專利名稱：基于柔性襯底mems技術的腦電圖干電極陣列及其制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及的是一種微機電系統(tǒng)技術領域的電極及其制備方法，具體是一種基于 柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列及其制備方法。
背景技術：
干電極主要用于腦電圖的測量，可替代現(xiàn)有的基于濕電極的有線腦電采集設備。 干電極可直接穿過皮膚角質(zhì)層，克服角質(zhì)層帶來的高阻抗；受環(huán)境制約小，可進行快速、無 痛的腦電信號采集。腦電圖干電極制備技術的發(fā)展，將大大促進腦電技術面向大眾的應用， 從而改善和提高人們的生活水平。干電極要求具有一定的機械強度、生物相容性好、阻抗 小、電極可根據(jù)需要進行排布、容易固定、對外界屏蔽佳等特點。聚酰亞胺以其絕緣性能佳、 生物相容性好、富有柔性等特點被廣泛的應用于生物微電極的封裝材料。經(jīng)過對現(xiàn)有技術的檢索發(fā)現(xiàn)，隋曉紅等人在《傳感技術學報》，2006，19 (5) 1419 中介紹了一種二維可植入式硅微電極的制備方法，采用化學氣相沉積在(100)硅襯底上生 長SiO2作為針主體，用鈦/金作探針、金屬連線及焊點，最后用鄰苯二酚-乙二胺-水(EPW) 濕法刻蝕硅以釋放器件。腐蝕液EPW有毒，不利于器件的生物相容性；以SiO2作為針主體 的電極較脆，容易折斷，且表面不光滑，只適宜短期植入的急性實驗。Choi JW 等在 SICE-ICASE International Joint Conference 2006，Oct. 18-21， 2006 in Bexco, Busan, Korea 3678中報道了一種立體微針的制備方法，采用數(shù)字微鏡 (DMD, digitalMicromirror Device)進行基于像素的不等時曝光，從而達到立體光刻的效 果，制備了尖銳程度不同的微針陣列。該工藝的效率較低，無法實現(xiàn)量產(chǎn)。Lin CT 等人在 Proceedings of the IEEE, 2008,96 (7) :1167 中采用硬掩膜對硅 進行各向同性刻蝕來制作電極針尖，再用各向異性刻蝕制作電極的支柱部分，除去掩膜后 在電極表面沉積金屬。以這種方法制備的立體電極的針底部尺寸較小，且硅作為主體的電 極較易折斷；另外，直接制備的立體干電極沒有相應的接插器，而使用傳統(tǒng)焊接的方法容易 產(chǎn)生虛焊，且焊點處牢度有限，使電極無法很好地與后續(xù)的相應設備進行連接。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術存在的上述不足，提供一種基于柔性襯底MEMS技術的腦電 圖干電極陣列及其制備方法，制備所得電極具有器件能夠自釋放、工藝簡單、成品率高、生 物相容性好、屏蔽佳等優(yōu)點。本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的本發(fā)明涉及一種基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，包括 以下步驟第一步、在經(jīng)過處理的基片表面涂覆黏附層，再在黏附層上濺射第一金屬種子層。所述的基片是指玻璃或者硅基片。
所述的黏附層是指厚度為50-200 μ m的聚二甲基硅氧烷。所述的第一金屬種子層是指厚度為50-200nm的鉻/銅金屬。第二步、在第一金屬種子層上涂覆正膠，再依次以光刻法和電鑄法制得金屬犧牲 層后，依次去除光刻膠和第一金屬種子層至露出黏附層。所述的金屬犧牲層的厚度為20-50 μ m。第三步、在金屬犧牲層和露出的黏附層上涂覆聚酰亞胺酸，經(jīng)熱固化處理制成柔 性襯底第一聚酰亞胺層，再通過拋光機打磨第一聚酰亞胺層至露出金屬犧牲層。所述的第一聚酰亞胺層比金屬犧牲層高1-5 μ m。第四步、在第一聚酰亞胺層上濺射第二金屬種子層，然后在其上涂覆正膠，通過光 刻法和電鑄法制備得到金屬電極微針及電路層后，依次去除光刻膠和第二金屬種子層，露 出第一聚酰亞胺層和金屬犧牲層。所述的第二金屬種子層是指厚度為50-200nm的鉻/銅金屬。所述的金屬電極微針及電路層的厚度為28-70 μ m，線寬為50-200 μ m,微針長度 為200-500 μ m，針尖比例為1 1至1 2。第五步、在金屬電極微針及電路層、露出的第一聚酰亞胺層和金屬犧牲層上涂覆 聚酰亞胺酸，經(jīng)前烘處理后，涂覆正膠，通過光刻法與顯影液刻蝕聚酰亞胺酸對其進行圖形 化，去除全部光刻膠，熱固化處理制成第二聚酰亞胺層。所述的第二聚酰亞胺層的厚度為5-20 μ m，該第二聚酰亞胺層的形狀與第一聚酰 亞胺層相同。所述的熱固化處理是指采用80°c、ll(rc、15(rc、27(rc的階梯升溫法進行加熱 固化。第六步、去除金屬犧牲層以及金屬犧牲層下的第一金屬種子層，實現(xiàn)第一聚酰亞 胺層的圖形化以及電極微針懸臂梁結構的釋放。第七步、通過電鍍法將電極微針表面鍍上惰性金屬保護層，將片子置于無水乙醇 中使聚二甲基硅氧烷黏附層溶脹，表面失去活性，將器件從基片上剝離，制得基于柔性襯底 MEMS技術的腦電圖干電極。所述的惰性金屬保護層厚度為0. 5-1. 5 μ m。第八步、將釋放后的腦電圖干電極經(jīng)過多層組裝至夾具后兩端采用螺絲固定，制 得基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列。所述的多層是指4-10層。所述的夾具為組合式結構或整體式結構，該夾具與電極的貼合面形狀與第一聚酰 亞胺層相同。所述的螺絲是指直徑為1. 5-2. 5mm的尼龍螺絲。本發(fā)明涉及上述方法制備得到的腦電圖干電極陣列，包括固定夾具以及固定于 內(nèi)的若干層腦電圖干電極，該腦電圖干電極包括金屬電極微針及電路層以及位于其兩側 的第二金屬種子層和第二聚酰亞胺層，金屬電極微針表面包覆惰性金屬層，第一聚酰亞胺 層是腦電圖干電極的柔性襯底。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比的優(yōu)點在于(1)利用了拋光機打磨、光刻、電鑄的方法進 行柔性襯底圖形化，工藝簡單，成品率高；(2)電極的位置可根據(jù)應用要求改變其排列；(3)采用金屬作為電極主體，機械強度高、阻抗??；(4)采用金屬犧牲層工藝實現(xiàn)柔性襯底圖形 化，柔性襯底圖形化質(zhì)量高；(5)采用聚酰亞胺和金等生物相容性材料，生物相容性好；(6) 采用電極的多層組裝并使用夾具固定，制成電極的立體陣列，容易固定且屏蔽佳。


圖1為本發(fā)明工藝流程圖；其中1基片、2黏附層、3第一金屬種子層、4金屬犧牲層、5第一聚酰亞胺層、6第 二金屬種子層、7金屬電極微針及電路層、8第二聚酰亞胺層、9惰性金屬層、10夾具、11固定 螺絲。圖2為實施例電極截面圖；其中5第一聚酰亞胺層、6第二金屬種子層、7金屬電極微針及電路層、8第二聚酰 亞胺層、9惰性金屬層、10夾具、11固定螺絲。
具體實施例方式下面對本發(fā)明的實施例作詳細說明，本實施例在以本發(fā)明技術方案為前提下進行 實施，給出了詳細的實施方式和具體的操作過程，但本發(fā)明的保護范圍不限于下述的實施 例。實施例1腦電圖干電極陣列結構參數(shù)玻璃基片，聚二甲基硅氧烷黏附層厚度50 μ m，生物 微電極總厚度55 μ m,鎳電極微針和電路層厚度28 μ m，線寬50 μ m，微針長度200 μ m,針尖 比例1 1，金保護層厚度0.5μπι，采用10層組裝，夾具為組合式，尼龍螺絲直徑為1.5mm。如圖1所示，本實施例制備過程如下(1)基片處理及聚二甲基硅氧烷黏附層的制備采用厚度為2mm的玻璃片為基片1，首先進行基片處理用碳酸鈣粉末、丙酮、酒精 和去離子水超聲清洗干凈，在180°C烘箱中烘干3小時。然后在基片上涂覆厚度為50 μ m厚 的聚二甲基硅氧烷黏附層2，轉速為2000rpm，在260°C真空爐下進行2小時固化。隨后在聚 二甲基硅氧烷黏附層2上濺射50nm的第一鉻/銅金屬種子層3。(2)金屬犧牲層的制備在第一鉻/銅金屬種子層3上涂覆厚度為20 μ m的正膠AZ4903，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為180秒，顯影時間為170秒，電鑄厚度20 μ m的銅金 屬犧牲層4，用丙酮去除光刻膠，先后采用氨水、雙氧水混合溶液和高錳酸鉀、氫氧化鈉混合 溶液去除第一鉻/銅金屬種子層3。(3)第一聚酰亞胺層的制備在銅金屬犧牲層4和露出的聚二甲基硅氧烷黏附層2上涂覆厚度為25 μ m的聚酰 亞胺酸，轉速為1500rpm，采用階梯升溫法(80°C -110°C -150°C -270°C )熱固化處理制 成柔性襯底第一聚酰亞胺層5。用拋光機打磨第一聚酰亞胺層5至露出銅金屬犧牲層4。(4)金屬電極微針及電路層的制備在第一聚酰亞胺層5上濺射50nm的第二鉻/銅金屬種子層6，然后在其上涂覆 30口111厚的正膠424903，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為230秒，顯影時間為240秒，電鑄厚度28 μ m、線寬50 μ m的鎳金屬電極微針及電路層7，微針長度 200μπι，針尖比例1 1。用丙酮去除光刻膠，先后采用氨水、雙氧水混合溶液和高錳酸鉀、 氫氧化鈉混合溶液去除第二鉻/銅金屬種子層6，露出第一聚酰亞胺層5和銅金屬犧牲層 4。(5)第二聚酰亞胺層的制備在鎳金屬電極微針及電路層7、露出的第一聚酰亞胺層5和銅金屬犧牲層4上涂覆 厚度為5 μ m的聚酰亞胺酸，轉速為3000rpm，在135°C烘箱中前烘30分鐘。涂覆5 μ m厚的 正膠AZ4620，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為90秒，顯影時間為240 秒(因樣品底部不平，需增加曝光時間，采用顯影液刻蝕聚酰亞胺酸，需增加顯影時間)。用 丙酮去除光刻膠，采用階梯升溫法(80°C -IlO0C -150°C -270°C )熱固化處理制成第二 聚酰亞胺層8。(6)金屬犧牲層的去除用氨水、雙氧水混合溶液去除銅金屬犧牲層4，高錳酸鉀、氫氧化鈉混合溶液去除 銅金屬犧牲層4下方的第一鉻/銅金屬種子層3中的鉻，實現(xiàn)第一聚酰亞胺層的圖形化以 及電極微針懸臂梁結構的釋放。(7)惰性金屬保護層的制備及器件剝離使用脈沖電流電鍍厚度0. 5 μ m的金保護層9，將片子置于無水乙醇中使聚二甲基 硅氧烷黏附層2溶脹，表面失去活性，然后將器件從基片上剝離，制得基于柔性襯底MEMS技 術的腦電圖干電極。(8)器件的多層組裝將10片釋放后的器件疊加，組裝于組合式夾具10內(nèi)，用直徑1. 5mm的尼龍螺絲11 固定，制得基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列。實施例2生物微電極陣列結構參數(shù)玻璃基片，聚二甲基硅氧烷黏附層厚度200 μ m，生物 微電極總厚度100 μ m,鎳電極微針和電路層厚度48 μ m，線寬100 μ m,微針長度300 μ m，針 尖比例1 1.5，金保護層厚度1 μ m，采用8層組裝，夾具為整體式，尼龍螺絲直徑為2mm。如圖1所示，本實施例制備過程如下(1)基片處理及聚二甲基硅氧烷黏附層的制備采用厚度為2mm的玻璃片為基片1，首先進行基片處理用碳酸鈣粉末、丙酮、酒精 和去離子水超聲清洗干凈，在180°C烘箱中烘干3小時。然后在基片上涂覆厚度為200 μ m 厚的聚二甲基硅氧烷黏附層2，轉速為600rpm，在260°C真空爐下進行2小時固化。隨后在 聚二甲基硅氧烷黏附層2上濺射IOOnm的第一鉻/銅金屬種子層3。(2)第一金屬犧牲層的制備在第一鉻/銅金屬種子層3上涂覆厚度為40 μ m的正膠AZ50XT，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為350秒，顯影時間為750秒，電鑄厚度40 μ m的銅金 屬犧牲層4，用丙酮去除光刻膠，先后采用氨水、雙氧水混合溶液和高錳酸鉀、氫氧化鈉混合 溶液去除第一鉻/銅金屬種子層3。(3)第一聚酰亞胺層的制備在銅金屬犧牲層4和露出的聚二甲基硅氧烷黏附層2上涂覆厚度為45 μ m的聚酰亞胺酸，轉速為900rpm，采用階梯升溫法(80°C -110°C -150°C -270°C )熱固化處理制成 柔性襯底第一聚酰亞胺層5。用拋光機打磨第一聚酰亞胺層5至露出銅金屬犧牲層4。(4)金屬電極微針及電路層的制備在第一聚酰亞胺層5上濺射IOOnm的第二鉻/銅金屬種子層6，然后在其上涂覆 50 μ m厚的正膠AZ50XT，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為450秒，顯 影時間為800秒，電鑄厚度48 μ m、線寬100 μ m的鎳金屬電極微針及電路層7，微針長度 300μπι，針尖比例1 1.5。用丙酮去除光刻膠，先后采用氨水、雙氧水混合溶液和高錳酸 鉀、氫氧化鈉混合溶液去除第二鉻/銅金屬種子層6，露出第一聚酰亞胺層5和銅金屬犧牲 層4。(5)第二聚酰亞胺層的制備在鎳金屬電極微針及電路層7、露出的第一聚酰亞胺層5和銅金屬犧牲層4上涂 覆厚度為IOym的聚酰亞胺酸，轉速為2500rpm，在135°C烘箱中前烘30分鐘。涂覆10 μ m 厚的正膠AZ4903，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為160秒，顯影時間 為300秒(因樣品底部不平，需增加曝光時間，采用顯影液刻蝕聚酰亞胺酸，需增加顯影時 間)。用丙酮去除光刻膠，采用階梯升溫法(80°C -IlO0C -150°C -270°C )熱固化形處理 制成成第二聚酰亞胺層8。(6)金屬犧牲層的去除用氨水、雙氧水混合溶液去除銅金屬犧牲層4，高錳酸鉀、氫氧化鈉混合溶液去除 銅金屬犧牲層4下方的第一鉻/銅金屬種子層3中的鉻，實現(xiàn)第一聚酰亞胺層的圖形化以 及電極微針懸臂梁結構的釋放。(7)惰性金屬保護層的制備及器件剝離使用脈沖電流電鍍厚度1 μ m的金保護層9，將片子置于無水乙醇中使聚二甲基硅 氧烷黏附層2溶脹，表面失去活性，然后將器件從基片上剝離，制得基于柔性襯底MEMS技術 的腦電圖干電極。(8)器件的多層組裝將8片釋放后的器件疊加，組裝于整體式夾具10內(nèi)，用直徑2mm的尼龍螺絲11固 定，制得基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列。實施例3生物微電極陣列結構參數(shù)硅基片，聚二甲基硅氧烷黏附層厚度ΙΟΟμπι，生物微 電極總厚度120 μ m，鎳電極微針和電路層厚度68 μ m，線寬200 μ m,微針長度500 μ m,針尖 比例1 2，金保護層1.5 μ m，采用4層組裝，夾具為組合式，尼龍螺絲直徑為2. 5mm。如圖1所示，本實施例制備過程如下(1)基片處理及聚二甲基硅氧烷黏附層的制備采用厚度為0. 5mm的硅片為基片1，首先進行基片處理用去離子水超聲清洗干 凈，在180°C烘箱中烘干3小時。然后在基片上涂覆厚度為IOOym厚的聚二甲基硅氧烷黏 附層2，轉速為IOOOrpm，在260°C真空爐下進行2小時固化。隨后在聚二甲基硅氧烷黏附層 2上濺射200nm的第一鉻/銅金屬種子層3。(2)第一金屬犧牲層的制備在第一鉻/銅金屬種子層3上涂覆厚度為50 μ m的正膠AZ50XT，采用德國KarlSuss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為450秒，顯影時間為800秒，電鑄厚度50 μ m的銅金 屬犧牲層4，用丙酮去除光刻膠，先后采用氨水、雙氧水混合溶液和高錳酸鉀、氫氧化鈉混合 溶液去除第一鉻/銅金屬種子層3。(3)第一聚酰亞胺層的制備在銅金屬犧牲層4和露出的聚二甲基硅氧烷黏附層2上涂覆厚度為55 μ m的聚酰 亞胺酸，轉速為700rpm，采用階梯升溫法(80°C -110°C -150°C -270°C )熱固化處理制成 柔性襯底第一聚酰亞胺層5。用拋光機打磨第一聚酰亞胺層5至露出銅金屬犧牲層4。(4)金屬電極微針及電路層的制備在第一聚酰亞胺層5上濺射200nm的第二鉻/銅金屬種子層6，然后在其上涂覆 70 μ m厚的正膠AZ50XT，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為500秒，顯 影時間為900秒，電鑄厚度68 μ m、線寬200 μ m的鎳金屬電極微針及電路層7，微針長度 500μπι，針尖比例1 2。用丙酮去除光刻膠，先后采用氨水、雙氧水混合溶液和高錳酸鉀、 氫氧化鈉混合溶液去除第二鉻/銅金屬種子層6，露出第一聚酰亞胺層5和銅金屬犧牲層 4。(5)第二聚酰亞胺層的制備在鎳金屬電極微針及電路層7、露出的第一聚酰亞胺層5和銅金屬犧牲層4上涂 覆厚度為20 μ m的聚酰亞胺酸，轉速為2000rpm，在135°C烘箱中前烘30分鐘。涂覆15 μ m 厚的正膠AZ4903，采用德國Karl Suss公司MA6光刻機曝光，曝光時間為230秒，顯影時間 為480秒(因樣品底部不平，需增加曝光時間，采用顯影液刻蝕聚酰亞胺酸，需增加顯影時 間)。用丙酮去除光刻膠，采用階梯升溫法(80°C -IlO0C -150°C -270°C )熱固化處理制 成第二聚酰亞胺層8。(6)金屬犧牲層的去除用氨水、雙氧水混合溶液去除銅金屬犧牲層4，高錳酸鉀、氫氧化鈉混合溶液去除 銅金屬犧牲層4下方的第一鉻/銅金屬種子層3中的鉻，實現(xiàn)第一聚酰亞胺層的圖形化以 及電極微針懸臂梁結構的釋放。(7)惰性金屬保護層的制備及器件剝離使用脈沖電流電鍍厚度1. 5μπι的金保護層9，將片子置于無水乙醇中使聚二甲基 硅氧烷黏附層2溶脹，表面失去活性，然后將器件從基片上剝離，制得基于柔性襯底MEMS技 術的腦電圖干電極。(8)器件的多層組裝將4片釋放后的器件疊加，組裝于組合式夾具10內(nèi)，用直徑2. 5mm的尼龍螺絲11 固定，制得基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列。
權利要求
一種基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟第一步、在經(jīng)過處理的基片表面涂覆黏附層，再在黏附層上濺射第一金屬種子層；第二步、在第一金屬種子層上涂覆正膠，再依次以光刻法和電鑄法制得金屬犧牲層后，依次去除光刻膠和第一金屬種子層至露出黏附層；第三步、在金屬犧牲層和露出的黏附層上涂覆聚酰亞胺酸，經(jīng)熱固化處理制成襯底第一聚酰亞胺層，再通過拋光機打磨第一聚酰亞胺層至露出金屬犧牲層；第四步、在第一聚酰亞胺層上濺射第二金屬種子層，然后在第二金屬種子層上涂覆正膠，通過光刻法和電鑄法制備得到金屬電極微針及電路層后，依次去除光刻膠和第二金屬種子層至露出第一聚酰亞胺層和金屬犧牲層；第五步、在金屬電極微針及電路層、露出的第一聚酰亞胺層和金屬犧牲層上涂覆聚酰亞胺酸，經(jīng)前烘處理后，涂覆正膠，通過光刻法與顯影液刻蝕聚酰亞胺酸對其進行圖形化，去除全部光刻膠，熱固化處理制成第二聚酰亞胺層；第六步、去除金屬犧牲層，以及金屬犧牲層下的第一金屬種子層，實現(xiàn)第一聚酰亞胺層的圖形化以及電極微針懸臂梁結構的釋放；第七步、通過電鍍法將電極微針表面鍍上惰性金屬保護層，然后將片子置于無水乙醇中使聚二甲基硅氧烷黏附層溶脹，表面失去活性，將器件從基片上剝離，制得基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極；第八步、將釋放后的腦電圖干電極經(jīng)過多層組裝至夾具后兩端采用螺絲固定，制得基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電波干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的基片是指玻璃或者硅基片。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的黏附層是指厚度為50-200 μ m的聚二甲基硅氧烷。
4.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電波干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的第一金屬種子層是指厚度為50-200nm的鉻/銅金屬。
5.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的金屬犧牲層的厚度為20-50 μ m。
6.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的第一聚酰亞胺層比金屬犧牲層高1-5 μ m。
7.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電波干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的第二金屬種子層是指厚度為50-200nm的鉻/銅金屬。
8.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的金屬電極微針及電路層的厚度為28-70μπι，線寬為50-200 μ m，微針長度為 200-500 μ m，針尖比例為1 1至1 2。
9.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其 特征是，所述的第二聚酰亞胺層的厚度為5-20 μ m，該第二聚酰亞胺層的形狀與第一聚酰亞 胺層相同。
10.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法，其特征是，所述的熱固化處理是指采用80°C、110°C、15(TC、27(rC的階梯升溫法進行加熱 固化。
11.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法， 其特征是，所述的惰性金屬保護層厚度為0. 5-1. 5 μ m。
12.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法， 其特征是，所述的多層是指4-10層。
13.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法， 其特征是，所述的夾具為組合式結構或整體式結構，該夾具與電極的貼合面形狀與第一聚 酰亞胺層相同。
14.根據(jù)權利要求1所述的基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列的制備方法， 其特征是，所述的螺絲是指直徑為1. 5-2. 5mm的尼龍螺絲。
15.一種根據(jù)上述任一權利要求所述方法制備得到的基于柔性襯底MEMS技術的腦電 圖干電極陣列，其特征在于，包括固定夾具以及固定于內(nèi)的若干層腦電圖干電極，該腦電 圖干電極包括金屬電極微針及電路層以及位于其兩側的第二金屬種子層和第二聚酰亞胺 層，金屬電極微針表面包覆惰性金屬層，第一聚酰亞胺層是腦電圖干電極的柔性襯底。
全文摘要
一種微機電技術領域的一種基于柔性襯底MEMS技術的腦電圖干電極陣列及其制備方法，其電極陣列包括固定夾具以及固定于內(nèi)的若干層腦電圖干電極，該腦電圖干電極包括金屬電極微針及電路層以及位于其兩側的第二金屬種子層和第二聚酰亞胺層，金屬電極微針表面包覆惰性金屬層，第一聚酰亞胺層是腦電圖干電極的柔性襯底。本發(fā)明工藝簡單，成品率高；電極的位置可根據(jù)應用要求改變其排列；采用金屬作為電極主體，機械強度高、阻抗小，柔性襯底圖形化質(zhì)量高，生物相容性好；采用電極的多層組裝并使用夾具固定，制成電極的立體陣列，容易固定且屏蔽佳。
文檔編號B81C1/00GK101973508SQ20101028460
公開日2011年2月16日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權日2010年9月17日
發(fā)明者吳澄, 胡銳軍, 陳景東, 陳翔, 陳迪 申請人:上海交通大學