本公開總體上涉及加工磁性材料的領(lǐng)域，并且更具體地，涉及用于磁化干燥、破碎的礦石以提高某些礦物的分離的效率的方法和設(shè)備。本公開涉及磁化設(shè)備的設(shè)計(jì)以及用于優(yōu)化該設(shè)備在分離某些破碎的顆粒礦石材料(諸如鐵礦石)中的性能的方法。

背景技術(shù)：

1、用于礦物加工的磁選機(jī)落入三個(gè)基本類別：低強(qiáng)度、中強(qiáng)度和高強(qiáng)度，該評(píng)級(jí)基于采用的相對(duì)磁場(chǎng)強(qiáng)度。以下磁選機(jī)是通常使用的：whims(濕式高強(qiáng)度磁選機(jī))和lims(濕式/干式低強(qiáng)度磁力組磁鼓)。

2、在每種情況下，各種礦石礦物的磁性差異(也稱為它們的磁化率)將決定其對(duì)暴露于磁場(chǎng)的響應(yīng)。

3、磁分離可以用于從非磁性脈石中分離有價(jià)值的鐵磁性礦物(例如，從石英中分離磁鐵礦(具有高磁化率))。其他鐵磁性礦物包括那些含有鐵、鎳和鈷的礦物。該工藝還可以用于從其他有價(jià)值的礦物中去除磁性污染物。

4、其他材料的磁化率可以被劃分為兩組。順磁性材料被吸引到磁場(chǎng)，并且那些被磁場(chǎng)排斥的材料被稱為抗磁性材料。具有商業(yè)價(jià)值的順磁性礦物包括鈦鐵礦、菱鐵礦、鉻鐵礦、赤鐵礦、黑鎢礦、金紅石。

5、已知的磁選機(jī)可以以干式或濕式操作。目前可用的磁性分類設(shè)備通常需要預(yù)先將原礦礦物礦體破碎至負(fù)100μm的顆粒最大尺寸，這可能涉及生產(chǎn)濕漿料，并且如果干燥的顆粒礦石被傳遞到磁性分級(jí)設(shè)備，則可能需要引入空氣。

6、雖然破碎的進(jìn)料礦石材料對(duì)于磁選機(jī)的使用至關(guān)重要，但大多數(shù)破碎機(jī)對(duì)哪些顆粒被破碎的控制很少或者沒有。趨勢(shì)是過(guò)度研磨、然后使用后設(shè)備分級(jí)裝置(諸如，篩分機(jī)或旋風(fēng)分離器或空氣分級(jí)機(jī))引導(dǎo)某些顆粒繼續(xù)進(jìn)行進(jìn)一步加工以及引導(dǎo)那些需要回收的顆粒移動(dòng)回上游以進(jìn)一步破壞。以這種方式進(jìn)行的破碎不可避免地導(dǎo)致大部分材料過(guò)度研磨至實(shí)際上低于有效釋放有價(jià)值的礦物所需的最小的產(chǎn)品最大尺寸的顆粒尺寸，成本高昂。

7、特別是那些將顆粒懸浮在空氣或水中的尺寸分類器經(jīng)受“密度選擇”以及顆粒尺寸選擇，導(dǎo)致密度較高的相(諸如，高密度磁鐵礦礦物)進(jìn)一步過(guò)度研磨并且較低密度的相研磨不足。結(jié)果，在過(guò)度研磨材料上浪費(fèi)了相當(dāng)大的能量，導(dǎo)致比達(dá)到所需釋放尺寸所需的更高的能源使用方面的成本。

8、能夠提供一種改善的磁分離設(shè)備和方法將是有用的，該磁分離設(shè)備和方法可以使用相對(duì)粗顆粒的進(jìn)料材料流有效地操作，并且因此避免需要在選磁器的上游過(guò)度研磨源進(jìn)料材料。反過(guò)來(lái)，這可以意味著干式材料處理工藝是可能的。避免過(guò)度研磨可以降低與破碎、研磨和銑削相關(guān)的操作成本，并且還可以最大限度地減少下游系統(tǒng)的處理濕漿料形式的細(xì)微尺寸的進(jìn)料材料(需要泵和其他漿料處理設(shè)備，以增加的操作成本)或者替代性地使用氣流傳送干燥的、細(xì)微尺寸的進(jìn)料材料(這自然產(chǎn)生灰塵、增加進(jìn)料損失、并且操作起來(lái)昂貴)的需求。

9、能夠提供一種改善的磁分離設(shè)備和方法將是有用的，該磁分離設(shè)備和方法可以有效地操作以回收顆粒進(jìn)料材料流中可能存在的大部分有價(jià)值的鐵磁性和順磁性材料，并且盡可能干凈地與抗磁性污染物分離，同時(shí)使用在不過(guò)度研磨的情況下實(shí)現(xiàn)礦物“釋放”的顆粒尺寸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在第一方面，公開了一種布置成在至少部分可磁化的干燥顆粒進(jìn)料材料的流動(dòng)流中感應(yīng)磁性以便實(shí)現(xiàn)其后續(xù)顆粒分類的裝置的實(shí)施例，在使用中，流動(dòng)流進(jìn)料到靠近所述磁感應(yīng)設(shè)備定位的干燥分離臺(tái)中，該設(shè)備包括：

2、-具有入口和出口的處理室，所述流動(dòng)流分別通過(guò)該入口和該出口進(jìn)入和離開處理室；以及

3、-多個(gè)間隔開的磁源，其鄰近于處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者定位并且能夠沿處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者的長(zhǎng)度可移動(dòng)地移位，使得在所述移動(dòng)期間，來(lái)自上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域中的每一個(gè)的相應(yīng)的磁源形成一對(duì)磁源，該一對(duì)磁源以彼此相對(duì)的關(guān)系對(duì)齊，并且在橫向空間上相對(duì)于彼此分開設(shè)置，在使用中，所述磁源對(duì)中的每一對(duì)產(chǎn)生局部磁感應(yīng)場(chǎng)區(qū)；以及

4、-處理室的所述上側(cè)區(qū)域和處理室的所述下側(cè)區(qū)域，處理室的所述上側(cè)區(qū)域由至少一個(gè)可移動(dòng)的第一表面元件限定，第一表面元件被配置成在使用中在定位在其上方的所述間隔開的磁源的面上方移動(dòng)，處理室的所述下側(cè)區(qū)域由至少一個(gè)可移動(dòng)的第二表面元件限定，第二表面元件被配置成在使用中在定位在其下方的間隔開的磁源的面上方移動(dòng)；

5、其中，在該設(shè)備的操作期間：

6、-第二表面元件將干燥顆粒的流動(dòng)流經(jīng)由入口運(yùn)送到處理室中；并且

7、-一旦進(jìn)入處理室，第一表面元件的相對(duì)于室的上側(cè)區(qū)域處的磁源的相對(duì)運(yùn)動(dòng)速率大于第二表面元件的相對(duì)于室的下側(cè)區(qū)域處的磁源的相對(duì)運(yùn)動(dòng)速率，從而由于顆粒進(jìn)料材料與第二表面元件的物理分離而在處理室內(nèi)產(chǎn)生空氣-顆粒流化和攪動(dòng)的區(qū)域；并且

8、-暴露于由所述相應(yīng)的磁源對(duì)產(chǎn)生的所述局部磁感應(yīng)場(chǎng)區(qū)期間的空氣-顆粒流化和攪動(dòng)的組合效應(yīng)導(dǎo)致所述顆?；谒鼈兊膶?duì)磁感應(yīng)的敏感性進(jìn)行物理分類，使得：

9、-由于對(duì)定位在處理室的上側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的優(yōu)先吸引，對(duì)磁化具有高敏感性的進(jìn)料材料部分被保留在第一表面元件處；

10、-在處理室中的定位在間隔開的磁源對(duì)之間的低磁場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域中，對(duì)磁化具有中敏感性的進(jìn)料材料部分被定位在處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者處的間隔開的磁源對(duì)排斥，最終被保留在第二表面元件處；并且

11、-在鄰近定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的區(qū)域中，對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分被吸引到定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源，而且由于定位在處理室的上側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的排斥，對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分最終被保留在第二表面元件處。

12、在一些實(shí)施例中，鄰近于處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域定位的多個(gè)間隔開的磁源在使用中能夠沿相同方向可移動(dòng)地移位。在其的一種形式中，一排上側(cè)磁體和下側(cè)磁體的移動(dòng)的軸向方向基本上相同，使得包括間隔開的磁體對(duì)的磁體在至少部分彼此面對(duì)對(duì)齊的同時(shí)移動(dòng)，以沿相同的線性方向從處理室的一端行進(jìn)到另一端。

13、在另一些形式中，間隔開的磁體對(duì)可以以至少部分彼此面對(duì)對(duì)齊的方式移動(dòng)，但是雖然一排上側(cè)磁體和下側(cè)磁體的移動(dòng)的軸向方向基本上是線性的，但是這些軸向方向可以彼此成角度定向，以產(chǎn)生其他形式的局部磁感應(yīng)場(chǎng)區(qū)。

14、在一些實(shí)施例中，每對(duì)磁源在橫向空間上相對(duì)于彼此分開預(yù)定距離設(shè)置。在其的一種形式中，當(dāng)兩排磁體各自沿平行平面表面移動(dòng)時(shí)，磁體對(duì)的相對(duì)端面之間的相等的橫向空間距離適用于處理室的整個(gè)長(zhǎng)度。這些磁體對(duì)之間的預(yù)定的橫向距離根據(jù)待處理的顆粒物質(zhì)來(lái)選擇，以在相對(duì)的磁體之間提供期望水平的磁場(chǎng)強(qiáng)度，以及在相鄰的磁體對(duì)沿處理室的長(zhǎng)度移動(dòng)時(shí)在相鄰的磁體對(duì)之間的空間中提供足夠的(但不是完全的)磁場(chǎng)強(qiáng)度降低。

15、在一些其他形式中，兩排磁體的面(以及穿過(guò)其移動(dòng)的第一表面元件和第二表面元件的相對(duì)位置)可以布置成在處理室的長(zhǎng)度上如果需要的話彼此稍微偏離，例如，如果在使用中在面向處理室的上支撐元件和下支撐元件的相對(duì)表面上可能出現(xiàn)沉積的磁化材料的大量堆積。實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的一種方式是，將磁體對(duì)布置成當(dāng)移動(dòng)穿過(guò)處理室的長(zhǎng)度時(shí)，它們的相對(duì)端面逐漸彼此分離，例如，通過(guò)將相對(duì)磁體對(duì)中的一個(gè)或兩個(gè)布置成逐漸凹進(jìn)它們的各自的安裝件中。

16、在這種布置的一個(gè)示例中，處理室的上側(cè)和下側(cè)上的磁體仍然至少部分地彼此面對(duì)對(duì)齊，并且沿相同的線性方向行進(jìn)。然而，雖然一排上側(cè)磁體和下側(cè)磁體的移動(dòng)的軸向方向基本上是線性的，但是移動(dòng)穿過(guò)定位在磁體的相應(yīng)上側(cè)和下側(cè)上的磁體的所述傾斜上面的支撐構(gòu)件的軸向方向可以相對(duì)于彼此處于發(fā)散的、成角度的取向。

17、在一些實(shí)施例中，鄰近于處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者定位的多個(gè)間隔開的磁源分別可操作地共面，同時(shí)在橫向空間上相對(duì)于彼此在其間分開單個(gè)預(yù)定距離設(shè)置。

18、在其的一個(gè)例示性形式中，當(dāng)兩排磁體各自沿平行平面表面移動(dòng)時(shí)，磁體對(duì)的相對(duì)端面之間的橫向空間距離在處理室的整個(gè)長(zhǎng)度上可以是約50毫米。

19、在其的另一例示性形式中，磁體對(duì)的相對(duì)端面之間的橫向空間距離在處理室的整個(gè)長(zhǎng)度上可以是約20毫米。

20、在一些實(shí)施例中，多個(gè)間隔開的磁源連接到相應(yīng)的可移動(dòng)支撐元件，可移動(dòng)支撐元件在使用中能夠通過(guò)相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)操作以沿處理室的上側(cè)區(qū)域和/或下側(cè)區(qū)域的長(zhǎng)度移動(dòng)磁源，其中可移動(dòng)支撐元件和相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接到框架，該框架相對(duì)于處理室以固定關(guān)系設(shè)置。

21、在其的一種形式中，可移動(dòng)支撐元件中的至少一個(gè)在使用中能夠通過(guò)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可操作地移動(dòng)，以在使用中調(diào)節(jié)在處理室處相對(duì)于彼此以相對(duì)關(guān)系對(duì)齊的磁源之間的橫向空間距離，以在使用中降低其間的局部磁場(chǎng)區(qū)的強(qiáng)度。例如，使用該調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)來(lái)改變對(duì)齊的磁源對(duì)之間的橫向空間距離可以通過(guò)將定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的磁源的相對(duì)位置降低30毫米來(lái)實(shí)現(xiàn)，從而將磁體排之間的預(yù)定的橫向空間距離例如從20毫米擴(kuò)大到50毫米。降低定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的磁源的位置實(shí)際上意味著相對(duì)于框架向下調(diào)整它們的可移動(dòng)支撐元件的位置。

22、在其它實(shí)施例中，改變對(duì)齊的磁源對(duì)之間的橫向空間距離也可以通過(guò)降低定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的磁源的相對(duì)位置，結(jié)合升高定位在處理室的上側(cè)區(qū)域處的磁源的位置來(lái)實(shí)現(xiàn)，或者作為另一種替代方案，僅升高定位在處理室的上側(cè)區(qū)域處的磁源的位置。這兩種選擇都將導(dǎo)致磁體排之間的預(yù)定的橫向空間距離從例如其間的例示性的20毫米間隙擴(kuò)大到例如例示性的50毫米間隙。

23、當(dāng)然，在使用中需要增加在處理室處相對(duì)于彼此以相對(duì)關(guān)系對(duì)齊的磁源之間的局部磁場(chǎng)區(qū)的強(qiáng)度的情況下，應(yīng)用相反的動(dòng)作，其中，可移動(dòng)支撐元件中的一個(gè)或另一個(gè)或兩個(gè)可以通過(guò)使用其各自的調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可操作地移動(dòng)，以減小其間的橫向空間距離。

24、用于實(shí)現(xiàn)在處理室處相對(duì)于彼此以相對(duì)關(guān)系對(duì)齊的每個(gè)磁源對(duì)之間的局部磁場(chǎng)區(qū)的強(qiáng)度降低的替代性的方式是相對(duì)于第二表面元件的位置重新設(shè)置可移動(dòng)支撐元件。在一些實(shí)施例中，處理室的下側(cè)區(qū)域由可移動(dòng)的第二表面元件限定，該可移動(dòng)的第二表面元件被配置成在使用時(shí)在定位在其正下方的間隔開的磁源的面上方移動(dòng)并由它們支撐。在許多實(shí)施例中，在可移動(dòng)的第二表面元件與間隔開的磁源的相鄰面之間僅存在小的橫向距離。

25、然而，在一些其它實(shí)施例中，用于沿處理室的下側(cè)區(qū)域的長(zhǎng)度移動(dòng)磁源的可移動(dòng)支撐元件在使用中能夠通過(guò)調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)可操作地移動(dòng)，以調(diào)節(jié)這些磁源的相對(duì)于第二表面元件的橫向空間距離，從而降低在第二表面元件處經(jīng)受的局部磁場(chǎng)區(qū)的強(qiáng)度，前提是第二表面元件保持在其原始位置。發(fā)明人已經(jīng)觀察到，如果處理室的下側(cè)區(qū)域處的磁源向下移動(dòng)以便在第二表面元件下方偏移，即使是很小的距離，顆粒在該第二表面元件處所經(jīng)受的磁場(chǎng)強(qiáng)度也遠(yuǎn)小于定位在上表面元件處的顆粒上殘留的非常強(qiáng)的場(chǎng)強(qiáng)度。在一些例示性實(shí)施例中，發(fā)明人已經(jīng)確定，小至5mm至15mm的偏移足以導(dǎo)致第二表面元件處的場(chǎng)強(qiáng)度遠(yuǎn)小于第一表面元件處的非常強(qiáng)的場(chǎng)強(qiáng)度。

26、在一些實(shí)施例中，在處理室處相對(duì)于彼此以相對(duì)關(guān)系對(duì)齊并且遞送那里的最高強(qiáng)度的局部磁場(chǎng)區(qū)的多個(gè)磁源對(duì)沿每個(gè)相應(yīng)的可移動(dòng)支撐元件的長(zhǎng)度與相鄰磁源間隔開預(yù)定距離，使得在使用中，沿相鄰磁源對(duì)中的每一個(gè)之間的預(yù)定距離在中間可操作地實(shí)現(xiàn)相對(duì)低磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)。

27、如上，在使用中，高強(qiáng)度感應(yīng)磁場(chǎng)區(qū)在每對(duì)磁源之間的橫向空間距離上延伸。相鄰磁源對(duì)之間的預(yù)定距離需要足夠大，使得在高磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)之間的中間存在低磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)，并且存在至少一些感應(yīng)磁場(chǎng)強(qiáng)度(而不是零磁場(chǎng)強(qiáng)度)。低磁化率的顆粒發(fā)現(xiàn)自身與定位在相對(duì)的磁源對(duì)之間的高磁場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)分離(通常通過(guò)排斥)，并且具有遷移到定位在這些高強(qiáng)度的區(qū)之間的低磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)的趨勢(shì)。

28、如前，還存在進(jìn)一步降低在第二表面元件處所經(jīng)受的局部磁場(chǎng)區(qū)的強(qiáng)度的方式，即通過(guò)將支撐元件(其將磁體固定在支撐腔的下側(cè)區(qū)域附近)重新設(shè)置到偏離第二表面元件的位置。

29、低磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)有利地提供足夠的感應(yīng)磁性，以將低磁化率的細(xì)顆粒保留在該第二表面元件處，從而還限制離開處理室的空氣中的灰塵顆粒的產(chǎn)生。實(shí)際上，這意味著如果相鄰的磁源對(duì)彼此之間的間距約為100mm至150mm，則將產(chǎn)生低磁場(chǎng)強(qiáng)度的區(qū)，取決于要分離的顆粒材料所采用的磁場(chǎng)強(qiáng)度。

30、在一些實(shí)施例中，每個(gè)可移動(dòng)支撐元件包括支撐材料的無(wú)端環(huán)，無(wú)端環(huán)可操作地連接到無(wú)端環(huán)繞其轉(zhuǎn)動(dòng)的至少兩個(gè)可移動(dòng)支撐輥，并且其中每個(gè)無(wú)端環(huán)在使用中由相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)操作。在一種形式中，兩個(gè)支撐元件在使用中直接定位在另一個(gè)上方，其間具有橫向空間距離，形成處理室的高度。當(dāng)從上方觀察時(shí)，兩個(gè)支撐元件的相應(yīng)的重疊面積與處理室的最上面平面尺寸和最下面的平面尺寸相關(guān)聯(lián)。

31、在一些形式中，無(wú)端環(huán)的支撐材料可以包括線或纜網(wǎng)的肋狀骨架結(jié)構(gòu)，該骨架結(jié)構(gòu)由足夠柔性材料制成，以既拉緊以便為磁源形成堅(jiān)固的支撐，又能夠在使用時(shí)在繞終端輥中的每一個(gè)進(jìn)行180度角轉(zhuǎn)彎移動(dòng)時(shí)變形。在一種形式中，每個(gè)磁源各自固定在各自的支撐元件上，通過(guò)首先定位在相似形狀和配置的支撐支架中，該支架本身使用緊固件牢固地連接到支撐材料，或者在另一種形式中，支撐支架與支撐材料一體形成。

32、在一些實(shí)施例中，鄰近于處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域定位的多個(gè)間隔開的磁源在使用中能夠以相同的相對(duì)運(yùn)動(dòng)速率可移動(dòng)地移位，以便于形成相對(duì)于處理室一起移動(dòng)的對(duì)齊的磁源對(duì)的布置。為了在可移動(dòng)支撐元件中的每一個(gè)上的磁源之間產(chǎn)生最強(qiáng)烈的局部磁場(chǎng)區(qū)，它們需要彼此相反對(duì)齊地移動(dòng)，因此這意味著它們需要以相同的速度移動(dòng)，并且在一些實(shí)施例中，在使用中能夠沿相同的大致線性方向移位。

33、在一些實(shí)施例中，第一表面元件和第二表面元件或第一表面元件和第二表面元件中的每一個(gè)在使用中能夠沿相同方向(在使用中，相同的線性方向)可移動(dòng)地移位。在一些實(shí)施例中，第一表面元件和第二表面元件之間的相對(duì)于彼此最大的橫向空間距離由多個(gè)磁源的在處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域處的空間位置確定，因?yàn)橄鄳?yīng)的第一表面元件和第二表面元件被布置成在每個(gè)磁源的暴露的面上方滑動(dòng)地移動(dòng)。

34、在一些實(shí)施例中，第一表面元件和第二表面元件或者第一表面元件和第二表面元件中的每一個(gè)包括無(wú)端環(huán)，無(wú)端環(huán)可操作地連接到相應(yīng)的可移動(dòng)支撐器件，在使用中能夠通過(guò)相關(guān)聯(lián)的表面元件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)操作以沿處理室的上側(cè)區(qū)域和/或下側(cè)區(qū)域的長(zhǎng)度移動(dòng)所述表面元件，其中可移動(dòng)支撐器件和相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)連接到與處理室成固定關(guān)系設(shè)置的框架。

35、在一些實(shí)施例中，每個(gè)可移動(dòng)支撐器件包括支撐材料的無(wú)端環(huán)，無(wú)端環(huán)可操作地連接到無(wú)端環(huán)繞其轉(zhuǎn)動(dòng)的至少兩個(gè)可移動(dòng)支撐輥，并且其中每個(gè)無(wú)端環(huán)在使用中由相關(guān)聯(lián)的表面元件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)操作。

36、在一些實(shí)施例中，第一表面元件和第二表面元件或者每個(gè)第一表面元件和第二表面元件在使用中能夠沿相同方向可移動(dòng)地移位。

37、在一些實(shí)施例中，第一表面元件和第二表面元件或者每個(gè)第一表面元件和第二表面元件由能夠支撐磨料細(xì)粉狀礦石材料的彈性的、耐磨的結(jié)構(gòu)材料形成。

38、在一些實(shí)施例中，第一表面元件或第一表面元件中的每一個(gè)能夠以比處理室的上側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的運(yùn)動(dòng)速率快約0.2米/秒-1.0米/秒的運(yùn)動(dòng)速率可移動(dòng)地移位。

39、在一些實(shí)施例中，第二表面元件或第二表面元件中的每一個(gè)能夠以比處理室的下側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的運(yùn)動(dòng)速率快約0.0米/秒-0.2米/秒的運(yùn)動(dòng)速率可移動(dòng)地移位。

40、在一些實(shí)施例中，多個(gè)間隔開的磁源包括永磁材料。

41、在一些實(shí)施例中，多個(gè)間隔開的磁源由電磁材料形成，電磁材料被外部供電以便在使用中感應(yīng)磁性。

42、在一些實(shí)施例中，對(duì)磁化具有高敏感性的進(jìn)料材料部分包括鐵磁性顆粒材料，對(duì)磁化具有中敏感性的進(jìn)料材料部分包括順磁性顆粒材料，并且對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分包括抗磁性顆粒材料。

43、在一些實(shí)施例中，對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分可以包括抗磁性顆粒材料，抗磁性顆粒材料中還包含未釋放的鐵磁性材料和/或順磁性材料。

44、在一些實(shí)施例中，在處理室的外部的區(qū)域中，并且一旦不存在鄰近于其定位的間隔開的磁源，使對(duì)磁化具有高敏感性的進(jìn)料材料部分與第一表面元件物理地分離。

45、在一些實(shí)施例中，在處理室的外部的區(qū)域中，并且一旦不存在鄰近于其定位的間隔開的磁源，使對(duì)磁化具有中敏感性的進(jìn)料材料部分與第二表面元件物理地分離。

46、在一些實(shí)施例中，在鄰近于處理室的出口但在處理室的出口的外部的區(qū)域中，使對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分與第二表面元件物理地分離，其中無(wú)端環(huán)轉(zhuǎn)向沿相反方向行進(jìn)。

47、在另外的實(shí)施例中，代替開放式框架，用于功能單元中的每一個(gè)的支撐件可以以其它形式存在，諸如具有必要的孔口的平面基板，在使用中流動(dòng)路徑通過(guò)該孔口被引導(dǎo)，并且相應(yīng)的基板具有一些用于以固定的空間關(guān)系直接彼此連接的其他設(shè)備(諸如，腿、凸緣或其它突出部)，或者替代性地緊固到外骨骼類型的結(jié)構(gòu)上。

48、在本說(shuō)明書中，當(dāng)使用術(shù)語(yǔ)“堆棧”時(shí)，其指的是多個(gè)前述磁性分類級(jí)，多個(gè)前述磁性分類級(jí)彼此相鄰放置并且功能性地互連以形成剛性結(jié)構(gòu)。

49、在使用中，干燥顆粒固體例如經(jīng)由諸如振動(dòng)進(jìn)料機(jī)的合適的進(jìn)料機(jī)入口裝置緩慢地傳遞到第二表面元件的最上表面上。

50、在所公開的方法中，進(jìn)料顆粒材料(以與大多數(shù)磁分離設(shè)備相比具有相對(duì)大的頂部尺寸的顆粒流的形式)作為薄層通過(guò)形成機(jī)器的磁感應(yīng)處理室的相對(duì)的磁體對(duì)之間。

51、在整個(gè)本說(shuō)明書中，當(dāng)使用術(shù)語(yǔ)“頂部尺寸”時(shí)，它指的是進(jìn)料材料中存在的固體顆粒的比例，固體顆粒的最小寬度大于所選破碎顆粒尺寸的預(yù)定尺寸，通常注釋為p80％通過(guò)100μm，換句話說(shuō)，80％的顆粒小于100μm，并且20％的顆粒更粗。

52、在第二方面，公開了一種用于在至少部分可磁化的干燥顆粒進(jìn)料材料的流動(dòng)流中感應(yīng)磁性并使用靠近磁感應(yīng)設(shè)備定位的干燥分離設(shè)備實(shí)現(xiàn)其后續(xù)顆粒分類的方法的實(shí)施例，其中所述設(shè)備包括：

53、-具有入口和出口的處理室，在使用中所述流動(dòng)流分別通過(guò)入口和出口進(jìn)入和離開處理室；以及

54、-多個(gè)間隔開的磁源，其鄰近于處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者定位并且能夠沿處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者的長(zhǎng)度可移動(dòng)地移位，在使用中布置成使得當(dāng)橫向分離的磁源對(duì)彼此相對(duì)對(duì)齊進(jìn)行定位時(shí)，其間產(chǎn)生局部磁感應(yīng)場(chǎng)區(qū)，橫向分離的磁源對(duì)來(lái)自所述上側(cè)區(qū)域和所述下側(cè)區(qū)域中的每一者；以及

55、-第一表面元件和第二表面元件，第一表面元件在使用中在定位在上側(cè)區(qū)域處的多個(gè)間隔開的磁源的面上方移動(dòng)，第二表面元件在定位在下側(cè)區(qū)域處的多個(gè)間隔開的磁源的面上方移動(dòng)

56、方法包括以下步驟：

57、-在將顆粒進(jìn)料材料傳送到第二表面元件上之后，使所述第二表面元件將顆粒進(jìn)料材料的所述流動(dòng)流經(jīng)由入口運(yùn)送到處理室中；以及

58、-設(shè)置

59、(a)第一表面元件

60、(b)在室的上側(cè)區(qū)域處的磁源、

61、(c)第二表面元件，以及

62、(d)在室的下側(cè)區(qū)域處的磁源

63、的運(yùn)動(dòng)速率，使得(a)與(b)的相對(duì)速率大于(c)與(d)的相對(duì)速率，從而由于顆粒進(jìn)料材料與第二表面元件的物理分離而在處理室內(nèi)產(chǎn)生空氣-顆粒流化和攪動(dòng)的區(qū)域；

64、其中，暴露于由所述相應(yīng)的磁源對(duì)產(chǎn)生的所述局部磁感應(yīng)場(chǎng)區(qū)期間的空氣-顆粒流化和攪動(dòng)的組合效應(yīng)導(dǎo)致所述顆粒基于它們的對(duì)磁感應(yīng)的敏感性進(jìn)行物理分類，使得：

65、-由于對(duì)定位在處理室的上側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的優(yōu)先吸引，對(duì)磁化具有高敏感性的進(jìn)料材料部分被保留在第一表面元件處；

66、-在處理室中的定位在間隔開的磁源對(duì)之間的低磁場(chǎng)強(qiáng)度區(qū)域中，對(duì)磁化具有中敏感性的進(jìn)料材料部分被定位在處理室的上側(cè)區(qū)域和下側(cè)區(qū)域兩者處的間隔開的磁源對(duì)排斥，并且最終被保留在第二表面元件處；并且

67、-在鄰近定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的區(qū)域中，對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分被吸引到定位在處理室的下側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源，而且由于定位在處理室的上側(cè)區(qū)域處的間隔開的磁源的排斥，對(duì)磁化具有低敏感性的進(jìn)料材料部分最終被保留在第二表面元件處。

68、在該方面的一些實(shí)施例中，使用第一方面的用于在流動(dòng)流中感應(yīng)磁性的設(shè)備的特征可以形成用于執(zhí)行本方面的方法的步驟。

69、當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行下面的詳細(xì)描述時(shí)，本公開的方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，附圖是本公開的一部分并且通過(guò)示例的方式示出了所公開的任何發(fā)明的原理。