本發(fā)明涉及固體分離技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片的篩選方法。

背景技術(shù)：

發(fā)光二極管(英文：lightemittingdiode，簡稱led)是一種可以把電能轉(zhuǎn)化成光能的半導(dǎo)體二極管。

芯片是發(fā)光二極管的核心組件，通常采用批量生產(chǎn)。由于批量生產(chǎn)的芯片中，既有合格的芯片，也有不合格的芯片(通常針對(duì)光電參數(shù)和外觀)，因此目前主要是采用分選機(jī)從批量生產(chǎn)的芯片中將合格的芯片和不合格芯片分離，篩選出合格芯片進(jìn)行封裝，避免不合格芯片挑除不合格芯片。

在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題：

隨著芯片越來越小，分選機(jī)受到抓取部件尺寸的限制，抓取不良芯片的難度越來越大，加上分選機(jī)無法識(shí)別外觀不良(如殘缺)的芯片等需要挑除的芯片，因此最后人工利用顯微鏡進(jìn)行目檢的時(shí)候，往往有大量芯片需要人為采用吸筆吸除，消耗了大量的人工、設(shè)備和時(shí)間成本，生產(chǎn)效率低下，而且還存在吸到良好芯片的問題，影響了產(chǎn)品良率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的篩選方法。所述技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的篩選方法，所述篩選方法包括：

提供若干發(fā)光二極管的芯片；

將所有的所述芯片粘附在同一個(gè)具有紫外線失粘膠的薄膜上；

確定光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片；

采用紫外線照射粘附在光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片上的紫外線失粘膠，光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片上的紫外線失粘膠失去粘性，光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片與所述薄膜分離。

可選地，所述篩選方法還包括：

在光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片與所述薄膜分離之后，抖動(dòng)所述薄膜，光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片沒有跟隨所述薄膜抖動(dòng)，從所述薄膜上脫落。

可選地，所述篩選方法還包括：

在光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片與所述薄膜分離之后，將所有的所述芯片粘附在同一個(gè)粘膜上，所述粘膜的粘度低于沒有紫外線照射的紫外線失粘膠的粘度，且所述粘膜的粘度高于采用紫外線照射的紫外線失粘膠的粘度；

將所述粘膜從沒有紫外線照射的所述芯片上撕除，光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片粘附在所述粘膜上，從所述薄膜上脫落。

可選地，所述篩選方法還包括：

在光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片與所述薄膜分離之后，將氣體吹向所有的所述芯片，光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片在氣流的作用下，從所述薄膜上脫落。

優(yōu)選地，所述篩選方法還包括：

在光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片從所述薄膜上脫落之后，對(duì)所述薄膜上的所述芯片進(jìn)行人工檢測(cè)。

可選地，所述紫外線失粘膠的成分包括預(yù)聚物、單體、光引發(fā)劑和助劑。

可選地，所述薄膜的成分包括聚乙烯、滌綸樹脂和聚氯乙烯中的一種或多種。

可選地，所述紫外線的波長為190nm～400nm。

可選地，所述確定光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片，包括：

獲取光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片的位置信息。

優(yōu)選地，所述獲取光電參數(shù)不合格的所述芯片和外觀不合格的所述芯片的位置信息，包括：

對(duì)所述芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不合格的所述芯片；

對(duì)所述芯片進(jìn)行外觀檢測(cè)，確定外觀不合格的所述芯片。

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是：

通過將所有的芯片粘附在同一個(gè)具有紫外線失粘膠的薄膜上，并采用紫外線照射粘附在光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片上的紫外線失粘膠，使得光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片上的紫外線失粘膠失去粘性，與薄膜分離，而沒有紫外線照射的合格芯片會(huì)繼續(xù)粘附在薄膜上，從而實(shí)現(xiàn)合格芯片的篩選，可以大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管芯片的篩選方法的流程圖；

圖2a-圖2d是本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片篩選過程中的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

實(shí)施例

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的篩選方法，參見圖1，該篩選方法包括：

步驟101：提供若干發(fā)光二極管的芯片。

圖2a為在步驟101執(zhí)行之后芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，10為芯片。

在本實(shí)施例中，芯片包括依次層疊在襯底上n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、p型半導(dǎo)體層、電流阻擋層、透明導(dǎo)電層和p型電極，p型半導(dǎo)體層上開設(shè)有從p型半導(dǎo)體層沿芯片的層疊方向延伸到n型半導(dǎo)體層的凹槽，凹槽內(nèi)的n型半導(dǎo)體層上設(shè)有n型電極。

具體地，該步驟101可以包括：

第一步，在襯底上依次生長n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、p型半導(dǎo)體層。

第二步，在p型半導(dǎo)體層上開設(shè)有從p型半導(dǎo)體層延伸到n型半導(dǎo)體層的凹槽。

第三步，在p型半導(dǎo)體層上形成電流阻擋層和透明導(dǎo)電層。

第四步，在p型半導(dǎo)體層和透明導(dǎo)電層上設(shè)置p型電極，在凹槽內(nèi)的n型半導(dǎo)體層上設(shè)置n型電極。

第五步，在透明導(dǎo)電層、凹槽的側(cè)壁、凹槽內(nèi)的n型氮化鎵層上形成鈍化層。

第六步，減薄襯底。

第七步，劈裂襯底，形成相互獨(dú)立的芯片。

具體地，襯底可以為藍(lán)寶石襯底，也可以為硅襯底。n型半導(dǎo)體層可以為n型氮化鎵層，p型半導(dǎo)體層可以為p型氮化鎵層。發(fā)光層可以包括多個(gè)銦鎵氮層和多個(gè)氮化鎵層，多個(gè)銦鎵氮層和多個(gè)氮化鎵層交替層疊設(shè)置。電流阻擋層和鈍化層可以為二氧化硅層，透明導(dǎo)電層可以為氧化銦錫層或者氧化鋅層。p型電極和n型電極可以包括依次層疊的鈦層和鋁層，也可以包括依次層疊的鉻層、鈦層和鋁層，還可以包括依次層疊的鈦層和銅層。

更具體地，襯底的厚度可以為550微米，n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層的厚度之和可以為5微米，發(fā)光層中銦鎵氮層和氮化鎵層的層數(shù)之和可以為16層；電流阻擋層的厚度可以為150納米，透明導(dǎo)電層的厚度可以為500納米，鈍化層的厚度可以為800埃。

可選地，襯底和n型半導(dǎo)體層之間還可以設(shè)有緩沖層。具體地，緩沖層可以為氮化鎵層，也可以為氮化鋁層，以緩解藍(lán)寶石襯底和n型氮化鎵層之間的晶格失配。

具體地，緩沖層的厚度可以為200納米。

可選地，發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層之間還可以設(shè)有電子阻擋層。具體地，電子阻擋層可以為鋁鎵氮層，以阻擋n型半導(dǎo)體層提供的電子越過發(fā)光層注入p型半導(dǎo)體層，與p型半導(dǎo)體層提供的空穴發(fā)生非輻射復(fù)合。

具體地，電子阻擋層的厚度可以為100納米。

在實(shí)際應(yīng)用中，在第一步中，可以將藍(lán)寶石襯底放入veecok465iorc4金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉淀(英文：metalorganicchemicalvapordeposition，簡稱：mocvd)設(shè)備中生長緩沖層、n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層。具體可以采用高純氫氣(h2)或高純氮?dú)?n2)或高純h2和高純n2的混合氣體作為載氣，高純nh3作為氮源，三甲基鎵(tmga)及三乙基鎵(tega)作為鎵源，三甲基銦(tmin)作為銦源，三甲基鋁(tmal)作為鋁源，硅烷(sih4)作為n型摻雜劑，二茂鎂(cp2mg)作為p型摻雜劑。反應(yīng)室壓力控制在100～600torr。

在第二步中，可以先采用光刻技術(shù)在p型半導(dǎo)體層上除凹槽所在位置之外的區(qū)域形成光刻膠，再在光刻膠的保護(hù)下依次刻蝕p型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、n型半導(dǎo)體層和緩沖層，形成若干從p型半導(dǎo)體層延伸至n型半導(dǎo)體層的凹槽，最后去除光刻膠即可。

在第三步、第四步和第五步中，可以先采用物理氣相技術(shù)鋪設(shè)電流阻擋層材料(或者透明導(dǎo)電層材料、或者電極材料、或者鈍化層材料)，再采用光刻技術(shù)形成所需形狀的光刻膠，最后在光刻膠的保護(hù)下刻蝕電流阻擋層材料(或者透明導(dǎo)電層材料、或者電極材料、或者鈍化層材料)，形成電流阻擋層(或者透明導(dǎo)電層、或者p型電極和n型電極、或者鈍化層)。

步驟102：將所有的芯片粘附在同一個(gè)具有紫外線失粘膠的薄膜上。

圖2b為在步驟102執(zhí)行之后芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，20為薄膜。

在本實(shí)施例中，紫外線(英文：ultravioletrays，簡稱uv)失粘膠在紫外線照射前的粘性很大，在紫外線照射后會(huì)失去粘性。

具體地，紫外線失粘膠的成分可以包括預(yù)聚物、單體、光引發(fā)劑和助劑，以實(shí)現(xiàn)在紫外線照射之前具有粘性，在紫外線照射之后失去粘性。

可選地，薄膜的成分可以包括聚乙烯、滌綸樹脂和聚氯乙烯中的一種或多種。采用常用材料，實(shí)現(xiàn)成本低。

步驟103：確定光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片。

具體地，該步驟103可以包括：

獲取光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片的位置信息。

可選地，獲取光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片的位置信息，可以包括：

對(duì)芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不合格的芯片；

對(duì)芯片進(jìn)行外觀檢測(cè)，確定外觀不合格的芯片。

優(yōu)選地，對(duì)芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不合格的芯片，可以包括：

使用光電參數(shù)測(cè)試儀對(duì)芯片進(jìn)行光電參數(shù)測(cè)試，確定光電參數(shù)不合格的芯片。

在實(shí)際應(yīng)用中，光電參數(shù)測(cè)試儀會(huì)測(cè)試芯片的光電參數(shù)，并將芯片的光電參數(shù)與設(shè)定的光電參數(shù)進(jìn)行比較，若芯片的光電參數(shù)不符合設(shè)定的光電參數(shù)，則會(huì)記下芯片的位置信息。

進(jìn)一步地，光電參數(shù)測(cè)試儀在確定光電參數(shù)不合格的芯片之后，會(huì)在確定的芯片上點(diǎn)上墨水，以方便人工檢測(cè)時(shí)發(fā)現(xiàn)光電參數(shù)不良的芯片。

優(yōu)選地，對(duì)芯片進(jìn)行外觀檢測(cè)，確定外觀不合格的芯片，可以包括：

使用自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)設(shè)備(英文：automaticopticinspection，簡稱aoi)對(duì)芯片進(jìn)行外觀檢測(cè)，確定外觀不合格的芯片。

在實(shí)際應(yīng)用中，aoi會(huì)對(duì)芯片的外觀進(jìn)行檢測(cè)，若芯片的外觀不良，則會(huì)記下芯片的位置信息。

步驟104：采用紫外線照射粘附在光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片上的紫外線失粘膠，光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片上的紫外線失粘膠失去粘性，光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片與薄膜分離。

圖2c為在步驟104執(zhí)行過程中采用紫外線照射芯片時(shí)的示意圖，圖2d為在步驟104執(zhí)行過程中芯片與薄膜分離時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

可選地，紫外線的波長可以為190nm～400nm。在此范圍內(nèi)，紫外線失粘膠可以充分失去粘性，達(dá)到所需的作用效果。

優(yōu)選地，紫外線照射的輻照強(qiáng)度可以大于1mw/cm²。

在本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式中，在步驟104之后，該篩選方法還可以包括：

抖動(dòng)薄膜，光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片沒有跟隨薄膜抖動(dòng)，從薄膜上脫落。

在本實(shí)施例的另一種實(shí)現(xiàn)方式中，在步驟104之后，該篩選方法還可以包括：

將所有的芯片粘附在同一個(gè)粘膜上，粘膜的粘度低于沒有紫外線照射的紫外線失粘膠的粘度，且粘膜的粘度高于采用紫外線照射的紫外線失粘膠的粘度；

將粘膜從沒有紫外線照射的芯片上撕除，光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片粘附在粘膜上，從薄膜上脫落。

在本實(shí)施例的又一種實(shí)現(xiàn)方式中，在步驟104之后，該篩選方法還可以包括：

將氣體吹向所有的芯片，光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片在氣流的作用下，從薄膜上脫落。

通過上述三種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式，即可使光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片從薄膜上脫落，實(shí)現(xiàn)合格芯片和不合格芯片的徹底分離。

在上述三種實(shí)現(xiàn)方式中任一種實(shí)現(xiàn)方式中的基礎(chǔ)上，該篩選方法還可以包括：

對(duì)薄膜上的芯片進(jìn)行人工檢測(cè)。

可以理解地，人工通過顯微鏡對(duì)芯片進(jìn)行目檢，若發(fā)現(xiàn)不良芯片，則利用吸筆吸除。人工檢測(cè)之后，將沒有問題的芯片入庫保存。

本發(fā)明實(shí)施例通過將所有的芯片粘附在同一個(gè)具有紫外線失粘膠的薄膜上，并采用紫外線照射粘附在光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片上的紫外線失粘膠，使得光電參數(shù)不合格的芯片和外觀不合格的芯片上的紫外線失粘膠失去粘性，與薄膜分離，而沒有紫外線照射的合格芯片會(huì)繼續(xù)粘附在薄膜上，從而實(shí)現(xiàn)合格芯片的篩選，可以大大減少了人工目檢的工作量，極大地降低了人工、設(shè)備和時(shí)間成本，有效提高生產(chǎn)效率，效率可提升200％以上，而且可以避免人工吸筆吸除造成的吸到良好芯片而影響產(chǎn)品良率的問題，降低損失率。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。