專利名稱：一種剝離陽極氧化鋁膜的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及陽極氧化鋁模板領域，特別涉及一種剝離陽極氧化鋁膜的方法。
背景技術：
鋁及其合金在硫酸、草酸、磷酸等電解液中進行陽極氧化可在表面形成具有多孔結構的 氧化鋁薄膜。目前，多孔陽極氧化鋁膜不僅在分離膜、光學與光電子元件、磁性薄膜、選擇 性吸收膜、催化劑載體等方面得到廣泛應用，而且使它成為制備均勻納米結構的理想模板， 如以多孔氧化鋁為模板合成納米線、納米管等。
目前，通常是將陽極氧化完畢的氧化鋁膜浸入氯化汞或者氯化銅的溶液中進行剝離，但 這種方法所需吋間較長，約需幾個小時，氧化鋁模板越厚，所需時間越長；另一方面，較難 獲取大面積的氧化鋁模板；且純在一定的危險性，如氯化汞為劇毒物質。
而陽極氧化時，通常會生成多孔型的氧化鋁層和阻擋型氧化鋁層，阻擋型氧化鋁層與鋁 基底緊密相連，且其厚度與氧化電壓成正比。逐步降低電壓，電流會有一個先下降后上升的 過程，這意味著阻擋層厚度的逐漸降低，如此循環(huán)往復，當電壓降低到l伏左右時，阻擋層 的厚度僅有數(shù)納米厚。這時如果放入一定濃度的磷酸中，繼續(xù)腐蝕阻擋層，將能完全去除阻 擋層，實現(xiàn)氧化鋁膜的順利剝離。
此外，超聲波以20千赫茲 60千赫茲的頻率通過液體時，會有大量的氣泡形成，有助 于多孔氧化鋁層與鋁片的分離；另一方面，超聲波還能夠在化學反應中起到催化作用，這將 加速磷酸對所剩阻擋層氧化鋁的腐蝕。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術之不足，提供一種剝離陽極氧化鋁膜的方法，本發(fā)明操 作過程時間短，剝離與擴孔同時進行，且能獲得大面積的氧化鋁模板。 本發(fā)明方法包括以下步驟-
(1) 鋁片在質量百分數(shù)為1%到10%的磷酸中以40—160V的電壓進行陽極氧化；
(2) 陽極氧化完畢后，降低陽極氧化的電壓降低1V電壓，停留10—60秒，此時電 流會首先降低，然后逐漸加大，直到電流平穩(wěn)；然后再次降低電壓l伏，電流再次經(jīng)歷降低 到增加的過程，如此逐漸逐漸降低陽極氧化電壓，使電流由降低到增加，直至陽極氧化電壓 降低到1V左右；取出鋁片；
(2)把步驟(1)制得的鋁片用高純水清洗于凈，放入質量百分數(shù)為,1%，20%的磷酸溶液中超聲5 30分鐘；
(3)把步驟(2)制得的鋁片用高純水清洗干凈，采用小流量的氮氣吹干，然后沿著陽
極氧化時電解液留下的痕跡，用小鑷子將氧化鋁膜取下。
至此，本發(fā)明剝離陽極氧化鋁膜的方法完畢。
具體實施例方式
以下結合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明。 實施例1
鋁片在質量百分數(shù)為10%的磷酸溶液中，以40V的陽極氧化電壓氧化完畢后，降低陽極 氧化電壓降低1V電壓，停留60s，待電流穩(wěn)定后，再降低1V電壓，直至陽極氧化電壓 降低到1V為止。然后將鋁片放在質量百分數(shù)為1%的磷酸溶液中超聲30分鐘，然后采用小 流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時電解液留下的痕跡，采用小鑷子將氧化鋁膜取下。 實施例2
鋁片在質量百分數(shù)為5%的磷酸溶液中，以60 V的陽極氧化電壓氧化完畢后，降低陽極 氧化電壓降低1V電壓，停留30s，待電流穩(wěn)定后，再降低1V電壓，直至陽極氧化電壓 降低到1V為止。然后將鋁片放在質量百分數(shù)為5%的磷酸溶液中超聲20分鐘，然后采用小 流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時電解液留下的痕跡，用小鑷子將氧化鋁膜取下。 實施例3
鋁片在質量百分數(shù)為5%的磷酸溶液中，以80 V的陽極氧化電壓氧化完畢后，降低陽極 氧化電壓降低1V電壓，停留20s,待電流穩(wěn)定后，再降低1V電壓，直至陽極氧化電壓 降低到l V為止。然后將鋁片放在質量百分數(shù)為15 %的磷酸溶液中超聲15分鐘，然后采用 小流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時電解液留下的痕跡，用小鑷子將氧化鋁膜取下。 實施例4
鋁片在濃度為2%的磷酸溶液中，以120 V的氧化電壓氧化完畢后，每次降低1V電壓， 停留15s，待電流穩(wěn)定后，然后再降低1V電壓，直至電壓降低到1V為止，然后在20%的 磷酸溶液中超聲5分鐘，然后采用小流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時電解液留下的痕 跡，用小鑷子將氧化鋁膜取下。 實施例5
鋁片在濃度為1%的磷酸溶液中，以160 V的氧化電壓氧化完畢后，每次降低1V電壓， 停留10s，待電流穩(wěn)定后，然后再降低1V電壓，直至電壓降低到1V為止，然后在10%的 磷酸溶液中超聲10分鐘，然后采用小流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時電解液留下的 痕跡，用小鑷子將氧化鋁膜取下。
權利要求
1、一種剝離陽極氧化鋁膜的方法，其特征是，該方法包括以下步驟；(1)鋁片在質量百分數(shù)為1％到10％的磷酸中以40-160V的電壓進行陽極氧化；(2)陽極氧化完畢后，降低陽極氧化的電壓降低1V電壓，停留10-60秒，此時電流首先降低，然后逐漸加大，直到平穩(wěn)；然后再次降低電壓1伏，電流再次經(jīng)歷降低到增加的過程；如此逐漸降低陽極氧化電壓，使電流由降低到增加，直至陽極氧化電壓降低到1V；取出鋁片；(3)把步驟(2)制得的鋁片用高純水清洗干凈，放入質量百分數(shù)為1％-20％的磷酸溶液中超聲5～30分鐘；(4)把步驟(3)制得的鋁片用高純水清洗干凈，采用小流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時電解液留下的痕跡，用小鑷子將氧化鋁膜取下 id="icf0001" file="A2009100892600002C1.tif" wi="2" he="3" top= "108" left = "125" img-content="drawing" img-format="tif" orientation="portrait" inline="yes"/>至此，本發(fā)明剝離陽極氧化鋁膜的方法完畢。
全文摘要
一種剝離陽極氧化鋁膜的方法，其特征是在陽極氧化過程完畢后，逐步降低電壓，直至電壓降到1伏為止；然后將鋁片用高純水清洗干凈，在磷酸溶液中超聲5-30分鐘；最后將鋁片取出，用高純水清洗干凈，采用小流量的氮氣吹干，然后沿著陽極氧化時氧化液留下的痕跡將氧化鋁膜取下。
文檔編號C25D11/18GK101603193SQ200910089260
公開日2009年12月16日 申請日期2009年7月10日 優(yōu)先權日2009年7月10日
發(fā)明者敏 劉, 王文靜, 雷 趙 申請人:中國科學院電工研究所