專利名稱：鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱控涂層的制備方法。
背景技術(shù)：
近年來隨著現(xiàn)代航天技術(shù)的發(fā)展，航天器如衛(wèi)星、飛船向大型化、高精度和多功能 等方面發(fā)展，航天器有效載荷不斷增加，因此，對航天器結(jié)構(gòu)輕量化提出了更高要求。用于 航天器的材料一般為鋁合金，而鎂合金的密度為1. 73g/cm 約為鋁合金密度的2/3，而且鎂 合金的比強(qiáng)度和比剛度大，并且具有良好的阻尼性能，能夠承受較大的沖擊、振動載荷，是 未來航空材料的一個(gè)發(fā)展方向。但是航天器如衛(wèi)星、飛船在太空工作時(shí)，要長期經(jīng)受太陽、 行星、空間低溫?zé)釅m的交替加熱和冷卻，這引起航天器內(nèi)、外表面以及各種儀器設(shè)備的高低 溫劇烈變化，其溫度的變化幅度可達(dá)±200°C，其基體材料和儀器設(shè)備往往無法承受如此惡 劣的環(huán)境溫度變化。因此，為了保證航天器的正常工作，在材料表面制備熱控涂層，使航天 器的結(jié)構(gòu)、儀器設(shè)備在高低溫運(yùn)行工況下都不超出允許的溫度范圍。目前尚無在鎂合金表 面制備的高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的報(bào)道。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決現(xiàn)有應(yīng)用于航天器的鋁合金材料重量大，不能滿足航天器結(jié)構(gòu) 輕量化的要求的問題，而提供鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法。
本發(fā)明的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，按以下步驟進(jìn) 行一、鎂合金表面預(yù)處理將鎂合金浸入濃度為80g/L 120g/L的氫氧化鈉水溶液中，在 70°C 9(TC的溫度下保持15min 20min，取出后先用清水沖洗，再用蒸餾水沖洗，烘干； 二、配制電解液按主成膜劑濃度為20g/L 100g/L、輔助成膜劑濃度為lg/L 10g/L、著 色添加劑濃度為10g/L 50g/L、絡(luò)合劑濃度為20g/L 100g/L、ra調(diào)節(jié)劑濃度為lg/L
5g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、ra調(diào)節(jié)劑和水，配制成電解液；三、
將經(jīng)步驟一處理的鎂合金置于裝有經(jīng)步驟二配制的電解液的不銹鋼槽體中，以鎂合金做陽 極、不銹鋼槽體為陰極，采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為2A/dm2 10A/dm2，頻率 為50Hz 2000Hz，占空比為10% 45% 、電解液溫度為10°C 30°C的條件下氧化5min 30min ;然后用蒸餾水清洗表面并干燥，即得到鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂 層；其中步驟二中所述的主成膜劑為磷酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽中的一種或其中幾種按任意 比的組合，輔助成膜劑為氟化鈉、氟化銨、硼砂和氟鋁酸鈉中的一種或其中幾種的按任意比 的組合，著色添加劑為含銅、鐵元素的無機(jī)鹽和有機(jī)鹽；ra調(diào)節(jié)劑為氫氧化鉀；絡(luò)合劑為氨 水、乙二胺和乙二胺四乙酸中的一種或其中幾種的按任意比的組合。
所述的鎂合金的型號為MB2鎂合金或MB8鎂合金。 本發(fā)明的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，采用微弧氧化 技術(shù)，以鎂合金為基體，在鎂合金表面原位生長一層陶瓷膜，并將具有高紅外發(fā)射率的過渡 金屬摻雜到膜層中，該膜層的太陽吸收率為0. 80 0. 95、紅外發(fā)射率為0. 80 0. 90，與
4現(xiàn)有鋁合金表面的熱控涂層的性能相同，并且鎂合金的比強(qiáng)度和比剛度與鋁合金大，其重 量可以減少28% 33%，可以替代鋁合金應(yīng)用于航天器上，該熱控涂層是在基體上原位生 成，與底層材料結(jié)合強(qiáng)度高，不會因?yàn)榄h(huán)境的急冷急熱在基體和陶瓷涂層之間產(chǎn)生裂紋，而 且避免了化學(xué)穩(wěn)定性低的鎂與外界接觸而發(fā)生腐蝕，提高了合金的耐蝕性。
具體實(shí)施例方式
具體實(shí)施方式
一 本實(shí)施方式的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制 備方法，按以下步驟進(jìn)行一、鎂合金表面預(yù)處理將鎂合金浸入濃度為80g/L 120g/L的 氫氧化鈉水溶液中，在70°C 9(TC的溫度下保持15min 20min，取出后先用清水沖洗，再 用蒸餾水沖洗，烘干；二、配制電解液按主成膜劑濃度為20g/L 100g/L、輔助成膜劑濃度 為lg/L 10g/L、著色添加劑濃度為10g/L 50g/L、絡(luò)合劑濃度為20g/L 100g/L、m調(diào) 節(jié)劑濃度為lg/L 5g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、Kl調(diào)節(jié)劑和水， 配制成電解液；三、將經(jīng)步驟一處理的鎂合金置于裝有經(jīng)步驟二配制的電解液的不銹鋼槽 體中，以鎂合金做陽極、不銹鋼槽體為陰極，采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為2A/ dm2 10A/dm、頻率為50Hz 2000Hz，占空比為10% 45% 、電解液溫度為10°C 30。C的 條件下氧化5min 30min ;然后用蒸餾水清洗表面并干燥，即得到鎂合金表面高太陽吸收 率高發(fā)射率熱控涂層；其中步驟二中所述的主成膜劑為磷酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽中的一種 或其中幾種的按任意比的組合，輔助成膜劑為氟化鈉、氟化銨、硼砂和氟鋁酸鈉中的一種或
其中幾種的按任意比的組合，著色添加劑為含銅、鐵元素的無機(jī)鹽和有機(jī)鹽；ra調(diào)節(jié)劑為
氫氧化鉀；絡(luò)合劑為氨水、乙二胺和乙二胺四乙酸中的一種或其中幾種的按任意比的組合。
所述的鎂合金的型號為MB2鎂合金或MB8鎂合金。 本實(shí)施方式制備的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的太陽吸收率為 0. 80 0. 95、紅外發(fā)射率為0. 80 0. 90，與現(xiàn)有鋁合金表面的熱控涂層的性能相當(dāng)，并且 鎂合金與鋁合金相比，其重量可以減少28 % 33 % 。
具體實(shí)施方式
二 本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一不同的是步驟一中鎂合金浸入 濃度為85g/L 115g/L的氫氧化鈉水溶液中，在75°C 85°C的溫度下保持16min 19min。 其它與具體實(shí)施方式
一相同。 具體實(shí)施方式
三本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一或二不同的是步驟一中鎂合金
浸入濃度為100g/L的氫氧化鈉水溶液中，在8(TC的溫度下保持18min。其它與具體實(shí)施方 式一或二相同。
具體實(shí)施方式
四本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至三不同的是步驟二中按主成 膜劑濃度為30g/L 90g/L、輔助成膜劑濃度為2g/L 8g/L、著色添加劑濃度為15g/L 45g/L、絡(luò)合劑濃度為30g/L 90g/L、ra調(diào)節(jié)劑濃度為1. 5g/L 4. 5g/L稱取主成膜劑、輔
助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、ra調(diào)節(jié)劑和水，配制成電解液。其它與具體實(shí)施方式
一至
三相同。
具體實(shí)施方式
五本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至四不同的是步驟二中按主成 膜劑濃度為60g/L、輔助成膜劑濃度為5g/L、著色添加劑濃度為30g/L、絡(luò)合劑濃度為60g/ L、 PH調(diào)節(jié)劑濃度為3g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、PH調(diào)節(jié)劑和水， 配制成電解液。其它與具體實(shí)施方式
一至四相同。
具體實(shí)施方式
六本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至五不同的是步驟三中鎂合金 在電流密度為3A/dm2 9A/di^，頻率為100Hz 2500Hz，占空比為15% 40%、電解液溫 度為15°C 28t:的條件下氧化6min 28min。其它與具體實(shí)施方式
一至五相同。
具體實(shí)施方式
七本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至六不同的是步驟三中鎂合 金在電流密度為5A/di^，頻率為500Hz，占空比為35%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化 10min。其它與具體實(shí)施方式
一至六相同。
具體實(shí)施方式
八本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至七不同的是步驟三中鎂合 金在電流密度為6A/di^，頻率為700Hz，占空比為25%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化 15min。其它與具體實(shí)施方式
一至七相同。
具體實(shí)施方式
九本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至八不同的是步驟三中鎂合 金在電流密度為8A/di^，頻率為900Hz，占空比為20%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化 20min。其它與具體實(shí)施方式
一至八相同。
具體實(shí)施方式
十本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至九不同的是步驟二中按硅酸 鈉的濃度為30g/L、氟鋁酸鈉的濃度為8g/L、硫酸銅的濃度為35g/L、乙二胺四乙酸的濃度 為50g/L、氫氧化鉀濃度為2g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、硫酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀 和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為4A/di^，頻率為700Hz，占空比為 45%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化10min。其它與具體實(shí)施方式
一至九相同。
本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 84，紅外發(fā)射率為0. 87，與鋁合金相比減重29%。
具體實(shí)施方式
i^一 本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十不同的是步驟二中按硅 酸鈉的濃度為50g/L、氟鋁酸鈉的濃度為6. 5g/L、酒石酸銅的濃度為35g/L、氨水的濃度為 50g/L、氫氧化鉀濃度為4g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、酒石酸銅、氨水、氫氧化鉀和水，配制 成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為2A/di^，頻率為200Hz，占空比為20%、電解液 溫度為2(TC的條件下氧化15min。其它與具體實(shí)施方式
一至十相同。
本實(shí)施方式中氨水的質(zhì)量濃度為25% 28%。 本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 84，紅外發(fā)射率為0. 87，與鋁合金相比減重29%。
具體實(shí)施方式
十二 本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至i^一不同的是步驟二中按 鋁酸鈉的濃度為50g/L、硼砂的濃度為8g/L、醋酸銅的濃度為40g/L、乙二胺的濃度為35g/ L、氫氧化鉀濃度為1.5g/L稱取鋁酸鈉、硼砂、醋酸銅、乙二胺、氫氧化鉀和水，配制成電解 液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為6A/di^，頻率為500Hz，占空比為25% 、電解液溫度為 2(TC的條件下氧化8min。其它與具體實(shí)施方式
一至i^一相同。 本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 85，紅外發(fā)射率為0. 83，與鋁合金相比減重30%。
具體實(shí)施方式
十三本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十二不同的是步驟二中按 鋁酸鈉的濃度為65g/L、硼砂的濃度為5g/L、焦磷酸銅的濃度為40g/L、乙二胺四乙酸的濃 度為35g/L、氫氧化鉀濃度為4. 5g/L稱取鋁酸鈉、硼砂、焦磷酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀 和水，配制成電解液；步驟三中MB8鎂合金在電流密度為7A/dm、頻率為1000Hz，占空比為 30%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化9min。其它與具體實(shí)施方式
一至十二相同。
本實(shí)施方式在MB8鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 90，紅外發(fā)射率為0. 86，與鋁合金相比減重30%。
具體實(shí)施方式
十四本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十三不同的是步驟二中按 磷酸鈉的濃度為55g/L、氟化銨的濃度為3. 5g/L、焦磷酸銅的濃度為40g/L、氨水的濃度為 35g/L、氫氧化鉀濃度為4. 5g/L稱取磷酸鈉、氟化銨、焦磷酸銅、氨水、氫氧化鉀和水，配制 成電解液；步驟三中MB8鎂合金在電流密度為7A/di^，頻率為1000Hz，占空比為30%、電解 液溫度為2(TC的條件下氧化9min。其它與具體實(shí)施方式
一至十三相同。
本實(shí)施方式中氨水的質(zhì)量濃度為25% 28%。 本實(shí)施方式在MB8鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 92，紅外發(fā)射率為0. 88，與鋁合金相比減重31%。
具體實(shí)施方式
十五本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十四不同的是步驟二中按 磷酸鈉的濃度為80g/L、氟化銨的濃度為10g/L、硫酸銅的濃度為40g/L、乙二胺四乙酸的濃 度為35g/L、氫氧化鉀濃度為3g/L稱取磷酸鈉、氟化銨、硫酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀 和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為3A/dm、頻率為2000Hz，占空比為 15%、電解液溫度為25t:的條件下氧化25min。其它與具體實(shí)施方式
一至十四相同。
本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 93，紅外發(fā)射率為0. 89，與鋁合金相比減重31%。
具體實(shí)施方式
十六本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十五不同的是步驟二中按 磷酸鈉的濃度為40g/L、氟化鈉的濃度為4g/L、硫酸亞鐵的濃度為20g/L、乙二胺四乙酸的 濃度為45g/L、氫氧化鉀濃度為1. 5g/L稱取磷酸鈉、氟化鈉、硫酸亞鐵、乙二胺四乙酸、氫氧 化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為3A/dm2，頻率為500Hz，占空比 為30%、電解液溫度為25t:的條件下氧化8min。其它與具體實(shí)施方式
一至十五相同。
本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 95，紅外發(fā)射率為0. 87，與鋁合金相比減重30%。
具體實(shí)施方式
十七本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十六不同的是步驟二中按 磷酸鈉的濃度為30g/L、氟化鈉的濃度為5g/L、草酸鐵的濃度為15g/L、乙二胺四乙酸的濃 度為20g/L、氫氧化鉀濃度為1. 5g/L稱取磷酸鈉、氟化鈉、草酸鐵、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀 和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為10A/di^，頻率為50Hz，占空比為 10%、電解液溫度為25t:的條件下氧化15min。其它與具體實(shí)施方式
一至十六相同。
本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 85，紅外發(fā)射率為0. 83，與鋁合金相比減重30%。
具體實(shí)施方式
十八本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十七不同的是步驟二中按 磷酸鈉的濃度為90g/L、氟化鈉的濃度為10g/L、硫酸亞鐵的濃度為20g/L、乙二胺四乙酸的 濃度為60g/L、氫氧化鉀濃度為5g/L稱取磷酸鈉、氟化鈉、硫酸亞鐵、乙二胺四乙酸、氫氧化 鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB8鎂合金在電流密度為3A/dm、頻率為50Hz，占空比為 45%、電解液溫度為25t:的條件下氧化30min。其它與具體實(shí)施方式
一至十七相同。
本實(shí)施方式在MB8鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 88，紅外發(fā)射率為0. 90，與鋁合金相比減重30%。 具體實(shí)施方式
十九本實(shí)施方式與具體實(shí)施方式
一至十八不同的是步驟二中按硅酸鈉的濃度為75g/L、氟鋁酸鈉的濃度為10g/L、硫酸鐵的濃度為30g/L、乙二胺四乙酸的 濃度為60g/L、氫氧化鉀濃度為5g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、硫酸鐵、乙二胺四乙酸、氫氧化 鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為10A/di^，頻率為50Hz，占空比為 45%、電解液溫度為25t:的條件下氧化6min。其它與具體實(shí)施方式
一至十八相同。
本實(shí)施方式在MB2鎂合金表面制備高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層涂層的太陽 吸收率為0. 92，紅外發(fā)射率為0. 88，與鋁合金相比減重30%。
權(quán)利要求
鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法按以下步驟進(jìn)行一、鎂合金表面預(yù)處理將鎂合金浸入濃度為80g/L～120g/L的氫氧化鈉水溶液中，在70℃～90℃的溫度下保持15min～20min，取出后先用清水沖洗，再用蒸餾水沖洗，烘干；二、配制電解液按主成膜劑濃度為20g/L～100g/L、輔助成膜劑濃度為1g/L～10g/L、著色添加劑濃度為10g/L～50g/L、絡(luò)合劑濃度為20g/L～100g/L、PH調(diào)節(jié)劑濃度為1g/L～5g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、PH調(diào)節(jié)劑和水，配制成電解液；三、將經(jīng)步驟一處理的鎂合金置于裝有經(jīng)步驟二配制的電解液的不銹鋼槽體中，以鎂合金做陽極、不銹鋼槽體為陰極，采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為2A/dm2～10A/dm2，頻率為50Hz～2000Hz，占空比為10％～45％、電解液溫度為10℃～30℃的條件下氧化5min～30min，然后用蒸餾水清洗鎂合金表面并干燥，即得到鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層；其中步驟二中所述的主成膜劑為磷酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽中的一種或其中幾種的按任意比的組合，輔助成膜劑為氟化鈉、氟化銨、硼砂和氟鋁酸鈉中的一種或其中幾種的按任意比的組合，著色添加劑為含銅、鐵元素的無機(jī)鹽和有機(jī)鹽；絡(luò)合劑為氨水、乙二胺和乙二胺四乙酸中的一種或其中幾種的按任意比的組合；PH調(diào)節(jié)劑為氫氧化鉀；所述的鎂合金的型號為MB2鎂合金或MB8鎂合金
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法， 其特征在于步驟一中鎂合金浸入濃度為85g/L 115g/L的氫氧化鈉水溶液中，在75°C 85"的溫度下保持16min 19min。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方 法，其特征在于步驟二中按主成膜劑濃度為30g/L 90g/L、輔助成膜劑濃度為2g/L 8g/ L、著色添加劑濃度為15g/L 45g/L、絡(luò)合劑濃度為30g/L 90g/L、ra調(diào)節(jié)劑濃度為1. 5g/ L 4. 5g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、ra調(diào)節(jié)劑和水，配制成電解 液。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其 特征在于步驟三中鎂合金在電流密度為3A/dm2 9A/dm、頻率為100Hz 2500Hz，占空比 為15% 40%、電解液溫度為15t: 28t:的條件下氧化6min 28min。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1 、2或4所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方 法，其特征在于步驟三中鎂合金在電流密度為5A/dm2，頻率為500Hz，占空比為35%、電解 液溫度為2(TC的條件下氧化10min。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 、2或4所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方 法，其特征在于步驟三中鎂合金在電流密度為6A/dm、頻率為700Hz，占空比為25%、電解液 溫度為2(TC的條件下氧化15min。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備 方法，其特征在于步驟二中按硅酸鈉的濃度為30g/L、氟鋁酸鈉的濃度為8g/L、硫酸銅的濃 度為35g/L、乙二胺四乙酸的濃度為50g/L、氫氧化鉀濃度為2g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、硫 酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為4A/ dm、頻率為700Hz，占空比為45%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化10min
8. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟二中按鋁酸鈉的濃度為65g/L、硼砂的濃度為5g/L、焦磷酸銅的濃度 為40g/L、乙二胺四乙酸的濃度為35g/L、氫氧化鉀濃度為4. 5g/L稱取鋁酸鈉、硼砂、焦磷 酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB8鎂合金在電流密度為7A/ dm、頻率為1000Hz，占空比為30%、電解液溫度為2(TC的條件下氧化9min。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備 方法，其特征在于步驟二中按磷酸鈉的濃度為80g/L、氟化銨的濃度為10g/L、硫酸銅的濃 度為40g/L、乙二胺四乙酸的濃度為35g/L、氫氧化鉀濃度為3g/L稱取磷酸鈉、氟化銨、硫 酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為3A/ dm、頻率為2000Hz，占空比為15%、電解液溫度為25。C的條件下氧化25min。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1、2或4所述的鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備 方法，其特征在于步驟二中按硅酸鈉濃度為75g/L、氟鋁酸鈉濃度為10g/L、硫酸鐵濃度為 30g/L、乙二胺四乙酸濃度為60g/L、氫氧化鉀濃度為5g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、硫酸鐵、 乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為10A/dm2， 頻率為50Hz，占空比為45%、電解液溫度為25t:的條件下氧化6min。
全文摘要
鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，它涉及熱控涂層的制備方法。本發(fā)明解決了現(xiàn)有的應(yīng)用于航天器的鋁合金材料重量大，不能滿足航天器結(jié)構(gòu)輕量化的要求。本發(fā)明的步驟為一、鎂合金表面預(yù)處理；二、將主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑配制成電解液；三、采用脈沖微弧氧化電源供電，在恒定電流模式下反應(yīng)，即得到鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層。涂層的太陽吸收率為0.80～0.95、紅外發(fā)射率為0.80～0.90，其重量比鋁合金減少28％～33％。可以應(yīng)用于航天器。
文檔編號C25D11/02GK101748469SQ201010300689
公開日2010年6月23日 申請日期2010年1月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月25日
發(fā)明者吳曉宏, 秦偉 申請人:哈爾濱工業(yè)大學(xué)