電氣器件的覆蓋物例如用于使器件結(jié)構(gòu)免受機械和/或化學(xué)影響。此外，由覆蓋物構(gòu)成器件結(jié)構(gòu)的限定空腔。由公開文獻DE 10 2011 103 516 A1已知一種用于制造覆蓋物的方法。

本發(fā)明的目的是，提供改善的覆蓋物以及用于制造改善的用于器件結(jié)構(gòu)的覆蓋物的方法。

根據(jù)本發(fā)明的第一個方面，提出一種用于器件的覆蓋物。所述覆蓋物優(yōu)選以薄膜技術(shù)制成。例如，所述器件具有需要覆蓋的器件結(jié)構(gòu)。在此，例如是濾波器結(jié)構(gòu)和/或雙工器結(jié)構(gòu)。特別地，可能是一個或多個諧振器，例如級聯(lián)的諧振器。

所述覆蓋物優(yōu)選地包括面向于所述器件結(jié)構(gòu)的下側(cè)以及背向于所述器件結(jié)構(gòu)的上側(cè)。所述器件的外部空間連接所述上側(cè)。例如，所述器件結(jié)構(gòu)和所述覆蓋物被布置于載體襯底上。有鑒于此，所述下側(cè)是所述覆蓋物面向于所述載體襯底的一側(cè)，并且所述上側(cè)是背向于所述載體襯底的一側(cè)。所述覆蓋物例如限定空腔。所述下側(cè)優(yōu)選地直接連接所述空腔。

所述覆蓋物包括至少一個具有結(jié)構(gòu)化部分的層。特別地，該層具有多個凸部和/或凹部。例如，所述凸部和/或凹部被布置成規(guī)則結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，通過這種結(jié)構(gòu)化部分提高了所述覆蓋物的機械穩(wěn)定性。這例如能夠擴大所述覆蓋物的基面。此外，這種穩(wěn)定的覆蓋物還允許在高噴射壓力下涂覆其他灌封填料。此外，所述覆蓋物能夠?qū)崿F(xiàn)較小的厚度。這尤其能夠節(jié)約成本。此外，覆蓋物的厚度過大會導(dǎo)致不理想的晶片翹曲。

在一種實施方式中，所述凸部和/或凹部被構(gòu)造于所述覆蓋物的一層的上側(cè)以及下側(cè)。在此情形下，該層的厚度在例如該層的整個片面上恒定。一層的下側(cè)和上側(cè)和整個覆蓋物的下側(cè)和上側(cè)相對應(yīng)，均以器件結(jié)構(gòu)或載體襯底的方位位準。

在一種實施方式中，所述凸部和/或凹部僅被構(gòu)造于所述層的上側(cè)或者僅被構(gòu)造于所述層的下側(cè)。所述層的厚度例如在所述凸部的位置的厚度不同于所述層在其他位置的厚度。例如，所述層在凸部的位置比在其他位置更厚。所述層在凹部的位置例如比在其他位置更薄。

在一種實施方式中，所述凸部和/或凹部具有微長形狀。特別地，在所述覆蓋物的俯視圖中，所述凸部和/或凹部被構(gòu)造成在一個方向上明顯比與之垂直的方向上更長。優(yōu)選地，所述凸部和/或凹部沿同一方向延伸。例如，所述凸部以規(guī)則的間隔布置于與縱向垂直的方向上。在一種實施方式中，所述層具有波形。所述凸部特別能夠使得所述層呈波浪狀或槽紋狀表面結(jié)構(gòu)。

在一種實施方式中，該層在橫截面上具有正弦形的外輪廓。在另一種實施方式中，所述外輪廓呈梯形或三角形。所述凸部例如被構(gòu)造成鋸齒形或具有平截尖端的鋸齒形。

所述結(jié)構(gòu)化部分還可能既不構(gòu)造成槽紋形也不構(gòu)造成波形。例如，所述結(jié)構(gòu)化部分被構(gòu)造成類似于蛋品包裝盒中的結(jié)構(gòu)。

在一種實施方式中，所述覆蓋物具有多個上下重疊布置的層。在此情形下，在這些層的至少一層中構(gòu)造所述結(jié)構(gòu)化部分。例如，所述覆蓋物具有最下層和最上層。在此情形下，所述最下層的下側(cè)構(gòu)成所述覆蓋物的下側(cè)。所述最上層的上側(cè)構(gòu)成所述覆蓋物的上側(cè)。

在一種實施方式中，所述覆蓋物具有最下層、至少一個中間層以及最上層。有鑒于此，所述覆蓋物被構(gòu)造成至少三層結(jié)構(gòu)。在所述最上層與所述最下層之間還可以布置有多個中間層。所述中間層例如構(gòu)成支撐層。例如，所述中間層的材料與所述最上層和最下層相比具有相對較低的固有剛度。例如，所述最下層具有二氧化硅，所述中間層具有聚合物，并且所述最上層具有氮化硅。

在一種實施方式中，至少在所述覆蓋物的下側(cè)構(gòu)造所述結(jié)構(gòu)化部分。例如，通過對犧牲材料進行相應(yīng)的結(jié)構(gòu)化而形成這種結(jié)構(gòu)化部分。在此情形下，在載體襯底上施加犧牲材料，特別地犧牲層。所述犧牲材料例如覆蓋器件結(jié)構(gòu)。例如，借助于光刻法將所述犧牲材料施加于所述載體襯底上。在此情形下，也可以產(chǎn)生所述犧牲材料的結(jié)構(gòu)化部分。特別地，可以在所述犧牲材料的上側(cè)構(gòu)造凹部和/或凸部。隨后在所述犧牲材料上施加所述覆蓋物的一層，特別地最下層?；谒鰻奚牧系慕Y(jié)構(gòu)化部分，所述覆蓋物在其下側(cè)獲得互補的結(jié)構(gòu)化部分。優(yōu)選地，在施加該層之后移除所述犧牲材料。

在替選的實施方式中，所述覆蓋物的下側(cè)不具有結(jié)構(gòu)化部分。例如，所述下側(cè)具有平整的表面。然而，所述下側(cè)也可以具有穿孔或類似的結(jié)構(gòu)化部分，其并非構(gòu)造用于提高機械穩(wěn)定性。下側(cè)并不具有結(jié)構(gòu)化部分的實施方式的優(yōu)勢在于，結(jié)構(gòu)化不會改變空腔的幾何形狀。因而，能夠避免對器件功能性產(chǎn)生影響。

在一種實施方式中，在所述覆蓋物的上側(cè)構(gòu)造所述結(jié)構(gòu)化部分。例如，為此借助于光刻法施加所述覆蓋物的中間層和/或最上層，其中也可以通過該方法產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化部分。最上層的結(jié)構(gòu)化部分也可以基于位于其下方的層的結(jié)構(gòu)化部分來完成。特別地，所述最上層的結(jié)構(gòu)化部分可以被構(gòu)造成與中間層的結(jié)構(gòu)化部分互補。

在替選的實施方式中，所述覆蓋物的上側(cè)不具有結(jié)構(gòu)化部分。例如，所述上側(cè)具有平整的表面。其優(yōu)勢例如在于，結(jié)構(gòu)化部分不易受外界損傷。例如，一層的結(jié)構(gòu)化部分借由位于其上方的層整平。

在一種實施方式中，所述覆蓋物具有多個結(jié)構(gòu)化部分的組合。例如，所述覆蓋物的上側(cè)以及下側(cè)都配設(shè)有結(jié)構(gòu)化部分。例如，所述覆蓋物具有多個層，這些層分別配設(shè)有結(jié)構(gòu)化部分。

在具有多個結(jié)構(gòu)化部分的情況下，這些結(jié)構(gòu)化部分能夠在其幾何形狀和/或其取向方面有所不同。例如，一個結(jié)構(gòu)化部分具有微長的凸部和/或凹部，它們沿第一方向延伸。另一個結(jié)構(gòu)化部分同樣具有微長的凸部和/或凹部，而它們卻沿第二方向延伸。所述第一方向不同于所述第二方向。例如，這兩個方向彼此垂直地延伸?？梢栽谝粚拥纳蟼?cè)和下側(cè)構(gòu)造結(jié)構(gòu)化部分。替選地或附加地，可以在不同的層上構(gòu)造結(jié)構(gòu)化部分。

在一種實施方式中，所述覆蓋物的上側(cè)以及下側(cè)都不具有結(jié)構(gòu)化部分。在此情形下，所述覆蓋物例如被構(gòu)造成多層結(jié)構(gòu)。在兩層結(jié)構(gòu)中，例如可以僅在所述最上層的下側(cè)和/或所述最下層的上側(cè)構(gòu)造結(jié)構(gòu)化部分。在三層或更多層的結(jié)構(gòu)中，例如中間層具有結(jié)構(gòu)化部分。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提出一種具有覆蓋物的器件的半成品。所述覆蓋物如上所述構(gòu)成。所述半成品具有犧牲層，其毗鄰覆蓋物的下側(cè)。所述犧牲層被設(shè)置成在稍后的工序中被至少部分地移除。所述犧牲層在其上側(cè)具有至少一個結(jié)構(gòu)化部分，該結(jié)構(gòu)化部分具有多個凸部和/或凹部。

例如，在制造所述半成品的過程中，首先將具有結(jié)構(gòu)化部分的犧牲層施加到載體襯底上。例如，為此利用光刻法。隨后，再將覆蓋物施加到所述犧牲層上。優(yōu)選地，覆蓋物基于犧牲層的結(jié)構(gòu)化部分而獲得其結(jié)構(gòu)化部分。

根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提出一種具有覆蓋物的器件。所述覆蓋物如上所述構(gòu)成。另外，所述器件具有被所述覆蓋物覆蓋的器件結(jié)構(gòu)。例如，所述器件結(jié)構(gòu)是MEMS器件、SAW器件和/或BAW器件的結(jié)構(gòu)。例如，所述器件結(jié)構(gòu)被構(gòu)造成濾波器或雙工器的一部分。還可能是單元，例如濾波器單元或雙工器單元。

覆蓋物因結(jié)構(gòu)化部分而提高的機械穩(wěn)定性允許覆蓋更大的器件結(jié)構(gòu)。由于覆蓋物的基面可能更大，故一個單元只有少數(shù)零件才需要配設(shè)單獨的覆蓋物。這就能夠節(jié)省空間，由此能使器件進一步小型化。另外，能夠減小器件的復(fù)雜程度。

根據(jù)本發(fā)明的還一方面，提出一種用于制造器件的覆蓋物的方法。在此，提供載體襯底。例如是晶片級的載體襯底，其稍后用于隔開多個器件。在所述載體襯底上可以布置一個或多個器件結(jié)構(gòu)。在所述載體襯底上施加至少一個層。隨后，在該層中引入結(jié)構(gòu)化部分。所述結(jié)構(gòu)化部分具有多個凸部和/或凹部。在經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層上可以施加一個或多個其他層。

在一種實施方式中，經(jīng)結(jié)構(gòu)化的層是犧牲層，在稍后的工序中將其完全或部分地移除。例如，在經(jīng)結(jié)構(gòu)化的犧牲層上施加所述覆蓋物的一層。所述覆蓋物的這一層通過所述犧牲層的結(jié)構(gòu)化部分獲得其結(jié)構(gòu)化部分。

在一種實施方式中，施加在上側(cè)不具有結(jié)構(gòu)化部分的犧牲層。在所述犧牲層上施加所述覆蓋物的最下層。該層例如具有結(jié)構(gòu)化部分，特別地在上側(cè)。

根據(jù)所述方法的一種實施方式，在所述覆蓋物的最下層施加所述覆蓋物的另一層。所述另一層可以如此被構(gòu)造，使得所述另一層的上側(cè)不具有結(jié)構(gòu)化部分。例如，所述另一層被如此構(gòu)造，使得所述最下層中的凹部被填滿。在一種實施方式中，所述另一層的上側(cè)可以實現(xiàn)額外的平整度。

在本公開文獻中描述了本發(fā)明的多個方面。本發(fā)明針對所述覆蓋物、所述半成品、所述器件及所述方法所公開的全部特征也適當(dāng)針對各個其他方面有所公開，反之亦然，即使在相應(yīng)方面的上下文中并未明確提及相應(yīng)的特征也如此。

下面借助示意性的且不合比例的實施例詳細地闡述了此處描述的內(nèi)容。

其中：

圖1A示出覆蓋物的第一實施方式的示意性剖視圖；

圖1B示出圖1A的覆蓋物的俯視圖；

圖2至圖5示出覆蓋物的其他實施方式的示意性剖視圖。

在下面的附圖中優(yōu)選用相同的參考標記參照不同實施例的功能或結(jié)構(gòu)上一致的部件。

圖1A示出用于器件2的覆蓋物1的剖視圖。圖1B示出覆蓋物1的俯視圖。器件2例如被構(gòu)造成MEMS器件、BAW器件或SAW器件。

覆蓋物1被施加于載體襯底3上并且與載體襯底3圍成空腔4。在空腔4中可以布置一個或多個器件結(jié)構(gòu)(未示出)。例如是用于濾波器和/或雙工器的器件結(jié)構(gòu)。特別地，器件結(jié)構(gòu)可以包括一個或多個諧振器。然而，器件結(jié)構(gòu)也可以是其他類型的。覆蓋物1例如封裝器件結(jié)構(gòu)，特別是可以存在密封的封裝。器件2利用覆蓋物1設(shè)置為例如封包形式。

覆蓋物具有多個層5、6、7。最下層5直接毗鄰空腔4。例如，最下層具有二氧化硅。中間層6例如具有聚合物。最上層7使器件與外界隔絕。例如，最上層7具有氮化硅。最下層5和最上層7例如與中間層6相比較硬。中間層6例如充當(dāng)支撐層。

覆蓋物1的層5、6、7中的至少一層配設(shè)有結(jié)構(gòu)化部分20、21。結(jié)構(gòu)化部分20、21用于提高覆蓋物1的穩(wěn)定性。特別地，通過中間層6的結(jié)構(gòu)化部分20可以提高穩(wěn)定性。最下層5和/或最上層7例如具有與中間層6的結(jié)構(gòu)化部分20互補的結(jié)構(gòu)化部分。

在圖1A和圖1B所示的實施方式中，中間層6和最上層7分別具有帶微長凸部8、9的結(jié)構(gòu)化部分20、21。類似地，中間層6和最上層7具有構(gòu)造于凸部8、9之間的凹部10、11。中間層在其上側(cè)18具有結(jié)構(gòu)化部分20。中間層6的下側(cè)17不具有結(jié)構(gòu)化部分。

最上層7中的凸部9形成覆蓋物1的上側(cè)13的凸部。覆蓋物1的上側(cè)13對應(yīng)于最上層7的上側(cè)。

凸部8、9呈規(guī)則布置并且具有一致的幾何形狀。特別地，凸部8、9的長度l和寬度b相似或相同。凸部8、9沿同一方向12延伸。通過凸部8、9，中間層6和上層7獲得波浪狀結(jié)構(gòu)。

類似于建筑物的瓦楞房頂或波紋紙板，凸部8、9能夠提高覆蓋物1的機械穩(wěn)定性。這就能夠在足夠的穩(wěn)定性下使得覆蓋物1保持較小的厚度。特別地，還可以使用基面較大的覆蓋物1，而無需增加覆蓋物1的厚度。這就例如能夠使得整個濾波器單元和/或雙工器單元配設(shè)單一的較大覆蓋物，而并非使諸如一個或多個諧振器的零件配設(shè)多個單獨的覆蓋物。

例如，待覆蓋的器件結(jié)構(gòu)和/或器件布置在俯視圖中具有微長形狀。在此情形下，凸部8、9例如垂直于器件布置的縱向延伸。凸部8、9也可以不構(gòu)造成微長結(jié)構(gòu)。例如，所述結(jié)構(gòu)化部分被構(gòu)造成諸如蛋品包裝盒中的結(jié)構(gòu)。這例如在不具有長邊，而是例如被構(gòu)造成正方形的器件結(jié)構(gòu)或器件布置中是有利的。

凸部8、9例如近乎在覆蓋物1的整個表面上延伸。在另一種實施方式中，覆蓋物1可以僅在其表面的一部分上配設(shè)有凸部8、9。

最下層5不具有凸部。特別地，由最下層5面向于空腔4的一側(cè)構(gòu)成的覆蓋物的下側(cè)14具有平整的表面。特別地，下側(cè)14不具有凸部或凹部。有鑒于此，凸部8、9并不影響空腔4的形狀。

覆蓋物1優(yōu)選以薄膜技術(shù)制成。例如，為了構(gòu)成覆蓋物1，首先在載體襯底3上施加犧牲層。在所示的實施方式中，犧牲層具有平整的表面。

在犧牲層上施加最下層5。此后，例如完全或部分地移除犧牲層。為了移除犧牲層，可以在最下層5中構(gòu)造開口。在最下層5上施加中間層6。通過中間層6可以封閉最下層5中的開口。例如借助于光刻法施加中間層6并由此將其結(jié)構(gòu)化。例如使用灰度掩模。在此情形下，灰度掩模具有不受溶解的極細孔眼。根據(jù)孔眼的構(gòu)型，結(jié)構(gòu)化部分20可以具有或多或少傾斜的邊緣。

最后，在中間層6上施加最上層7。最上層7通過中間層6的結(jié)構(gòu)化部分獲得其結(jié)構(gòu)化部分20，以便形成互補的結(jié)構(gòu)化部分21。

圖2示出覆蓋物1的另一種實施方式。在該圖中，覆蓋物1也包括三個層5、6、7。然而，與圖1A的實施方式相比，從外部無法看出結(jié)構(gòu)化部分20。

中間層6在其上側(cè)18具有帶凸部8或凹部10的結(jié)構(gòu)化部分20。結(jié)構(gòu)化部分20呈鋸齒形構(gòu)造。最上層6的下側(cè)被構(gòu)造成與上側(cè)18互補，即同樣具有鋸齒形的結(jié)構(gòu)化部分。

由最上層7的上側(cè)構(gòu)成的覆蓋物1的上側(cè)13呈平整構(gòu)造。特別地，在上側(cè)13不存在凸部或凹部。例如，如此施加最上層7，使得中間層6中的凹部完全被最上層7的材料填充?？梢赃€額外從外部將最上層7整平。

還能夠使圖1A和圖2的覆蓋物的特征相結(jié)合。例如，可能存在根據(jù)圖1A的覆蓋物1的一個或多個層5、6、7中的波浪形結(jié)構(gòu)化部分，其中覆蓋物1的上側(cè)13如圖2那樣呈平整構(gòu)造。另一方面，也可能存在根據(jù)圖2的鋸齒形結(jié)構(gòu)化部分20，并且在上側(cè)13構(gòu)造互補的結(jié)構(gòu)化部分21。結(jié)構(gòu)化部分20也可以在中間層6中呈鋸齒形構(gòu)造并且在上側(cè)13過渡成波浪形結(jié)構(gòu)化部分21。

圖3示出覆蓋物1的又一種實施方式。在該圖中，覆蓋物1的上側(cè)13和下側(cè)14也呈平整構(gòu)造。該實施方式與圖2的實施方式的區(qū)別在于中間層6的結(jié)構(gòu)化部分的形狀。

中間層6具有截面呈梯形的微長凸部8。梯形的底面長于其對邊。在另一種實施方式中，底面也可能比對邊更短或者與其等長。

在凸部8之間構(gòu)造凹部10。凹部10形成中間層6的凹陷處并且到達至最下層5。有鑒于此，中間層6的凸部9并不彼此相連。凹部10被最上層7的材料完全填滿。

圖4示出覆蓋物1的還一種實施方式。有別于圖1A至圖3中所示的實施方式，覆蓋物的下側(cè)14具有結(jié)構(gòu)化部分19。特別地，在下側(cè)14上存在凸部15和凹部16。結(jié)構(gòu)化部分19呈波浪形構(gòu)造。然而，也可能存在其他形狀的結(jié)構(gòu)化部分。下側(cè)14的結(jié)構(gòu)化部分19例如通過在上側(cè)結(jié)構(gòu)化的犧牲層來產(chǎn)生。最下層5由此獲得互補的結(jié)構(gòu)化部分19。中間層同樣在其下側(cè)17及其上側(cè)18獲得互補的結(jié)構(gòu)化部分22、20。覆蓋物1的上側(cè)13同樣以互補的方式來結(jié)構(gòu)化，特別是結(jié)構(gòu)化成波浪形。

圖5示出覆蓋物1的另外一種實施方式，其中在覆蓋物1的下側(cè)14存在結(jié)構(gòu)化部分19。有別于圖4，覆蓋物1的上側(cè)13呈平整構(gòu)造。

中間層6僅在其下側(cè)17具有結(jié)構(gòu)化部分22。中間層6的上側(cè)18呈平整構(gòu)造。最上層7的幾何形狀與中間層6的上側(cè)18的幾何形狀互補。特別地，最上層7不具有結(jié)構(gòu)化部分并由此在其上側(cè)和下側(cè)呈平整構(gòu)造。覆蓋物的上側(cè)13的幾何形狀由此與中間層6的上側(cè)18的幾何形狀互補。

在另一種實施方式中，中間層6的上側(cè)18可以類似于圖2和圖3的實施方式而同樣具有結(jié)構(gòu)化部分。最上層7可以具有完全填滿的凹部以及平整的表面，以致覆蓋物1的上側(cè)13呈平整構(gòu)造。

在另一種實施方式中，覆蓋物的不同層5、6、7可以具有不同的結(jié)構(gòu)化部分。例如，最下層5在其下側(cè)14具有結(jié)構(gòu)化部分19，其中微長的凸部在第一方向上延伸。最上層7例如在其上側(cè)13具有結(jié)構(gòu)化部分21，其中微長的凸部在第二方向上延伸，該第二方向與第一方向不一致。例如，第二方向與第一方向垂直。

附圖標記清單

1 覆蓋物

2 器件

3 基底

4 空腔

5 最下層

6 中間層

7 最上層

8 凸部

9 凸部

10 凹部

11 凹部

12 方向

13 覆蓋物的上側(cè)

14 覆蓋物的下側(cè)

15 凸部

16 凹部

17 中間層的下側(cè)

18 中間層的上側(cè)

19 覆蓋物下側(cè)的結(jié)構(gòu)化部分

20 中間層上側(cè)的結(jié)構(gòu)化部分

21 覆蓋物上側(cè)的結(jié)構(gòu)化部分

22 中間層下側(cè)的結(jié)構(gòu)化部分

b 凸部的寬度

l 凸部的長度