專利名稱：發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種分類系統(tǒng)，尤指一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造過程中，往往會因?yàn)橐恍o法避免的原因而生成細(xì)小的微粒或缺陷，而隨著半導(dǎo)體制程中元件尺寸的不斷縮小與電路密極度的不斷提高，這些極微小的缺陷或微粒對集成電路質(zhì)量的影響也日趨嚴(yán)重。因此，為維持產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定，通常在進(jìn)行各項(xiàng)半導(dǎo)體制造的同時(shí)，亦須針對所生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件進(jìn)行缺陷檢測，以根據(jù)檢測的結(jié)果來分析造成這些缺陷的根本原因，之后才能進(jìn)一步通過制程參數(shù)的調(diào)整來避免或減少缺陷的產(chǎn)生，以達(dá)到提升半導(dǎo)體制程良率以及可靠度的目的。 再者，針對發(fā)光二極管封裝芯片的檢測與分類，除了需要進(jìn)行是否有缺陷的檢測夕卜，仍需要進(jìn)行不同發(fā)光特性的分類，然后再收集在不同的分類盤內(nèi)，以符合不同客戶的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其可用于分類多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片。本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其包括一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的旋轉(zhuǎn)單元、一承載單元、一芯片測量單元、及一芯片分類單元。旋轉(zhuǎn)單元包括至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)容置部內(nèi)的吸排氣兩用開口，其中每一個(gè)容置部內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的底部具有一正極焊墊及一負(fù)極焊墊。承載單元包括至少一承載底盤，且可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤設(shè)置于承載底盤上。芯片測量單元包括至少一鄰近旋轉(zhuǎn)單元且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的芯片測量模塊。芯片分類單元包括多個(gè)鄰近旋轉(zhuǎn)單元且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過芯片測量模塊測量后的發(fā)光二極管封裝芯片的芯片分類模塊，其中上述多個(gè)芯片分類模塊環(huán)繞可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤。本發(fā)明實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其包括一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的第一旋轉(zhuǎn)單元、一芯片測量單元、一第二旋轉(zhuǎn)單元、一承載單元、一第一芯片分類單元、及一第二芯片分類單元。第一旋轉(zhuǎn)單元包括至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的第一容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第一容置部內(nèi)的第一吸排氣兩用開口，其中每一個(gè)第一容置部內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的底部具有一正極焊墊及一負(fù)極焊墊。芯片測量單元包括至少一鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的芯片測量模塊。第二旋轉(zhuǎn)單元鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元，其中第二旋轉(zhuǎn)單元具有至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的第二容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第二容置部內(nèi)的第二吸排氣兩用開口，其中每一個(gè)第二容置部內(nèi)可選擇性地容納上述由第一旋轉(zhuǎn)單元所輸送來的多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片中的至少一個(gè)。承載單元包括至少一承載底盤，其中第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤與第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤皆設(shè)置于承載底盤上。第一芯片分類單元包括多個(gè)鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過芯片測量模塊測量后的發(fā)光二極管封裝芯片的第一芯片分類模塊，其中上述多個(gè)第一芯片分類模塊環(huán)繞第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤。第二芯片分類單元包括多個(gè)鄰近第二旋轉(zhuǎn)單元且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過芯片測量模塊測量后的發(fā)光二極管封裝芯片的第二芯片分類模塊，其中上述多個(gè)第二芯片分類模塊環(huán)繞第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其可通過“旋轉(zhuǎn)單元、芯片測量單元、及芯片分類單元相互配合”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)可用于分類多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片。為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說 明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖IA為本發(fā)明第一實(shí)施例的立體示意圖；圖IB為本發(fā)明第一實(shí)施例的上視示意圖；圖IC為本發(fā)明第一實(shí)施例的第一旋轉(zhuǎn)單元或第二旋轉(zhuǎn)單元的立體示意圖；圖ID為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝芯片測量方式的測量流程示意圖(從步驟(A)至(C));圖IE為本發(fā)明圖IA的X部分放大圖；圖IF為本發(fā)明圖IA的Y部分放大圖；圖IG為本發(fā)明第一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝芯片被吹離第一容置部或第二容置部的流程示意圖(從步驟(A)至(B));圖IH為本發(fā)明第一實(shí)施例被保護(hù)蓋結(jié)構(gòu)所覆蓋的立體示意圖；圖2A為本發(fā)明第二實(shí)施例的立體示意圖；圖2B為本發(fā)明第二實(shí)施例的上視示意圖；以及圖2C為本發(fā)明第二實(shí)施例的旋轉(zhuǎn)單元的立體示意圖。其中，附圖標(biāo)記說明如下第一旋轉(zhuǎn)單元I 第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤 11第一容置部12第一吸排氣兩用開口 13旋轉(zhuǎn)單元I’ 可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’容置部12’吸排氣兩用開口13’芯片測量單元2 芯片測量模塊20供電元件20A供電接腳200A測量元件20B第二旋轉(zhuǎn)單元3 第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤 31
第二容置部32第二吸排氣兩用開口 33第一芯片分類單元 4 第一芯片分類模塊 40第一通行部40A第一收納部40B芯片分類單元4’ 芯片分類模塊40’通行部40A’
收納部40B’第二芯片分類單元 5 第二芯片分類模塊 50第二通行部50A第二收納部50B輸送單兀6輸送兀件60芯片到位檢測單元 7 發(fā)光元件70A芯片到位檢測元件 70B第一芯片脫離檢測單元8 第一發(fā)光元件80A第一芯片脫離檢測元件80B芯片脫離檢測單元 8’第二芯片脫離檢測單元9 第二發(fā)光元件90A第二芯片脫離檢測元件90B承載單元A 承載底盤Al開口AlO貫穿孔All橋接單元B 橋接元件BI發(fā)光二極管封裝芯片C正極焊墊Cl負(fù)極焊墊C2上表面ClOO光束L保護(hù)蓋結(jié)構(gòu)D 第一保護(hù)蓋Dl第二保護(hù)蓋D2測量開口D20第二保護(hù)蓋D具體實(shí)施例方式〔第一實(shí)施例〕請參閱圖IA至圖IG所示，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其包括一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的第一旋轉(zhuǎn)單元I、一芯片測量單元
2、一第二旋轉(zhuǎn)單元3、一第一芯片分類單元4、及一第二芯片分類單元5。首先，配合圖1A、圖1B、圖1C、及圖ID所示，第一旋轉(zhuǎn)單元I包括至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11、多個(gè)設(shè)置于第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11上的第一容置部12、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第一容置部12內(nèi)的第一吸排氣兩用開口 13，其中每一個(gè)容置部12內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C (如圖IB所示)中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的底部具有一正極焊墊Cl及一負(fù)極焊墊C2 (如圖ID所示)。舉例來說，上述多個(gè)第一容置部12可排列成一環(huán)繞狀，且上述多個(gè)第一容置部12可環(huán)繞地設(shè)置于第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11的外周圍，以使得每一個(gè)第一容置部12產(chǎn)生一朝外的第一開口，而每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C則可通過每一個(gè)朝外的第一開口而進(jìn)入每一個(gè)第一容置部12內(nèi)。另外，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一承載單元A，其包括至少一承載底盤Al，其中第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11可設(shè)置于承載底盤Al上。此外,配合圖1A、圖1B、及圖ID所示,芯片測量單元2包括至少一鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元I且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的芯片測量模塊20。當(dāng)然，依據(jù)不同的測試需求，本發(fā)明亦可使用多個(gè)芯片測量模塊20。再者，芯片測量模塊20包括一位于發(fā)光二極 管封裝芯片C下方以用于供給發(fā)光二極管封裝芯片C所需電源的供電元件20A及一位于發(fā)光二極管封裝芯片C上方以用于定義出每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的發(fā)光特性范圍的測量元件20B。舉例來說，供電元件20A可為兩個(gè)分別供應(yīng)正電源與負(fù)極源的供電接腳200A，且測量元件20B可為一用于判斷每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的發(fā)光特性范圍(例如亮度)的傳感器或分析儀器。關(guān)于芯片測量模塊20的測量方式，如圖ID中(A)、(B)、(C)三個(gè)步驟所示，其中圖ID的(A)步驟顯示芯片測量模塊20在測量前，發(fā)光二極管封裝芯片C容置于第一旋轉(zhuǎn)單元I的第一容置部12內(nèi)且位于供電元件20A的上方。圖ID的(B)步驟顯示芯片測量模塊20在測量中，供電元件20A的兩個(gè)供電接腳200A—同向上移動(如圖ID的(B)步驟中向上的箭頭所示的方向)且穿過承載底盤Al的開口 A10，以使得兩個(gè)供電接腳200A分別電性接觸發(fā)光二極管封裝芯片C的正極焊墊Cl與負(fù)極焊墊C2。圖ID的(C)步驟顯示芯片測量模塊20在測量后，供電元件20A的兩個(gè)供電接腳200A—同向下移動(如圖ID的(C)步驟中向下的箭頭所示的方向)，以使得供電元件20A回復(fù)到原來圖ID的(A)步驟所顯示的位置。另外，配合圖1A、圖1B、及圖IC所示，第二旋轉(zhuǎn)單元3的外觀可與第一旋轉(zhuǎn)單元I相同或相似，且第二旋轉(zhuǎn)單元3鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元I。第二旋轉(zhuǎn)單元3具有至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤31、多個(gè)設(shè)置于第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上31上的第二容置部32、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第二容置部32內(nèi)的第二吸排氣兩用開口 33，其中每一個(gè)第二容置部32內(nèi)可選擇性地容納上述由第一旋轉(zhuǎn)單元I所輸送來的多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C中的至少一個(gè)。舉例來說，上述多個(gè)第二容置部32可排列成一環(huán)繞狀，且上述多個(gè)第二容置部32可環(huán)繞地設(shè)置于第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤31的外周圍，以使得每一個(gè)第二容置部32產(chǎn)生一朝外的第二開口，而每一個(gè)由第一旋轉(zhuǎn)單元I所輸送來的發(fā)光二極管封裝芯片C則可通過每一個(gè)朝外的第二開口而進(jìn)入每一個(gè)第二容置部32內(nèi)。此外，第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11與第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤31皆可同時(shí)設(shè)置于承載底盤Al上。當(dāng)然,承載底盤Al亦可分為兩個(gè)彼此分離的分離底盤(圖未示)，而使得第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11與第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤31可分別設(shè)置于上述兩個(gè)分離底盤(圖未示)上。再者，配合圖1A、圖1B、及圖IE所示，第一芯片分類單元4包括多個(gè)鄰近第一旋轉(zhuǎn)單元I且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過芯片測量模塊20測量后的發(fā)光二極管封裝芯片C的第一芯片分類模塊40，其中上述多個(gè)第一芯片分類模塊40環(huán)繞第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11。此外，每一個(gè)第一芯片分類模塊40具有一第一通行部40A及一連通于第一通行部40A的第一收納部40B,且同一個(gè)第一芯片分類模塊40的第一通行部40A與第一收納部40B可相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片C。舉例來說，如圖IE所示，第一通行部40A可為一連通于第一容置部12的第一通行斜面，第一收納部40B可為一連接于第一通行斜面的第一收納開口，且第一通行斜面(第(第一通行部40A)可從第一容置部12朝第一收納開口(第一收納部40B)的方向漸漸向下傾斜。另外，配合圖1A、圖1B、及圖IF所示，第二芯片分類單元5包括多個(gè)鄰近第二旋轉(zhuǎn)單元3且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過芯片測量模塊20測量后的發(fā)光二極管封裝芯片C的第二芯片分類模塊50，其中上述多個(gè)第二芯片分類模塊50環(huán)繞第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤31。此外，每一個(gè)第二芯片分類模塊50具有一第二通行部50A及一連通于第二通行部50A的第二收納部50B,且同一個(gè)第二芯片分類模塊50的第二通行部50A與第二收納部50B可相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片C。舉例來說，如圖IF所示，第二通行 部50A可為一連通于第二容置部32的第二通行斜面，第二收納部50B可為一連接于第二通行斜面的第二收納開口，且第二通行斜面(第二通行部50A)可從第二容置部32朝第二收納開口(第二收納部50B)的方向漸漸向下傾斜。此外，配合圖IA與圖IB所示，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一輸送單元6，其具有至少一鄰近第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11且依據(jù)不同時(shí)序以依序?qū)?yīng)每一個(gè)第一容置部12的輸送元件60。另外，配合圖1A、圖1B、及圖IG所示，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一芯片到位檢測單元7，其包括一位于第一容置部12上方且鄰近輸送元件60的發(fā)光元件70A及一位于第一容置部12下方且對應(yīng)發(fā)光元件70A的芯片到位檢測元件70B，且發(fā)光元件70A所產(chǎn)生的光束L可選擇性投射在發(fā)光二極管封裝芯片C的上表面ClOO (如圖IG的步驟(A)所示)或穿過一貫穿承載底盤Al且位于第一容置部12下方的貫穿孔All而傳送到芯片到位檢測元件70B (如圖IG的步驟(B)所示)，以判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已從輸送元件60傳送到第一容置部12內(nèi)。例如發(fā)光二極管封裝芯片C可通過第一吸排氣兩用開口 13所提供的吸力而被吸入到第一容置部12內(nèi)。再者，配合圖1A、圖1B、圖1E、及圖IG所示，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一第一芯片脫離檢測單元8，其包括多個(gè)分別位于不同的第一容置部12上方且分別鄰近不同的第一芯片分類模塊40的第一發(fā)光元件80A及多個(gè)分別位于不同的第一容置部12下方且分別對應(yīng)上述多個(gè)第一發(fā)光元件80A的第一芯片脫離檢測元件80B，且每一個(gè)第一發(fā)光元件80A所產(chǎn)生的光束L可選擇性投射在發(fā)光二極管封裝芯片C的上表面ClOO (如圖IG的步驟(A)所示)或穿過一貫穿承載底盤Al且位于第一容置部12下方的貫穿孔All而傳送到第一芯片脫離檢測元件80B (如圖IG的步驟(B)所示)，以判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離第一容置部12而傳送到第一芯片分類模塊40或第二容置部32內(nèi)。例如發(fā)光二極管封裝芯片C可通過第一吸排氣兩用開口 13所提供的吹力而被吹離第一容置部12。另外，配合圖1A、圖1B、圖1F、及圖IG所示，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一第二芯片脫離檢測單元9，其包括多個(gè)分別位于不同的第二容置部32上方且分別鄰近不同的第二芯片分類模塊50的第二發(fā)光元件90A及多個(gè)分別位于不同的第二容置部32下方且分別對應(yīng)上述多個(gè)第二發(fā)光元件90A的第二芯片脫離檢測元件90B，且每一個(gè)第二發(fā)光元件90A所產(chǎn)生的光束L可選擇性投射在發(fā)光二極管封裝芯片C的上表面ClOO (如圖IG的步驟(A)所示)或穿過一貫穿承載底盤Al且位于第二容置部32下方的貫穿孔34而傳送到第二芯片脫離檢測元件90B (如圖IG的步驟(B)所示)，以判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離第一容置部12而傳送到第二容置部32內(nèi)或判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離第二容置部32而傳送到第二芯片分類模塊50。例如發(fā)光二極管封裝芯片C可通過第二吸排氣兩用開口 23所提供的吹力而被吹離第二容置部32。此外，配合圖IA與圖IB所示，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一橋接單元B，其包括至少一設(shè)置于第一旋轉(zhuǎn)單元I與第二旋轉(zhuǎn)單元3之間的橋接元件BI，且橋接元件BI可作為用于將發(fā)光二極管封裝芯片C從第一容置部12傳送至第二容置部32的橋梁。再者，請參閱圖IH所示，本發(fā)明第一實(shí)施例更進(jìn)一步包括一保護(hù)蓋結(jié)構(gòu)D，其包括一用于覆蓋芯片到位檢測單元7且保護(hù)芯片到位檢測單元7的第一保護(hù)蓋D1、一用于覆蓋第一芯片脫離檢測單元8且保護(hù)第一芯片脫離檢測單元8的第二保護(hù)蓋D2、及一用于覆 蓋第二芯片脫離檢測單元9且保護(hù)第二芯片脫離檢測單元9的第三保護(hù)蓋D3，其中第二保護(hù)蓋D2具有一用于裸露發(fā)光二極管封裝芯片C的測量開口 D20，且芯片測量單元2的芯片測量模塊20即設(shè)置于測量開口 D20的上方。因此，芯片測量模塊20可通過測量開口 D20來測量每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C?！驳诙?shí)施例〕請參閱圖2A至圖2C所示，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其包括一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的旋轉(zhuǎn)單元I’、一芯片測量單元(圖未不，但與第一實(shí)施例相同)、一芯片分類單兀4’、一輸送單兀6、一芯片到位檢測單兀7、及一第一芯片脫離檢測單元8’。由圖2A 與圖IA兩者的比較、及圖2B與圖IB兩者的比較可知，本發(fā)明第二實(shí)施例與第一實(shí)施例最大的差別在于第二實(shí)施可以省略其中一組旋轉(zhuǎn)單元(亦即省略第一實(shí)施例中的第二旋轉(zhuǎn)單元3)。在第二實(shí)施例中，旋轉(zhuǎn)單元I’具有至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’、多個(gè)設(shè)置于可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’上的容置部12’、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)容置部12’內(nèi)的吸排氣兩用開口 13’，其中每一個(gè)容置部12’內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的底部具有一正極焊墊(圖未示)及一負(fù)極焊墊(圖未示)。舉例來說，上述多個(gè)容置部12’可排列成一環(huán)繞狀，上述多個(gè)容置部12’可環(huán)繞地設(shè)置于可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’的外周圍，以使得每一個(gè)容置部12’產(chǎn)生一朝外的開口，而每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C則可通過每一個(gè)朝外的開口而進(jìn)入每一個(gè)容置部12’內(nèi)。在第二實(shí)施例中，芯片測量單元(圖未示)具有至少一鄰近旋轉(zhuǎn)單元I’且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片C的芯片測量模塊(圖未示，但與第一實(shí)施例相同)。在第二實(shí)施例中，芯片分類單元4’包括多個(gè)鄰近旋轉(zhuǎn)單元I’且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過芯片測量模塊(圖未示)測量后的發(fā)光二極管封裝芯片C的芯片分類模塊40’，其中上述多個(gè)芯片分類模塊40’環(huán)繞可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’。再者，每一個(gè)芯片分類模塊40’具有一通行部40A’及一連通于通行部40A’的收納部40B’，且同一個(gè)芯片分類模塊40’的通行部40A’與收納部40B’可相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片C。舉例來說，通行部40A’可為一連通于容置部11’的通行斜面，收納部40B’可為一連接于通行斜面的收納開口，且通行斜面(通行部40A’ )可從容置部11’朝收納開口(收納部40B’ )的方向漸漸向下傾斜。在第二實(shí)施例中，輸送單元6具有至少一鄰近可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’且依據(jù)不同時(shí)序以依序?qū)?yīng)每一個(gè)容置部12’的輸送元件60。在第二實(shí)施例中，芯片到位檢測單元7包括一位于容置部12’上方且鄰近輸送元件60的發(fā)光兀件(圖未不，但與第一實(shí)施例相同)及一位于容置部12’下方且對應(yīng)發(fā)光兀件(圖未示)的芯片到位檢測元件(圖未示，但與第一實(shí)施例相同)，且芯片到位檢測單元7可用來判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已從輸送元件60傳送到容置部12’內(nèi)。在第二實(shí)施例中，芯片脫離檢測單元8，包括多個(gè)分別位于不同 的容置部12’上方且分別鄰近不同的芯片分類模塊40’的發(fā)光元件(圖未示，但與第一實(shí)施例相同)及多個(gè)分別位于不同的容置部12’下方且分別對應(yīng)上述多個(gè)發(fā)光元件(圖未示)的芯片脫離檢測元件(圖未示，但與第一實(shí)施例相同)，且芯片脫離檢測單元(圖未示)可用來判斷發(fā)光二極管封裝芯片C是否已脫離容置部12’而傳送到芯片分類模塊40’。再者，本發(fā)明第二實(shí)施例更進(jìn)一步包括一承載單元A，其包括至少一承載底盤Al，其中可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤11’可設(shè)置于承載底盤Al上。〔實(shí)施例的可能功效〕綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其可通過“旋轉(zhuǎn)單元、芯片測量單元、及芯片分類單元相互配合”的設(shè)計(jì)，以使得本發(fā)明的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)可用于分類多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片。以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，非因此局限本發(fā)明的專利范圍，故舉凡運(yùn)用本發(fā)明說明書及圖式內(nèi)容所為的等效技術(shù)變化，均包含于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，包括 一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的旋轉(zhuǎn)單元，其包括至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于上述至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)容置部內(nèi)的吸排氣兩用開口，其中每一個(gè)容置部內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的底部具有一正極焊墊及一負(fù)極焊墊； 一承載單元，其包括至少一承載底盤，其中上述至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤設(shè)置于上述至少一承載底盤上； 一芯片測量單元，其包括至少一鄰近該旋轉(zhuǎn)單元且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的芯片測量模塊；以及 一芯片分類單元，其包括多個(gè)鄰近該旋轉(zhuǎn)單元且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過上述至少一芯片測量模塊測量后的發(fā)光二極管封裝芯片的芯片分類模塊，其中上述多個(gè)芯片分類模塊環(huán)繞上述至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括一輸送單元，其包括至少一鄰近上述至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤且依據(jù)不同時(shí)序以依序?qū)?yīng)每一個(gè)容置部的輸送元件。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括一芯片到位檢測單元，其包括一位于該容置部上方且鄰近上述至少一輸送元件的發(fā)光元件及一位于該容置部下方且對應(yīng)該發(fā)光元件的芯片到位檢測元件，且該發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束能夠選擇性地投射在該發(fā)光二極管封裝芯片的上表面或穿過一貫穿上述至少一承載底盤且位于該容置部下方的貫穿孔而傳送到該芯片到位檢測元件，以判斷該發(fā)光二極管封裝芯片是否已從上述至少一輸送元件傳送到該容置部內(nèi)。
4.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，上述多個(gè)容置部排列成一環(huán)繞狀，且上述多個(gè)容置部環(huán)繞地設(shè)置于上述至少一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤的外周圍。
5.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，上述至少一芯片測量模塊包括一位于該發(fā)光二極管封裝芯片下方以用于供給該發(fā)光二極管封裝芯片所需電源的供電元件及一位于該發(fā)光二極管封裝芯片上方以用于定義出每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的發(fā)光特性范圍的測量元件。
6.如權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，每一個(gè)芯片分類模塊具有一通行部及一連通于該通行部的收納部，且同一個(gè)芯片分類模塊的該通行部與該收納部相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該通行部為一連通于該容置部的通行斜面，該收納部為一連接于該通行斜面的收納開口，且該通行斜面從該容置部朝該收納開口的方向漸漸向下傾斜。
8.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括芯片脫離檢測單元，其包括多個(gè)分別位于不同的容置部上方且分別鄰近不同的芯片分類模塊的發(fā)光元件及多個(gè)分別位于不同的容置部下方且分別對應(yīng)上述多個(gè)發(fā)光元件的芯片脫離檢測元件，且每一個(gè)發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束可選擇性投射在該發(fā)光二極管封裝芯片的上表面或穿過一貫穿上述至少一承載底盤且位于該容置部下方的貫穿孔而傳送到該芯片脫離檢測元件，以判斷該發(fā)光二極管封裝芯片是否已脫離該容置部而傳送到該芯片分類模塊。
9.一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，包括 一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的第一旋轉(zhuǎn)單元，其包括至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于上述至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的第一容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第一容置部內(nèi)的第一吸排氣兩用開口，其中每一個(gè)第一容置部內(nèi)可選擇性地容納上述多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片中的至少一個(gè)，且每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的底部具有一正極焊墊及一負(fù)極焊墊； 一芯片測量單元，其包括至少一鄰近該第一旋轉(zhuǎn)單元且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的芯片測量模塊； 一第二旋轉(zhuǎn)單元，其鄰近該第一旋轉(zhuǎn)單元，其中該第二旋轉(zhuǎn)單元具有至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于上述至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的第二容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)第二容置部內(nèi)的第二吸排氣兩用開口，其中每一個(gè)第二容置部內(nèi)可選擇性地容納上述由該第一旋轉(zhuǎn)單元所輸送來的多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片中的至少一個(gè)； 一承載單元，其包括至少一承載底盤，其中上述至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤與上述至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤皆設(shè)置于上述至少一承載底盤上； 一第一芯片分類單元，其包括多個(gè)鄰近該第一旋轉(zhuǎn)單元且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過上述至少一芯片測量模塊測量后的發(fā)光二極管封裝芯片的第一芯片分類模塊，其中上述多個(gè)第一芯片分類模塊環(huán)繞上述至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤；以及 一第二芯片分類單元，其包括多個(gè)鄰近該第二旋轉(zhuǎn)單元且用于分類上述多個(gè)經(jīng)過上述至少一芯片測量模塊測量后的發(fā)光二極管封裝芯片的第二芯片分類模塊，其中上述多個(gè)第二芯片分類模塊環(huán)繞上述至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括一輸送單元，其包括至少一鄰近該第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤且依據(jù)不同時(shí)序以依序?qū)?yīng)每一個(gè)第一容置部的輸送元件。
11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括一芯片到位檢測單元，其包括一位于該第一容置部上方且鄰近上述至少一輸送元件的發(fā)光元件及一位于該第一容置部下方且對應(yīng)該發(fā)光元件的芯片到位檢測元件，且該發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束能夠選擇性地投射在該發(fā)光二極管封裝芯片的上表面或穿過一貫穿上述至少一承載底盤且位于該第一容置部下方的貫穿孔而傳送到該芯片到位檢測元件，以判斷該發(fā)光二極管封裝芯片是否已從上述至少一輸送元件傳送到該第一容置部內(nèi)。
12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，上述多個(gè)第一容置部排列成一環(huán)繞狀，上述多個(gè)第二容置部排列成一環(huán)繞狀，上述多個(gè)第一容置部環(huán)繞地設(shè)置于上述至少一第一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤的外周圍，且上述多個(gè)第二容置部環(huán)繞地設(shè)置于上述至少一第二可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤的外周圍。
13.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，上述至少一芯片測量模塊包括一位于該發(fā)光二極管封裝芯片下方以用于供給該發(fā)光二極管封裝芯片所需電源的供電元件及一位于該發(fā)光二極管封裝芯片上方以用于定義出每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的發(fā)光特性范圍的測量元件。
14.如權(quán)利要求13所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，每一個(gè)第一芯片分類模塊具有一第一通行部及一連通于該第一通行部的第一收納部，且同一個(gè)第一芯片分類模塊的該第一通行部與該第一收納部相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片，其中每一個(gè)第二芯片分類模塊具有一第二通行部及一連通于該第二通行部的第二收納部，且同一個(gè)第二芯片分類模塊的該第二通行部與該第二收納部相互配合，以用于收集具有相同發(fā)光特性范圍的發(fā)光二極管封裝芯片。
15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該第一通行部為一連通于該第一容置部的第一通行斜面，該第一收納部為一連接于該第一通行斜面的第一收納開口，且該第一通行斜面從該第一容置部朝該第一收納開口的方向漸漸向下傾斜，其中該第二通行部為一連通于該第二容置部的第二通行斜面，該第二收納部為一連接于該第二通行斜面的第二收納開口，且該第二通行斜面從該第二容置部朝該第二收納開口的方向漸漸向下傾斜。
16.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括第一芯片脫離檢測單元，其包括多個(gè)分別位于不同的第一容置部上方且分別鄰近不同的第一芯片分類模塊的第一發(fā)光元件及多個(gè)分別位于不同的第一容置部下方且分別對應(yīng)上述多個(gè)第一發(fā)光元件的第一芯片脫離檢測元件，且每一個(gè)第一發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束可選擇性投射在該發(fā)光二極管封裝芯片的上表面或穿過一貫穿上述至少一承載底盤且位于該第一容置部下方的貫穿孔而傳送到該第一芯片脫離檢測元件，以判斷該發(fā)光二極管封裝芯片是否已脫離該第一容置部而傳送到該第一芯片分類模塊或該第二容置部內(nèi)。
17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括第二芯片脫離檢測單元，其包括多個(gè)分別位于不同的第二容置部上方且分別鄰近不同的第二芯片分類模塊的第二發(fā)光元件及多個(gè)分別位于不同的第二容置部下方且分別對應(yīng)上述多個(gè)第二發(fā)光元件的第二芯片脫離檢測元件，且每一個(gè)第二發(fā)光元件所產(chǎn)生的光束可選擇性投射在該發(fā)光二極管封裝芯片的上表面或穿過一貫穿上述至少一承載底盤且位于該第二容置部下方的貫穿孔而傳送到該第二芯片脫離檢測元件，以判斷該發(fā)光二極管封裝芯片是否已脫離該第一容置部而傳送到該第二容置部內(nèi)或判斷該發(fā)光二極管封裝芯片是否已脫離該第二容置部而傳送到該第二芯片分類模塊。
18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其特征在于，該分類系統(tǒng)還包括一橋接單元，其包括至少一設(shè)置于該第一旋轉(zhuǎn)單元與該第二旋轉(zhuǎn)單元之間的橋接元件，且上述至少一橋接元件作為用于將該發(fā)光二極管封裝芯片從該第一容置部傳送至該第二容置部的橋梁。
全文摘要
一種發(fā)光二極管封裝芯片分類系統(tǒng)，其包括一用于輸送多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的旋轉(zhuǎn)單元、一芯片測量單元、及一芯片分類單元。旋轉(zhuǎn)單元包括一可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤、多個(gè)設(shè)置于可旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤上的容置部、及多個(gè)分別設(shè)置于上述多個(gè)容置部內(nèi)的吸排氣兩用開口。每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的底部具有一正極焊墊及一負(fù)極焊墊。芯片測量單元包括一鄰近旋轉(zhuǎn)單元且用于測試每一個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的芯片測量模塊。芯片分類單元包括多個(gè)鄰近旋轉(zhuǎn)單元且用于分類多個(gè)發(fā)光二極管封裝芯片的芯片分類模塊。因此，本發(fā)明可通過旋轉(zhuǎn)單元、芯片測量單元、及芯片分類單元的配合來分類發(fā)光二極管封裝芯片。
文檔編號B07C5/342GK102794271SQ20111013932
公開日2012年11月28日 申請日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者汪秉龍, 陳桂標(biāo), 陳信呈 申請人:久元電子股份有限公司