本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)中的微機(jī)電系統(tǒng)工藝制造領(lǐng)域領(lǐng)域，尤其涉及一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法和結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

微測(cè)輻射熱計(jì)被廣泛的應(yīng)用于制作非制冷紅外探測(cè)器和太赫茲探測(cè)器。非制冷紅外探測(cè)器由于其能夠在室溫狀態(tài)下工作，并具有質(zhì)量輕、體積小、壽命長(zhǎng)、成本低、功率小、啟動(dòng)快及穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，滿足了民用紅外系統(tǒng)和部分軍事紅外系統(tǒng)對(duì)長(zhǎng)波紅外探測(cè)器的迫切需要，近幾年來(lái)發(fā)展迅猛。太赫茲探測(cè)器是將波長(zhǎng)更長(zhǎng)的太赫茲波段(30～3000μm)的電磁波轉(zhuǎn)化為可檢測(cè)的電信號(hào)，從而觀測(cè)外部事物，在軍用和民用領(lǐng)域具有廣闊的前景，如在成像、通信、遙感、雷達(dá)、天文、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都具有廣泛的應(yīng)用。

微測(cè)輻射熱計(jì)Micro-bolometer是基于具有熱敏特性的材料在溫度發(fā)生變化時(shí)電阻值發(fā)生相應(yīng)的變化而制造的一種熱探測(cè)器。它的工作原理是當(dāng)探測(cè)器接收外界物體紅外輻射能量時(shí)，對(duì)紅外光敏感的有效像元電阻發(fā)生變化，引起流過(guò)有效像元上的偏置電流Iact改變，Iact與流過(guò)參考像元的的偏置電流Iref之差通過(guò)電路轉(zhuǎn)換為積分信號(hào)電流ΔI，ΔI通過(guò)電容反饋互阻放大器CTIA轉(zhuǎn)化為電壓信號(hào)并采樣輸出，再通過(guò)對(duì)輸出信號(hào)的處理，轉(zhuǎn)換成圖像信號(hào)。

參考像元對(duì)于目標(biāo)輻射應(yīng)當(dāng)無(wú)響應(yīng)或者響應(yīng)可以忽略，能夠用于芯片溫度補(bǔ)償，美國(guó)DRS公司(美國(guó)專利：US6507021B1)制作的參考像元使用聚酰亞胺作為犧牲層，在其上制作電學(xué)轉(zhuǎn)化以及紅外吸收結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)可以提供參考作用，制作工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，但是參考像元對(duì)于目標(biāo)輻射的免疫能力受限，并且參考像元對(duì)于封裝或者應(yīng)用過(guò)程中的異物或者鈍器敏感。L-3公司(美國(guó)專利：US7375331B2)申請(qǐng)的專利是通過(guò)在有效像元上方通過(guò)晶圓鍵合的方式對(duì)像元進(jìn)行遮擋，得到與有效像元完全一致但是對(duì)目標(biāo)輻射不敏感的參考像元，這種參考像元制作方式與有效像元制作方式完全一致，簡(jiǎn)單可行，但是必須依靠晶圓級(jí)真空封裝技術(shù)，因此在實(shí)際生產(chǎn)應(yīng)用中有很大的局限性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法及其結(jié)構(gòu)，具體技術(shù)方案如下：

一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法，包括以下步驟：

步驟1，在以讀出電路為基底的晶圓上制備金屬反射層；

步驟2，在所述金屬反射層上依次制備絕緣介質(zhì)層、第一犧牲層和第一支撐層；

步驟3，蝕刻所述絕緣介質(zhì)層和第一支撐層，在所述金屬反射層上制備通孔；

步驟4，在所述第一支撐層上依次制備電極層和電極保護(hù)層、熱敏層、熱敏保護(hù)層和第一釋放保護(hù)層，或，在所述第一支撐層上依次制備熱敏層、熱敏保護(hù)層、電極層、電極保護(hù)層和第一釋放保護(hù)層；

步驟5，在所述第一釋放保護(hù)層上制備第二犧牲層和第二釋放保護(hù)層，得到參考像元的結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明的有益效果是：通過(guò)在以讀出電路為基底的晶圓上制備金屬反射層，在所述金屬反射層上依次制備絕緣介質(zhì)層、第一犧牲層、第一支撐層、電極層、電極保護(hù)層、熱敏層、熱敏保護(hù)層、第一釋放保護(hù)層、第二犧牲層和第二釋放保護(hù)層，或，通過(guò)在以讀出電路為基底的晶圓上制備金屬反射層，在所述金屬反射層上依次制備絕緣介質(zhì)層、第一犧牲層、第一支撐層、熱敏層、熱敏保護(hù)層、電極層、電極保護(hù)層、第一釋放保護(hù)層、第二犧牲層和第二釋放保護(hù)層，得到參考像元的結(jié)構(gòu)，可以使參考像元對(duì)接收到的輻射響應(yīng)降低，提升微測(cè)輻射熱計(jì)的高低溫性能，增強(qiáng)了參考像元的目標(biāo)輻射免疫能力，同時(shí)降低封裝或者應(yīng)用過(guò)程中的異物或者鈍器對(duì)于參考像元的影響。

在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。

進(jìn)一步地，步驟2中，

所述金屬反射層的材料包括厚度為的金屬薄膜，并利用刻蝕的方法刻蝕出金屬反射層圖形，所述金屬薄膜對(duì)波長(zhǎng)為8～14μm的紅外光的反射率大于98％；

在所述金屬反射層上沉積絕緣介質(zhì)，得到絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)包括厚度均為的Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜；

通過(guò)在所述絕緣介質(zhì)層上沉積犧牲層材料，得到第一犧牲層，所述犧牲層材料包括：非晶碳、非晶硅或耐溫光刻膠，例如BCD、PI等；

通過(guò)光刻刻蝕所述第一犧牲層和所述絕緣介質(zhì)層形成刻蝕孔，所述刻蝕孔為陣列孔，數(shù)量為4-8個(gè)；

通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD的方法在所述第一犧牲層圖形上沉積支撐層材料，得到第一支撐層，所述支撐層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜。

進(jìn)一步地，所述陣列孔用于實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接，所述陣列孔中的每一個(gè)孔都互相連通，并通過(guò)金屬連接至底部的金屬電極。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是:使用陣列通孔實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接，不僅能夠使參考像元的電學(xué)連通性更好，還可以防止單孔電學(xué)連接時(shí)因工藝誤差造成電學(xué)連通性差。

進(jìn)一步的，步驟3中，通過(guò)光刻和RIE蝕刻的方法蝕刻所述陣列孔底部的第一支撐層和絕緣介質(zhì)層，露出絕緣介質(zhì)層底部的金屬反射層，形成通孔。

進(jìn)一步地，步驟4中，

通過(guò)物理氣相沉積PVD的方法在所述第一支撐層上沉積電極層材料，得到電極層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極層圖形，所述電極層材料包括厚度為的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；

在所述電極層上沉積電極保護(hù)層材料，得到電極保護(hù)層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極保護(hù)層圖形，形成接觸孔，所述電極保護(hù)層材料包括厚度的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜；

通過(guò)離子束沉積IBD或PVD的方法在所述電極層和電極保護(hù)層上沉積熱敏層材料，得到熱敏層，所述熱敏層材料包括厚度為的VO_x薄膜或非晶硅薄膜；

通過(guò)PECVD或PVD的方法在所述熱敏層上沉積熱敏保護(hù)層材料，得到熱敏保護(hù)層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出熱敏保護(hù)層圖形，所述熱敏保護(hù)層材料包括厚度為的Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜；

通過(guò)PECVD的方法在所述熱敏保護(hù)層上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第一釋放保護(hù)層，所述釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜；

進(jìn)一步地，步驟4中，

通過(guò)IBD或PVD的方法在所述第一支撐層上沉積熱敏層材料，得到熱敏層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出熱敏層圖形，所述熱敏層材料包括厚度為的VO_x薄膜或非晶硅薄膜；

在所述熱敏層上沉積熱敏保護(hù)層材料，得到熱敏保護(hù)層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出熱敏保護(hù)層圖形，所述熱敏保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜；

通過(guò)PVD的方法在所述熱敏保護(hù)層上沉積電極層材料，得到電極層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極層圖形，所述電極層材料包括厚度為的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；

通過(guò)PECVD的方法在所述電極層上沉積電極保護(hù)層材料，得到電極保護(hù)層，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極保護(hù)層圖形，所述電極保護(hù)層材料包括低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜；

通過(guò)PECVD的方法在所述電極保護(hù)層上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第一釋放保護(hù)層，所述釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜。

進(jìn)一步地，步驟5中，

在所述第一釋放保護(hù)層上沉積犧牲層材料，得到第二犧牲層，利用光刻刻蝕的方法刻蝕出第二犧牲層圖形，并通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化CMP工藝將所述第二犧牲層圖形表面平坦化，所述犧牲層材料包括厚度為的非晶碳、非晶硅或耐溫光刻膠，例如BCD、PI等；

在所述第二犧牲層上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第二釋放保護(hù)層，所述釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜，還包括厚度為的金屬薄膜或金屬化合物薄膜，例如Al、Ti、NiCr等。

采用上述進(jìn)一步方案的有益效果是：通過(guò)在傳統(tǒng)的參考像元的結(jié)構(gòu)上增加第二犧牲層和第二釋放保護(hù)層，可以使參考像元對(duì)接收到的輻射響應(yīng)降低，提升微測(cè)輻射熱計(jì)的高低溫性能。

進(jìn)一步地，蝕刻所述電極保護(hù)層時(shí)，使用的蝕刻氣體包括：SF₆、CHF₃、O₂的組合氣體或CF₄、O₂的組合氣體，并使用終點(diǎn)監(jiān)測(cè)技術(shù)EPD對(duì)電極保護(hù)層的蝕刻進(jìn)行監(jiān)控。

一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的結(jié)構(gòu)：包括在以讀出電路為基底的晶圓上設(shè)置有被蝕刻過(guò)的金屬反射層，以及在金屬反射層上設(shè)置的絕緣介質(zhì)層，在的絕緣介質(zhì)層上設(shè)置有被蝕刻過(guò)的第一支撐層，在第一支撐層上設(shè)置有電極層，在電極層上設(shè)置有電極保護(hù)層，電極保護(hù)層之上設(shè)置有被蝕刻過(guò)的熱敏層，熱敏層上設(shè)置有熱敏保護(hù)層，熱敏保護(hù)層上設(shè)置有第一釋放保護(hù)層和第二釋放保護(hù)層。

本發(fā)明附加的方面的優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中金屬反射層、絕緣介質(zhì)層、第一犧牲層及第一支撐層的形成示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中通孔的形成示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中電極層及電極保護(hù)層的形成示意圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中熱敏層及熱敏保護(hù)層的形成示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中第一釋放保護(hù)層的形成示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中參考像元結(jié)構(gòu)的形成示意圖；

圖7為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中熱敏層及熱敏保護(hù)層的形成示意圖；

圖8為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中電極層及電極保護(hù)層的形成示意圖；

圖9為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中第一釋放保護(hù)層的形成示意圖；

圖10為本發(fā)明另一實(shí)施例提供的一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法中參考像元結(jié)構(gòu)的形成示意圖。

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

1.讀出電路，2.金屬反射層，3.絕緣介質(zhì)層，4.第一犧牲層，5.第一支撐層，6.通孔，7.電極層，8.電極保護(hù)層，9.熱敏層，10.熱敏保護(hù)層，11.第一釋放保護(hù)層，12.第二犧牲層，13.第二釋放保護(hù)層。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法，參見(jiàn)圖1至圖6，其具體工藝步驟如下：

如圖1所示，在以讀出電路1為基底的晶圓上制備金屬反射層2，金屬反射層2的材料包括厚度為的金屬薄膜，并利用刻蝕的方法刻蝕出金屬反射層2圖形，金屬薄膜對(duì)波長(zhǎng)為8～14μm的紅外光的反射率大于98％；

在金屬反射層2上沉積絕緣介質(zhì)，得到絕緣介質(zhì)層3，絕緣介質(zhì)包括厚度均為的Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜；

通過(guò)在絕緣介質(zhì)層3上沉積犧牲層材料，得到第一犧牲層4，犧牲層材料包括：非晶碳、非晶硅或耐溫光刻膠；

通過(guò)光刻刻蝕第一犧牲層4和絕緣介質(zhì)層3形成刻蝕孔，刻蝕孔為陣列孔，數(shù)量為4-8個(gè)；

通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD的方法在第一犧牲層4圖形上沉積支撐層材料，得到第一支撐層5，支撐層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜。

如圖2所示，通過(guò)光刻和RIE蝕刻的方法蝕刻陣列孔底部的第一支撐層5和絕緣介質(zhì)層3，露出絕緣介質(zhì)層3底部的金屬反射層2，形成通孔6。

如圖3所示，通過(guò)物理氣相沉積PVD的方法在第一支撐層5上沉積電極層7材料，得到電極層7，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極層7圖形，電極層7材料包括厚度為的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；

在電極層7上沉積電極保護(hù)層8材料，得到電極保護(hù)層8，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極保護(hù)層8圖形，形成接觸孔，電極保護(hù)層8材料包括厚度的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜。

如圖4所示，通過(guò)離子束沉積IBD或PVD的方法在電極層7和電極保護(hù)層8上沉積熱敏層9材料，得到熱敏層9，熱敏層9材料包括厚度為的VO_x薄膜或非晶硅薄膜；

通過(guò)PECVD或PVD的方法在熱敏層9上沉積熱敏保護(hù)層10材料，得到熱敏保護(hù)層10，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出熱敏保護(hù)層10圖形，熱敏保護(hù)層10材料包括厚度為的Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜。

如圖5所示，通過(guò)PECVD的方法在熱敏保護(hù)層10上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第一釋放保護(hù)層11，釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜。

如圖6所示，在第一釋放保護(hù)層11上沉積犧牲層材料，得到第二犧牲層12，利用光刻刻蝕的方法刻蝕出第二犧牲層12圖形，并通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化CMP工藝將第二犧牲層12圖形表面平坦化，犧牲層材料包括厚度為的非晶碳、非晶硅或耐溫光刻膠；

在第二犧牲層12上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第二釋放保護(hù)層13，釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜，還包括厚度為的金屬薄膜或金屬化合物薄膜。

上述實(shí)施例提供的制備方法，通過(guò)在以讀出電路1為基底的晶圓上制備金屬反射層2，在金屬反射層2上依次制備絕緣介質(zhì)層3、第一犧牲層4、第一支撐層5、電極層7、電極保護(hù)層8、熱敏層9、熱敏保護(hù)層10、第一釋放保護(hù)層11、第二犧牲層12和第二釋放保護(hù)層13，得到參考像元的結(jié)構(gòu)，可以使參考像元對(duì)接收到的輻射響應(yīng)降低，提升微測(cè)輻射熱計(jì)的高低溫性能，增強(qiáng)了參考像元的目標(biāo)輻射免疫能力，同時(shí)降低封裝或者應(yīng)用過(guò)程中的異物或者鈍器對(duì)于參考像元的影響。

在本發(fā)明另一實(shí)施例中，提供了一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的制備方法，參見(jiàn)圖1、圖2及圖7至圖10，其具體工藝步驟如下：

如圖1所示，在以讀出電路1為基底的晶圓上制備金屬反射層2，金屬反射層2的材料包括厚度為的金屬薄膜，并利用刻蝕的方法刻蝕出金屬反射層2圖形，金屬薄膜對(duì)波長(zhǎng)為8～14μm的紅外光的反射率大于98％；

在金屬反射層2上沉積絕緣介質(zhì)，得到絕緣介質(zhì)層3，絕緣介質(zhì)包括厚度均為的Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜；

通過(guò)在絕緣介質(zhì)層3上沉積犧牲層材料，得到第一犧牲層4，犧牲層材料包括：非晶碳、非晶硅或耐溫光刻膠；

通過(guò)光刻刻蝕第一犧牲層4和絕緣介質(zhì)層3形成刻蝕孔，刻蝕孔為陣列孔，數(shù)量為4-8個(gè)；

通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PECVD的方法在第一犧牲層4圖形上沉積支撐層材料，得到第一支撐層5，支撐層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜。

如圖2所示，通過(guò)光刻和RIE蝕刻的方法蝕刻陣列孔底部的第一支撐層5和絕緣介質(zhì)層3，露出絕緣介質(zhì)層3底部的金屬反射層2，形成通孔6。

如圖7所示，通過(guò)IBD或PVD的方法在第一支撐層5上沉積熱敏層9材料，得到熱敏層9，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出熱敏層9圖形，熱敏層9材料包括厚度為的VO_x薄膜或非晶硅薄膜；

在熱敏層9上沉積熱敏保護(hù)層10材料，得到熱敏保護(hù)層10，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出熱敏保護(hù)層10圖形，熱敏保護(hù)層10材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜。

如圖8所示，通過(guò)PVD的方法在熱敏保護(hù)層10上沉積電極層7材料，得到電極層7，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極層7圖形，電極層7材料包括厚度為的Ti薄膜、NiCr薄膜或TiN薄膜；

通過(guò)PECVD的方法在電極層7上沉積電極保護(hù)層8材料，得到電極保護(hù)層8，并利用光刻刻蝕的方法刻蝕出電極保護(hù)層8圖形，電極保護(hù)層8材料包括低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜。

如圖9所示，通過(guò)PECVD的方法在電極保護(hù)層8上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第一釋放保護(hù)層11，釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜。

如圖10所示，在第一釋放保護(hù)層11上沉積犧牲層材料，得到第二犧牲層12，利用光刻刻蝕的方法刻蝕出第二犧牲層12圖形，并通過(guò)化學(xué)機(jī)械平坦化CMP工藝將第二犧牲層12圖形表面平坦化，犧牲層材料包括厚度為的非晶碳、非晶硅或耐溫光刻膠；

在第二犧牲層12上沉積釋放保護(hù)層材料，得到第二釋放保護(hù)層13，釋放保護(hù)層材料包括厚度為的低應(yīng)力Si₃N₄薄膜或SiO₂薄膜，還包括厚度為的金屬薄膜或金屬化合物薄膜。

上述實(shí)施例提供的制備方法，通過(guò)在以讀出電路1為基底的晶圓上制備金屬反射層2，在金屬反射層2上依次制備絕緣介質(zhì)層3、第一犧牲層4、第一支撐層5、熱敏層9、熱敏保護(hù)層10、電極層7、電極保護(hù)層8、第一釋放保護(hù)層11、第二犧牲層12和第二釋放保護(hù)層13，得到參考像元的結(jié)構(gòu)，可以使參考像元對(duì)接收到的輻射響應(yīng)降低，提升微測(cè)輻射熱計(jì)的高低溫性能，增強(qiáng)了參考像元的目標(biāo)輻射免疫能力，同時(shí)降低封裝或者應(yīng)用過(guò)程中的異物或者鈍器對(duì)于參考像元的影響。

本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供了一種微測(cè)輻射熱計(jì)參考像元的結(jié)構(gòu)，該參考像元的結(jié)構(gòu)可以如圖6或如圖10所示。而圖6和圖10的具體結(jié)構(gòu)已在上文中進(jìn)行了詳細(xì)描述，為了描述的簡(jiǎn)潔，在此不再贅述。

應(yīng)理解，與本發(fā)明所公開(kāi)的結(jié)構(gòu)相類似的結(jié)構(gòu)，或采用其他材質(zhì)通過(guò)本發(fā)明所述的制備方法中任一項(xiàng)得到的結(jié)構(gòu)，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。

以上僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。