本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種噴嘴裝置和半導(dǎo)體設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體制造中，噴嘴裝置作為成膜設(shè)備的關(guān)鍵組件，其性能直接影響到薄膜的質(zhì)量和均勻性。然而，現(xiàn)有的噴嘴裝置往往存在尺寸較大和重量較重等問題，這些問題限制了設(shè)備的集成度和操作的靈活性。傳統(tǒng)的噴嘴設(shè)計(jì)忽視了小型化和輕量化的需求。在實(shí)際應(yīng)用中，大型噴嘴雖然能夠提供穩(wěn)定的氣體流動(dòng)，但它們占用的空間較大，不利于設(shè)備的緊湊布局和集成。

2、此外，大型噴嘴裝置在反應(yīng)腔中的占據(jù)空間較大，減少了反應(yīng)腔的內(nèi)部空間，限制了設(shè)備的處理能力和生產(chǎn)效率。

3、因此，亟需一種能夠在保持或提升性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)小型化的噴嘴設(shè)計(jì)。這種設(shè)計(jì)應(yīng)該能夠在有限的空間內(nèi)提供精確和均勻的氣體分布。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種噴嘴裝置，用于半導(dǎo)體設(shè)備的反應(yīng)腔，所述噴嘴裝置包括沿第一方向延伸的本體及設(shè)于所述本體內(nèi)的多個(gè)相互獨(dú)立的氣流通道，所述氣流通道用于將外部氣體以不同的路徑引入所述反應(yīng)腔內(nèi)；

2、每個(gè)所述氣流通道均包括進(jìn)氣部、出氣部以及連接二者的連通部，所述連通部沿第一方向延伸設(shè)置，在所述第一方向上，所述進(jìn)氣部與所述出氣部間隔設(shè)置；

3、所述進(jìn)氣部呈盤狀設(shè)置，包括上壁、下壁、外周壁及位于所述進(jìn)氣部?jī)?nèi)的第一空間、第二空間，以及間隔所述第一空間和所述第二空間的勻氣結(jié)構(gòu)；所述外周壁設(shè)置有至少一個(gè)與所述第一空間連通的進(jìn)氣孔，所述第二空間與所述連通部連通，在所述進(jìn)氣部的徑向上，所述第一空間設(shè)于所述第二空間的外圍，所述連通部位于所述第二空間的內(nèi)側(cè)。

4、優(yōu)選地，所述勻氣結(jié)構(gòu)包括環(huán)形設(shè)置的勻氣板，所述勻氣板連接所述上壁和所述下壁，勻氣板上設(shè)置有若干個(gè)通孔，各所述通孔的橫截面積小于所述進(jìn)氣孔的橫截面積。

5、優(yōu)選地，所述出氣部由頂壁、底壁、側(cè)壁及形成在所述頂壁、所述底壁和所述側(cè)壁之間的出氣空間組成，所述側(cè)壁的周向設(shè)置有若干個(gè)出氣孔。

6、優(yōu)選地，不同的氣流通道的進(jìn)氣部和出氣部均同軸排列，且沿軸向并列設(shè)置；不同氣流通道的所述進(jìn)氣部的外周壁的外緣平齊。

7、優(yōu)選地，不同氣流通道的所述出氣部的所述側(cè)壁的外緣平齊。

8、優(yōu)選地，所述出氣部呈盤狀設(shè)置，所述出氣部的外徑小于所述進(jìn)氣部的外徑；

9、所述出氣部的軸向高度小于所述進(jìn)氣部的軸向高度。

10、優(yōu)選地，所述連通部配置為與所述進(jìn)氣部同軸的內(nèi)外套管，所述連通部通過(guò)所述內(nèi)外套管之間的環(huán)形通道連通所述進(jìn)氣部與所述出氣部；不同氣流通道的所述連通部配置為同軸的且徑向尺寸不同的多個(gè)套管，相鄰的所述套管連接不同的所述進(jìn)氣部或所述出氣部。

11、優(yōu)選地，所述噴嘴裝置包括自所述噴嘴裝置的頂部向底部延伸的冷卻通道，所述冷卻通道的頂部和底部均設(shè)置有徑向延伸的第一冷卻部；

12、所述冷卻通道的頂部設(shè)置有進(jìn)口和出口，所述進(jìn)口設(shè)置在軸心位置，所述出口設(shè)置在頂部的第一冷卻部的頂部；

13、底部的第一冷卻部?jī)?nèi)設(shè)有迂回結(jié)構(gòu)，冷卻流體通過(guò)所述進(jìn)口引入所述冷卻通道內(nèi)并經(jīng)過(guò)所述迂回結(jié)構(gòu)后從所述出口排出。

14、優(yōu)選地，所述噴嘴裝置包括第二冷卻部，在所述第一方向上，所述第二冷卻部設(shè)于所述進(jìn)氣部和所述出氣部之間，并且所述第二冷卻部套設(shè)于所述連通部的外周。

15、另外，本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備，包括：

16、反應(yīng)腔，包括主體部、設(shè)于所述主體部?jī)?nèi)的支撐晶圓的旋轉(zhuǎn)基盤及位于所述旋轉(zhuǎn)基盤上方的反應(yīng)空間；及上述的噴嘴裝置，所述噴嘴裝置與所述反應(yīng)腔固定連接并與所述旋轉(zhuǎn)基盤的中心位置相對(duì)，所述噴嘴裝置的出氣部設(shè)于所述主體部?jī)?nèi)并凸伸至所述反應(yīng)空間內(nèi)，所述噴嘴裝置的進(jìn)氣部位于所述主體部的外部。

17、本實(shí)用新型具有以下有益效果：

18、1.小型化的噴嘴占用的反應(yīng)腔空間更小，使得反應(yīng)腔具有更大的反應(yīng)空間；

19、2.勻氣結(jié)構(gòu)置于反應(yīng)腔的外部，一方面同樣可以達(dá)到較佳的勻氣效果，另一方面可以有效節(jié)省腔內(nèi)空間，使得噴嘴的出氣部分得以小型化。

技術(shù)特征：

1.一種噴嘴裝置，用于半導(dǎo)體設(shè)備的反應(yīng)腔，其特征在于，所述噴嘴裝置包括沿第一方向延伸的本體及設(shè)于所述本體內(nèi)的多個(gè)相互獨(dú)立的氣流通道，所述氣流通道用于將外部氣體以不同的路徑引入所述反應(yīng)腔內(nèi)；

2.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述勻氣結(jié)構(gòu)包括環(huán)形設(shè)置的勻氣板，所述勻氣板連接所述上壁和所述下壁，勻氣板上設(shè)置有若干個(gè)通孔，各所述通孔的橫截面積小于所述進(jìn)氣孔的橫截面積。

3.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述出氣部由頂壁、底壁、側(cè)壁及形成在所述頂壁、所述底壁和所述側(cè)壁之間的出氣空間組成，所述側(cè)壁的周向設(shè)置有若干個(gè)出氣孔。

4.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，不同的氣流通道的進(jìn)氣部和出氣部均同軸排列，且沿軸向并列設(shè)置；不同氣流通道的所述進(jìn)氣部的外周壁的外緣平齊。

5.如權(quán)利要求3所述的噴嘴裝置，其特征在于，不同氣流通道的所述出氣部的所述側(cè)壁的外緣平齊。

6.如權(quán)利要求3所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述出氣部呈盤狀設(shè)置，所述出氣部的外徑小于所述進(jìn)氣部的外徑；

7.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述連通部配置為與所述進(jìn)氣部同軸的內(nèi)外套管，所述連通部通過(guò)所述內(nèi)外套管之間的環(huán)形通道連通所述進(jìn)氣部與所述出氣部；不同氣流通道的所述連通部配置為同軸的且徑向尺寸不同的多個(gè)套管，相鄰的所述套管連接不同的所述進(jìn)氣部或所述出氣部。

8.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述噴嘴裝置包括自所述噴嘴裝置的頂部向底部延伸的冷卻通道，所述冷卻通道的頂部和底部均設(shè)置有徑向延伸的第一冷卻部；

9.如權(quán)利要求1所述的噴嘴裝置，其特征在于，所述噴嘴裝置包括第二冷卻部，在所述第一方向上，所述第二冷卻部設(shè)于所述進(jìn)氣部和所述出氣部之間，并且所述第二冷卻部套設(shè)于所述連通部的外周。

10.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，包括：

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種噴嘴裝置，包括沿第一方向延伸的本體及設(shè)于所述本體內(nèi)的多個(gè)相互獨(dú)立的氣流通道；每個(gè)氣流通道均包括進(jìn)氣部、出氣部以及連接二者的連通部，連通部沿第一方向延伸設(shè)置，在第一方向上，進(jìn)氣部與出氣部間隔設(shè)置；進(jìn)氣部呈盤狀設(shè)置，包括上壁、下壁、外周壁及位于所述進(jìn)氣部?jī)?nèi)的第一空間、第二空間，以及間隔第一空間和第二空間的勻氣結(jié)構(gòu)；外周壁設(shè)置有至少一個(gè)與第一空間連通的進(jìn)氣孔，第二空間與連通部連通，在進(jìn)氣部的徑向上，第一空間設(shè)于第二空間的外圍，連通部位于第二空間的內(nèi)側(cè)。本技術(shù)提供的噴嘴裝置的勻氣結(jié)構(gòu)設(shè)置在反應(yīng)腔的外部，滿足了勻氣要求的同時(shí)，還可以有效節(jié)省腔內(nèi)空間，使得噴嘴的出氣部分得以小型化。

技術(shù)研發(fā)人員：請(qǐng)求不公布姓名
受保護(hù)的技術(shù)使用者：無(wú)錫先為科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240426
技術(shù)公布日：2025/1/2