦籃(3)的內腔中裝有錫球(4)，并分別位于鍍槽 (1)的左右兩側；輸送鋼帶(2)處于2鈦籃(3)之間，并能帶動其下端固定的鍍件(5)上下 運動；其特征在于所述錫球(4)與鈦籃(3)的內腔底面之間設有一可改變鈦籃(3)內腔深 度的調節(jié)件(6)。
2.根據(jù)權利要求1所述的錫離子濃度可控的鍍錫生產線，其特征在于所述錫球(4) 與鈦籃(3)的內腔前側壁和/或后側面之間設有可改變鈦籃(3)內腔前后長度的調節(jié)件 (6)。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的錫離子濃度可控的鍍錫生產線，其特征在于所述調節(jié) 件(6)為表面光滑的調節(jié)件(6)。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的錫離子濃度可控的鍍錫生產線，其特征在于所述調節(jié) 件(6)由絕緣且不溶于鍍液的材料制成。
5.根據(jù)權利要求4所述的錫離子濃度可控的鍍錫生產線，其特征在于所述調節(jié)件(6) 為塑料管。
專利摘要本實用新型公開一種錫離子濃度可控的鍍錫生產線，主要由直流電源、鍍槽、輸送鋼帶和2個鈦籃(即陽極)組成；鍍槽內盛有的鍍液；2個鈦籃的內腔中裝有錫球，并分別位于鍍槽的左右兩側；輸送鋼帶處于2鈦籃之間，并能帶動其下端固定的鍍件(即陰極)上下運動；所述錫球與鈦籃的內腔底面之間設有一可改變鈦籃內腔深度的調節(jié)件。所述調節(jié)件能夠根據(jù)鍍件的尺寸來改變錫球的位置，以解決鍍液中錫離子濃度不斷上升的問題，保證了鍍件的質量。
文檔編號C25D3/30GK201915161SQ201020634238
公開日2011年8月3日 申請日期2010年12月1日 優(yōu)先權日2010年12月1日
發(fā)明者周潘衡, 彭順剛, 朱金華, 李亦森, 李勇昌, 楊國鋒 申請人:桂林斯壯微電子有限責任公司