背景技術(shù)：
：多種反應(yīng)形成作為所需材料或副產(chǎn)物的揮發(fā)性硅氧烷。所需產(chǎn)物的純化需要從揮發(fā)性硅氧烷和其他反應(yīng)產(chǎn)物的混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷。然而，從混合物中除去揮發(fā)性硅氧烷可涉及使混合物的組分發(fā)生降解的苛刻的溫度條件，例如使用釜汽提或刮膜蒸發(fā)器。技術(shù)實現(xiàn)要素：在多種實施例中，本發(fā)明提供從液體混合物中除去揮發(fā)性硅氧烷的方法。該方法包括使第一疏水膜的第一側(cè)與液體進(jìn)料混合物接觸。液體進(jìn)料混合物包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷。該方法還包括使膜的第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸。掃描介質(zhì)包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者。第一側(cè)與進(jìn)料混合物以及第二側(cè)與掃描介質(zhì)的接觸在膜的第二側(cè)上產(chǎn)生滲透混合物并在膜的第一側(cè)上產(chǎn)生滲余混合物。滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷。滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷。在多種實施例中，本發(fā)明提供從液體混合物中除去揮發(fā)性硅氧烷的方法。該方法包括使第一疏水膜的第一側(cè)與包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物接觸。進(jìn)料混合物不含有機(jī)聚硅氧烷乳液。第一疏水膜包括厚度為約1μm至約300μm的致密有機(jī)硅(silicone)膜。液體進(jìn)料混合物的溫度為約-40℃至約250℃。該方法還包括使膜的第二側(cè)與包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)接觸，以在膜的第二側(cè)上產(chǎn)生滲透混合物并在膜的第一側(cè)上產(chǎn)生滲余混合物。與液體進(jìn)料混合物相比，滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷，而滲余混合物少約40重量％至約99重量％的揮發(fā)性硅氧烷。在多種實施例中，本發(fā)明提供用于從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括第一疏水膜。該系統(tǒng)包括包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物，該液體進(jìn)料混合物接觸第一疏水膜的第一側(cè)。該系統(tǒng)包括包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)，該掃描介質(zhì)接觸膜的第二側(cè)。該系統(tǒng)包括在膜的第二側(cè)上的滲透混合物，該滲透混合物通過使第一側(cè)與進(jìn)料混合物以及使第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸而形成，其中該滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷。該系統(tǒng)包括在膜的第一側(cè)上的滲余混合物，該滲余混合物通過使第一側(cè)與進(jìn)料混合物以及使第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸而形成，其中該滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷。多種實施例提供優(yōu)于其他分離方法的某些優(yōu)點，其中一些是令人驚訝且出人意料的。掃描介質(zhì)諸如氣體、液體和真空中的至少一者可使希望通過膜分離的揮發(fā)性硅氧烷組分的通量提高。在多種實施例中，本發(fā)明的方法可用于從液體進(jìn)料混合物中有效除去揮發(fā)性硅氧烷，包括環(huán)硅氧烷和線性硅氧烷。與對揮發(fā)性硅氧烷進(jìn)行汽提的常規(guī)方法相比，在多種實施例中，本發(fā)明的方法可通過控制諸如模塊溫度、進(jìn)料壓力、滲透壓力、掃描液體溫度和進(jìn)料混合物流量之類的參數(shù)而在相對溫和的條件下進(jìn)行，從而使混合物的降解比包括更苛刻溫度的其他方法少。在一些實施例中，通過使用無孔或致密膜，與具有貫穿膜的孔的多孔或微孔膜相比，掃描液體的泄漏更少，且膜的堵塞可以更少，從而提供所需的維護(hù)更少且具有優(yōu)異分離能力(包括更高的效率和更大的分離程度)的耐堵塞耐泄漏的膜系統(tǒng)。在多種實施例中，該膜工藝的小占地面積和模塊化提供比需要更多活動件的分批操作例如釜汽提、旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)器以及連續(xù)或半連續(xù)操作例如刮膜蒸發(fā)器更大的體積效率或可靠性。在一些實施例中，通過使用致密的無支撐膜，在多孔載體中不存在孔有助于減少沾污并降低來自載體孔中的被吸收物的冷凝的傳質(zhì)阻力。在多種實施例中，本發(fā)明的方法可以比其他工藝更溫和的加工條件以及更高的效率中的至少一者從混合物中除去揮發(fā)性硅氧烷，例如，使用更少的能量、使用更短的時間或采用更低的成本。附圖說明附圖以舉例的方式而非限制的方式大體示出了本文獻(xiàn)中討論的多種實施例。圖1示出了根據(jù)多種實施例的用于孔側(cè)汽提的中空纖維模塊。圖2示出了根據(jù)多種實施例的用于殼側(cè)汽提的模塊設(shè)置的示意圖。圖3示出了根據(jù)多種實施例的具有流體掃描的殼側(cè)汽提模塊的示意圖。具體實施方式現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明所公開的主題的某些實施例，其例子在附圖中部分地示出。盡管本發(fā)明所公開的主題將結(jié)合列舉的權(quán)利要求進(jìn)行說明，但應(yīng)當(dāng)理解，示例性的主題并不旨在將權(quán)利要求僅限制在本發(fā)明所公開的主題。以范圍形式表達(dá)的值應(yīng)當(dāng)以靈活的方式理解為不僅包括明確列舉出的作為范圍限值的數(shù)值，而且還包括涵蓋在該范圍內(nèi)的所有的單個數(shù)值或子區(qū)間，猶如每個數(shù)值和子區(qū)間被明確列舉出。例如，“約0.1％至約5％”或“約0.1％至5％”的范圍應(yīng)當(dāng)理解為不僅包括約0.1％至約5％，還包括在所指范圍內(nèi)的單個值(如，1％、2％、3％和4％)和子區(qū)間(如，0.1％至0.5％、1.1％至2.2％、3.3％至4.4％)。除非另外指明，否則表述“約X至Y”與“約X至約Y”具有相同的含義。同樣，除非另外指明，否則表述“約X、Y，或約Z”與“約X、約Y，或約Z”具有相同的含義。在本文件中，術(shù)語“一”、“一個”或“該”用于包括一個或不止一個，除非上下文明確地另外指明。術(shù)語“或”用于指代非排他性的“或”，除非另外指明。陳述“A和B中的至少一者”具有與“A、B或A和B”相同的含義。另外，應(yīng)當(dāng)理解本文所用的措辭或術(shù)語僅用于說明的目的而并非旨在限制，除非另外指明。段落標(biāo)題的任何使用旨在有助于文件的閱讀而不應(yīng)理解為限制；與段落標(biāo)題相關(guān)的信息可出現(xiàn)在特定段落之內(nèi)或之外。此外，在本文件中涉及的全部出版物、專利和專利文件均以引用方式全文并入本文，如同單獨以引用方式并入。如果在本文件和以引用的方式并入的那些文件之間有不一致的用法，則在所并入的文件中的用法應(yīng)當(dāng)被視為對本文件的補(bǔ)充；對于不可調(diào)和的矛盾，以本文件的用法為準(zhǔn)。在本文所述的制造方法中，除了在明確述及時間順序或操作順序時外，其步驟可以任何順序進(jìn)行而不偏離本發(fā)明的原理。此外，指定的步驟可同時進(jìn)行，除非有明確的權(quán)利要求語言述及它們單獨進(jìn)行。例如，進(jìn)行X的要求保護(hù)步驟和進(jìn)行Y的要求保護(hù)步驟可在單個操作內(nèi)同時進(jìn)行，并且所產(chǎn)生的方法將在要求保護(hù)的方法的字面范圍內(nèi)。本文所述化合物內(nèi)的所選取代基以遞歸程度呈現(xiàn)。在該語境中，“遞歸取代基”是指某取代基可引用其自身的另一實例，或引用自身引用第一取代基的另一取代基。遞歸取代基是所公開的主題的預(yù)期方面。由于此類取代基的遞歸性，因此在理論上，在任何給定的主張中可以存在大量取代基。有機(jī)化學(xué)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解此類取代基的總數(shù)由預(yù)期化合物的所需性質(zhì)合理地限制。此類性質(zhì)以舉例而非限制的方式包括諸如分子量、溶解度之類的物理性質(zhì)和諸如易合成性之類的實用性質(zhì)。遞歸取代基可調(diào)用自身任何合適的次數(shù)，例如約1次、約2次、3、4、5、6、7、8、9、10、15、20、30、50、100、200、300、400、500、750、1000、1500、2000、3000、4000、5000、10,000、15,000、20,000、30,000、50,000、100,000、200,000、500,000、750,000或約1,000,000次或更多次。如本文所用，術(shù)語“約”可允許值或范圍具有一定程度的波動，例如在所述值或所述范圍的極限的10％內(nèi)、5％內(nèi)或1％內(nèi)。如本文所用，術(shù)語“基本上”是指大多數(shù)或主要地，就像至少約50％、60％、70％、80％、90％、95％、96％、97％、98％、99％、99.5％、99.9％、99.99％或至少約99.999％或更多。如本文所用，術(shù)語“有機(jī)基團(tuán)”是指但不限于任何含碳官能團(tuán)。例如，含氧基團(tuán)，例如烷氧基基團(tuán)、芳氧基基團(tuán)、芳烷氧基基團(tuán)、氧代基(羰基)基團(tuán)、羧基基團(tuán)(包括羧酸、羧酸鹽和羧酸酯)；含硫基團(tuán)，例如烷基和芳基硫化物基團(tuán)；以及其他含雜原子的基團(tuán)。有機(jī)基團(tuán)的非限制性例子包括OR、OOR、OC(O)N(R)2、CN、CF3、OCF3、R、C(O)、亞甲基二氧基、亞乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R或C(＝NOR)R，其中R可以是氫(在包括其他碳原子的例子中)或基于碳的部分，并且其中基于碳的部分自身可被進(jìn)一步取代。如本文所用，術(shù)語“取代的”是指這樣的如本文所述的有機(jī)基團(tuán)或分子，在其中，其中所含的一個或多個氫原子被一個或多個非氫原子所代替。如本文所用，術(shù)語“官能團(tuán)”或“取代基”是指可取代到或取代到分子上或有機(jī)基團(tuán)上的基團(tuán)。取代基或官能團(tuán)的例子包括但不限于：鹵素(如，F(xiàn)、Cl、Br和I)；諸如羥基基團(tuán)、烷氧基基團(tuán)、芳氧基基團(tuán)、芳烷氧基基團(tuán)、氧代基(羰基)基團(tuán)、羧基基團(tuán)(包括羧酸、羧酸鹽和羧酸酯)之類的基團(tuán)中的氧原子；諸如硫醇基團(tuán)、烷基硫化物和芳基硫化物基團(tuán)、亞砜基團(tuán)、砜基團(tuán)、磺?；鶊F(tuán)和磺酰胺基團(tuán)之類的基團(tuán)中的硫原子；諸如胺、羥胺、腈、硝基基團(tuán)、N-氧化物、酰肼、疊氮化物和烯胺之類的基團(tuán)中的氮原子；以及多種其他基團(tuán)中的其他雜原子。可鍵合到被取代的碳(或其他)原子的取代基J的非限制性例子包括F、Cl、Br、I、OR、OC(O)N(R)2、CN、NO、NO2、ONO2、疊氮基、CF3、OCF3、R、O(氧代基)、S(硫代基)、C(O)、S(O)、亞甲基二氧基、亞乙基二氧基、N(R)2、SR、SOR、SO2R、SO2N(R)2、SO3R、C(O)R、C(O)C(O)R、C(O)CH2C(O)R、C(S)R、C(O)OR、OC(O)R、C(O)N(R)2、OC(O)N(R)2、C(S)N(R)2、(CH2)0-2N(R)C(O)R、(CH2)0-2N(R)N(R)2、N(R)N(R)C(O)R、N(R)N(R)C(O)OR、N(R)N(R)CON(R)2、N(R)SO2R、N(R)SO2N(R)2、N(R)C(O)OR、N(R)C(O)R、N(R)C(S)R、N(R)C(O)N(R)2、N(R)C(S)N(R)2、N(COR)COR、N(OR)R、C(＝NH)N(R)2、C(O)N(OR)R或C(＝NOR)R，其中R可以是氫或基于碳的部分，并且其中基于碳的部分自身可被進(jìn)一步取代；例如，其中R可以是氫、烷基、?；h(huán)烷基、芳基、芳烷基、雜環(huán)基、雜芳基或雜芳基烷基，其中任何烷基、?；?、環(huán)烷基、芳基、芳烷基、雜環(huán)基、雜芳基或雜芳基烷基或R可以獨立地被J單取代或多取代；或其中鍵合到一個氮原子或鍵合到相鄰氮原子的兩個R基團(tuán)可與所述氮原子一起形成雜環(huán)基，該雜環(huán)基可被J單取代或獨立地多取代。如本文所用，術(shù)語“烷基”是指具有1至40個碳原子、1至約20個碳原子、1至12個碳原子或在一些實施例中1至8個碳原子的直鏈和支鏈烷基基團(tuán)和環(huán)烷基基團(tuán)。直鏈烷基基團(tuán)的例子包括具有1至8個碳原子的那些，例如甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基和正辛基基團(tuán)。支鏈烷基基團(tuán)的例子包括但不限于異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、新戊基、異戊基和2,2-二甲基丙基基團(tuán)。如本文所用，術(shù)語“烷基”涵蓋正烷基、異烷基和反異烷基基團(tuán)以及烷基的其他支鏈形式。代表性的取代烷基基團(tuán)可由本文所列的任何基團(tuán)例如氨基、羥基、氰基、羧基、硝基、硫基、烷氧基和鹵素基團(tuán)取代一次或多次。如本文所用，術(shù)語“烯基”是指如本文所定義的直鏈和支鏈以及環(huán)狀的烷基基團(tuán)，不同的是在兩個碳原子之間存在至少一個雙鍵。因此，烯基基團(tuán)具有2至40個碳原子、或2至約20個碳原子、或2至12個碳原子或在一些實施例中2至8個碳原子。例子包括但不限于乙烯基、-CH＝CH(CH3)、-CH＝C(CH3)2、-C(CH3)＝CH2、-C(CH3)＝CH(CH3)、-C(CH2CH3)＝CH2、環(huán)己烯基、環(huán)戊烯基、環(huán)己二烯基、丁二烯基、戊二烯基和己二烯基等。如本文所用，術(shù)語“樹脂”是指包含至少一個硅氧烷單體的任何粘度的聚硅氧烷材料，所述至少一個硅氧烷單體通過Si-O-Si鍵鍵合到三個或四個其他硅氧烷單體。在一個例子中，聚硅氧烷材料包含如本文所定義的T基團(tuán)或Q基團(tuán)。如本文所用，術(shù)語“輻射”是指穿過介質(zhì)或空間的高能粒子。輻射的例子為可見光、紅外線、微波、無線電波、超低頻波、極低頻波、熱輻射(熱)和黑體輻射。如本文所用，術(shù)語“固化”是指暴露于任何形式的輻射、加熱或允許發(fā)生會導(dǎo)致硬化或粘度增加的物理或化學(xué)反應(yīng)。如本文所用關(guān)于膜的術(shù)語“致密”是指液體材料在不發(fā)生相變以形成氣相的情況下不能通過膜。致密膜可以為基本上無孔的。如本文所用，術(shù)語“孔”是指固體物體中任何大小或形狀的凹陷、狹縫或孔洞?？卓韶灤┪矬w?？卓膳c其他孔相交。除非另外指明，否則如本文所用關(guān)于膜的術(shù)語“無孔”是指膜基本上不具有可形成貫穿膜的厚度的從一個主要側(cè)到另一個主要側(cè)的路徑的孔。如本文所用，術(shù)語“自支撐”或“無支撐”是指膜的兩個主要側(cè)中每一者上的大部分表面積不接觸基材的膜，無論基材是多孔的或不是多孔的。在一些實施例中，“自支撐”或“無支撐”的膜可在兩個主要側(cè)上100％不受支撐。“自支撐”或“無支撐”的膜可在膜的任一主要側(cè)或兩個主要側(cè)上的邊緣處或少部分(如，小于約50％)表面積處受支撐。如本文所用，術(shù)語“受支撐”是指兩個主要側(cè)中至少一者上的大部分表面積接觸基材的膜，無論基材是多孔的或不是多孔的。在一些實施例中，“受支撐”的膜可在至少一個側(cè)上100％受支撐?！笆苤巍钡哪た芍卧谀さ娜我恢饕獋?cè)或兩個主要側(cè)上的大部分(如，大于約50％)表面積處任何合適的位置處。如本文所用，術(shù)語“富含”是指例如液體、氣體或溶質(zhì)的量或濃度增加。例如，如果通過例如氣體A的選擇性滲透通過膜來向混合物中添加氣體A，或例如通過氣體B的選擇性滲透通過膜來從混合物取走氣體B而增加氣體A的濃度或量，則可使氣體A和B的混合物富含氣體A。當(dāng)?shù)谝粴怏w組分穿過膜進(jìn)入另一側(cè)上的流體中時，該流體將富含第一氣體組分，而該流體與滲透過膜的氣體的組合可稱為滲透物。如本文所用，術(shù)語“貧乏”是指減少例如液體、氣體或溶質(zhì)的量或濃度。例如，如果通過例如氣體B的選擇性滲透通過膜來從混合物取走氣體B或例如通過氣體A的選擇性滲透通過膜來向混合物中增加氣體A而減小氣體B的濃度或量，則可使氣體A和B的混合物貧乏氣體B。如本文所用，術(shù)語“選擇性”或“理想的選擇性”是指在相同溫度(除非另外指明，否則假定為室溫)下測得的快速滲透氣體的滲透性相對于緩慢滲透氣體的滲透性的比率。如本文所用，術(shù)語“滲透性”是指物質(zhì)X通過膜的滲透系數(shù)(Px)，其中qmx＝Px*A*Δpx*(1/δ)，其中qmx為物質(zhì)X通過膜的體積流量，A為物質(zhì)X流動通過的膜的一個主要側(cè)的表面積，Δpx為整個膜上物質(zhì)X的分壓的壓差，并且δ為膜的厚度。Px還可表示為V·δ/(A·t·Δp)，其中Px為氣體X在膜中的滲透性，V為滲透通過膜的氣體X的體積，δ為膜的厚度，A為膜的面積，t為時間，Δp為氣體X在滲余側(cè)和滲透側(cè)的壓差。如本文所用，術(shù)語“巴勒”是指滲透性的單位，其中1巴勒＝10-11(cm3氣體)cmcm-2s-1mmHg-1或10-10(cm3氣體)cmcm-2s-1cmHg-1，其中“cm3氣體”表示在標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力下將占據(jù)一個立方厘米的氣體的量。如本文所用的相對于膜的術(shù)語“總表面積”是指膜暴露于進(jìn)料混合物的那側(cè)的總表面積。如本文所用，術(shù)語“空氣”是指氣體混合物，其組成大約與從大氣中(通常在地平面)采集的氣體的天然組成相同。在一些例子中，空氣采集自周圍環(huán)境?？諝獾慕M成包含約78％氮氣、21％氧氣、1％氬氣和0.04％二氧化碳以及少量其他氣體。如本文所用，術(shù)語“室溫”是指環(huán)境溫度，其可例如介于約15℃和約28℃之間。如本文所用，術(shù)語“氣體”包括氣相材料。如本文所用，術(shù)語“吸收”是指溶解或攜帶所吸收的組分。例如，流體可作為溶解氣體中的至少一種以及作為任何合適大小的氣泡吸收氣體，以便允許在流體中轉(zhuǎn)運氣體。吸收過程可包括任何適用的機(jī)理，例如化學(xué)相互作用(如化學(xué)吸附)、物理相互作用(如物理吸附)、本體相互作用、表面相互作用(如吸附)或其組合。如本文所用，術(shù)語“解吸”是指逐出所吸收的組分。從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的方法。多種實施例提供從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的方法。該方法可包括使第一疏水膜的第一側(cè)與包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物接觸。該方法還可以包括使膜的第二側(cè)與包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)接觸。進(jìn)料混合物與膜的第一側(cè)的接觸以及掃描介質(zhì)與膜的第二側(cè)的接觸可在膜的第二側(cè)上產(chǎn)生滲透混合物并在膜的第一側(cè)上產(chǎn)生滲余混合物，其中滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷，而滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷。在多種實施例中，該方法提供比已知方法例如釜汽提和刮膜蒸發(fā)器更節(jié)能、便利和溫和的除去揮發(fā)性硅氧烷的方式。在一個實施例中，膜是致密有機(jī)硅中空纖維膜，并且進(jìn)料流體是有機(jī)聚硅氧烷聚合物與揮發(fā)性線性或環(huán)硅氧烷的混合物。在一些實施例中，該方法可在比大體積汽提操作中更低的溫度或真空度下使揮發(fā)性組分有效減少。在一些實施例中，可將諸如有機(jī)硅流體之類的掃描介質(zhì)用于掃描中空纖維膜模塊的殼側(cè)或孔側(cè)以從另一種液體中除去揮發(fā)性硅氧烷。然后可通過使用第二模塊或解吸模塊使掃描液體再生以供再次使用。在一些實施例中，然后可使用比吸收過程中所用的溫度更高的溫度(任選不使用真空泵)從有機(jī)硅掃描流體解吸揮發(fā)性組分。在包括吸收和解吸的一些實施例中，吸收可在較冷的掃描流體溫度和較低的掃描流體壓力中的至少一者下進(jìn)行，而在解吸過程中，使用較高的掃描流體溫度和較高的掃描流體壓力中的至少一者。在一些實施例中，使掃描流體再循環(huán)以供再吸收，而不解吸(例如，多次通過)。在一些實施例中，含有吸收的揮發(fā)性硅氧烷的掃描流體不再生，而是送往另一過程或加以儲存以供將來使用。在一些實施例中，該方法可用于汽提開環(huán)平衡產(chǎn)物，或可用于從多種廢料流中回收環(huán)硅氧烷。該方法可從液體進(jìn)料混合物中分離一種或不止一種揮發(fā)性硅氧烷。移除可包括降低進(jìn)料混合物中的揮發(fā)性硅氧烷的濃度，或者移除包括從進(jìn)料混合物中除去基本上所有的揮發(fā)性硅氧烷。在一些實施例中，除去一種揮發(fā)性硅氧烷的基本上全部，而僅除去另一種揮發(fā)性硅氧烷的一部分。在一些實施例中，一種揮發(fā)性硅氧烷的濃度可降低第一量，而另一種揮發(fā)性硅氧烷的濃度可降低與第一量相同或不同的第二量。該方法可從進(jìn)料混合物中除去任何合適量的所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷。在一些例子中，滲余混合物與液體進(jìn)料混合物相比少約1重量％至約99.9重量％、約40重量％至約99重量％、約70重量％至約95重量％、或約1重量％或更少、2重量％、3、4、5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、71、72、73、74、75、76、77、78、79、80、81、82、83、84、85、86、87、88、89、90、91、92、93、94、95、96、97、98、99、99.5重量％或約99.9重量％或更多的所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷。本發(fā)明提供與掃描介質(zhì)相結(jié)合使用膜的方法。掃描介質(zhì)可接觸膜的滲透側(cè)以有助于清除穿過膜滲入滲透側(cè)的一些或基本上全部的一種或多種揮發(fā)性硅氧烷，從而有助于維持第一組分跨膜傳質(zhì)的強(qiáng)驅(qū)動力。在膜的一側(cè)上的液體進(jìn)料混合物以及在膜的另一側(cè)上的掃描介質(zhì)可相對于彼此具有任何合適的流動構(gòu)型。進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)相對于彼此的移動可降低緊鄰膜的揮發(fā)性硅氧烷的濃度，這可增加揮發(fā)性硅氧烷跨過膜的傳遞速率。通過相對于彼此移動進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)，在給定的時間接觸膜的進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)的量可增大或最大化，這可通過增加或優(yōu)化揮發(fā)性硅氧烷跨過膜的傳遞而改善膜的分離性能。在一些例子中，進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)以相似的方向流動。在其他例子中，進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)以反向流或交錯流中的至少一者流動。流動構(gòu)型可以包括多種流型，例如約10、20、30、40、50、60、70、80或90％的進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)可具有交錯流，而另外約90、80、70、60、50、40、30、20或10％的進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)具有反向流、類似的流動方向(例如，并流)或相對于彼此的徑向流動方向(例如，孔流沿著長度方向，而掃描流沿著徑向方向)。流型的任何合適的組合均包含在本發(fā)明的實施例內(nèi)。膜一側(cè)上進(jìn)料混合物的流量和膜另一側(cè)上掃描介質(zhì)的流量可獨立地變化以便為膜系統(tǒng)提供任何合適的進(jìn)料混合物與掃描介質(zhì)流量比?？纱嬖谧罴训倪M(jìn)料混合物與掃描介質(zhì)流量比范圍以實現(xiàn)給定的膜系統(tǒng)、構(gòu)造和操作條件的所需分離。當(dāng)將掃描液體用于幫助從進(jìn)料混合物中除去揮發(fā)性硅氧烷時，最佳的進(jìn)料混合物與掃描液體流量比可與將揮發(fā)性硅氧烷從進(jìn)料混合物移入掃描介質(zhì)中的過程的最佳比不同。進(jìn)料混合物可以按任何合適的方式接觸膜(例如，一個或多個膜)。在一些實施例中，可使進(jìn)料混合物以一定的壓力接觸膜，以使得在跨過膜的所述至少一種揮發(fā)性硅氧烷的分壓中存在正梯度以驅(qū)動所述至少一種揮發(fā)性硅氧烷滲透進(jìn)入膜的滲透側(cè)。在一個例子中，使進(jìn)料混物在大約環(huán)境壓力下接觸膜。在另一個例子中，進(jìn)料混合物/滲余側(cè)和滲透側(cè)均保持在接近環(huán)境壓力，但引向滲透側(cè)的掃描流體或氣體的壓力和流量使得揮發(fā)性硅氧烷的正分壓梯度得以維持。在另一個例子中，使進(jìn)料混合物接觸膜以使得在膜的第一側(cè)與第二側(cè)之間存在壓差。該壓差可使得進(jìn)料混合物的壓力(在膜的第一側(cè)上)大于膜第二側(cè)的壓力。在一個例子中，壓差因進(jìn)料混合物的壓力高于環(huán)境壓力而引起；在此類例子中，進(jìn)料混合物的壓力可使用任何合適的裝置例如泵升到環(huán)境壓力以上。在另一個例子中，該壓差因膜第二側(cè)的壓力處于環(huán)境壓力或低于環(huán)境壓力而引起；在此類例子中，膜第二側(cè)的壓力可使用任何合適的裝置例如鼓風(fēng)機(jī)或真空泵而降低到環(huán)境壓力以下。在其他例子中，在膜第二側(cè)低于環(huán)境壓力以及在膜第一側(cè)高于環(huán)境壓力的組合有助于跨過膜的壓差。在一些實施例中，在膜的第一側(cè)上高于環(huán)境壓力可通過以下方式實現(xiàn)：向膜的第一側(cè)泵送進(jìn)料混合物，并限制滲余混合物從膜的離開路徑。從進(jìn)料混合物中分離一種或多種揮發(fā)性硅氧烷的方法包括使膜的第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸。膜的第二側(cè)與掃描介質(zhì)以及膜的第一側(cè)與進(jìn)料混合物的接觸在膜的第二側(cè)上產(chǎn)生滲透混合物并在膜的第一側(cè)上產(chǎn)生滲余混合物。滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷；掃描介質(zhì)在接觸膜之后與接觸膜之前的濃度相比在其中具有更高濃度或更高量的揮發(fā)性硅氧烷中的至少一者；滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷；進(jìn)料混合物在接觸膜之后與接觸膜之前(作為進(jìn)料混合物)的揮發(fā)性硅氧烷的濃度或量相比在其中具有更低濃度或更低量的揮發(fā)性硅氧烷中的至少一者。在一些實施例中，可調(diào)節(jié)進(jìn)料混合物的溫度以提供所需的分離程度，這取決于掃描介質(zhì)和膜的性質(zhì)。進(jìn)料混合物的溫度可以是任何合適的溫度，例如約室溫至約150℃、約-40℃至約250℃、約30℃至約150℃、約40℃至約110℃、約50℃至約90℃、或約室溫、或約-40℃或更低、或約-35℃、-30、-25、-20、-15、-10、-5、0、5、10、15、20、25、30、35、40、45、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145、150、155、160、170、180、190、200、210、220、230、240℃或約250℃或更高。在一些實施例中，掃描介質(zhì)可在有利的溫度和壓力下引向膜的第二側(cè)，以實現(xiàn)所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷從流體進(jìn)入掃描介質(zhì)的更快的傳遞，例如，以增大所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷的跨膜通量。掃描介質(zhì)在接觸期間可處于任何合適的溫度，例如約-60℃至約150℃、約-30℃至約150℃、約-20℃至約150℃、約-10℃至約150℃、約0℃至約150℃、約10℃至約150℃、約20℃至約150℃、約10℃至約110℃、約10℃至約90℃、或約-60℃或更低、或約-55℃、-50、-45、-40、-35、-30、-25、-20、-15、-10、-5、0、5、10、15、20、25、30、40、50、55、60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135、140、145℃或約150℃或更高。進(jìn)料混合物可在與膜的第一側(cè)接觸期間具有任何合適的壓力。例如，進(jìn)料混合物的壓力可以為0.01巴至約100,000巴、或約0.5巴至約5巴、或約0.01巴或更低、0.05、0.1、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.2、1.4、1.6、1.8、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、6、7、8、9、10、12、14、16、18、20、25、30、40、50、75、100、150、200、250、500、750、1,000、1,500、2,500、5,000、10,000、50,000或約100,000巴或更高。掃描介質(zhì)可在與膜的第一側(cè)接觸期間具有任何合適的壓力。例如，掃描介質(zhì)的壓力可以為約0.000,01巴至約100巴、或約0.001巴至約10巴、或約0.000,01巴或更低、約0.000,1巴、0.001、0.01、0.1、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.2、1.4、1.6、1.8、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、6、7、8、9、10、12、14、16、18、20、25、30、40、50、75或約100巴或更高。進(jìn)料混合物與掃描介質(zhì)之間的壓差可以是任何合適的壓差，以使得可如本文所述執(zhí)行所述方法。例如，進(jìn)料混合物與掃描介質(zhì)之間的壓差可以為約0、約0.000,01巴至約100,000巴、或約0.01巴至約10,000巴、或約0.000,01巴或更低、約0.000,1巴、0.001、0.01、0.1、0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.2、1.4、1.6、1.8、2、2.5、3、3.5、4、4.5、5、6、7、8、9、10、12、14、16、18、20、25、30、40、50、75、100、150、200、250、500、750、1,000、1,500、2,500、5,000、10,000、50,000或約100,000巴或更高。在一些例子中，如果讓膜的第二側(cè)的揮發(fā)性硅氧烷組分的濃度達(dá)到一定水平，則可降低揮發(fā)性硅氧烷組分從進(jìn)料混合物的分離速率?？蓪M(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)的流量進(jìn)行調(diào)節(jié)而使得所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷發(fā)生高效且有效的分離。例如，進(jìn)料混合物的流量可以為約0.001L/min至約100,000L/min、約0.1L/min至約100L/min、或約0.001L/min或更低、0.01L/min、0.1、1、2、4、6、8、10、15、20、25、50、75、100、150、200、250、500、750、1,000、1,500、2,500、5,000、7,500、10,000、15,000、20,000、25,000、50,000、75,000或約100,000L/min或更高。掃描介質(zhì)的流量可以為0.001L/min至約100,000L/min、約0.1L/min至約100L/min、或約0.001L/min或更低、0.01L/min、0.1、1、2、4、6、8、10、15、20、25、50、75、100、150、200、250、500、750、1,000、1,500、2,500、5,000、7,500、10,000、15,000、20,000、25,000、50,000、75,000或約100,000L/min或更高。在一些實施例中，用于從進(jìn)料混合物中除去揮發(fā)性硅氧烷的方法還可以包括：通過降低滲透混合物中所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷的濃度或量中的至少一者，從通過接觸而產(chǎn)生的滲透混合物中除去所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷。因此，本發(fā)明可以提供以下組合：使用掃描介質(zhì)從進(jìn)料混合物中除去至少一種揮發(fā)性硅氧烷，以及例如通過使用第二膜或經(jīng)由另一種合適的手段從用過的掃描介質(zhì)中除去所述至少一種揮發(fā)性硅氧烷。該方法還可以包括使恢復(fù)的掃描介質(zhì)滲透物再循環(huán)而與膜的第二側(cè)接觸，從而允許再次使用掃描介質(zhì)，例如通過使解吸的滲透混合物再循環(huán)而與第一疏水膜的第二側(cè)接觸。這種再使用可提高所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷從進(jìn)料混合物的分離效率，并可進(jìn)行多個循環(huán)(例如，約2、3、4、5、10、100、1000個或更多個循環(huán))。使所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷解吸可包括使第二疏水膜的第一側(cè)與滲透混合物接觸并使第二疏水膜的第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸。用在第二過程中的掃描介質(zhì)可以與用在第一過程中的掃描介質(zhì)相同或不同。在一些實施例中，不循環(huán)利用掃描介質(zhì)。進(jìn)料混合物和揮發(fā)性硅氧烷。液體進(jìn)料混合物可以是至少包含至少一種揮發(fā)性硅氧烷和至少一種聚合物的任何合適的進(jìn)料混合物。進(jìn)料混合物可以是通過形成聚合物的一種或多種化學(xué)反應(yīng)形成的組合物，其中所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷中的至少一種是所需的產(chǎn)物，或其中所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷中的至少一種是副產(chǎn)物。進(jìn)料混合物可包含一種聚合物或不止一種聚合物。聚合物可以是任何合適的聚合物，例如包含硅的聚合物，例如聚硅氧烷，例如有機(jī)聚硅氧烷。聚合物可以是本文所述的任何包含硅的聚合物。進(jìn)料混合物可包含一種或多種有機(jī)聚硅氧烷。有機(jī)聚硅氧烷可具有直鏈的、支鏈的、環(huán)狀的或樹脂的結(jié)構(gòu)。有機(jī)聚硅氧烷可為均聚物或共聚物。有機(jī)聚硅氧烷化合物可為二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。在一些實施例中，聚合物為烷基取代的、芳基取代的、鹵代烷基取代的、鹵代芳基取代的或H取代的有機(jī)聚硅氧烷，例如聚二甲基硅氧烷、聚甲基氫硅氧烷、聚甲基乙烯基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷以及它們的共聚物。有機(jī)聚硅氧烷可以被任何合適的有機(jī)官能團(tuán)或取代基取代，或被有機(jī)聚合物或有機(jī)低聚物取代，如有機(jī)硅-有機(jī)共聚物的多種結(jié)構(gòu)。在多種實施例中，有機(jī)聚硅氧烷可包括下式的化合物Rx3SiO(Rx2SiO)αSiRx3或(Rx3SiO1/2)w(Rx3SiO2/2)x(Rx3SiO3/2)y(SiO4/2)z。變量α的平均值可以為約零或更大，且最多為約1,000,000。0≤w<0.95、0≤x<1、0≤y<1、0≤z<0.95且w+x+y+z≈1。各Rx獨立地為一價官能團(tuán)，例如-H、取代或未取代的(C1-C20)烷基(例如，甲基、乙基、丙基、戊基、辛基、十一烷基、十八烷基)、取代或未取代的(C6-C20)芳基(如，苯基、甲苯基、二甲苯基、芐基、2-苯乙基)、取代或未取代的(C2-C20)烯基、鹵素、(C1-20)烷氧基、乙烯基、烯丙基、己烯基、取代或未取代的(C2-C20)炔基、鹵素取代的(C1-20)烷基或(C6-C20)芳基(如，三氟丙基)、羥基、烷氧基、雜芳基、取代和未取代的環(huán)烷基。各Rx也可以為有機(jī)基團(tuán)，或式Ry-Q的基團(tuán)，其中Q包括有機(jī)基團(tuán)，例如羧基、鹵素、取代或未取代的胺(伯胺、仲胺或叔胺)、乙烯基、烯丙基、酸酐、巰基、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、丙烯酰胺、低聚醚、聚醚、異氰酸酯、環(huán)氧基、環(huán)環(huán)氧基(cycloepoxy)、羥基、鹵素、羧酸根、酸酐、異氰酸酯、硫化物和天然存在的或生物來源的基團(tuán)(如，糖、肽、纖維素)、離子基團(tuán)(如，銨)、氰基(C1-C20)烷基(如，氰乙基基團(tuán)、氰丙基)以及夾雜有選自-O-、-NH-和-S-的0、1、2或3個基團(tuán)或以它們封端的取代或未取代的(C1-C20)烴基。變量Ry獨立地為二價間隔基團(tuán)，該間隔基團(tuán)為1至12個碳原子的取代或未取代的亞烷基基團(tuán)或式(R9O)p的基團(tuán)，其中R9為二價有機(jī)基團(tuán)，例如1至12個碳原子的亞烷基基團(tuán)，下標(biāo)p為從1至50范圍內(nèi)的整數(shù)，并且各R9O可以相同或不同。在一些例子中，Ry為亞甲基、亞乙基或亞丙基。變量Rx也可以獨立地包括其他有機(jī)官能團(tuán)，例如縮水甘油基、胺、醚、氰酸酯、異氰基、酯、烷氧基、酰氧基、羧酸、羧酸鹽、琥珀酸根、酸酐、巰基、硫化物、酮肟、疊氮化物、膦酸根、膦、經(jīng)掩蔽的異氰基、羥基以及它們的組合。變量Rx也可包括環(huán)烷基基團(tuán)，包括但不限于環(huán)己基基團(tuán)。變量Rx可以是烷氧基聚(氧化烯基)基團(tuán)，例如丙氧基聚(氧乙烯)、丙氧基聚(氧丙烯)、丙氧基-聚(氧丙烯)-共-聚(氧乙烯)、它們的鹵素取代的形式以及它們的組合。變量Rx可包括鹵代烴基，包括但不限于3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基、二氯苯基和6,6,6,5,5,4,4,3,3-九氟己基基團(tuán)以及它們的組合。變量Rx可包括咔唑基團(tuán)，例如3-(N-咔唑基)丙基；芳基氨基官能團(tuán)，例如4-(N,N-二苯基氨基)苯基-3-丙基；以及鹵代烴基團(tuán)，例如3,3,3-三氟丙基、3-氯丙基、二氯苯基和6,6,6,5,5,4,4,3,3-九氟己基。在一些例子中，有機(jī)聚硅氧烷可以是二甲基乙烯基封端的二甲基硅氧烷、二甲基乙烯基化和三甲基化的二氧化硅、四甲基四乙烯基環(huán)四硅氧烷、二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷-聚甲基乙烯基硅氧烷共聚物、二甲基乙烯基甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷-聚甲基乙烯基硅氧烷共聚物或四甲基二乙烯基二硅氧烷。在一些例子中，前述列表中結(jié)構(gòu)的乙烯基基團(tuán)可被烯丙基、己烯基、丙烯酸基、甲基丙烯酸基或其他硅氫加成反應(yīng)性或自由基可聚合的不飽和基團(tuán)(例如丙烯酰氧基丙基基團(tuán)和甲基丙烯酰氧基丙基基團(tuán))取代。在一些例子中，有機(jī)聚硅氧烷可包括主要含有CH2＝CH(CH3)2SiO1/2單元、(CH3)3SiO1/2單元和SiO4/2單元的有機(jī)聚硅氧烷樹脂，或者可以是PhSi(OSiMe2Vi)3、Si(OSiMe2Vi)4、MeSi(OSiMe2Vi)3或Ph2Si(OSiMe2Vi)2。在一些例子中，有機(jī)聚硅氧烷可包括低聚的二甲基硅氧烷(D)-甲基乙烯基硅氧烷(DVi)二醇。在一些實施例中，有機(jī)聚硅氧烷可以是有機(jī)氫硅氧烷，例如1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、1,1,3,3-四苯基二硅氧烷、苯基三(二甲基甲硅烷氧基)硅烷、1,3,5-三甲基環(huán)三硅氧烷、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(甲基氫硅氧烷)、三甲基甲硅烷氧基封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基氫硅氧烷)、二甲基氫甲硅烷氧基封端的聚(甲基氫硅氧烷)、甲基氫甲硅烷氧基封端的聚二甲基硅氧烷或二甲基氫甲硅烷氧基封端的聚(二甲基硅氧烷/甲基氫硅氧烷)。在另一個實施例中，有機(jī)聚硅氧烷包括通過使具有聚合物主鏈的有機(jī)化合物與有機(jī)聚硅氧烷化合物共聚而形成的化合物，以使得每個共聚物平均存在至少一個可自由基聚合的基團(tuán)。合適的有機(jī)化合物包括但不限于基于烴的聚合物例如聚異丁烯、聚丁二烯、聚異戊二烯、聚烯烴例如聚乙烯、聚丙烯和聚乙烯-聚丙烯共聚物、聚苯乙烯、苯乙烯-丁二烯和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯、聚丙烯酸酯、聚醚例如聚氧乙烯和聚氧丙烯、聚酯例如聚對苯二甲酸乙二醇酯和聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚脲、聚甲基丙烯酸酯、部分氟化或全氟化的聚合物例如聚四氟乙烯、氟化橡膠、末端不飽和烴、烯烴、聚烯烴以及它們的組合。有機(jī)化合物也可以包括共聚物，包括具有多個有機(jī)官能團(tuán)、多個有機(jī)聚硅氧烷官能團(tuán)以及有機(jī)聚硅氧烷與有機(jī)化合物的組合的聚合物。共聚物可包含處于無規(guī)、接枝或嵌段排列的重復(fù)單元。在一些實施例中，進(jìn)料混合物可包含有機(jī)硅烷，例如二苯基硅烷、2-氯乙基硅烷、雙[(對二甲基甲硅烷基)苯基]醚、1,4-二甲基二甲硅烷基乙烷、1,3,5-三(二甲基甲硅烷基)苯、1,3,5-三甲基-1,3,5-三硅烷、聚(甲基亞甲硅烷基)亞苯基化物和聚(甲基亞甲硅烷基)亞甲基化物。在一些實施例中，進(jìn)料混合物可基本上不含有機(jī)聚硅氧烷乳液，如包含有機(jī)聚硅氧烷的乳液。在多種實施例中，低于30重量％、25、20、15、10、8、6、4、2、1、0.5、0.1、0.01或低于0.001重量％的進(jìn)料混合物可以是包含有機(jī)聚硅氧烷的乳液。在其他實施例中，進(jìn)料混合物包括含有有機(jī)聚硅氧烷的乳液。液體進(jìn)料混合物可具有50體積％或更多的液體，或約55體積％、60、65、70、75、80、85、90、95、96、97、98、99、99.5、99.9或約99.99體積％的液體，而其余的則為氣相。在進(jìn)料混合物中，所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷可獨立地處于液相、氣相或它們的組合。揮發(fā)性硅氧烷可以是任何合適的硅氧烷，以使得可如本文所述執(zhí)行所述方法，例如本文所述的任何合適的硅氧烷。例如，揮發(fā)性硅氧烷可以是線性硅氧烷或環(huán)硅氧烷。環(huán)硅氧烷可以是取代或未取代的并且可在環(huán)硅氧烷的一個或多個聚硅氧烷環(huán)中具有約4-20個-Si-O-單元。在一些實施例中，環(huán)硅氧烷具有單個環(huán)，該環(huán)具有約4、5、6、7、8、9、10、11、12或約13個-Si-O-。在多種實施例中，揮發(fā)性硅氧烷可以為六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷、六甲基環(huán)硅氧烷(D3)、八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)、十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)、十二甲基環(huán)六硅氧烷(D6)以及線性和環(huán)狀聚二甲基硅氧烷的高級低聚物，或它們的組合。在一些例子中，揮發(fā)性硅氧烷可具有式M-D’x-M、M-Dx-D’y-M、M’-Dx-M’、M’-Dx-D’y-M’、Dx、Dy、D’x或D’y，其中M代表[O0.5Si(Me)3]，-D-為[OSi(Me)2]，其中M’或D’表示取代的M或D基團(tuán)，其中所述一個或多個取代基可以是任何一個或多個合適的取代基，例如-H、鹵素、(C1-C20)烷基、(C6-C20)芳基、(C2-C20)烯基、鹵素取代的(C1-20)烷基或(C6-C20)芳基(如，三氟丙基)、取代或未取代的胺、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、低聚醚、異氰酸酯、環(huán)氧基以及夾雜有選自-O-、-NH-和-S-的0、1、2或3個基團(tuán)或以它們封端的取代或未取代的(C1-C20)烴基，其中x和y各自獨立地為1至約1,000、約1至約500、或約1、2、3、4、5、6、8、10、12、14、16、18、20、25、30、35、40、45、50、60、70、80、90、100、120、140、160、180、200、250或約500或更大。掃描介質(zhì)。所述方法包括使疏水膜的第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸。掃描介質(zhì)可包括真空、環(huán)境壓力或大于環(huán)境壓力。掃描介質(zhì)可包括氣體、液體，或者氣體或液體的組合。氣體可以是任何合適的氣體，例如環(huán)境空氣、壓縮空氣、氧氣、氮氣、氦氣或氬氣。液體可以是任何合適的液體，例如含水液體、有機(jī)溶劑或硅流體，例如有機(jī)硅流體。真空可以是任何合適的真空，并且可以基于以下至少一者：揮發(fā)性硅氧烷的蒸氣壓、系統(tǒng)的溫度以及進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)的流量。真空泵前面可以加上阱，以使得揮發(fā)性硅氧烷不進(jìn)入泵。在一些實施例中，掃描介質(zhì)包括有機(jī)硅流體。有機(jī)硅流體可以為吸收劑和吸附劑中的至少一者，例如，有機(jī)硅流體可以為吸著劑流體。有機(jī)硅流體可以包含有機(jī)硅氧烷和有機(jī)硅烷中的至少一者。在一些實施例中，有機(jī)硅流體為基本上不揮發(fā)的，并具有適中的粘度(例如在1rad/s下10至500cP)以使得可以泵送且在使用溫度下穩(wěn)定，而不用使用過多的能量來輸送流體。掃描流體可基本上不與進(jìn)行吸收的揮發(fā)性硅氧烷反應(yīng)，并任選不與進(jìn)料混合物的其他組分反應(yīng)。有機(jī)硅流體包含至少一種有機(jī)硅化合物，并且可以額外包含任何其他合適的化合物，包括任何合適的有機(jī)或無機(jī)組分，包括不含硅的組分，包括任何合適的溶劑或非溶劑。有機(jī)硅流體可以為例如硅烷(如，有機(jī)硅烷)、聚硅烷(如，有機(jī)聚硅烷)、硅氧烷(如，有機(jī)硅氧烷，例如有機(jī)單硅氧烷或有機(jī)聚硅氧烷)或聚硅氧烷(如，有機(jī)聚硅氧烷)，例如本領(lǐng)域已知的此類化合物中的任何合適的一種。有機(jī)硅烷可以是一硅烷、二硅烷、三硅烷或聚硅烷。相似地，有機(jī)硅氧烷可以是二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。有機(jī)硅化合物的結(jié)構(gòu)可以是直鏈的、支鏈的、環(huán)狀的或樹脂的。環(huán)硅烷和環(huán)硅氧烷可具有3至12個硅原子，或者3至10個硅原子，或者3至4個硅原子。掃描介質(zhì)的性質(zhì)允許其以合適的速度和以足夠的量吸收所述一種或多種硅氧烷，以使得發(fā)生足夠有效的分離過程。在包括隨后從掃描介質(zhì)中解吸所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷的實施例中，掃描介質(zhì)的性質(zhì)允許其解吸所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷以在適當(dāng)短的時間周期內(nèi)在掃描介質(zhì)中實現(xiàn)適當(dāng)?shù)蜐舛鹊乃鲆环N或多種揮發(fā)性硅氧烷，以使得發(fā)生足夠有效的分離過程。在包括吸收和從掃描介質(zhì)中解吸的實施例中，掃描介質(zhì)在獨立選擇的方法條件(壓力、溫度、濃度、流量、液體/氣體比和膜面積)下所具有的性質(zhì)允許其在適當(dāng)?shù)臅r長內(nèi)并以適當(dāng)大的體積吸收和解吸所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷，以使得發(fā)生足夠有效的吸收和解吸。雖然一些掃描介質(zhì)(例如包含有機(jī)硅流體的液體)可具有允許實現(xiàn)有效的組合式吸收和解吸過程的性質(zhì)的正確平衡，但是其他的掃描介質(zhì)可要么更適于吸收過程要么更適于解吸過程。在多種實施例中，所述掃描介質(zhì)可有利地比用于從液體進(jìn)料混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的其他方法中的掃描介質(zhì)更適于吸收、解吸或吸收/解吸循環(huán)，從而提供比其他方法更節(jié)能或成本更低的方法。將認(rèn)識到的是，根據(jù)掃描介質(zhì)的用途，某些特性可能更有價值。例如，在不循環(huán)利用掃描介質(zhì)的吸收過程中，主要是掃描介質(zhì)的吸收性質(zhì)有價值。又如，在不循環(huán)利用掃描介質(zhì)的組合式吸收/解吸過程中，在一些例子中，主要是掃描介質(zhì)的解吸性質(zhì)有價值。然而，在循環(huán)利用掃描介質(zhì)的過程中，有益的吸收性質(zhì)和解吸性質(zhì)的有效組合是可取的。在多種實施例中，有機(jī)硅流體可包含具有至少一個硅鍵合的取代基的有機(jī)硅(如，有機(jī)聚硅氧烷、有機(jī)硅氧烷或有機(jī)硅烷)，該取代基選自：取代或未取代的(C1-C20)烷基、甲基、乙基、丙基、丁基、取代或未取代的(C6-C20)芳基、苯基、取代或未取代的(C2-C20)炔基、鹵素取代的(C1-20)烷基(如，三氟甲基、三氟丙基、九氟己基)或(C6-C20)芳基(如，五氟苯基)、低聚醚、聚醚(如，聚(氧化(C2-5)烯基)，以及夾雜有選自-O-、-NH-和-S-的0、1、2或3個基團(tuán)或以它們封端并且任選不含脂族不飽和度的取代或未取代的(C1-C20)烴基。在一些實施例中，一個或多個硅鍵合的取代基鍵合到非末端硅原子。吸收劑有機(jī)硅流體可具有足夠的官能度以使得其可吸收第一組分的至少一些，例如約0.1重量％或更少、或約1重量％、2、3、4、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、95、96、97、98、99、或約99.9重量％或更多，例如約1-99.9999重量％、1-40重量％、1-20重量％、1-10重量％、40-99.999重量％或約50-99.99重量％。有機(jī)硅化合物可平均含有約0.001摩爾％至約100摩爾％的非烷基或非甲基的硅鍵合基團(tuán)，例如約0.001摩爾％或更少、約0.01、0.1、0.5、1、2、3、4、5、6、8、10、12、14、16、18、20、25、30、40、50、60、70、80、90、95、96、97、98、99或約99.9摩爾％或更多，其中在有機(jī)聚硅氧烷中，硅鍵合的官能團(tuán)的摩爾百分比是具有硅鍵合的基團(tuán)的有機(jī)聚硅氧烷中的硅氧烷單元的摩爾數(shù)與有機(jī)聚硅氧烷中硅氧烷單元的總摩爾數(shù)的比率乘以100。在一些實施例中，吸收劑有機(jī)硅流體可以是取代或未取代的聚二((C1-C10)烴基)硅氧烷(其中各烴基在每次出現(xiàn)時獨立地選擇并任選不含脂族不飽和度)。在一些實施例中，有機(jī)硅流體是有機(jī)硅烷流體。在一個例子中，有機(jī)硅烷可具有式R13Si-R2-SiR13，其中R1是選自以下的硅鍵合的取代基：取代或未取代的(C1-C20)烷基(如，甲基、乙基、丙基、丁基)、取代或未取代的(C6-C20)芳基(如，苯基)、取代或未取代的(C2-C20)炔基或(C2-C20)烯基、鹵素取代的(C1-20)烷基(如，三氟甲基、三氟丙基、九氟己基)、鹵素取代的(C6-C20)芳基(如，五氟苯基)、低聚醚、聚醚(如，聚(氧化(C2-5)烯基)，以及夾雜有選自-O-、-NH-和-S-的0、1、2或3個基團(tuán)中斷或以它們封端并且任選不含脂族不飽和度的取代或未取代的(C1-C20)烴基。變量R2可以是不含脂族不飽和度的亞烴基基團(tuán)，其具有選自以下的式：單芳基，例如1,4-二取代的苯基、1,3-二取代的苯基；或二芳基，例如4,4’-二取代的-1,1’-聯(lián)苯基、3,3’-二取代的-1,1’-聯(lián)苯基或具有包含將一個芳基基團(tuán)橋接到另一個的1至6個亞甲基基團(tuán)的烴鏈的類似二芳基。在多種實施例中，有機(jī)硅流體可以包含或可以為有機(jī)硅氧烷流體。在一些實施例中，有機(jī)硅氧烷流體可包含有機(jī)聚硅氧烷化合物。有機(jī)聚硅氧烷化合物可以為非官能化的，而僅用烷基基團(tuán)取代各甲硅烷氧基基團(tuán)。有機(jī)聚硅氧烷化合物可以為官能化的，其中用烷基基團(tuán)之外的基團(tuán)(如，甲基基團(tuán)之外的基團(tuán))取代至少一個甲硅烷氧基基團(tuán)，例如選自以下的硅鍵合的取代基：取代或未取代的(C1-C20)烷基、甲基、乙基、丙基、丁基、取代或未取代的(C6-C20)芳基、苯基、取代或未取代的(C2-C20)炔基、鹵素取代的(C1-20)烷基(如，三氟甲基、三氟丙基、九氟己基)或(C6-C20)芳基(如，五氟苯基)、低聚醚、聚醚(例如，聚(氧化(C2-5)烯基)，以及夾雜有選自-O-、-NH-和-S-的0、1、2或3個基團(tuán)或以它們封端并且任選不含脂族不飽和度的取代或未取代的(C1-C20)烴基。在一些例子中，有機(jī)聚硅氧烷化合物平均每個分子具有至少一個、兩個或多于兩個非烷基(例如，非甲基)官能團(tuán)。有機(jī)聚硅氧烷化合物可具有直鏈的、支鏈的、環(huán)狀的或樹脂的結(jié)構(gòu)。有機(jī)聚硅氧烷化合物可為均聚物或共聚物。有機(jī)聚硅氧烷化合物可為二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。在一些實施例中，有機(jī)硅流體主要包含一種或多種有機(jī)聚硅氧烷。在多種實施例中，有機(jī)硅流體可包含0.1重量％或更少的有機(jī)聚硅氧烷，或1重量％、2、3、4、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、95、96、97、97、98、99或約99.9重量％或更多的有機(jī)聚硅氧烷。在一些實施例中，有機(jī)硅流體可包含約1-99.9999重量％、40-99.999重量％或約60-99.99重量％的有機(jī)聚硅氧烷。吸收劑有機(jī)硅流體的例子可包括以下一者或多者：聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚甲基苯基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷、四正丁基硅烷、五氟苯基三甲基硅烷、1,3-二苯基-1,1,3,3,-四甲基二硅氧烷、八甲基-T-8-倍半硅氧烷、苯基三(三甲基甲硅烷氧基)硅烷、四(三甲基甲硅烷氧基)硅烷、1,1,3,3-四苯基二甲基二硅氧烷、1,1,5,5-四苯基-1,3,3,5-四甲基三硅氧烷、九氟己基三甲基硅烷、三氟甲基三甲基硅烷和3,5,7-三苯基九甲基五硅氧烷以及它們的共聚物或相容混合物。掃描介質(zhì)可包含一種化合物或不止一種化合物。在一些實施例中，掃描介質(zhì)可包含有機(jī)硅流體、有機(jī)油、聚醚或其鹵素取代的形式。掃描介質(zhì)可包含溶于其中或懸浮在其中的一種或多種有機(jī)化合物，其中該化合物可以為液體、固體或氣體(例如，在標(biāo)準(zhǔn)溫度和壓力下為純的形式)。在一些實施例中，掃描介質(zhì)可預(yù)充有適當(dāng)含量的揮發(fā)性硅氧烷組分，其含量適于有效地操作吸收過程與解吸或再生過程。掃描介質(zhì)還可以任選含有熱穩(wěn)定劑、消泡劑、流變改性劑、腐蝕抑制劑、酸清除劑、堿清除劑、染料、顏料、表面活性劑或它們的組合，以便使得溶液更適于長期使用和監(jiān)測。特定的掃描介質(zhì)具有可吸收給定量的特定揮發(fā)性硅氧烷所擁有的特征性速度。不同的掃描介質(zhì)在關(guān)于以下方面可具有不同的吸收某些揮發(fā)性硅氧烷的能力：可吸收的揮發(fā)性硅氧烷的體積，以及掃描介質(zhì)開始變得被揮發(fā)性硅氧烷飽和時的揮發(fā)性硅氧烷濃度。隨著掃描介質(zhì)變得被特定的揮發(fā)性硅氧烷飽和，吸收速率可降低。當(dāng)掃描介質(zhì)與開始發(fā)生飽和時的濃度相比相對貧乏特定的揮發(fā)性硅氧烷時，揮發(fā)性硅氧烷的吸收速率可以更高。因此，為了最大程度提高從進(jìn)料混合物中除去所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷的效率，掃描介質(zhì)可貧乏所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷(與飽和的或半飽和的狀態(tài)相比)。疏水膜。疏水膜可以是如本文進(jìn)一步描述的任何合適的膜或膜的組合。例如，對于包括將揮發(fā)性硅氧烷吸收到掃描介質(zhì)中或?qū)]發(fā)性硅氧烷從掃描介質(zhì)解吸的方法，第一膜或第二膜可以為任何大小、形狀或形狀系數(shù)的單個膜或一堆或一批膜，包括中空纖維膜的模塊。所述一個或多個膜可選擇性滲透進(jìn)料混合物中的任一種或多種揮發(fā)性硅氧烷。在包括中空纖維膜的實施例中，纖維可全體具有孔側(cè)和殼側(cè)(如，例如在特定的中空纖維膜模塊中)，其中包括以下至少一者：1)中空纖維膜的第一側(cè)為孔側(cè)而中空纖維膜的第二側(cè)為殼側(cè)，以及2)中空纖維膜的第一側(cè)為殼側(cè)而中空纖維膜的第二側(cè)為孔側(cè)。膜的實施例包括有機(jī)硅組合物的固化產(chǎn)物，例如有機(jī)聚硅氧烷組合物的固化產(chǎn)物?？梢允褂枚喾N固化方法，包括任何合適的固化方法，包括例如硅氫加成固化、縮合固化、自由基固化、胺-環(huán)氧固化、輻射固化、冷卻或其任意組合。本發(fā)明的方法包括使用一個或多個膜。所述膜中的一者或多者可以是致密膜。所述膜中的一者或多者可以是無孔的。一些類型的孔可從膜的一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)，例如大致呈圓柱體狀的圓柱形孔，或例如海綿孔，例如包括無規(guī)成形的腔體或通道而這些腔體或通道形成從一個主要側(cè)到另一個主要側(cè)的連接的孔。一些類型的孔不從膜的一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)，例如盲孔，也稱為表面孔。一些類型的海綿孔也可不從膜的一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)。在一些實施例中，本發(fā)明的致密膜可基本上不含孔，既基本上不含從一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)的孔，也基本上不含不從一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)的孔，例如每mm2少于約100,000個孔，或每mm2少于約10,000、1000、100、50、25、20、15、10、5或少于約1個孔。在一些實施例中，致密膜可基本上不含從一側(cè)穿透到另一側(cè)的孔，例如每mm2少于約100,000個穿透孔，或每mm2少于約10,000、1000、100、50、25、20、15、10、5或少于約1個穿透孔，但該膜也可包含任何合適數(shù)量的不從膜的一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)的孔，例如表面孔和海綿孔中的至少一種，比如等于或多于每mm2約100,000個非穿透孔，或每mm2少于10,000、1000、100、50、25、20、15、10、5或等于或多于約1個非穿透孔。在一些實施例中，致密膜可具有基本上零個從膜的一個主要側(cè)穿透到另一個主要側(cè)的直徑大于約0.00001、0.0001、0.001、0.005、0.01、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6、0.7、0.8、0.9、1或大于約2μm的孔，例如每mm2少于約100,000個孔，或每mm2少于約10,000、1000、100、50、25、20、15、10、5或少于約1個孔?？讖娇赏ㄟ^其路徑貫穿膜的整個厚度或僅部分穿過膜的孔的平均大小來確定?？讖娇赏ㄟ^膜表面的孔的平均大小來確定?？墒褂萌魏魏线m的分析技術(shù)來確定孔徑。實施例涵蓋這樣的致密膜，其具有在本段落中給出的各類型孔的尺寸的大約最大值的任意組合，所述各類型孔為：貫穿膜的孔、圓柱體孔、海綿孔、盲孔、任何其他類型的孔或其組合。在一些實施例中，致密膜確實具有一直穿過膜的孔、圓柱體孔、海綿孔、盲孔和任何其他類型的孔中的至少一種，其中該孔的尺寸小于本段中給出的尺寸的最大值。所述一個或多個膜可具有任何合適的厚度。在一些例子中，所述一個或多個膜的厚度為約1μm至約20μm，或約2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14或15μm至約20μm。在一些例子中，所述一個或多個膜的厚度為約0.1μm至約300μm，或約10、15、20、25或30μm至約200μm。在其他例子中，所述一個或多個膜的厚度為約0.01μm至約2000μm，或約0.01μm或更小，約0.1μm、1、2、3、4、5、10、15、20、25、30、40、50、60、70、80、90、100、110、120、130、140、150、160、170、180、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280、290、300、350、400、500、600、700、800、900、1000、1250、1500、1750μm或約2000μm或更大。所述一個或多個膜可選擇性滲透一種物質(zhì)勝過另一種物質(zhì)。在一個例子中，所述一個或多個膜可選擇性滲透一種揮發(fā)性硅氧烷勝過其他揮發(fā)性硅氧烷或勝過進(jìn)料混合物中的其他材料。在一些實施例中，當(dāng)在不存在掃描介質(zhì)的情況下在室溫進(jìn)行測試時，膜具有約0.001或更小，或至少約0.01巴勒、0.1、1、5、10、20、30、40、50、60、70、80、90、100、120、140、160、180、200、240、280、300、400、500、600、700、800、900、1000、1200、1400、1600、1800或至少約2000巴勒的所述一種或多種揮發(fā)性硅氧烷的滲透系數(shù)。所述一個或多個膜可具有任何合適的形狀。在一些例子中，所述一個或多個膜為板框式膜、螺旋纏繞膜、管狀膜、毛細(xì)纖維膜或中空纖維膜。所述一個或多個膜可以為含有多個中空纖維膜且每根纖維具有孔側(cè)和殼側(cè)的中空纖維膜模塊。所述中空纖維膜模塊中的纖維可全體具有能通過模塊每側(cè)上的單個連接器而進(jìn)入的孔側(cè)和殼側(cè)?；蛘?，所述中空纖維膜模塊中的纖維可具有能通過置于模塊中的各個點的多個連接器而進(jìn)入的孔側(cè)和殼側(cè)。在所述方法的一些實施例中，進(jìn)料混合物可接觸所述一個或多個中空纖維膜的孔側(cè)，而掃描介質(zhì)可接觸殼側(cè)。在所述方法的其他實施例中，進(jìn)料混合物可接觸所述一個或多個中空纖維膜的殼側(cè)，而掃描介質(zhì)可接觸孔側(cè)。所述一個或多個膜可以為自支撐的或由多孔基材支撐。在一些實施例中，所述一個或多個膜的任一側(cè)上的壓力可以大致相同。在其他實施例中，在所述一個或多個膜的一側(cè)與所述一個或多個膜的另一側(cè)之間可存在壓差。例如，在所述一個或多個膜的進(jìn)料和滲余側(cè)上的壓力可高于在所述一個或多個膜的滲透側(cè)上的壓力。在其他例子中，在所述一個或多個膜的滲透側(cè)上的壓力可高于在所述一個或多個膜的滲余側(cè)上的壓力。分離可使用任意數(shù)量的膜來實現(xiàn)?？梢允褂米灾魏褪苤文さ娜我饨M合?？梢允褂盟鲆粋€或多個膜的任何合適的表面積。例如，每個膜的表面積或膜的總表面積可為約0.01m2、0.1、1、2、3、4、5、10、100、200、300、400、500、600、700、800、900、1000、1200、1400、1600、1800、2000、2200、2400、2600、2800、3000、3200、3400、3800、4000、5000、10,000、50,000、100,000、500,000或約1,000,000m2。在一個例子中，所述一個或多個膜是一個或多個中空管或纖維膜?？梢允褂萌魏螖?shù)量的中空管或纖維膜。例如，可將1個中空管或纖維膜、2、3、4、5、10、20、50、100、500、1000、2000、5000、10,000、100,000或約1,000,000個中空管或纖維膜一起用作所述一個或多個膜。在一個例子中，所述一個或多個膜是交聯(lián)有機(jī)硅或有機(jī)聚硅氧烷中空管或纖維膜。在一個例子中，所述一個或多個膜是一個或多個自支撐中空管或纖維膜(如，不具有多孔載體)。在一個例子中，所述一個或多個膜是交聯(lián)有機(jī)硅或有機(jī)聚硅氧烷自支撐中空管或纖維膜(例如，不具有多孔載體)。所述一個或多個中空管或纖維膜可以為模塊化盒的形式，以使得可容易地更換或維護(hù)所述一個或多個膜。在一個實施例中，所述一個或多個中空管或纖維膜的內(nèi)側(cè)可以是所述一個或多個膜的第一側(cè)，而所述一個或多個中空管或纖維膜的外側(cè)可以是所述一個或多個膜的第二側(cè)。在另一個實施例中，所述一個或多個中空管或纖維膜的外側(cè)可以是所述一個或多個膜的第一側(cè)，而所述一個或多個中空管或纖維膜的內(nèi)側(cè)可以是所述一個或多個膜的第二側(cè)。在一些例子中，在所述一個或多個中空管或纖維膜的第一側(cè)與第二側(cè)之間維持壓差。在一些實施例中，本發(fā)明的多種實施例可提供使從掃描介質(zhì)到進(jìn)料組分或滲余組分的熱傳遞有限或沒有熱傳遞或反之亦然的模塊。在其他實施例中，本發(fā)明的多種實施例可提供允許從介質(zhì)到進(jìn)料組分或滲余組分發(fā)生實質(zhì)性熱傳遞或反之亦然的模塊。例如，本發(fā)明可提供允許進(jìn)料組合物與掃描介質(zhì)之間同時發(fā)生熱和質(zhì)量交換的系統(tǒng)。在本發(fā)明的一些實施例中，膜被支撐在多孔或高滲透性的無孔基材上?；目蔀槿魏魏线m的基材。在受支撐膜中，膜的兩個主要側(cè)中的至少一者的大部分表面積接觸多孔或高滲透性的無孔基材。多孔基材上的受支撐膜可被稱為復(fù)合膜，其中所述膜為膜與多孔基材的復(fù)合物。其上設(shè)置受支撐膜的多孔基材可允許氣體或液體穿過孔并到達(dá)膜。受支撐膜可附接(如，粘附)到多孔基材。受支撐膜可與基材接觸而不粘附。多孔基材可以是與膜部分一體化、完全一體化或未一體化的。在一些實施例中，膜是無支撐的，也稱為自支撐。自支撐的膜的兩個主要側(cè)中的每一者上的大部分表面積不接觸基材，無論基材是多孔的或不是多孔的。在一些實施例中，自支撐的膜可以是100％無支撐的。自支撐的膜可在邊緣處或在膜的任一或兩個主要側(cè)上的少部分(如，小于50％)表面積處受支撐。自支撐膜可以具有任何合適的形狀，無論受支撐的自支撐膜百分?jǐn)?shù)為怎樣。所述自支撐膜的合適形狀的例子包括例如具有任何厚度(包括可變厚度)的正方形、矩形、圓形、管、立方體、球體、錐體、圓柱體及其平坦部分。所述一個或多個膜可包含有機(jī)硅組合物的固化產(chǎn)物。有機(jī)硅組合物可以為任何合適的有機(jī)硅組合物。有機(jī)硅組合物的固化得到該有機(jī)硅組合物的固化產(chǎn)物?？晒袒挠袡C(jī)硅組合物包含至少一種合適的有機(jī)聚硅氧烷化合物。有機(jī)硅組合物包含合適的成分使得該組合物能以任何合適的方式固化。除了所述至少一種合適的聚硅氧烷外，有機(jī)硅組合物可包含任何合適的附加成分，包括任何合適的有機(jī)或無機(jī)組分，包括不含硅的組分，或包括不含聚硅氧烷結(jié)構(gòu)的組分。在一些例子中，有機(jī)硅組合物的固化產(chǎn)物包含聚硅氧烷?？晒袒墓杞M合物可包含所具有的性質(zhì)允許組合物固化的分子組分。在一些實施例中，允許有機(jī)硅組合物固化的性質(zhì)為特定的官能團(tuán)。在一些實施例中，各個化合物包含官能團(tuán)或具有允許有機(jī)硅組合物通過一種或多種固化方法固化的性質(zhì)。在一些實施例中，一種化合物可包含允許有機(jī)硅組合物按一種方式固化的官能團(tuán)或具有允許有機(jī)硅組合物按一種方式固化的性質(zhì)，而另一種化合物可包含允許有機(jī)硅組合物按相同或不同的方式固化的官能團(tuán)或具有允許有機(jī)硅組合物按相同或不同的方式固化的性質(zhì)。允許固化的官能團(tuán)可位于化合物中的側(cè)基位置或適用時位于末端位置。可固化的硅組合物可包含有機(jī)硅化合物。有機(jī)硅化合物可以為任何有機(jī)硅化合物。有機(jī)硅化合物可以為例如硅烷(如，有機(jī)硅烷)、聚硅烷(如，有機(jī)聚硅烷)、硅氧烷(如，有機(jī)硅氧烷，例如有機(jī)單硅氧烷或有機(jī)聚硅氧烷)或聚硅氧烷(如，有機(jī)聚硅氧烷)或聚硅氧烷-有機(jī)聚合物，例如本領(lǐng)域已知的此類化合物中的任何合適的一種?？晒袒挠袡C(jī)硅組合物可包含任何數(shù)量的合適的有機(jī)硅化合物以及任何數(shù)量的合適的有機(jī)化合物。有機(jī)硅化合物可包含允許固化的任何官能團(tuán)。在一些實施例中，有機(jī)硅化合物可包含硅鍵合的氫原子，例如有機(jī)氫硅烷或有機(jī)氫硅氧烷。在一些實施例中，有機(jī)硅化合物可包含烯基基團(tuán)，例如有機(jī)烯基硅烷或有機(jī)烯基硅氧烷。在其他實施例中，有機(jī)硅化合物可包含允許固化的任何官能團(tuán)。有機(jī)硅烷可以是一硅烷、二硅烷、三硅烷或聚硅烷。相似地，有機(jī)硅氧烷可以是二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。有機(jī)硅化合物的結(jié)構(gòu)可以是直鏈的、支鏈的、環(huán)狀的或樹脂的。環(huán)硅烷和環(huán)硅氧烷可具有3至12個硅原子，或者3至10個硅原子，或者3至4個硅原子。有機(jī)硅化合物可以為有機(jī)聚硅氧烷化合物。在一些例子中，有機(jī)聚硅氧烷化合物平均具有至少一個、兩個或多于兩個允許固化的官能團(tuán)。有機(jī)聚硅氧烷化合物可具有直鏈的、支鏈的、環(huán)狀的或樹脂的結(jié)構(gòu)。有機(jī)聚硅氧烷化合物可為均聚物或共聚物。有機(jī)聚硅氧烷化合物可為二硅氧烷、三硅氧烷或聚硅氧烷。有機(jī)聚硅氧烷化合物可以是單種有機(jī)聚硅氧烷或包含兩種或更多種在以下性質(zhì)中的至少一個有所不同的有機(jī)聚硅氧烷的組合：結(jié)構(gòu)、粘度、平均分子量、硅氧烷單元和排序。系統(tǒng)在多種實施例中，本發(fā)明提供用于從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以是可執(zhí)行本文所述的方法的實施例的任何合適的系統(tǒng)。例如，該系統(tǒng)可包括第一疏水膜。該系統(tǒng)可包括含有聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物，該液體進(jìn)料混合物接觸第一疏水膜的第一側(cè)。該系統(tǒng)可包括含有掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)，該掃描介質(zhì)接觸膜的第二側(cè)。該系統(tǒng)可包括在膜的第二側(cè)上的滲透混合物，該滲透混合物通過使第一側(cè)與進(jìn)料混合物以及使第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸而形成，其中該滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷。該系統(tǒng)包括在膜的第一側(cè)上的滲余混合物，該滲余混合物通過使第一側(cè)與進(jìn)料混合物以及使第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸而形成，其中該滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷。實例可參考以舉例說明方式提供的以下實例來更好地理解本發(fā)明的多種實施例。本發(fā)明不限于本文給出的實例。實例1。使用真空從進(jìn)料到孔側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)。制備704g50cSt聚二甲基硅氧烷(“PDMS”)(XiameterTM，道康寧公司(DowCorning))和96gD4的混合物(“混合物1”)并在瓶中徹底混合。使用具有1.42mm內(nèi)徑管的ManostatCarterCassette泵將混合物泵入致密有機(jī)硅中空纖維膜(HFM)模塊(梅達(dá)雷公司(MedArray,Inc.))的孔側(cè)。有機(jī)硅中空纖維膜模塊包括足夠數(shù)量的約8cm有效長度、300微米外徑和190微米內(nèi)徑的纖維以構(gòu)成2500cm2的表面積，其中多孔圓柱形管朝連接到外部端口的纖維束的中心軸向向下取向，纖維圍繞所述外部端口布置以允許在殼側(cè)上的徑向交錯流。將流體泵送通過一段1/8英寸的不銹鋼管，然后進(jìn)入HFM模塊。將不銹鋼管和模塊中的每一者纏上由單獨的溫度控制器控制的加熱帶。兩者還纏上玻璃纖維絕緣層。以5rpm的設(shè)置(對應(yīng)于0.6mL/min的大致速率)將混合物泵送通過模塊。通過與進(jìn)料端口處于模塊的相對末端上的真空端口，將模塊的殼側(cè)用真空泵抽空達(dá)到1.2托的壓力。將模塊上未使用的端口密封。監(jiān)測進(jìn)入和退出分離模塊的流體溫度。將流體泵送到廢料中直到實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)。該實例的穩(wěn)態(tài)溫度為流體入口的87℃和流體出口的73℃。將汽提后的流體收集在清潔的容器中。最終的汽提材料通過重量分析而檢測揮發(fā)物含量。將大約2g材料置于鋁杯中，然后將該杯子在150℃加熱1小時。存在0.73％的總重量損失，這對應(yīng)于混合物中的原始D4除去了90.2g或93.9重量％。將樣品放回烘箱中在150℃再保持一小時，然后再次稱重。從加熱的第一小時到第二小時，質(zhì)量變化可以忽略不計，從而確認(rèn)在1小時/150℃完全地測量了揮發(fā)物含量。用于供往孔側(cè)的進(jìn)料的汽提的模塊裝置的示意圖在圖1中示出。雖然圖1示出了僅一個端口連接到真空而另外的端口被堵住的設(shè)備，但在其他實施例中，2個或3個端口可以連接到真空。實例2。使用真空從進(jìn)料到孔側(cè)的有機(jī)硅流體除去十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)。制備704g50cStPDMS和96gD5的混合物(“混合物2”)并在瓶中徹底混合。使用具有1.42mm內(nèi)徑管的ManostatCarterCassette泵將混合物泵入致密有機(jī)硅中空纖維膜(HFM)模塊(梅達(dá)雷公司)的孔側(cè)。HFM模塊與實例1中所用的相同。將流體泵送通過一段1/8英寸的不銹鋼管，然后進(jìn)入HFM模塊。將不銹鋼管和模塊中的每一者纏上由單獨的溫度控制器控制的加熱帶。兩者還纏上玻璃纖維絕緣層。以5rpm的設(shè)置(對應(yīng)于0.6mL/min的大致速率)將混合物泵送通過模塊。通過與進(jìn)料端口處于模塊的相對末端上的真空端口，將模塊的殼側(cè)用真空泵抽空達(dá)到0.78托的壓力。將模塊上未使用的端口密封。用于供往孔側(cè)的進(jìn)料的汽提的模塊設(shè)置的示意圖在圖1中示出。監(jiān)測進(jìn)入和退出分離模塊的流體溫度。將流體泵送到廢料中直到實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)。該實例的穩(wěn)態(tài)溫度為流體入口的97℃和流體出口的70℃。將汽提后的流體收集在清潔的容器中。最終的汽提材料通過重量分析而檢測揮發(fā)物含量。將大約2g材料置于鋁杯中，然后將該杯子在150℃加熱1小時。存在2.22％的總重量損失，對應(yīng)于混合物中的D5除去了78.2g或81.5重量％。將樣品放回烘箱中在150℃再保持一小時，然后再次稱重。從加熱的第一小時到第二小時，質(zhì)量變化可以忽略不計，從而確認(rèn)在1小時/150℃完全地測量了揮發(fā)物含量。實例3。使用真空從進(jìn)料到孔側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)和十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)。制備450g50cStPDMS(XiameterTM，道康寧公司)、31.41gD4和18.6gD5的混合物(“混合物3”)并在瓶中徹底混合。使用具有1.42mm內(nèi)徑管的ManostatCarterCassette泵將混合物泵入致密有機(jī)硅中空纖維膜(HFM)模塊(梅達(dá)雷公司)的孔側(cè)。HFM模塊與實例1中所用的相同。將流體泵送通過一段1/8英寸的不銹鋼管，然后進(jìn)入HFM模塊。將不銹鋼管和模塊中的每一者纏上由單獨的溫度控制器控制的加熱帶。兩者還纏上玻璃纖維絕緣層。以5rpm的設(shè)置(對應(yīng)于0.6mL/min的大致速率)將混合物泵送通過模塊。通過與進(jìn)料端口處于模塊的相對末端上的真空端口，將模塊的殼側(cè)用真空泵抽空達(dá)到0.73托的壓力。將模塊上未使用的端口密封。用于供往孔側(cè)的進(jìn)料的汽提的模塊裝置的示意圖在圖1中示出。監(jiān)測進(jìn)入和退出分離模塊的流體溫度。將流體泵送到廢料中直到實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)。該實例的穩(wěn)態(tài)溫度為流體入口的83℃和流體出口的76℃。將汽提后的流體收集在清潔的容器中。最終的汽提材料通過重量分析而檢測揮發(fā)物含量。將大約2g材料置于鋁杯中，然后將該杯子在150℃加熱1小時。存在1.09％的總重量損失，對應(yīng)于混合物中的D4和D5除去了44.6g或89.1重量％。將樣品放回烘箱中在150℃再保持一小時，然后再次稱重。從加熱的第一小時到第二小時，質(zhì)量變化可以忽略不計，從而確認(rèn)在1小時/150℃完全地測量了揮發(fā)物含量。實例4。使用真空從進(jìn)料到殼側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)。制備708g50cStPDMS(XiameterTM，道康寧公司)和96.6gD4的混合物(“混合物4”)并在瓶中徹底混合。使用具有3.175mm內(nèi)徑管的ManostatCarterCassette泵將混合物泵入致密有機(jī)硅中空纖維膜(HFM)模塊(梅達(dá)雷公司)的殼側(cè)。HFM模塊與實例1中所用的相同。將流體泵送通過一段1/8英寸的不銹鋼管，然后進(jìn)入HFM模塊。將不銹鋼管和模塊中的每一者纏上由單獨的溫度控制器控制的加熱帶。兩者還纏上玻璃纖維絕緣層。以5rpm的設(shè)置(對應(yīng)于3.1mL/min的大致速率)將混合物泵送通過模塊的殼側(cè)。通過與進(jìn)料端口處于模塊的相對末端上的真空端口，將模塊的孔側(cè)用真空泵抽空達(dá)到1.3托的壓力。將模塊上未使用的端口密封。監(jiān)測進(jìn)入和退出分離模塊的流體溫度。將流體泵送到廢料中直到實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)。該實例的穩(wěn)態(tài)溫度為流體出口的89℃。將汽提后的流體收集在清潔的容器中。最終的汽提材料通過重量分析而檢測揮發(fā)物含量。將大約2g材料置于鋁杯中，然后將該杯子在150℃加熱1小時。存在6.38％的總重量損失，對應(yīng)于混合物中的D4除去了45.2g或46.8重量％。將樣品放回烘箱中在150℃再保持一小時，然后再次稱重。從加熱的第一小時到第二小時，質(zhì)量變化可以忽略不計，從而確認(rèn)在1小時/150℃完全地測量了揮發(fā)物含量。圖2示出了用于供往殼側(cè)的進(jìn)料的汽提的模塊裝置的示意圖。雖然圖2示出了僅施加到一個端口而另一個端口被堵住的真空，但是在其他實施例中，兩個端口均可施加真空。雖然圖2示出了進(jìn)入一個端口并從另一個端口退出而第三個端口被堵住的進(jìn)料混合物，但是流體進(jìn)入和流體退出的任何合適的組合均可與三殼側(cè)端口一起使用，以使得流體進(jìn)入可在一個或兩個端口中發(fā)生，并且流體退出可在一個或兩個端口中發(fā)生。實例5。使用液體掃描從進(jìn)料到孔側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)。制備在組成上與混合物1(“進(jìn)料”)相同的流體混合物并在瓶中徹底混合。使用具有3.175mm內(nèi)徑管的ManostatCarterCassette泵將進(jìn)料混合物泵入致密有機(jī)硅中空纖維膜(HFM)模塊(梅達(dá)雷公司)的孔側(cè)。HFM模塊與實例1中所用的相同。將流體泵送通過一段1/4英寸的不銹鋼管，然后進(jìn)入HFM模塊。將不銹鋼管和模塊中的每一者纏上由單獨的溫度控制器控制的加熱帶。兩者還纏上玻璃纖維絕緣層。以50rpm的設(shè)置(對應(yīng)于5.5mL/min的大致速率)將混合物泵送通過模塊的孔側(cè)。將模塊的殼側(cè)用純50cStPDMS(道康寧公司)(“掃描流體”)的反向流以25.6mL/min的流量掃描。將掃描流體冷卻到13℃的溫度再進(jìn)入模塊。監(jiān)測進(jìn)入和退出分離模塊的流體溫度。將流體泵送到廢料中直到實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)。該實例的穩(wěn)態(tài)溫度為進(jìn)料混合物的流體出口(孔側(cè))的38℃。將汽提后的流體收集在清潔的容器中。最終的汽提材料通過重量分析而檢測揮發(fā)物含量。將大約2g材料置于鋁杯中，然后將該杯子在150℃加熱1小時。存在0.74％的總重量損失，對應(yīng)于混合物中的D4除去了90.0g或93.8重量％。將樣品放回烘箱中在150℃再保持一小時，然后再次稱重。從加熱的第一小時到第二小時，質(zhì)量變化可以忽略不計，從而確認(rèn)在1小時/150℃完全地測量了揮發(fā)物含量。圖3示出了供往孔側(cè)的進(jìn)料的汽提的示意圖。實例6a-m。使用真空從進(jìn)料到孔側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)：實例1中的參數(shù)變化。如表1中所示對參數(shù)作出變化而進(jìn)行實例1。表1.實例1所述的參數(shù)的變化。實例流體流泵速(RPM)真空(托)流體出口溫度(℃)在150℃下1小時除去的D4％1孔51.273°0.7393.96a孔51.473°0.7393.926b孔7.52.566°1.7285.676c孔52.457°1.5087.506d孔12.52.180°2.0682.836e孔10240°6.6045.006f孔51.640°6.5245.676g孔3.55.551°2.6378.086h孔52.166°1.0990.926i孔7.52.176°1.1290.676j孔102.179°1.5886.83實例7a-c。使用真空從進(jìn)料到殼側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)：實例4中的參數(shù)變化。如表2中所示對參數(shù)作出變化而進(jìn)行實例4。表2.實例4所述的參數(shù)的變化。實例流體流泵速(RPM)真空(托)流體出口溫度(℃)在150℃下1小時除去的D4％4殼51.389°6.3846.87a殼3036室溫11.742.177b殼51.450°7.9833.507c殼51.389°6.3846.83實例8a-8o。使用液體掃描從進(jìn)料到孔側(cè)的有機(jī)硅流體除去八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)：實例5中的參數(shù)變化。如表3中所示對參數(shù)作出變化而進(jìn)行實例5。在所有情況下，除了圖8a中所示的原料外，第一樣品表示在汽提之后的摻雜有12％D4的進(jìn)料PDMS流體(例如，8b-1)并且第二樣品表示用于使相應(yīng)的第一樣品脫揮發(fā)的掃描流體(例如，8b-2)。揮發(fā)物含量是在如實例中所述在150℃加熱而處理后檢測揮發(fā)物含量時測得的重量損失百分比。例如，制備態(tài)的12％D4(實例8a)為12.09％。這和預(yù)期一樣，因為將12％的揮發(fā)性D4加入PDMS中以制備該樣品。以相同的方式，實例8b在汽提后在樣品中留下3.52％的揮發(fā)物。所報告的溫度(℃)是流體在模塊入口處的溫度。在第一樣品中，這是12％D4的PDMS溶液進(jìn)入模塊進(jìn)行解吸時的溫度。在第二樣品中，這是掃描流體進(jìn)入模塊時的溫度。流量(g/min)是以克/分鐘表示的12％D4的PDMS溶液和掃描流體的流量。除去的總D4的百分比是從原始樣品中除去的D4的重量百分比。例如，如果該數(shù)為75％，則意味著除去了樣品中75％的D4。20％將意味著僅除去了20％的D4。在10分鐘內(nèi)的重量損失/增加(g)是在10分鐘的運行過程中將從摻雜的PDMS中除去的克數(shù)或?qū)⑼ㄟ^掃描流體獲得的克數(shù)。這確保了大致保證質(zhì)量平衡，例如，在所用的相應(yīng)流量和測得的濃度下，在10分鐘內(nèi)吸收的揮發(fā)物的量接近在10分鐘內(nèi)從流體解吸的量。表3.實例5所述的參數(shù)的變化。已采用的術(shù)語和措辭是用作描述性而非限制性的術(shù)語，并且在這類術(shù)語和措辭的使用中并不試圖排除所示的和所描述的特征或其部分的任何等同物，而是應(yīng)認(rèn)識到在本發(fā)明的實施例的范圍內(nèi)可以作出各種修改形式。因此，應(yīng)當(dāng)理解，雖然本發(fā)明已通過具體的實施例和任選的特征具體地進(jìn)行公開，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可能作出本文所公開的構(gòu)思的修改形式和變型形式，而此類修改形式和變型形式將被視為在本發(fā)明的實施例的范圍內(nèi)。附加實施例。提供以下示例性實施例，其編號不應(yīng)視為表示重要性程度：實施例1提供從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的方法，該方法包括：使第一疏水膜的第一側(cè)與包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物接觸，其中進(jìn)料混合物不含有機(jī)聚硅氧烷乳液；以及使膜的第二側(cè)與包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)接觸，以在膜的第二側(cè)上產(chǎn)生滲透混合物并在膜的第一側(cè)上產(chǎn)生滲余混合物，其中滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷，而滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷。實施例2提供實施例1的方法，其中滲余混合物與液體進(jìn)料混合物相比少約1重量％至約99.9重量％的揮發(fā)性硅氧烷。實施例3提供實施例1-2中任一者的方法，其中滲余混合物與液體進(jìn)料混合物相比少約40重量％至約95重量％的揮發(fā)性硅氧烷。實施例4提供實施例1-3中任一者的方法，其中液體進(jìn)料混合物的溫度為約-40℃至約250℃。實施例5提供實施例1-4中任一者的方法，其中液體進(jìn)料混合物的溫度為約50℃至約90℃。實施例6提供實施例1-5中任一者的方法，其中第一疏水膜為無孔的。實施例7提供實施例1-6中任一者的方法，其中第一疏水膜為致密有機(jī)硅膜。實施例8提供實施例1-7中任一者的方法，其中第一疏水膜的厚度為約1μm至約300μm。實施例9提供實施例1-8中任一者的方法，其中第一疏水膜為無支撐膜。實施例10提供實施例1-9中任一者的方法，其中第一疏水膜為包含一束中空纖維的中空纖維膜模塊，其中纖維全體具有孔側(cè)和殼側(cè)，其中包括以下至少一者中空纖維膜的第一側(cè)為孔側(cè)而中空纖維膜的第二側(cè)為殼側(cè)，以及中空纖維膜的第一側(cè)為殼側(cè)而中空纖維膜的第二側(cè)為孔側(cè)。實施例11提供實施例1-10中任一者的方法，其中掃描介質(zhì)包含真空。實施例12提供實施例1-10中任一者的方法，其中掃描介質(zhì)為掃描氣體。實施例13提供實施例1-10中任一者的方法，其中掃描介質(zhì)為掃描液體。實施例14提供實施例13的方法，其中掃描液體包含有機(jī)硅流體。實施例15提供實施例14的方法，其中有機(jī)硅流體包含有機(jī)硅氧烷和有機(jī)硅烷中的至少一者。實施例16提供實施例14-15中任一者的方法，其中有機(jī)硅流體包含至少一個硅鍵合的基團(tuán)，該基團(tuán)選自：夾雜有選自-O-、-NH-和-S-的0、1、2或3個基團(tuán)或以它們封端的取代或未取代的(C1-C20)烴基，取代或未取代的(C1-C20)烷基，取代或未取代的(C6-C20)芳基，取代或未取代的(C2-C20)烯基，取代或未取代的(C2-C20)炔基以及取代或未取代的聚醚。實施例17提供實施例1-16中任一者的方法，還包括使揮發(fā)性硅氧烷從滲透混合物中解吸并使解吸后的滲透混合物再循環(huán)而與第一疏水膜的第二側(cè)接觸。實施例18提供實施例17的方法，其中使揮發(fā)性硅氧烷解吸包括使第二疏水膜的第一側(cè)與滲透混合物接觸并使第二疏水膜的第二側(cè)與掃描介質(zhì)接觸。實施例19提供根據(jù)實施例11-18中任一者的方法，其中進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)以相反的方向流動。實施例20提供根據(jù)實施例11-19中任一者的方法，其中進(jìn)料混合物和掃描介質(zhì)彼此徑向流動。實施例21提供實施例1-20中任一者的方法，其中液體進(jìn)料混合物的聚合物為有機(jī)聚硅氧烷。實施例22提供實施例1-21中任一者的方法，其中揮發(fā)性硅氧烷包含環(huán)硅氧烷和線性硅氧烷中的至少一者。實施例23提供實施例22的方法，其中環(huán)硅氧烷是在其一個或多個環(huán)中具有約4至20個-Si-O-單元的取代或未取代的環(huán)硅氧烷。實施例24提供實施例22-23中任一者的方法，其中環(huán)硅氧烷為八甲基環(huán)四硅氧烷(D4)和十甲基環(huán)五硅氧烷(D5)中的至少一者。實施例25提供從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的方法，該方法包括：使第一疏水膜的第一側(cè)與包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物接觸，其中進(jìn)料混合物不含有機(jī)聚硅氧烷乳液，第一疏水膜包括厚度為約1μm至約300μm的致密有機(jī)硅膜，并且液體進(jìn)料混合物的溫度為約-40℃至約250℃；以及使膜的第二側(cè)與包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)接觸，以在膜的第二側(cè)上產(chǎn)生滲透混合物并在膜的第一側(cè)上產(chǎn)生滲余混合物，其中滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷，而滲余混合物與液體進(jìn)料混合物相比少約40重量％至約99重量％的揮發(fā)性硅氧烷。實施例26提供用于從液體混合物中分離揮發(fā)性硅氧烷的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：第一疏水膜；包含聚合物和至少一種揮發(fā)性硅氧烷的液體進(jìn)料混合物，該液體進(jìn)料混合物接觸第一疏水膜的第一側(cè)，其中進(jìn)料混合物不含有機(jī)聚硅氧烷乳液；包含掃描氣體、掃描液體和真空中的至少一者的掃描介質(zhì)，該掃描介質(zhì)接觸膜的第二側(cè)；在膜的第二側(cè)上的滲透混合物，該滲透混合物通過所述接觸而形成，其中滲透混合物富含揮發(fā)性硅氧烷；在膜的第一側(cè)上的滲余混合物，該滲余混合物通過所述接觸而形成，其中滲余混合物貧乏揮發(fā)性硅氧烷。實施例27提供實施例1-26任一者或任何組合的設(shè)備或系統(tǒng)，該設(shè)備或系統(tǒng)任選構(gòu)造成使得所有所述的要素或選項可加以使用或選擇。當(dāng)前第1頁1 2 3